一種鉻旋轉(zhuǎn)靶材的制備方法與流程

一種鉻旋轉(zhuǎn)靶材的制備方法與流程摘要本文介紹了一種用于制備鉻旋轉(zhuǎn)靶材的方法與流程。該方法采用了特定的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，通過對鉻薄膜的生長和后續(xù)處理步驟，實現(xiàn)了高質(zhì)量、高純度的鉻旋轉(zhuǎn)靶材的制備。通過本文的介紹，讀者可以了解到詳細(xì)的制備步驟，以及對鉻靶材進(jìn)行表征和質(zhì)量控制的方法。引言鉻旋轉(zhuǎn)靶材廣泛應(yīng)用于光學(xué)薄膜鍍膜、電子器件制造等領(lǐng)域。由于其良好的耐腐蝕性、高熱穩(wěn)定性和良好的電導(dǎo)率，鉻旋轉(zhuǎn)靶材成為了優(yōu)選的材料之一。為了滿足不同領(lǐng)域?qū)︺t旋轉(zhuǎn)靶材的需求，本文提出了一種制備高質(zhì)量鉻旋轉(zhuǎn)靶材的方法與流程。實驗材料與設(shè)備鉻氣源：氬氣載體中的鉻中間體基底材料：硅片反應(yīng)室設(shè)備：化學(xué)氣相沉積設(shè)備實驗步驟步驟1:基底表面預(yù)處理將硅片放入超聲清洗池中，用去離子水清洗15分鐘，然后使用氮氣將其吹干。用酸性去污劑浸泡硅片5分鐘，然后用去離子水沖洗干凈，再次用氮氣吹干。步驟2:化學(xué)氣相沉積將處理過的硅片放入化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室中。確保反應(yīng)室處于真空狀態(tài)，并加熱至適當(dāng)?shù)臏囟龋ɡ?00°C）。通過控制鉻氣源的供氣速率和時間，在硅片上沉積一層適當(dāng)厚度的鉻薄膜。步驟3:后續(xù)處理將鉻薄膜靶材取出，并用乙酸溶液進(jìn)行表面清洗，去除可能存在的雜質(zhì)和有機(jī)物。使用電子顯微鏡對鉻薄膜進(jìn)行表面形貌和厚度的表征。使用X射線衍射儀對鉻薄膜進(jìn)行結(jié)晶形態(tài)和晶體結(jié)構(gòu)的分析。使用感應(yīng)耦合等離子體發(fā)射光譜儀對鉻薄膜進(jìn)行成分分析，確保其純度達(dá)到要求。對鉻旋轉(zhuǎn)靶材進(jìn)行電阻率測量，以評估其導(dǎo)電性能。結(jié)果與討論通過以上方法和流程，成功制備了高質(zhì)量、高純度的鉻旋轉(zhuǎn)靶材。經(jīng)過表征和質(zhì)量控制的分析，得出以下結(jié)果：鉻薄膜的表面形貌光滑，無明顯缺陷。X射線衍射儀分析顯示鉻薄膜具有良好的結(jié)晶性。感應(yīng)耦合等離子體發(fā)射光譜儀分析表明鉻薄膜的化學(xué)成分符合要求。鉻旋轉(zhuǎn)靶材具有良好的電導(dǎo)率，滿足使用要求。結(jié)論本文介紹了一種制備高質(zhì)量鉻旋轉(zhuǎn)靶材的方法與流程。通過特定的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，結(jié)合后續(xù)處理手段，實現(xiàn)了對鉻靶材的制備和質(zhì)量控制。經(jīng)過表征和分析發(fā)現(xiàn)，所制備的鉻旋轉(zhuǎn)靶材具有良好的表面形貌，優(yōu)良的結(jié)晶性和適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)成分，同時具備良好的電導(dǎo)率特性。這一方法為生產(chǎn)高質(zhì)量鉻旋轉(zhuǎn)靶材提供了一種有效的制備方法。參考文獻(xiàn)[1]Zhang,L.,Zhao,Y.,Wang,L.,Liu,R.&Dong,X.(2018).Researchonthepreparationandapplicationofchromiumtarget.RareMetals,37(8),718-722.[2]Liu,J.,Zhang,T.,Xu,W.,Cao,C.,&Fu,Q.(2019).EffectsofdepositiontemperatureonpropertiesofCrthinfilmspreparedbytheelectronbeamevaporationmethod.Journalof