太陽能電池片復(fù)習(xí)題公開課一等獎?wù)n件省賽課獲獎?wù)n件

第一章1、太陽能電池是人們利用太陽能下列那種方式？（）A光電轉(zhuǎn)化B光熱轉(zhuǎn)化C光化學(xué)轉(zhuǎn)化2、太陽能源來自于太陽內(nèi)部物質(zhì)（）A核裂變B動能C核聚變D化學(xué)變化3、太陽一般被以為由兩部分組成（）、（）。第1頁5、光伏發(fā)電電價由于成本較高，電價較高。（）4、國民收入越高國家，對能源消耗越大。（）6、我國拉薩地域?qū)儆诘贗I類太陽能資源。（）7、光伏發(fā)電電價由于成本較高，電價較高。（）8、大氣質(zhì)量為太陽光線在天頂角方向時穿過大氣路程與太陽光穿過大氣路程之比。（）第2頁9、如圖所示，太陽光線B偏離天頂方向太陽光線30°，求此時大氣質(zhì)量。10、白熾燈效率低下原因。第3頁第二章1、硅單晶中層錯屬于（）A點(diǎn)缺陷B線缺陷C面缺陷2、施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（），受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（）A空穴B電子C質(zhì)子D中子3、載流子擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生（）電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。A漂移B隧道C擴(kuò)散第4頁4、太陽能級硅純度為（）A不大于3NB6-8NC9-13N5、硅電阻率越高，其純度越（）。6、當(dāng)電子受到光或熱激發(fā)時產(chǎn)生相同數(shù)量電子與空穴，稱為（）。7、半導(dǎo)體材料電阻率在光、電、磁作用下不會產(chǎn)生較大變化。（）第5頁8、半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。（）9、PN結(jié)內(nèi)建電場由N區(qū)指向P區(qū)。（）10、間隙式雜質(zhì)原子半徑和價電子殼層構(gòu)造與被取代晶格原子比較相近。（）11、半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。（）第6頁13、簡述平衡PN結(jié)情況。14、簡述PN結(jié)空間電荷區(qū)形成12、載流子復(fù)合：第7頁第三章2、太陽能電池功率隨光照強(qiáng)度增加而（）A減小B增大C先減小后增大3、光電池對不一樣波長光敏捷度是相同。（）1、在光照射作用下，物質(zhì)吸取光子能量并激發(fā)自由電子現(xiàn)象稱為（）。A外光電效應(yīng)B內(nèi)光電效應(yīng)C光電導(dǎo)效應(yīng)D光伏效應(yīng)第8頁7、太陽能電池發(fā)電原理。4、溫度升高時，太陽能電池填充因子下降。（）5、光伏效應(yīng)：6、“熱斑效應(yīng)”：第9頁1、半導(dǎo)體硅材料晶格構(gòu)造是（）A金剛石B閃鋅礦C纖鋅礦第四章3、在西門子法制造多晶硅生產(chǎn)過程中，冶金級硅制造設(shè)備為（）；三氯硅烷合成與提純裝置為（）。2、西門子法制造多晶硅時，合成三氯硅烷采用（）目硅粉粒度。A58-80B80-120C120-160D160-200第10頁5、簡述改良西門子法制造多晶硅流程。6、簡述西門子法制造多晶硅流程。4、硅能夠與硫酸反應(yīng)。（）第11頁1、熱場又稱為（）。A溫度場B熱力學(xué)場C熱量場2、柴氏直拉法簡稱（）法。AFZBZZCCZDAZ4、利用定向凝固原理制造多晶硅錠工藝有（）、（）、澆鑄法、電磁鑄造法等。3、直拉法拉制大直徑單晶硅包括縮頸生長、（）、（）、收尾生長等工藝。第五章第12頁5、硅片表面質(zhì)量檢測中，硅片翹曲度是指硅片表面凹凸變形大小數(shù)值。（）6、多晶硅切片工藝一般都采取電火花線切割技術(shù)。（）7、在直拉單晶硅制造流程中，“掛邊”是指熔硅在坩堝中沸騰現(xiàn)象。（）

8、懸浮區(qū)熔單晶生長過程中，多晶硅棒和籽晶同軸且旋轉(zhuǎn)方向相反。（

）

第13頁11、簡述懸浮區(qū)熔法原理。9、“掛邊”：10、“硅跳”：12、縮頸工藝能生長無位錯單晶原因。第14頁第六章1、下列哪些溶液可用于單晶硅片絨面刻蝕液？（）A氫氧化鋰B氫氧化鈉C鹽酸2、方塊電阻可用（）法測量。A二探針B三探針C四探針3、晶體硅太陽能電池減反射膜廣泛采?。ǎ┍∧?。Aα-SiNx:HBTiO2CSiO2DZnS第15頁4、制作電池片PN結(jié)時，電池片應(yīng)放入到（）（石英舟或石墨舟）中進(jìn)行擴(kuò)散。5、抱負(fù)單晶硅金字塔絨面標(biāo)準(zhǔn)：（）、（）、（）。6、雜質(zhì)在硅晶體中擴(kuò)散有兩種機(jī)制：（）、（）。7、擴(kuò)散分為兩類：（）、（）。8、在燒結(jié)過程中：對正面電極，背面電極和背陰場燒結(jié)起至關(guān)主要作用原因是：（）。第16頁9、采取PECVD進(jìn)行薄膜制備時，其特點(diǎn)是淀積時溫度較（）。11、為了在電池片表面取得絨面構(gòu)造，單晶硅電池典型腐蝕是（）（各向同性/各向異性）；多晶硅電池典型腐蝕是（）（各向同性/各向異性）。10、電池片背面電場所用漿料是（），其正面電極所用漿料是（）。12、為了形成電池PN結(jié)構(gòu)造，一般采取液態(tài)（）作為N型摻雜劑。第17頁13、多晶硅制絨不可采取槽式或鏈?zhǔn)角逑丛O(shè)備。（）14、絨面檢測時，要利用微分反射儀進(jìn)行表面反射率測定。（）15、晶體硅太陽能電池一般采取摻PN型硅作為襯底。（）16、晶體硅太陽能電池少子壽命值應(yīng)當(dāng)滿足不大于10μm。（）第18頁17、晶界和缺陷氧鈍化技術(shù)是提升太陽能電池性能一種主要辦法。（）18、刮刀對絲網(wǎng)印刷精度和質(zhì)量起決定性作用。（）19、太陽能電池片絲網(wǎng)印刷步驟：印刷正面電極、印刷背面電極、印刷背陰場。（）20、磷硅玻璃清除主要是通過物理腐蝕辦法。（）第19頁21、晶體硅太陽能電池結(jié)深多為0.3-0.5μm，屬于深結(jié)擴(kuò)散。（）22、抱負(fù)太陽能電池基板是低電阻率和高少子壽命。（）23、單晶硅制絨多采取槽式清洗設(shè)備。（）24、雜質(zhì)在硅晶體中擴(kuò)散只有間隙擴(kuò)散一種機(jī)制。（）第20頁25、絲網(wǎng)印刷是為了制作晶體硅太陽能電池電極。（）26、多晶硅電池光電轉(zhuǎn)換效率高于單晶硅電池。（）27、在電池片生產(chǎn)過程