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文檔簡介

等離子體輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)一、等離子體概述1.等離子體的定義：等離子體是物質(zhì)存在的第四種狀態(tài)，是由等量的自由電子和帶電離子組成的非束縛狀態(tài)的宏觀體系。2.等離子體的產(chǎn)生：

電擊穿、射頻放電、微波激發(fā)、沖擊波、高能粒子流、高溫加熱等3.等離子體的應(yīng)用：

（1）低溫等離子體：發(fā)光顯示、刻蝕、鍍膜

（2）高溫等離子體：磁控核聚變發(fā)電二、PECVD技術(shù)（一）PECVD概述1.PECVD的定義：在低壓化學(xué)氣相沉積過程進(jìn)行的同時(shí)，利用輝光放電產(chǎn)生的等離子體對(duì)沉積過程施加影響的技術(shù)稱為等離子體輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)。2.PECVD的優(yōu)點(diǎn)：

（1）沉積速率高（2）沉積溫度低，從而不使基板發(fā)生相變或變形

（3）容易獲得比較均勻的組分，成膜質(zhì)量高

（4）通過改變氣流比可以使薄膜組分連續(xù)變化二、PECVD技術(shù)（二）PECVD過程的動(dòng)力學(xué)在PECVD過程中發(fā)生的微觀過程為：（1）氣體分子與等離子體中的電子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生出活性基團(tuán)和離子；（2）活性基團(tuán)可以直接擴(kuò)散到襯底；（3）活性基團(tuán)也可以與其他氣體分子或活性基團(tuán)發(fā)生相互作用，進(jìn)而形成沉積所需的化學(xué)基團(tuán)；（4）沉積所需的化學(xué)基團(tuán)擴(kuò)散到襯底表面；（5）氣體分子也可能沒有經(jīng)過上述活化過程而直接擴(kuò)散到襯底附近；（6）氣體分子被直接排出系統(tǒng)之外；（

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