拓荊科技研究報(bào)告專注薄膜沉積工藝CVD市場(chǎng)地位快速上升

拓荊科技研究報(bào)告-專注薄膜沉積工藝CVD市場(chǎng)地位快速上升管理團(tuán)隊(duì)：國(guó)際化薄膜沉積設(shè)備研發(fā)技術(shù)隊(duì)伍拓荊科技已經(jīng)建成了一支國(guó)際化、專業(yè)化的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)。公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)以歸國(guó)海外專家為核心，立足核心技術(shù)研發(fā)，積極引進(jìn)海外高層次人才、自主培養(yǎng)本土科研團(tuán)隊(duì)。公司國(guó)際化專業(yè)化的高級(jí)管理團(tuán)隊(duì)、全員持股的激勵(lì)制度，吸引了大量具有豐富經(jīng)驗(yàn)的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)專家加入公司，在整機(jī)設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)等方面做出突出貢獻(xiàn)。公司自設(shè)立以來(lái)，自主培養(yǎng)本土科研團(tuán)隊(duì)，隨著多項(xiàng)產(chǎn)品的研發(fā)成功，公司本土科研團(tuán)隊(duì)已成長(zhǎng)為公司技術(shù)研發(fā)的中堅(jiān)力量。截至2021年9月，公司研發(fā)人員共有189名，占公司員工總數(shù)的44.06%。公司第一大股東為國(guó)家集成電路基金。國(guó)家集成電路基金直接持有公司總股本的26.48%，其實(shí)際控制人為中華人民共和國(guó)財(cái)政部?？刂乒?%以上股份或表決權(quán)的股東，包括國(guó)家集成電路基金、國(guó)投上海、中微公司、嘉興君勵(lì)及其關(guān)聯(lián)方鹽城燕舞、潤(rùn)揚(yáng)嘉禾，姜謙及其一致行動(dòng)人(呂光泉、張先智、張孝勇、劉憶軍、凌復(fù)華、吳飚、周仁、沈陽(yáng)盛騰、沈陽(yáng)盛旺、沈陽(yáng)盛全、沈陽(yáng)盛龍、芯鑫和、芯鑫全、芯鑫龍、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫陽(yáng))。主營(yíng)業(yè)務(wù)：

PECVD、SACVD、ALD公司正處于高成長(zhǎng)階段業(yè)績(jī)表現(xiàn)：2021年收入7.58億元增長(zhǎng)74%，扣非凈利潤(rùn)-0.82億元；2018-2021年收入復(fù)合增速120%。業(yè)績(jī)指引：2022年一季度收入指引1-1.2億元，同比增長(zhǎng)73%-108%，扣非利潤(rùn)-0.3~-0.16億元（上年同期為-0.24億元）。收入結(jié)構(gòu)：以PECVD為主公司主要從事半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列，已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開(kāi)10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。公司2020年收入中PECVD占96%，且12英寸設(shè)備貢獻(xiàn)了超3/4的PECVD收入。客戶結(jié)構(gòu)：國(guó)內(nèi)外12英寸一線客戶為主拓荊的產(chǎn)品已廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門(mén)聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線。公司憑借長(zhǎng)期技術(shù)研發(fā)和工藝積累，打破國(guó)際廠商對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的壟斷，與國(guó)際寡頭直接競(jìng)爭(zhēng)。公司在研產(chǎn)品已發(fā)往某國(guó)際領(lǐng)先晶圓廠參與其先進(jìn)制程工藝研發(fā)。薄膜沉積：拓荊可覆蓋大部分PECVD工藝薄膜沉積定義：沉積待處理薄膜材料芯片是微型結(jié)構(gòu)體，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是3D立體式形態(tài)，襯底之上的微米或納米級(jí)薄膜構(gòu)成制作電路的功能材料層。薄膜沉積是指在硅片襯底上沉積一層待處理薄膜材料的工藝。薄膜沉積技術(shù)是以各類適當(dāng)化學(xué)反應(yīng)源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅(qū)動(dòng)下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應(yīng)基團(tuán)等在襯底表面進(jìn)行吸附，并在適當(dāng)?shù)奈慌Z發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或聚結(jié)，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導(dǎo)體材料薄膜。薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。技術(shù)參數(shù)具體包括薄膜厚度、均勻性、光學(xué)系數(shù)、機(jī)械應(yīng)力、顆粒度等性能指標(biāo)，以及芯片封裝后的可靠性、生命周期等。薄膜沉積分類：CVD、PVD、ALD、電鍍薄膜沉積主要負(fù)責(zé)各個(gè)步驟當(dāng)中的介質(zhì)層與金屬層的沉積，按薄膜沉積技術(shù)原理分類包括CVD（化學(xué)氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）、電鍍和ALD（原子層沉積），所沉積薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅、鎢、鋁、釕、鉬等金屬。CVD（化學(xué)氣相沉積）是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)，是一種通過(guò)氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應(yīng)用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。CVD設(shè)備由氣相反應(yīng)室（進(jìn)氣方向與樣品表面成水平或垂直）、能量系統(tǒng)（

加熱或射頻）、反應(yīng)氣體控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、廢氣處理裝臵等六大部分組成。CVD設(shè)