AI+電子行業(yè)市場(chǎng)分析1

AI+電子行業(yè)市場(chǎng)分析一、上半年震蕩走勢(shì)下，AI引領(lǐng)電子行情（一）震蕩走勢(shì)，AI引領(lǐng)電子板塊行情截止6月25日，今年以來申萬電子指數(shù)漲幅10.12%，整體呈現(xiàn)震蕩走勢(shì)，區(qū)間最大漲幅23%，區(qū)間最大回撤-18%，我們?cè)谝患径蓉?cái)報(bào)總結(jié)中指出今年以來的行情主要受益于電子行業(yè)在經(jīng)歷了22年大幅下跌后，悲觀預(yù)期充分釋放，股價(jià)充分回調(diào)，今年一季度板塊迎來復(fù)蘇預(yù)期之下驅(qū)動(dòng)的補(bǔ)漲行情，疊加AI主題的爆發(fā)，與算力相關(guān)的標(biāo)的獲得機(jī)構(gòu)大幅增持，同時(shí)由于半導(dǎo)體板塊去年底以來處于底部，AI行情的擴(kuò)散也帶動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體板塊的上漲行情。而隨著AI行情向下游應(yīng)用和場(chǎng)景端的擴(kuò)散，算力板塊進(jìn)一步上漲動(dòng)能不足，疊加整個(gè)行業(yè)需求端復(fù)蘇節(jié)奏放緩，股價(jià)迎來回調(diào)。從估值來看，當(dāng)前申萬電子指數(shù)TTM市盈率為44.76，處于過去十年的46%分位數(shù)，估值基本處于合理水平。而從盈利情況來看，我們通過調(diào)研了解上市公司二季度業(yè)績相比一季度有小幅的改善，從下游需求端來看，面板、LED、驅(qū)動(dòng)芯片已有回暖跡象。存儲(chǔ)器止跌企穩(wěn)、模擬及數(shù)字類芯片庫存調(diào)整已接近尾聲。從板塊區(qū)間漲跌幅（算術(shù)平均）來看，受益于AI行情的爆發(fā)，數(shù)字芯片、PCB、光學(xué)元器件、品牌消費(fèi)電子板塊等AI相關(guān)的核心標(biāo)的大幅上漲帶動(dòng)相關(guān)板塊漲幅靠前。從各細(xì)分子行業(yè)市盈率（歷史TTM，整體法剔除負(fù)值）的角度來看，除了光電子板塊估值處于50%分位數(shù)以上，其他各板塊估值分位數(shù)均在30%以內(nèi)。而從估值溢價(jià)率的角度來看，半導(dǎo)體板塊相對(duì)全A依然有271%的估值溢價(jià)，光學(xué)光電子板塊相對(duì)全A估值溢價(jià)率大幅提升。整體而言電子板塊的估值溢價(jià)率處于16年以來的中低位置。從個(gè)股的區(qū)間漲跌幅來看，上半年漲幅排名前十名的主要是佰維存儲(chǔ)、寒武紀(jì)、源杰科技、東田微、工業(yè)富聯(lián)、富信科技、漫步者、艾比森、奧比中光、容大感光。跌幅前十名主要是傳藝科技、ST碳元、ST美訊、圣邦股份、斯達(dá)半導(dǎo)、東尼電子、紫光國微、激智科技、南芯科技、百邦科技。上漲較多的個(gè)股大部分受益于AI，比如GPU、光芯片、服務(wù)器代工等，除此之外受益于下游經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，以及國產(chǎn)替代趨勢(shì)的LED、半導(dǎo)體材料表現(xiàn)也相對(duì)亮眼。而下跌較多的主要集中在模擬芯片、功率半導(dǎo)體、消費(fèi)電子零部件等環(huán)節(jié)。從電子板塊一季度的業(yè)績表現(xiàn)來看，受益于國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)，國產(chǎn)替代加速，半導(dǎo)體設(shè)備板塊業(yè)績亮眼，前道設(shè)備延續(xù)高增長，其他板塊業(yè)績普遍承壓。二季度電子板塊業(yè)績有觸底回升之勢(shì)，AI爆發(fā)式增長帶動(dòng)相關(guān)公司二季度業(yè)績改善預(yù)期，同時(shí)隨著存儲(chǔ)、模擬、數(shù)字等部分子行業(yè)的止跌企穩(wěn)，電子板塊在下半年將迎來更加明確的復(fù)蘇信號(hào)。（二）順應(yīng)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，下半年看好三大主線第一條投資主線：AI。截止6月25日，萬德人工智能指數(shù)年初以來漲幅高達(dá)57.93%，估值分位數(shù)突破16年以來新高，我們認(rèn)為人工智能已經(jīng)透支了一部分相關(guān)上市公司未來的業(yè)績預(yù)期，展望后續(xù)我們認(rèn)為能夠真正持續(xù)兌現(xiàn)業(yè)績的公司將繼續(xù)引領(lǐng)人工智能板塊。我們?cè)谌路莸纳疃葓?bào)告《AI商業(yè)模式逐步落地，算力產(chǎn)業(yè)鏈迎接星辰大?！分袕?qiáng)調(diào)了算力作為人工智能三要素的重要性，AI的商業(yè)化落地的加速，推動(dòng)了算力的需求，疊加國產(chǎn)化的需求，算力相關(guān)的標(biāo)的股價(jià)在上半年大幅上漲。預(yù)估2023年AI服務(wù)器（包含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量近120萬臺(tái)，年增38.4%，占整體服務(wù)器出貨量近9%，至2026年將占15%，同步上修2022~2026年AI服務(wù)器出貨量年復(fù)合成長率至22%。而AI芯片2023年出貨量將成長46%。NVIDIAGPU為AI服務(wù)器市場(chǎng)搭載主流，市占率約60~70%。展望后市，我們認(rèn)為算力板塊在回調(diào)后依然值得重視，重點(diǎn)看好國產(chǎn)算力GPU，我們認(rèn)為接下來的一兩年內(nèi)將是國產(chǎn)算力開始兌現(xiàn)業(yè)績的主要時(shí)間節(jié)點(diǎn)。根據(jù)VerifiedMarketResearch的預(yù)測(cè)，到2025年，中國GPGPU芯片板卡的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到458億元，是2019年86億元的5倍多，2019-2025年CAGR為32%。國產(chǎn)GPU雖然起步晚，但是在單卡性能上已經(jīng)可以比肩國外巨頭，核心的差距在于生態(tài)壁壘上，短期通過兼容的方式而長期則還需打造自己的生態(tài)與核心技術(shù)。國產(chǎn)GPU正迎來難得的快速發(fā)展階段。第二條投資主線：國產(chǎn)化。我們認(rèn)為國產(chǎn)化正在進(jìn)入深水區(qū)，一方面體現(xiàn)在國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)中，國產(chǎn)設(shè)備和材料替代的種類和占有率都在上升，另一方面也是國內(nèi)在先進(jìn)制程上打破封鎖及壟斷，在幾個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)解決卡脖子問題，實(shí)現(xiàn)更高程度和水平的自主可控。設(shè)備端作為國產(chǎn)替代占有率的持續(xù)提升的環(huán)節(jié)，在美國限制中國核心技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的大背景下，以及對(duì)中國先進(jìn)制程設(shè)備出口管制和限制的不利條件下，國內(nèi)的核心廠商依然還有較大的發(fā)展空間。第三條投資主線：復(fù)蘇。我們認(rèn)為復(fù)蘇并非是指傳統(tǒng)電子產(chǎn)品的周期性回暖，而是需要看新產(chǎn)品所帶來的新需求，半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展離不開劃時(shí)代產(chǎn)品的出現(xiàn)。第一臺(tái)個(gè)人電腦PC和互聯(lián)網(wǎng)的普及改變了人們獲取信息的方式；第一代iPhone的出現(xiàn)改變了人們對(duì)于以往手機(jī)的認(rèn)知；現(xiàn)在AR/VR/XR和智能汽車的出現(xiàn)也將會(huì)改變?nèi)藗儗?duì)于世界的交互方式。Web1.0、通信手機(jī)、PC、安卓和IOS操作系統(tǒng)、智能手機(jī)、智能平板、可穿戴設(shè)備以及智能汽車等時(shí)代產(chǎn)品的誕生，都會(huì)使得半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生快速的增長和新需求的出現(xiàn)。半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展離不開新型產(chǎn)品的出現(xiàn)，新型產(chǎn)品的出現(xiàn)也促進(jìn)者半導(dǎo)體行業(yè)的迭代升級(jí)。看好VR、IOT、汽車電子帶動(dòng)整個(gè)電子行業(yè)迎來新一輪復(fù)蘇。二、AI產(chǎn)業(yè)星辰大海，關(guān)注算力產(chǎn)業(yè)鏈變化（一）算力需求呈萬倍級(jí)增長，各家廠商提前布局自從進(jìn)入互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，人類所能獲取和利用的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式地增長，各行業(yè)、各場(chǎng)景的海量數(shù)據(jù)為人工智能的自主學(xué)習(xí)和模型訓(xùn)練提供了數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。而自人工智能的概念興起，算法模型一直在不斷優(yōu)化，從決策樹到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，從機(jī)器學(xué)習(xí)到深度學(xué)習(xí)，并且已在不同的領(lǐng)域中得到應(yīng)用。算力是基于芯片的人工智能發(fā)展的硬件基礎(chǔ)和平臺(tái)，隨著海量數(shù)據(jù)的產(chǎn)生和算法模型的不斷優(yōu)化和發(fā)展，算力的發(fā)展成為了人工智能系統(tǒng)快速發(fā)展的核心要素。從1956-2020年，計(jì)算機(jī)處理能力的FLOPS增加了一萬億倍。近幾年，大量復(fù)雜的數(shù)據(jù)的收集和處理都需要硬件能力的相應(yīng)增長，以應(yīng)對(duì)人工智能發(fā)展的需求?；旧?，計(jì)算能力是計(jì)算機(jī)以速度和準(zhǔn)確性執(zhí)行某種任務(wù)的能力。正如OpenAI的研究表明，訓(xùn)練最大的人工智能模型所需的計(jì)算能力，自2012年以來平均以每3.4個(gè)月翻一倍的速度增長。而在2012年之前的情況并非如此，當(dāng)時(shí)計(jì)算能力平均以2年的速度翻倍。這意味著，今天使用的資源正以比以前快七倍的速度翻倍。從另一個(gè)角度而言，在線性尺度上，計(jì)算用量在2019年之前就增加了30萬倍，表明對(duì)人工智能特定硬件的需求呈指數(shù)級(jí)增長。1、百度算力芯片百度自行研發(fā)的AI芯片，單卡算力達(dá)到128TFLOPS。昆侖芯是基于百度在人工智能領(lǐng)域多年的產(chǎn)業(yè)實(shí)踐，自主研發(fā)的一款人工智能通用處理器芯片。新發(fā)布的R200人工智能加速卡基于第二代昆侖芯，采用領(lǐng)先的7nm工藝，基于先進(jìn)的芯片架構(gòu)，專為深度學(xué)習(xí)和機(jī)器學(xué)習(xí)算法的云端和邊緣計(jì)算設(shè)計(jì)。與上一代產(chǎn)品相比，R200全面提升了計(jì)算機(jī)視覺、自然語言處理、大規(guī)模語音識(shí)別、大規(guī)模推薦等應(yīng)用的人工智能負(fù)載的運(yùn)行效率。2、英偉達(dá)算力芯片Navida召開GTC發(fā)布會(huì)，展示算力芯片在多領(lǐng)域的突破進(jìn)展。2023年3月21日，英偉達(dá)召開GTC，CEO黃仁勛進(jìn)行了主題演講，展示英偉達(dá)算力芯片在AI應(yīng)用、加速卡領(lǐng)域取得進(jìn)展，目前已成為自然科學(xué)、化學(xué)制藥、視覺解析、數(shù)據(jù)處理、機(jī)器學(xué)習(xí)和大模型領(lǐng)域成為不可或缺的一環(huán)。AI產(chǎn)業(yè)迎來“iPhone”時(shí)刻,英偉達(dá)DGX計(jì)算機(jī)已成AI核心處理器。目前英偉達(dá)已向OpenAI交付首臺(tái)DGXAI超級(jí)計(jì)算機(jī)，用于加速深度學(xué)習(xí)、人工智能應(yīng)用，《財(cái)富》100強(qiáng)企業(yè)中已有一半以上企業(yè)開始使用DGX，例如：BMW應(yīng)用DGX被用于加速BMW汽車自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的開發(fā)和訓(xùn)練；Tencent應(yīng)用DGX被用于加速騰訊云的人工智能服務(wù)的開發(fā)和運(yùn)營；美國國家航空航天局利用DGX被用于加速NASA進(jìn)行氣象和環(huán)境數(shù)據(jù)的分析和預(yù)測(cè)。從參數(shù)上來看，DGX具備滿足高性能計(jì)算和AI學(xué)習(xí)的需求。GPU采用8片英偉達(dá)A100TensorCoreGPU，共有6912個(gè)CUDA核心和432個(gè)TensorCore,單精度計(jì)算性能為320TFlops.CPU采用兩顆英特爾XeonPlatinum8280L處理器，共有56個(gè)核心；每個(gè)DGX系統(tǒng)配備1.5TB的DDR4內(nèi)存；每個(gè)DGX系統(tǒng)配備15TB的NVMe存儲(chǔ)器，同時(shí)支持100GbEthernet和InfinibandHDR網(wǎng)絡(luò)。DGX具有強(qiáng)大的計(jì)算性能、高效的數(shù)據(jù)傳輸速度、大容量的存儲(chǔ)空間和穩(wěn)定的供電系統(tǒng)，能夠滿足各種深度學(xué)習(xí)和人工智能應(yīng)用的需求。發(fā)布H100NVL服務(wù)器，相比A100DGX提供10倍的計(jì)算速度。GTC2023同時(shí)發(fā)布H100NVLINK，這款H100GPU啟用了基本完全的94GBHBM顯存堆棧。最大區(qū)別在于，雙GPU結(jié)構(gòu)，頂部使用3個(gè)NVLink連接器進(jìn)行互聯(lián)，因此可以提供多達(dá)188GB顯存，顯存帶寬也不止翻倍，每個(gè)GPU帶寬提供3.9TB/s，而H100SXM為3.35TB/s，H100PCIe為2TB/s。H100NVL綜合性能可以達(dá)到H100SXM的兩倍。（二）多家提出存算一體架構(gòu)，HBM高帶寬解決數(shù)據(jù)流通1、存算一體架構(gòu)全球半導(dǎo)體廠商已提出多種解決方案，存內(nèi)計(jì)算電路可基于SRAM和NORFlash實(shí)現(xiàn)。AI對(duì)數(shù)據(jù)的訪問和不斷調(diào)取需要數(shù)據(jù)需要在存儲(chǔ)單元和計(jì)算單元之間頻繁移動(dòng)，訪存帶寬和功耗成為算法的重要瓶頸之一。存算一體將存儲(chǔ)單元與計(jì)算單元直接結(jié)合在一起，繞過數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)和計(jì)算之間的搬運(yùn)環(huán)節(jié)。當(dāng)前NORFlash、SRAM等傳統(tǒng)器件相對(duì)成熟可率先開展存內(nèi)計(jì)算產(chǎn)品化落地推動(dòng)，從方案落地情況來看，英特爾選擇基于SRAM的可配置存儲(chǔ)器，三星選擇在DRAM的DRISA架構(gòu)上進(jìn)行存算一體解決方案。存算一體架構(gòu)可突破馮諾依曼瓶頸，提高AI芯片能效。存算一體架構(gòu)消除了計(jì)算與存儲(chǔ)的界限，直接在存儲(chǔ)器內(nèi)完成計(jì)算，被認(rèn)為是突破馮諾依曼瓶頸的極具潛力的高能效AI芯片架構(gòu)。目前主流的存算一體AI芯片基于模擬計(jì)算架構(gòu)設(shè)計(jì)。模擬存算一體架構(gòu)通?；赟RAM或非易失存儲(chǔ)器，模型權(quán)重保持在存儲(chǔ)器中，輸入數(shù)據(jù)流入存儲(chǔ)器內(nèi)部基于電流或電壓實(shí)現(xiàn)模擬乘加計(jì)算，并由外設(shè)電路對(duì)輸出數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)模數(shù)轉(zhuǎn)換。由于模擬存算一體架構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗低位寬的整數(shù)乘加計(jì)算，非常適合邊緣端AI場(chǎng)景。HBM的高帶寬技術(shù)，從硬件上實(shí)現(xiàn)高速傳輸。高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）可支持更高速率的帶寬，基于TSV和芯片堆疊技術(shù)的堆疊DRAM架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)高于256Gbps的突破性帶寬，單顆粒的帶寬遠(yuǎn)超過DDR4和GDDR6。其中DDR4是CPU和硬件處理單元的常用外掛存儲(chǔ)設(shè)備，8顆DDR4顆粒帶寬能夠達(dá)到25.6GB/s，是HBM的1/10，而GDDR6它單顆粒的帶寬只有64GB/s，為HBM的1/4。2、先進(jìn)封裝先進(jìn)工藝是芯片算力提升的關(guān)鍵推動(dòng)力，“后摩爾時(shí)代”先進(jìn)封裝不斷發(fā)力。目前通過工藝提升芯片算力，主要有兩種方式。1）先進(jìn)制程：單位面積芯片算力會(huì)隨著工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步而提升，從65nm到90nm制程下的GPU，先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)晶體管密度和工作頻率均顯著提高，從而帶來芯片整體算力的提升。根據(jù)摩爾定律經(jīng)驗(yàn)，集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目每18個(gè)月便會(huì)提升1倍，然而隨著先進(jìn)制程進(jìn)入3nm時(shí)代，摩爾定律已經(jīng)受到了物理極限和工藝成本的雙重挑戰(zhàn)。2）先進(jìn)封裝：先進(jìn)封裝可以優(yōu)化連接方式、實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成、提高芯片的功能密度，從而提升芯片算力，因而是超越摩爾定律方向中的重要賽道。21世紀(jì)初，以MEMS、TSV、FC等為代表的先進(jìn)封裝技術(shù)引領(lǐng)封測(cè)行業(yè)發(fā)展，目前平面封裝正在向2.5D/3Dchiplet堆疊異構(gòu)集成封裝技術(shù)升級(jí)躍遷，為芯片算力提升帶來了新思路。Chiplet解決方案是底層基礎(chǔ)，2.5D和3D封裝蓄勢(shì)待發(fā)。Chiplet技術(shù)是將大型單元芯片劃分為多個(gè)相同或者不同的小芯片，這些小芯片可以使用相同或者不同的材質(zhì)、工藝節(jié)點(diǎn)制造，再通過先進(jìn)的集成技術(shù)封裝在一起形成一個(gè)系統(tǒng)級(jí)芯片，降低成本的同時(shí)獲得更高的集成度。目前寒武紀(jì)思元370系列產(chǎn)品就是在封裝層面上，采用Chiplet技術(shù)，將兩顆370芯片拼湊成算力更強(qiáng)、帶寬更大的處理器模塊。2.5D封裝技術(shù)是將芯片并排放置在中介層頂部，通過芯片的微凸塊和中介層中的布線聯(lián)系起來；3D封裝技術(shù)則無需中介層、芯片直接通過TSV直接進(jìn)行高密度互連。通過2.5D/3D技術(shù)封裝技術(shù)，可以在單位體積內(nèi)集成更多的功能單元，并且這些功能單元之間互聯(lián)很短，密度很高，因此性能可以得到很大的提升，算力水平也會(huì)提高。目前已有多家公司陸續(xù)布局2.5D/3D封裝技術(shù)，封裝領(lǐng)域?qū)⒂瓉碛忠淮渭夹g(shù)革命。（三）算力為AI芯片核心競爭力，關(guān)注國內(nèi)算力產(chǎn)業(yè)鏈公司強(qiáng)大的算力水平是AI大模型必備的技術(shù)支撐。算力水平是數(shù)據(jù)處理能力強(qiáng)弱的決定性因素，AI大模型的參數(shù)和語料庫能夠不斷擴(kuò)容離不開強(qiáng)大的算力支撐，根據(jù)英偉達(dá)的數(shù)據(jù)，ChatGPT3.0模型需要使用1024顆英偉達(dá)A100芯片訓(xùn)練長達(dá)一個(gè)月的時(shí)間。2012-2018年，最大的AI訓(xùn)練算力消耗已增長30萬倍，平均每3個(gè)多月便翻倍，速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過摩爾定律。IDC數(shù)據(jù)顯示，2022年中智能算力規(guī)模達(dá)到268百億億次/秒（EFLOPS），已經(jīng)超過通用算力規(guī)模，AIGC商業(yè)落地蓄勢(shì)待發(fā)，未來對(duì)算力的需求更將超乎想象。GPU/ASIC/FPGA三種計(jì)算架構(gòu)并行。AI芯片計(jì)算架構(gòu)的好壞影響芯片能提供的算力水平，是決定芯片算力的本質(zhì)因素。計(jì)算架構(gòu)也需要在通用性和高效性之間進(jìn)行平衡，目前AI芯片有3種主流計(jì)算架構(gòu)，其中GPU計(jì)算架構(gòu)在算力加速芯片中達(dá)到90%。1）GPGPU：負(fù)責(zé)非圖形相關(guān)程序的運(yùn)算，具有高度可編程性，是最通用、最靈活的芯片，但是算力水平受限。2）ASIC：高定制化專用計(jì)算芯片，針對(duì)具體的應(yīng)場(chǎng)景和算法，性能較高，但是通用性差。3）FPGA：基于現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯陣列的計(jì)算芯片，開發(fā)成本低、周期短，通用性和高效性介于GPGPU和ASIC之間。英偉達(dá)主導(dǎo)市場(chǎng)，國內(nèi)廠商百花待放。目前算力芯片市場(chǎng)主要被歐美和日本廠商主導(dǎo)，其中英偉達(dá)是全球GPU領(lǐng)域的絕對(duì)龍頭。英偉達(dá)2020年推出的A100芯片支持FP16、FP32和FP64浮點(diǎn)運(yùn)算，峰值算力高達(dá)624TOPS，預(yù)計(jì)在今年發(fā)布的H100芯片在FP16、FP32和FP64浮點(diǎn)計(jì)算方面將比A100快3倍，是當(dāng)之無愧的AI芯片性能天花板。中國算力芯片領(lǐng)域起步較晚，但是在國家政策的大力扶持和企業(yè)持續(xù)的研發(fā)投入下，不少國內(nèi)企業(yè)也在這方面取得了進(jìn)展。寒武紀(jì)：中國AI芯片領(lǐng)導(dǎo)者。寒武紀(jì)成立于2016年，技術(shù)積累深厚，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。近年來，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，陸續(xù)推出了多款A(yù)I芯片，其中2021年推出的思元370采用了chiplet的新技術(shù)，整體集成了390億個(gè)晶體管，最大算力達(dá)到256TOPS（INT8），也是商用客戶里出貨量最大、推廣最成功的一款產(chǎn)品。公司即將推出的新產(chǎn)品思遠(yuǎn)590，性能可對(duì)標(biāo)英偉達(dá)A100，在美國《芯片法案》禁令影響下，該款芯片有望成為國內(nèi)市場(chǎng)中替代A100的主力產(chǎn)品。海光信息：基于GPGPU架構(gòu)的DCU產(chǎn)品商業(yè)落地。海光信息成立于2014年，并于2019年切入到DCU產(chǎn)品領(lǐng)域，其DCU系列產(chǎn)品以GPGPU架構(gòu)為基礎(chǔ)，兼容通用的“類CUDA”環(huán)境以及國際主流商業(yè)計(jì)算軟件和人工智能軟件，軟硬件生態(tài)豐富，可廣泛應(yīng)用于大數(shù)據(jù)處理、人工智能、商業(yè)計(jì)算等應(yīng)用領(lǐng)域。DCU系列產(chǎn)品中的深算一號(hào)性能指標(biāo)堪比國際上同類型高端產(chǎn)品，并在2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用，深海二號(hào)正在研發(fā)中，也將成為算力芯片市場(chǎng)強(qiáng)有力的競爭者之一。龍芯中科：GPGPU預(yù)計(jì)23年流片。龍芯中科成立于2010年，主營業(yè)務(wù)為處理器及配套芯片的研制、銷售及服務(wù)，主要產(chǎn)品與服務(wù)包括處理器及配套芯片產(chǎn)品與基礎(chǔ)軟硬件解決方案業(yè)務(wù)。上市之初，公司就有GPGPU設(shè)計(jì)技術(shù)的儲(chǔ)備，并募集資金10.5億投向高性能通用圖形處理器芯片及系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，主要針對(duì)圖形加速、科學(xué)計(jì)算尤其是人工智能應(yīng)用的需求。2022年9月5日，龍芯中科在業(yè)績說明會(huì)上表示，公司GPGPU研發(fā)項(xiàng)目進(jìn)展順利，將于2023年流片，公司有望成為AI算力芯片領(lǐng)域新星。（四）國產(chǎn)先進(jìn)封裝技術(shù)助力算力提升通富微電：持續(xù)突破先進(jìn)封裝技術(shù)。通富微電深耕于集成電路封裝測(cè)試一體化服務(wù)，產(chǎn)品覆蓋面廣且技術(shù)全面。近年來，公司積極布局Chiplet、2.5D/3D、扇出型、圓片級(jí)、倒裝焊等封裝技術(shù)，可為客戶提供多樣化的Chiplet封裝解決方案，并且已為AMD大規(guī)模量產(chǎn)Chiplet產(chǎn)品。在高性能計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，公司已建成國內(nèi)頂級(jí)2.5D/3D封裝平臺(tái)（VISionS）及超大尺寸FCBGA研發(fā)平臺(tái)，并且完成高層數(shù)再布線技術(shù)開發(fā)，同時(shí)可以為客戶提供晶圓級(jí)和基板級(jí)Chiplet封測(cè)解決方案。2022年上半年，公司在2.5D/3D先進(jìn)封裝平臺(tái)方面，再度取得突破性進(jìn)展，BVR技術(shù)實(shí)現(xiàn)通線并完成客戶首批產(chǎn)品驗(yàn)證，2層芯片堆疊的CoW技術(shù)完成技術(shù)驗(yàn)證。依托于豐富的國際市場(chǎng)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)和堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)，公司有望抓住先進(jìn)封測(cè)市場(chǎng)機(jī)遇，穩(wěn)固其行業(yè)龍頭的地位。長電科技：半導(dǎo)體封裝行業(yè)龍頭。長電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商，可以提供全方位的芯片成品制造一站式服務(wù)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)（如SiP、WL-CSP、FC、eWLB、PiP、PoP及XDFOITM系列等）。2021年公司推出的面向3D封裝的XDFOITM系列產(chǎn)品，為高性能計(jì)算領(lǐng)域提供了業(yè)界領(lǐng)先的超高密度異構(gòu)集成解決方案。子公司星科金朋與客戶共同開發(fā)了基于高密度Fanout封裝技術(shù)的2.5DfcBGA產(chǎn)品，同時(shí)認(rèn)證通過TSV異質(zhì)鍵合3DSoC的fcBGA，提升了集成芯片的數(shù)量和性能，為進(jìn)一步全面開發(fā)Chiplet所需高密度高性能封裝技術(shù)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。2022年，公司推動(dòng)實(shí)施技術(shù)開發(fā)5年規(guī)劃，包括對(duì)2.5D/3Dchiplet，高密度多疊加存儲(chǔ)技術(shù)等八大類逾三十項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)開展前瞻性研發(fā)，將進(jìn)一步推動(dòng)技術(shù)和產(chǎn)品價(jià)值進(jìn)一步提升，持續(xù)增強(qiáng)市場(chǎng)競爭力。服務(wù)器面向數(shù)據(jù)處理需求迭代，大算力時(shí)代引爆AI服務(wù)器需求。服務(wù)器是算力的載體，普通的服務(wù)器主要為智能手機(jī)、PC等提供基礎(chǔ)的算力和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)支持，多以CPU為算力的提供者、采用串行架構(gòu)，無法滿足大算力時(shí)代不斷攀升的數(shù)據(jù)量引發(fā)的數(shù)據(jù)處理需求。AI服務(wù)器多采用CPU+GPU/TPU/其他加速卡的異構(gòu)形式，一般配置四塊以上GPU卡，可以滿足高吞吐量互聯(lián)的需求，提供強(qiáng)大的算力支持。由ChatGPT引爆的AIGC場(chǎng)景增多驅(qū)動(dòng)智能算力的規(guī)模不斷增長，因此人工智能服務(wù)器的需求量也將不斷攀升。PCB是服務(wù)器的重要組成部分，技術(shù)升級(jí)勢(shì)在必行。服務(wù)器算力的提升除依靠CPU、加速芯片組外，PCLe總線標(biāo)準(zhǔn)的提升也是必不可少的環(huán)節(jié)。根據(jù)Intel規(guī)劃，服務(wù)器平臺(tái)方案正由Purely轉(zhuǎn)為Whitley，而Whitley中的IceLake方案也將首次支持PCLe4.0總線設(shè)計(jì)，下一代EagleStream平臺(tái)將同步支持PCLe5.0。PCB是PCle總線中的關(guān)鍵組件，高等級(jí)的總線標(biāo)準(zhǔn)需要PCB層數(shù)和基材的支持，其中PCB層數(shù)需求將從3.0的8-12層提升至5.0的16層以上；CCL材料的Df值也需要同步降低。AI服務(wù)器需求量的提升和PCB技術(shù)的升級(jí)必將帶來PCB產(chǎn)品的量價(jià)齊升。滬電股份：高端PCB行業(yè)龍頭。滬電股份深耕PCB行業(yè)20年，在技術(shù)、質(zhì)量、成本、品牌、規(guī)模等方面形成相對(duì)競爭優(yōu)勢(shì)，居行業(yè)領(lǐng)先地位。公司堅(jiān)持差異化競爭戰(zhàn)略，重點(diǎn)生產(chǎn)技術(shù)含量高、應(yīng)用領(lǐng)域相對(duì)高端的差異化產(chǎn)品。在高性能計(jì)算領(lǐng)域，應(yīng)用于AI加速、Graphics的產(chǎn)品，應(yīng)用于GPU、OAM、FPGA等加速模塊類的產(chǎn)品以及應(yīng)用于UBB、BaseBoard的產(chǎn)品已批量出貨，目前正在預(yù)研應(yīng)用于UBB2.0、OAM2.0的產(chǎn)品。公司持續(xù)加大在高端產(chǎn)品領(lǐng)域的研發(fā)投入，正在進(jìn)行的高速HDI長期可靠性研究也將強(qiáng)化公司在AI加速核心產(chǎn)品市場(chǎng)的競爭力。勝宏科技：服務(wù)器領(lǐng)域應(yīng)用實(shí)現(xiàn)從0到1。勝宏科技成立于2006年，主要從事高密度印制線路板的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括雙面板、多層板（HDI）等。2021年，在消費(fèi)電子市場(chǎng)疲軟的環(huán)境下，公司及時(shí)調(diào)整客戶結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，并順利導(dǎo)入通訊、服務(wù)器、芯片等多家國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)客戶。公司堅(jiān)持優(yōu)質(zhì)客戶與高端產(chǎn)品的戰(zhàn)略布局，建立起了高速SI能力系統(tǒng)，支持通訊、服務(wù)器高端客戶的開發(fā)，也開展了“平臺(tái)服務(wù)器主板研發(fā)”、“服務(wù)器硬盤用高頻主板研發(fā)”等研發(fā)項(xiàng)目，為企業(yè)的持續(xù)增長注入了活力。三、半導(dǎo)體設(shè)備以一持萬，國產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)（一）半導(dǎo)體設(shè)備支撐產(chǎn)業(yè)發(fā)展，影響萬億市場(chǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是科技的皇冠明珠，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)容。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代信息技術(shù)的先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)下游通信、計(jì)算機(jī)、汽車、軍事等數(shù)十個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域等的創(chuàng)新和發(fā)展，均需要大量的半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)其功能和性能。因此，半導(dǎo)體器件是計(jì)算機(jī)、通信、電子產(chǎn)品等的核心組成部分，也是新能源車、光伏、5G等新興產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模也將隨著下游應(yīng)用的發(fā)展持續(xù)增長。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2017-2021年間，全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額由4122億美元增長至5559億美元，年均復(fù)合增長率為7.8%，預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為6056億美元，2023年將達(dá)到6615億美元。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2017-2021年間中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額由7885億元增長至12423億元，CAGR遠(yuǎn)超全球行業(yè)銷售額增速，達(dá)12%，預(yù)計(jì)2022年中國半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)13839億元，2023年將達(dá)13893億元?？v觀半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，年產(chǎn)值千億的設(shè)備環(huán)節(jié)屬于最上游，支撐著幾十萬億美元的下游應(yīng)用發(fā)展。在芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，材料質(zhì)量的好壞決定集成電路芯片質(zhì)量的下限；半導(dǎo)體設(shè)備的精細(xì)度影響芯片內(nèi)電路的精密度，可實(shí)現(xiàn)功能的復(fù)雜程度，決定集成電路芯片質(zhì)量的上限。半導(dǎo)體行業(yè)遵循“一代技術(shù)、一代工藝、一代設(shè)備”的規(guī)律，先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)先進(jìn)制程的推進(jìn)有著至關(guān)重要的作用，其技術(shù)更新和產(chǎn)品迭代速度需要同步甚至超前于芯片設(shè)計(jì)廠商的工藝需求。（二）半導(dǎo)體設(shè)備量價(jià)齊升，全球市場(chǎng)規(guī)模再創(chuàng)新高1947年開始，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就已經(jīng)在開發(fā)新工藝和提高原有工藝上持續(xù)發(fā)展。這些工藝的發(fā)展可以分為工藝和結(jié)構(gòu)兩大類，1）工藝：以更小的尺寸制造器件和電路，從而提高其密度、數(shù)量和可靠性。2）結(jié)構(gòu)：調(diào)整新器件的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能、更佳的能耗控制和更高的可靠性。從工藝的角度看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾發(fā)展定律，即集成電路上可容納的晶體管數(shù)量每18個(gè)月就增加一倍，目前頭部晶圓廠每平方毫米可容納的晶體管數(shù)量已經(jīng)過億。隨著科技時(shí)代的到來，要通過芯片實(shí)現(xiàn)的功能也逐漸增多，芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也就越來越繁瑣復(fù)雜。因此，更精細(xì)的半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。目前三星、臺(tái)積電3nm芯片制程工藝可以量產(chǎn)，其他芯片廠商緊隨其后。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備要求逐漸嚴(yán)苛，集成電路制造的投入大幅上升。根據(jù)IBS的數(shù)據(jù)，5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)建設(shè)需要的資本開支是14nm的兩倍以上，28nm的四倍左右。半導(dǎo)體設(shè)備的投資金額占晶圓廠產(chǎn)線建設(shè)的資本開支80%以上，因此產(chǎn)能相同的情況下，不同制程的半導(dǎo)體設(shè)備投資金額也呈指數(shù)級(jí)上漲。中芯國際的數(shù)據(jù)顯示，5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)每5萬片產(chǎn)能用于半導(dǎo)體設(shè)備的投資金額高達(dá)155.57億美元，是16/14nm的2.48倍，是28nm的3.94倍。半導(dǎo)體設(shè)備的價(jià)格趨勢(shì)，從ASMLEUV光刻機(jī)的ASP連年上漲也可見一斑。根據(jù)ASML數(shù)據(jù)，2012-2022這10年間，光刻機(jī)的價(jià)格從0.44億歐元/臺(tái)翻四倍至1.77億歐元/臺(tái)。ASML也指出2025年將發(fā)布的可以將制程推進(jìn)到1.8nm的High-NAEUV光刻機(jī)售價(jià)可能再翻一倍，達(dá)4億美元。根據(jù)工藝和產(chǎn)品的不同，集成電路的生產(chǎn)工序也在不斷增加。以刻蝕工藝為例，出于技術(shù)和成本的考量，除采用更先進(jìn)的光刻機(jī)提升制程外，部分廠商另辟蹊徑選擇多重曝光成型工藝。多重曝光成型工藝?yán)枚啻喂饪毯涂涛g，將原來一層的光刻圖形拆分到兩個(gè)甚至多個(gè)掩膜版上，從而實(shí)現(xiàn)圖像密度的疊加。Gartner數(shù)據(jù)顯示，20nm工藝需要刻蝕的步驟為55次，而7nm需要的刻蝕次數(shù)約為20nm的2.5倍，達(dá)到了140次。在人工智能、云計(jì)算、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能汽車等新型應(yīng)用的推動(dòng)下，全球芯片市場(chǎng)規(guī)模自2019年起持續(xù)增長，2022年ChatGPT的出現(xiàn)引爆AI時(shí)代，大算力時(shí)代的到來再次將芯片制造推向高潮。為了滿足日益增長的芯片需求，2021-2023年全球半導(dǎo)體行業(yè)將累計(jì)擴(kuò)建84座大規(guī)模晶圓制造場(chǎng)，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求量也將再次提升。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2022年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模同比增長4.98%，再創(chuàng)新高，達(dá)到1076億美元。從短期來看，2023年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模受經(jīng)濟(jì)周期下行，市場(chǎng)需求疲軟影響，將下降至912億美元；從長期來看，年產(chǎn)值千億的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)是市值幾十萬億美元的下游應(yīng)用穩(wěn)健發(fā)展的中流砥柱，2024年有望重回成長軌道并長期向好。（三）半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化較低，實(shí)力廠商大有可為從2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售區(qū)域來看，中國大陸、中國臺(tái)灣和韓國三個(gè)地區(qū)累計(jì)占比高達(dá)71.15%，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中心已經(jīng)逐漸轉(zhuǎn)移至亞太地區(qū)。2012-2022年間，中國半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模占全球比重呈波動(dòng)性上漲，其中2021年占比達(dá)到29%的歷史高點(diǎn)，2022年雖然略有回落，但依舊連續(xù)3年成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。從競爭格局來看，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)主要由美日荷廠商主導(dǎo)。Gartner數(shù)據(jù)顯示，2022年應(yīng)用材料、阿斯麥和泛林半導(dǎo)體分別以19.9%、15.9%、18.5%的市場(chǎng)占比撥得頭籌，我國北方華創(chuàng)、中微電子等公司市場(chǎng)占比均不足5%。由于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)壁壘高，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步較晚，雖然是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，但細(xì)分環(huán)節(jié)中大部分設(shè)備國產(chǎn)化率處于20%以下的較低水平，核心設(shè)備光刻機(jī)更是不足1%。為限制中國在核心技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展、維護(hù)自身技術(shù)領(lǐng)先地位，美國自2018年以來對(duì)我國半導(dǎo)體行業(yè)管制措施不斷加碼。2018年-2020年間，美國主要限制中興通訊和華為等“實(shí)體清單”公司的芯片和硬件采購，2021年起，范圍逐漸擴(kuò)大至禁止美國28nm及以下成熟制程制造設(shè)備出口到中國大陸，并聯(lián)合荷蘭、日本等國家對(duì)我國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展進(jìn)行圍追堵截。隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和新一輪科技革命的崛起，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為我國戰(zhàn)略性重點(diǎn)發(fā)展的領(lǐng)域之一，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的自主可控是擺脫“卡脖子”困境的當(dāng)務(wù)之急。事關(guān)國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展，近年來，國家及各省市區(qū)也出臺(tái)了多項(xiàng)政策和法規(guī)扶持半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，在美國管制政策倒逼國產(chǎn)化加速和政策扶持的雙輪驅(qū)動(dòng)下，2022年我國晶圓廠商半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率從2021年的21%提升到了35%，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到50%。在半導(dǎo)體行業(yè)成長和國產(chǎn)替代的時(shí)代背景下，我國薄膜沉積設(shè)備廠商拓荊科技、光刻設(shè)備廠商上海微電子和北京科華、刻蝕設(shè)備廠商北方華創(chuàng)和中微電子、清洗設(shè)備廠商盛美上海和芯源微、測(cè)試設(shè)備廠商華峰測(cè)控和長川科技等實(shí)力廠商大有可為。四、復(fù)蘇周期：關(guān)注消費(fèi)電子需求變化（一）周期向前不斷演進(jìn)，新產(chǎn)品帶來新需求自2001年到2023年，全球的半導(dǎo)體銷售額不斷增長，從最初約180億美元的規(guī)模上升至2022年727億美元的市場(chǎng)規(guī)模，期間年復(fù)合增長率平均保持在20%左右。在2009年隨著智能手機(jī)的出現(xiàn)，改變了人們的生活方式，全球半導(dǎo)體行業(yè)也迎來了爆發(fā)式的增長。2014年，4G手機(jī)元年的到來和通訊技術(shù)的升級(jí)，云計(jì)算、可穿戴設(shè)備、VR/AR等更多種新型人機(jī)交互方式的出現(xiàn)，使得行業(yè)對(duì)各類半導(dǎo)體需求快速增長。半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展離不開劃時(shí)代產(chǎn)品的出現(xiàn)。第一臺(tái)個(gè)人電腦PC和互聯(lián)網(wǎng)的普及改變了人們獲取信息的方式；第一代iPhone的出現(xiàn)改變了人們對(duì)于以往手機(jī)的認(rèn)知；現(xiàn)在AR/VR/XR和智能汽車的出現(xiàn)也將會(huì)改變?nèi)藗儗?duì)于世界的交互方式。Web1.0、通信手機(jī)、PC、安卓和IOS操作系統(tǒng)、智能手機(jī)、智能平板、可穿戴設(shè)備以及智能汽車等時(shí)代產(chǎn)品的誕生，都會(huì)使得半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生快速的增長和新需求的出現(xiàn)。半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展離不開新型產(chǎn)品的出現(xiàn)，新型產(chǎn)品的出現(xiàn)也促進(jìn)者半導(dǎo)體行業(yè)的迭代升級(jí)。1、智能手機(jī)和平板需求促進(jìn)高端SoC出量增加智能手機(jī)是高端SoC最大的應(yīng)用市場(chǎng)，智能手機(jī)根據(jù)操作系統(tǒng)可以為IOS和Android兩大系統(tǒng)。隨著智能手機(jī)的不斷發(fā)展和更大用戶需求，對(duì)手機(jī)的SoC也提出了更深度的要求，例如：更先進(jìn)的制程、更優(yōu)秀的功耗比以及更強(qiáng)的算力等等。智能手機(jī)市場(chǎng)的規(guī)模逐漸增大，對(duì)于SoC芯片需求也將逐漸增大。同時(shí)，大數(shù)據(jù)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，人們對(duì)智能手機(jī)的更新和升級(jí)提出了新的要求。5G手機(jī)的滲透率逐漸提升，5G手機(jī)的商用和普及已經(jīng)成為了智能手機(jī)市場(chǎng)發(fā)展的一個(gè)重要推動(dòng)力。自2010年Apple發(fā)布其首款iPad以來，世界上的平板電腦市場(chǎng)迅速發(fā)展。從2015年起，隨著人們對(duì)平板電腦的需求一年一年的減少，智能手機(jī)取代了平板電腦的市場(chǎng)；在2020年，由于疫情的沖擊，人們又一次開始了在家里學(xué)習(xí)和工作的生活方式，這又一次刺激了人們對(duì)平板電腦的需求。2020年，世界范圍內(nèi)有1.641億部的平板電腦較上年同期增加13.6%。2、物聯(lián)網(wǎng)和AIOT技術(shù)支撐智能家庭發(fā)展隨著5G技術(shù)的深入應(yīng)用，寬帶光網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度將會(huì)進(jìn)一步提高，智能家庭的連接速度、穩(wěn)定性和安全性將會(huì)進(jìn)一步提高。同時(shí)，隨著物聯(lián)網(wǎng)與人們生活的深度融合，AIOT技術(shù)的支撐能夠有效提高終端的計(jì)算能力，實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間的連接，從而為人們提供更符合實(shí)際需求的服務(wù)。隨著“云-邊-端”的深度融合，智能家庭由“單體智慧”發(fā)展到“全屋智慧”。在2023年，中國的智能家具市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)達(dá)到5176億元，在2019-2023年的年復(fù)合增長率將會(huì)達(dá)到38%。3、智能音箱擔(dān)任“智能家庭”大腦智能音箱的功能是通過聲音交流來完成對(duì)家庭成員的音樂播放和對(duì)其它智能家庭裝置的控制。在2021年，世界上的智能音箱市場(chǎng)規(guī)模大約是90.4億美元，并將在2028年以21%的年增長率增長到342.4億美元。智能音箱的發(fā)展呈現(xiàn)出兩類新形態(tài)，一類是在原有的基礎(chǔ)上進(jìn)行“升級(jí)”，在硬件上加裝攝像頭和屏幕，構(gòu)成一類是可視化的、帶有屏幕的智能音箱。二類是更加輕量化、無線化、模塊化的智能音箱，從軟硬件上“降級(jí)”，定位于智能家庭中的智能聲控/互動(dòng)接口。4、智能家庭帶動(dòng)多點(diǎn)SoC芯片種類發(fā)展智能掃地機(jī)器人的產(chǎn)品有很大的發(fā)展。一方面，伴隨著人們?cè)诰幼『蜕虡I(yè)環(huán)境中的行為改變，新一代的消費(fèi)者對(duì)于使用智能家居來取代傳統(tǒng)的手工工作變得越來越迫切。另一方面，最近幾年，國家一直在對(duì)技術(shù)產(chǎn)業(yè)的政策進(jìn)行鼓勵(lì)和引導(dǎo)，物聯(lián)網(wǎng)、城市化、居民消費(fèi)升級(jí)和互聯(lián)網(wǎng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展，這些因素都推動(dòng)了智能掃地機(jī)器人的技術(shù)革新，在未來，它的行業(yè)市場(chǎng)有著非常廣泛的前景。5、國內(nèi)安防IPC芯片技術(shù)領(lǐng)先安全監(jiān)控的智能化和網(wǎng)絡(luò)化程度的提高，對(duì)網(wǎng)絡(luò)攝像頭所使用的IPCSoC芯片的需求也越來越大，這也成為了安全芯片廠商們的重點(diǎn)布局。華為和海思是安全I(xiàn)PC行業(yè)的領(lǐng)頭羊，在市場(chǎng)上占據(jù)了60%以上的市場(chǎng)份額，而其他競爭者則是德州儀器、恩智浦、安霸等公司。國產(chǎn)IPC技術(shù)遙遙領(lǐng)先。國內(nèi)的IPC芯片廠商主要有富瀚微和華為海思兩家廠商。在最新的產(chǎn)品中，無論是IPC芯片還是AI-IPC芯片，華為海思在分辨率和AI算力方面都要遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于富瀚微的同等產(chǎn)品。華為海思的IPC芯片不僅僅支持H.265編碼，同時(shí)還可以支持H.264編碼，最高的分辨率也已經(jīng)達(dá)到了8K30幀或是4K120幀。6、藍(lán)牙耳機(jī)SoC要滿足更豐富的客戶需求2021年，中國市場(chǎng)的藍(lán)牙耳機(jī)銷量達(dá)到了1.2億只，較上年同期上升了21.1%。在這些產(chǎn)品中，真無線耳機(jī)的成長對(duì)于整個(gè)藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)的推動(dòng)是非常顯著的，在2021年，它的出貨數(shù)量達(dá)到了大約8,092萬臺(tái)，比上年同期增加了28.0%。據(jù)預(yù)測(cè)，在2022年，中國將有大約1.3億只藍(lán)牙耳機(jī)的銷量，較上年同期增加13.1%。主動(dòng)降噪方式是通過硬件(芯片、傳感器、麥克風(fēng)陣列等)與軟件算法共同協(xié)作實(shí)現(xiàn)。現(xiàn)階段，TWS耳機(jī)的主動(dòng)降噪方式主要有ANC和ENC兩種。ANC降噪技術(shù)是通過耳機(jī)內(nèi)部的降噪系統(tǒng)產(chǎn)生于外界噪音相等的反向聲波，使其與噪音中和，從而實(shí)現(xiàn)降噪效果。ENC降噪技術(shù)是采用雙麥克風(fēng)陣列，精準(zhǔn)計(jì)算語音者說話的位置，在保護(hù)主方向目標(biāo)語音的同時(shí)，消除環(huán)境中的干擾噪音。傳感交互技術(shù)對(duì)TWS芯片提出更高要求?；诓煌酒鞲衅髋cAI算法等多種技術(shù)的融合，TWS耳機(jī)具有多樣化的交互方式，如開盒即連、觸控交互、語音喚醒、入耳檢測(cè)、離線熱詞等。7、新能源汽車政策加持，自動(dòng)駕駛SoC未來需求旺盛在汽車電動(dòng)化和智能化變革浪潮的引領(lǐng)下，中國新能源汽車市場(chǎng)迅速發(fā)展，根據(jù)中汽協(xié)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2022年11月新能源汽車產(chǎn)銷分別完成76.8萬輛和78.6萬輛，同比分別增長65.6%和72.3%。2022年1-11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍。隨著自動(dòng)駕駛水平的不斷提升，芯片所要應(yīng)對(duì)的環(huán)境復(fù)雜性以及運(yùn)算的多樣性都將會(huì)導(dǎo)致對(duì)計(jì)算能力的要求，L2級(jí)的計(jì)算能力將會(huì)低于10TOPS，而L3/L4/L5級(jí)的計(jì)算能力將會(huì)達(dá)到3060/100/1000TOPS，這使得具有更高計(jì)算能力的無人駕駛SoC芯片有著廣泛的需求。在2021-2025年，無人車系統(tǒng)芯片市場(chǎng)的CAGR將達(dá)到15億美元，到2025年，CAGR將達(dá)到46%。隨著高級(jí)自動(dòng)駕駛技術(shù)的發(fā)展，對(duì)于計(jì)算力的要求越來越高，工業(yè)上把計(jì)算力的峰值當(dāng)作是一個(gè)衡量AI芯片性能的一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)，各個(gè)主流AI芯片制造商都在加大研發(fā)力度，不斷刷新其單片計(jì)算力的最高記錄，英偉達(dá)的Orin芯片在單片計(jì)算力上處于絕對(duì)的領(lǐng)先地位。（二）底部趨勢(shì)明確，看好存儲(chǔ)芯片需求復(fù)蘇1、存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模超千億美元，國產(chǎn)替代空間巨大存儲(chǔ)芯片通過對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行電子或電荷的充放電標(biāo)記不同的存儲(chǔ)狀態(tài)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，根據(jù)斷電后存儲(chǔ)的信息是否留存分為易失性存儲(chǔ)芯片與非易失性存儲(chǔ)芯片。NANDFlash是一種通用型非易失性存儲(chǔ)芯片，具有存儲(chǔ)容量大、寫入/擦除速度快等特點(diǎn)，可為固態(tài)大容量內(nèi)存提供廉價(jià)有效的解決方案。NANDFlash通常用于計(jì)算機(jī)或電子設(shè)備的固態(tài)硬盤、嵌入式及擴(kuò)充式存儲(chǔ)器。自2019年起，國內(nèi)實(shí)施了多項(xiàng)政策鼓勵(lì)和幫助存儲(chǔ)芯片的發(fā)展。包括但不限于《關(guān)于集成電路設(shè)計(jì)和軟件產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅政策的公告》、《工業(yè)和信息化部辦公廳關(guān)于深入推進(jìn)移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)全面發(fā)展的通知》、《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》等政策。存儲(chǔ)芯片未來市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步提升。2022年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模超過1500億美元，與2021年相比稍微有增長。預(yù)計(jì)2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1658億美元。在國內(nèi)市場(chǎng)，存儲(chǔ)芯片一直都是集成電路市場(chǎng)份額占比最大的產(chǎn)品類別，特別是在存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲的影響下，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)一步提升。2022年國內(nèi)市場(chǎng)銷售額達(dá)5938億元，預(yù)計(jì)2023年中國存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將逼近6500億元。從競爭格局來看，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)集中度高，海外廠市占率暫時(shí)領(lǐng)先。韓國三星在DRAM和NAND領(lǐng)域具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，海力士和美光的市場(chǎng)份額同樣比較高，DRAM行業(yè)CR3占比接近95%，國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠市占率還處于較低水平，NANDFlash領(lǐng)域三星（33.10%），鎧俠（21.40%），西部數(shù)據(jù)（14.30%），海力士（11.30%），行業(yè)CR3接近68.8%。2、存儲(chǔ)芯片下游場(chǎng)景豐富，涵蓋消費(fèi)車規(guī)等領(lǐng)域固態(tài)存儲(chǔ)加速替代機(jī)械硬盤，3D-NAND推動(dòng)消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)拓展。機(jī)械硬盤（HDD）向固態(tài)硬盤（SSD）的轉(zhuǎn)變是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備的重要革新。機(jī)械硬盤通過旋轉(zhuǎn)盤片搜索數(shù)據(jù)，當(dāng)讀寫速度超過一定量級(jí)時(shí)會(huì)出現(xiàn)噪音或功耗變大等物理臨界問題。固態(tài)硬盤則是將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于半導(dǎo)體電路內(nèi)，采用數(shù)字方式驅(qū)動(dòng)，功耗較低且運(yùn)行過程中不會(huì)產(chǎn)生噪音，可以大幅提高數(shù)據(jù)處理速度和隨機(jī)讀寫性能。據(jù)研究數(shù)據(jù)，2020年SDD出貨量首次超過HDD存儲(chǔ)器，并持續(xù)加速替代進(jìn)程。3DNAND通過將多層存儲(chǔ)單元疊加到垂直層，可為每個(gè)存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)更短的整體連接，從而提高存儲(chǔ)容量，同時(shí)減小占用空間并提高性能，3DNAND的出現(xiàn)以及層數(shù)增加提高了硬盤容量，推動(dòng)了消費(fèi)級(jí)SSD的普及。存儲(chǔ)控制芯片是存儲(chǔ)器產(chǎn)品核心部件，起到中樞控制和管理調(diào)度的作用。存儲(chǔ)控制芯片能夠有效管理存儲(chǔ)顆粒并優(yōu)化其使用，并通過數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理和數(shù)據(jù)糾錯(cuò)來提高存儲(chǔ)顆粒的可靠性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效分配和調(diào)度以提高存儲(chǔ)顆粒的使用效率和延長其使用壽命。存儲(chǔ)控制芯片可以處理不同的存儲(chǔ)協(xié)議，提高主機(jī)通信穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)傳輸效率，并支持多顆存儲(chǔ)顆粒的并行管理，可擴(kuò)展存儲(chǔ)器產(chǎn)品的整體容量。隨著存儲(chǔ)顆粒的容量和數(shù)量增加，存儲(chǔ)控制芯片的技術(shù)難度、附加值和價(jià)格也會(huì)相應(yīng)提高。固態(tài)存儲(chǔ)主控芯片是固態(tài)硬盤的核心。固態(tài)硬盤（SSD）主要由主控芯片、閃存顆粒和緩存單元三個(gè)部分組成。主控芯片是SSD最核心、技術(shù)含量最高的部分，其在硬盤工作時(shí)承擔(dān)與主機(jī)通信、控制閃存的數(shù)據(jù)傳輸以及運(yùn)行FTL算法等職責(zé)，在固態(tài)硬盤中的作用可類比計(jì)算機(jī)CPU（主控內(nèi)部也有自己的CPU芯片），對(duì)固態(tài)硬盤的性能、使用壽命及可靠性有重要影響。存儲(chǔ)芯片在智能汽車領(lǐng)域需求主要集中在IVI和