磁性薄膜基礎(chǔ)

磁性薄膜基礎(chǔ)第1頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁性材料的低維化三維二維一維零維塊狀晶體各種薄膜納米線,納米管納米顆粒,納米點(diǎn)低維磁性材料二維磁性薄膜一維納米線零維納米點(diǎn)以及納米顆粒第2頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月低維化的意義量子尺寸效應(yīng)

特殊的性能

任何物質(zhì)的顆粒的大小達(dá)到納米級(jí)時(shí)都會(huì)產(chǎn)生表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)和量子效應(yīng)。這就使納米材料具有許多優(yōu)異的性質(zhì)同時(shí)許多宏觀尺度上有效的規(guī)律、定理、方式、方法，在納米世界都將不再適用，納米技術(shù)使世界的面目煥然一新。與半導(dǎo)體工藝結(jié)合有利于器件的小型化

應(yīng)用納米技術(shù)可以大大減小電子器件、集成電路的體積．優(yōu)化其性能第3頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁性材料薄膜化薄膜磁性的研究始于上世紀(jì)40年代到現(xiàn)各種大塊材料都以其薄膜形態(tài)存在并表現(xiàn)出優(yōu)異和獨(dú)特的磁性，如各向同性磁電性，同時(shí)還出現(xiàn)人工設(shè)計(jì)的超晶格常稱之為多層膜、三層膜、隧道結(jié)膜和基于磁電阻效應(yīng)的磁電子學(xué)。磁性薄膜在磁記錄和磁光存儲(chǔ)技術(shù)方面已有廣泛的應(yīng)用?；诖判员∧さ母鞣N磁性傳感器在各個(gè)領(lǐng)域都起著很大的作用。第4頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月薄膜可設(shè)計(jì)性由于薄膜材料性能受制備過程的影響，在制備過程中多數(shù)處于非平衡狀態(tài)，因而可以在很大范圍內(nèi)改變薄膜材料的成分、結(jié)構(gòu)，不受平衡狀態(tài)時(shí)限制，所以人們可以制備出許多塊體難以實(shí)現(xiàn)的材料以獲得新的性能：可以在很大范圍內(nèi)將幾種材料摻雜在一起得到均勻膜，而不必考慮是否會(huì)形成均勻相，這樣就能較自由地改變薄膜的性能。根據(jù)需要可以得到單晶、多晶、和非晶的各種結(jié)構(gòu)薄膜。通過沉積速率的控制可以容易得到成分不均勻分布的薄膜，如梯度膜等。還可以容易地將不同材料結(jié)合一起制成多層結(jié)構(gòu)的薄膜。第5頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁性薄膜材料

厚度在1微米以下的強(qiáng)磁性（鐵磁性和亞鐵磁性）材料。一般在幾納米到幾百納米。

各種磁性材料幾乎都可制成成分和厚度可以控制的磁膜材料。一般按材料性質(zhì)分為金屬和非金屬磁膜材料；按材料組織狀態(tài)分為非晶、多層調(diào)制和微晶磁膜材料。第6頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁性薄膜的一些特點(diǎn)在薄膜的厚度方向上只有一個(gè)磁疇，在靜態(tài)條件下薄膜的磁化強(qiáng)度一般是在平面上。(有例外）薄膜平面上的退磁因子極小（約為10-3-10-5），而在垂直于薄膜的方向上卻等于1。薄膜內(nèi)無渦流產(chǎn)生，直到超高頻頻段都是如此。由于磁疇結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，薄膜的本征鐵磁諧振頻率較之厚實(shí)的鐵磁體大10-100倍，因此，在高頻時(shí)薄膜仍保持甚大的磁導(dǎo)率。在脈沖和正弦交變磁場中，磁薄膜反復(fù)磁化極快且損耗很小。在許多磁薄膜平面上具有明顯的磁各向異性；許多磁薄膜都有矩形磁滯回線。（可以設(shè)計(jì)和控制）第7頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁性薄膜的應(yīng)用廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。第8頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁性薄膜的各向異性（一）按來源分磁晶各向異性形狀各向異性誘發(fā)各向異性應(yīng)力引起的各向異性交換各向異性（二）按特性分單軸各向異性單向各向異性體各向異性表面各向異性第9頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁晶各向異性由材料的晶體結(jié)構(gòu)引起

Fe(K1>0)Ni(K1<0)起因:電子的自旋-軌道耦合軌道與局域環(huán)境的相互作用(晶格場)非球形的原子軌道(Lz

0)and非球形分布的晶格場。第10頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月應(yīng)力引起的各項(xiàng)異性磁致伸縮效應(yīng)：在磁場的作用下，材料的尺寸發(fā)生改變。導(dǎo)致的原因是自旋-軌道與晶格場的相互作用.由于自旋-軌道的相互作用，使電子軌道放生畸變，從而引起了晶格的形變。磁致伸縮的各向異性第11頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月

表面各向異性

在表面或者界面,晶格對稱的破缺導(dǎo)致表面各向異性，其對稱軸位于表面法線方向。當(dāng)Ks>0,易軸沿表面法向，---易法向當(dāng)Ks<0,難軸沿法相---易平面第12頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月誘發(fā)各向異性磁場退火配對有序化第13頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月交換各向異性1956年，IBM的MeiklejohnandBean發(fā)現(xiàn)鐵磁薄膜與反鐵磁薄膜的交換耦合作用磁滯回線發(fā)生偏置（交換偏置）

Co/CoO第14頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月交換偏置的機(jī)理沒抵消界面完全抵消界面一般認(rèn)為要產(chǎn)生交換偏置必須反鐵磁在界面磁距不完全抵消,完全抵消界面將不產(chǎn)生交換偏置。多晶界面由于有缺陷等使得自旋不完全抵消第15頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月交換偏置的實(shí)現(xiàn)交換耦合不一定能產(chǎn)生偏置矯頑力增大在磁場中將薄膜在磁場中設(shè)定方法：加溫，溫度T>TN

在磁場中冷卻第16頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月體各向異性例子:

磁晶各向異性控制的等軸磁鐵礦顆粒有四個(gè)易磁化軸，而不象單軸顆粒只有兩個(gè)。易磁化軸與外加磁場之間的最大夾角

為55

。因此，沒有通過原點(diǎn)的單個(gè)回線。

xzyK1>0,K2=0K1<0,K2=0第17頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月單軸各向異性各向異性能量1)K1>0K2=0磁場沿易軸方向此回線為具有單軸各向異性的單疇顆粒的回線回線與磁場方向的關(guān)系

易軸

u=K1sin2

+K2sin4

+...(更高階向以般可以忽略)第18頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月K2≠0情形4)K1<0,K2>?|K1|EnergysurfaceEasyplane(=90o)3)K1<0,K2=0:u=-|K1|sin2

=+|K1|cos2

(+constant)與扁球體的形狀各向異性類似.2)K1>0,K2>0:u=|K1|sin2

+|K2|sin4

第19頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁性薄膜中的各種能量交換能磁晶各向異性能磁彈性能靜磁能（退磁場）塞曼能第20頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月交換能交換能的作用是讓相鄰的磁矩沿同一方向排列常數(shù)A用以量度交換作用的強(qiáng)弱第21頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁彈性能和塞曼能磁彈性能：依賴于M與晶體應(yīng)力的相對方向；是極化率M與晶格間的彈性相互作用引起。塞曼能：M與外加磁場的相互作用能第22頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月退磁場M

m=M-m=-M

m=0柱外: M=0,B=

0H柱內(nèi): M=Mêz,Bz>0 Hz<0(but|Hz|<M)Hdemag=Hin

0asD/L0第23頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月靜磁能由非均勻極化強(qiáng)度M造成的退極化場引起ΔN為退極化因子的差acc第24頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁疇形成的原因各種能量的競爭退磁場退磁場大減小退磁場和外場第25頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁疇與疇壁磁疇

磁矩同向排列的區(qū)域疇壁

兩個(gè)相鄰磁疇在磁矩改變方向前的過渡區(qū)域180o疇壁第26頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月疇壁與膜厚的關(guān)系厚膜中90oand180o

疇壁[100][010]

z

z

/2

往往在厚膜中產(chǎn)生第27頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月布魯赫和奈爾疇壁BlochNéelabt

msNéelBloch第28頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月磁性薄膜的磁化過程連續(xù)反轉(zhuǎn)單疇晶體或多疇晶體且易軸平行于疇壁，當(dāng)磁場沿難軸方向時(shí)，有磁矩的轉(zhuǎn)動(dòng)，而沿易軸則未必。HH第29頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月連續(xù)反轉(zhuǎn)對于單疇晶體，磁矩轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)連續(xù)的H

h1m1h1m1難軸:=/2第30頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月疇壁移動(dòng)由磁疇擴(kuò)大（b）及磁化矢量（c）引起的磁化過程，（a）是退磁狀態(tài)下的磁疇分布（在下方的磁化曲線標(biāo)明了對應(yīng)的階段）（a）（b）（c）HH可逆壁移不可逆壁移轉(zhuǎn)向磁化abcOHsHBs磁疇壁完全消失第31頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月疇壁移動(dòng)一維情況

180o疇壁

是否為疇壁移動(dòng)，在于薄膜的厚度第32頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月穩(wěn)定性磁性的弛豫現(xiàn)象在零場下，對于具有單軸各項(xiàng)異性的磁性粒子

KV第33頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月超順磁效應(yīng)當(dāng)測量時(shí)間~弛豫時(shí)間(Mr=0,Hc=0)E~kTln(f0t)Ift=100sec,thenE~25kTIft=10years,thenE~40kTMhasdoubleexponentialdependenceonKandV第34頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月矯頑力與時(shí)間的關(guān)系superparamagnetism第35頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月薄膜的制備方法薄膜材料在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中應(yīng)用十分廣泛,制膜技術(shù)的發(fā)展也十分迅速。制膜方法—分為物理和化學(xué)方法兩大類；具體方式上—分為干式、濕式和噴涂三種，而每種方式又可分成多種方法。

第36頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月電子束蒸發(fā)把被加熱的物質(zhì)放置在水冷坩鍋中，利用電子束轟擊其中很小一部分，使其熔化蒸發(fā)，而其余部分在坩鍋的冷卻作用下處于很低的溫度。第37頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2月化學(xué)沉積方法化學(xué)氣相沉積是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑的蒸汽及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并把固體產(chǎn)物沉積到表面生成薄膜的過程。前驅(qū)物反應(yīng)物固體產(chǎn)物

（膜或粉）氣相產(chǎn)物能量第38頁，課件共43頁，創(chuàng)作于2023年2