激光蝕刻電容圖形設計

激光蝕刻電容圖形設計要求一、激光銀漿蝕刻原理設備以高頻脈沖激光器為光源，以脈沖的形式在焦點位置對加工材料瞬間加熱氣化以達到去除銀漿（或ITO導電膜）材料的目的，在較高的重疊率下，通過高速振鏡使光斑沿設計線段快速掃描，達到蝕刻整條線，使蝕刻線兩邊銀漿分離斷開;在此情況下，以振鏡高速掃描刻蝕小幅面區(qū)域（110*110mm）+平臺快速移動方式，CCD自動抓靶定位，實現(xiàn)激光穩(wěn)定蝕刻銀漿或ITO材料的工藝方法。二、銀漿印刷工藝分析關于銀漿印刷，要注意以下幾點：銀漿厚度要均勻，厚度控制在6~8um左右，無異物和大顆粒；控制銀漿邊緣厚度變化。一般印刷精度整板應控制在150um以內；印刷無針孔現(xiàn)象，邊緣無鋸齒或輕微。銀漿印刷完成，烘干后，隨時間的變化，銀漿特性也會發(fā)生改變，銀漿容易脫落；如不在印刷完成后馬上蝕刻，一般應付防靜電保護膜，或存放在充滿保護氣體（如氮氣）的空間中。三、銀漿線路設計方案1、兩條激光線路的間距應為激光蝕刻（去除）線寬和銀線保留線寬之和。如激光蝕刻線寬為40微米，銀漿保留寬度為50微米，則設計圖形2條激光線間距（線距）應為90微米。為保證激光蝕刻功能，線距應為激光線寬的2倍以上，即線寬為40微米時，線距應為80~100微米。在圖形設計時，銀漿蝕刻路徑用單線條來表示。如圖1所示，綠色線條為銀漿設計路徑，用單線條表示，紫色為印刷銀漿外框（左邊為引腳），綠色線條2邊黃色線條間部分為銀漿需要蝕刻部分演示，如下圖銀漿蝕刻線寬為40微米，銀漿保留50微米，2條設計線路間距為90微米，在設計圖形時，黃線可省略。

圖1銀漿激光切割線繪制規(guī)范（標注單位：毫米）圖2實際蝕刻效果2、在繪制線條的過程中，整個路徑線條應使用直線擬合而成，應避免出現(xiàn)圓（如大半徑圓弧外形，小圓弧倒角等）；如外觀，功能等需要，確實需走圓弧，可以用多條線段擬合（整圓可以看成正N邊行，按精度需要選擇邊數(shù)）。圖形完成后，應將每個路徑組合成多線段；請勿轉換成樣條曲線。3、如圖3,設計的蝕刻線在銀漿引腳中間，這可以避免各種誤差引起蝕刻線偏移導致功能不良。圖3蝕刻線位于引腳中間 圖4多條線線間距一致4、兩條激光線之間的間距在各個位置應保持一致，如圖4轉角處。5、拐角處盡量使用直線或斜線，避免使用較小的倒角圓?。ㄈ菀谉齻?，最好在整條蝕刻線上不要出現(xiàn)圓弧，如確實需要，請用多條線段擬合。兩條直線相交處不要出現(xiàn)倒角圓?。ㄌ貏e是小圓?。绻_實需要，請倒斜角。如圖5所示：

(a)(a)(b)(c)圖5轉角處不要倒圓角6、多條直線需要合成一條多段線（避免開、關光處功能不良和提升加工效率）,另不要轉換成樣條曲線。（a（a） （b）圖6轉換成多線段7、最邊緣設計銀漿線應距銀漿邊緣大于150微米安全距離，以防止膜脹縮，印刷偏位等帶來的誤差，防止蝕刻出銀漿邊緣。銀漿印刷精度應控制在整版100微米以內為宜。

圖7邊緣銀漿線應距銀漿邊緣150微米以上8、激光蝕刻線繪制順序應保持一致，如下圖8所示，綠色線部分均是從上向下繪制，激光也按照這個順序蝕刻，如果順序不一致，振鏡在高速掃描的時候在轉彎處因為有個弧度的關系會出現(xiàn)線距不均勻的現(xiàn)象。圖8蝕刻線繪制順序應保持一致9、如銀漿邊緣印刷較厚，可以考慮在引腳和出口處加雙線以確保切斷，提高良率。四、ITO線路設計方案如果需要銀漿與ITO一起蝕刻，則只要應注意每個引腳連接的銀漿和ITO應與外界其他部分完全絕緣，使每條引腳對應一個封閉空間。另外，由于蝕刻銀漿和ITO所需激光能量不同，故在設計時應將銀漿蝕刻線與ITO蝕刻線分不同圖層，其中銀漿蝕刻線應避免進入可視區(qū)區(qū)域。下面具體就一些細節(jié)具體分析。目前，銀漿ITO圖形有菱形，方形和斜線（單面）等。1、菱形圖形，該種圖形由于線路較簡單，激光蝕刻效率高。A）如圖9所示為上線激光蝕刻圖形，紅色圖層為ITO蝕刻線，配合著粉紅色圖層（銀漿蝕刻線）使每個引腳區(qū)域絕緣；

圖9上線圖形圖10上線圖形細節(jié)

如圖10,A區(qū)域為激光蝕刻后有效區(qū)域（ITO）,B區(qū)域為無效區(qū)域，C區(qū)域激光蝕刻連接處需要延長0.3mm,使之相交，可有效避免蝕刻不斷現(xiàn)象；B）如圖11所示為下線激光蝕刻圖形，紅色圖層為ITO蝕刻線，配合著粉紅色圖層（銀漿蝕刻線）使每個引腳區(qū)域絕緣；圖11下線圖形

圖12下線圖形細節(jié)如圖12,線段A目的是為了分開區(qū)域A和區(qū)域B,因下線引腳在兩邊，所以需要一條阻隔線段(注意，線段A為L形，下面有延長0.3mm與主線重合)；2、方塊形設計，該種設計圖中獨立小單元較多，線路復雜，故效率較慢。設計圖形時應盡可能將圖形組合，設計成單線段，較少小線段數(shù)量，以提高效率，下面提供集中思路。A)如圖13(a)為濕刻圖形，紅色填充部分為濕刻掉ITO；激光蝕刻圖形設計如圖13(b)，橙色線為激光鐳射線，鐳射線寬在30um左右；

(a) (b)圖13ITO濕刻圖該激光鐳射圖示意B）設計圖形時盡量減少單條線的數(shù)量，這樣可以提高蝕刻效率；如當設計類似（圖14）圖形時，可以按照圖7的作圖方式將其設計為一條多段線，線條起始位置和結尾位置（即4?8線段長度和1?5線段長度）需要重合0.3mm；圖14 圖15（左邊為修改后）C）當設計類似（圖14）圖形時，可以按照圖15左邊的作圖方式將小線段設計為一條多段線，線條起始位置和結尾位置需要重合0.3mm；D）設計封閉圖形時，首尾處應有0.3mm重合處以便連接上。如圖16所示。圖16首尾相連E）可在引腳處將ITO分隔以調高下段良率。關于Mark標設計要求1、Mark標采用銀漿印刷的方式做成，形狀可為實心圓、環(huán)形圓、十字線、或圓和十字線組合等規(guī)則圖形。圖17不同形狀MARK標2、Mark標的尺寸直徑在3mm以內比較合適，印刷邊緣輪廓要清晰，在Mark標底層或以上不要印刷耐酸或視窗保護膠等影響CCD觀測效果的材料，不能有重影，以提高抓靶精度；3、同一Mark標10mm范圍內不要有相同圖形靶標存在，以免誤抓靶標引起蝕刻偏位；4、Mark標位置及數(shù)量：一般在整個蝕刻材料外圍4角對稱