第二章半導(dǎo)體材料

第二章半導(dǎo)體材料第1頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月目標(biāo)通過(guò)本章學(xué)習(xí)，能夠：1.能夠列出至少三種半導(dǎo)體材料2.解釋電阻率、電阻和電容，討論它們?cè)谛酒圃熘械闹匾?.解釋N型和P型半導(dǎo)體材料在組成和電性能方面的不同4.討論以砷化鎵為重點(diǎn)的其它半導(dǎo)體材料第2頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.1原子結(jié)構(gòu)自然界中任何事物都是由96種穩(wěn)定元素和12種不穩(wěn)定元素組成的。不同原子結(jié)構(gòu)決定了不同的元素特性。著名物理學(xué)家尼爾斯·玻爾最早把原子的基本結(jié)構(gòu)用于解釋不同元素的不同物理、化學(xué)和電性能。第3頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.1.1玻爾原子模型帶正電的質(zhì)子和不帶電的中子集中在原子核中，帶負(fù)電的電子圍繞原子核在固定的軌道上運(yùn)動(dòng)。帶正電的質(zhì)子和帶負(fù)電的電子之間存在著吸引力，不過(guò)吸引力和電子在軌道上運(yùn)動(dòng)的離心力相抵，這樣原子結(jié)構(gòu)就穩(wěn)定了。每個(gè)軌道容納的電子數(shù)量是有限的。當(dāng)一個(gè)特定的電子軌道被填滿(mǎn)后，其余的電子就必須填充到下一個(gè)外層軌道上。第4頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月元素：同種原子構(gòu)成的最簡(jiǎn)單的物質(zhì)，具有特定的物理和化學(xué)性質(zhì)分子：由兩個(gè)或更多的原子構(gòu)成，通過(guò)化學(xué)作用緊密束縛在一起的結(jié)構(gòu)，表現(xiàn)為一個(gè)獨(dú)立單元化合物：由兩個(gè)或更多的原子構(gòu)成，形成一種性質(zhì)不同于組分原子的新物質(zhì)第5頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月電子：各個(gè)電子占據(jù)了包含7個(gè)不同殼層的軌道，每個(gè)殼層對(duì)應(yīng)了一個(gè)特定的能級(jí)，以從K到Q得字母來(lái)區(qū)分。電子能級(jí)：能量單位是電子伏特（ev），代表一個(gè)電子從低電勢(shì)處移動(dòng)到高出1V的電勢(shì)處所獲得的動(dòng)能。價(jià)電子層：給定一種原子，最外部的電子層就是價(jià)電子層，對(duì)原子的化學(xué)和物理性質(zhì)具有顯著的影響。第6頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月固體能帶論：解釋了固體材料中電子怎樣改變軌道能級(jí)。離子：當(dāng)原子失去或得到一個(gè)或多個(gè)電子時(shí)成為離子。電離：從原子中移去電子的過(guò)程，產(chǎn)生了帶正電的原子或分子。離子鍵：當(dāng)價(jià)層電子從一種元素的原子轉(zhuǎn)移到另一個(gè)原子上時(shí)，形成離子鍵。共價(jià)鍵：不同元素的原子共有價(jià)層電子，原子通過(guò)共有電子來(lái)使價(jià)層完全填充而變得穩(wěn)定。第7頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.1.2元素周期表原子結(jié)構(gòu)的規(guī)則1、在任何原子中都有數(shù)量相等的質(zhì)子和電子2、任何元素都包括特定數(shù)目的質(zhì)子，沒(méi)有任何兩種元素有相同數(shù)目的質(zhì)子?！霸有驍?shù)”就等于原子中質(zhì)子的數(shù)目。3、有相同最外層電子數(shù)的元素有著相似的性質(zhì)。第8頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月4、最外層被填滿(mǎn)或者擁有8個(gè)電子的元素是穩(wěn)定的，在化學(xué)性質(zhì)上比最外層未填滿(mǎn)的原子更穩(wěn)定。5、原子會(huì)試圖與其他原子結(jié)合而形成穩(wěn)定的條件。第9頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.1.3硅片制造中一般化學(xué)元素的族特性IA：一個(gè)價(jià)電子，容易失去，低負(fù)電性不穩(wěn)定非?；顫姡ㄐ孕纬呻x子鍵由于污染問(wèn)題，不推薦使用這族金屬第10頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月IIA：2個(gè)價(jià)電子有些不穩(wěn)定相當(dāng)活潑不推薦使用這族金屬第11頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月IIIA：3個(gè)價(jià)電子加入到半導(dǎo)體材料中的摻雜元素（主要是B）普通的互連導(dǎo)電材料（AL）第12頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月IVA：4個(gè)價(jià)電子半導(dǎo)體材料形成共價(jià)鍵VA：5個(gè)價(jià)電子加入到半導(dǎo)體材料中的摻雜元素（主要是P和AS）

第13頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月VIA：6個(gè)價(jià)電子VIIA：7個(gè)價(jià)電子，容易接受電子，高負(fù)電性腐蝕性非?；顫娦纬呻x子鍵在某些半導(dǎo)體應(yīng)用中有用：作為刻蝕和清洗化合物而使用

第14頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月VIIIA：8個(gè)價(jià)電子穩(wěn)定，不活潑惰性氣體應(yīng)用在半導(dǎo)體制造的某些方面是安全的第15頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月IB：最好的金屬導(dǎo)體Cu正在取代AL的互連導(dǎo)體材料的位置IVB~VIB：難熔（高熔點(diǎn)）金屬，一般用于半導(dǎo)體制造中以改善金屬化（尤其是Ti、W、Mo、Ta和Cr）與Si反應(yīng)良好，形成具有優(yōu)良電學(xué)特性的穩(wěn)定化合物第16頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.2材料分類(lèi)根據(jù)流經(jīng)材料電流的不同可分為三類(lèi)材料：導(dǎo)體絕緣體半導(dǎo)體第17頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.2.1導(dǎo)體導(dǎo)體：價(jià)帶與導(dǎo)帶交疊，電子從價(jià)帶移動(dòng)到導(dǎo)帶只需很小的能量。在原子的最外層通常有一些束縛松散的價(jià)電子，容易失去。金屬典型地具有這種價(jià)電子層結(jié)構(gòu)。在一般的半導(dǎo)體制造中，鋁是最普通的導(dǎo)體材料，用來(lái)充當(dāng)器件之間的互聯(lián)線(xiàn)，而鎢可作為金屬層之間的互連材料。銅是優(yōu)質(zhì)金屬導(dǎo)體的一個(gè)例子，最近被引入到硅片制造中取代鋁。第18頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月空穴：電子的移去在電子價(jià)帶中留下一個(gè)空位電子—空穴對(duì)：每個(gè)導(dǎo)帶電子必定存在一個(gè)價(jià)帶空穴與之對(duì)應(yīng)，價(jià)帶電子能夠躍入空穴的位置，從而推動(dòng)電子的移動(dòng)和導(dǎo)電。這種狀態(tài)稱(chēng)之為電子—空穴對(duì)。第19頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月復(fù)合：在成為導(dǎo)帶自由電子不久，電子即失去能量并跌入價(jià)帶的空穴中，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為復(fù)合。壽命：一個(gè)電子從導(dǎo)帶移出直到復(fù)合所經(jīng)歷的時(shí)間。熱能促使電子—空穴對(duì)持續(xù)不斷的產(chǎn)生并隨之復(fù)合。第20頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月電導(dǎo)率與電阻率材料傳導(dǎo)電流的性質(zhì)稱(chēng)為導(dǎo)電性。用電阻率（）來(lái)表征材料的導(dǎo)電性。電阻率越低的材料具有越好的導(dǎo)電性。只依賴(lài)于材料本身，與幾何形狀無(wú)關(guān)。通常導(dǎo)體的電阻率在10-4歐姆*厘米以下，絕緣體的電阻率在109歐姆*厘米以上。用公式表示：第21頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月電阻電阻：阻礙電流流動(dòng)并伴隨著熱消耗。硅片制造中特征尺寸的減小使電阻成為一個(gè)重要參數(shù)。更小的尺寸引起互連線(xiàn)的電阻增加，增加了非理想效應(yīng)的熱損耗。第22頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.2.2絕緣體絕緣體：有很大的禁帶寬度分隔開(kāi)價(jià)帶和導(dǎo)帶，電子從價(jià)帶移動(dòng)到導(dǎo)帶很困難，有很低的電導(dǎo)率和很高的電阻率。半導(dǎo)體制造中的絕緣體包括二氧化硅、氮化硅和聚酰亞胺（一種朔料材料），凈化后的去離子水也是絕緣體。第23頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月電容電容是被電介質(zhì)分隔開(kāi)的兩個(gè)導(dǎo)電極板上的電荷存儲(chǔ)裝置。在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，MOS柵結(jié)構(gòu)，被絕緣層隔開(kāi)的金屬層和硅基體之間都存在著電容。介電常數(shù)：介電材料是電容器中的關(guān)鍵部分。介電常數(shù)K已經(jīng)成為一個(gè)重要的半導(dǎo)體性能參數(shù)。第24頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.2.3半導(dǎo)體具有較小的禁帶寬度，介于絕緣體和導(dǎo)體之間。這個(gè)禁帶寬度允許電子在獲得能量時(shí)從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶。這種行為發(fā)生在半導(dǎo)體被加熱時(shí)，因而其導(dǎo)電性隨溫度的增加而提高。硅它是一種半導(dǎo)體材料，有4個(gè)價(jià)電子，位于IVA族，硅中價(jià)層電子數(shù)目正好位于優(yōu)質(zhì)導(dǎo)體（1個(gè)價(jià)電子）和絕緣體（8個(gè)價(jià)電子）中間。

第25頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第26頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

硅的熔點(diǎn)是1412℃，是一種質(zhì)硬的脆性材料，變形很容易破碎，與玻璃相似?？梢?huà)伖獾孟耒R面一樣平整。

本征半導(dǎo)體：不含任何雜質(zhì)和缺陷的純凈半導(dǎo)體，其純度在99.999999%（8~10個(gè)9）。摻雜半導(dǎo)體：把特定的元素引入到本征半導(dǎo)體中，可提高本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。兩種特性：1.通過(guò)摻雜精確控制電阻率2.電子和空穴導(dǎo)電

第27頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月半導(dǎo)體具有以下的特殊性質(zhì)：

(1)溫度的變化能顯著的改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。當(dāng)溫度升高時(shí)，電阻率會(huì)降低。比如Si在200℃時(shí)電阻率比室溫時(shí)的電阻率低幾千倍。可以利用半導(dǎo)體的這個(gè)特性制成自動(dòng)控制用的熱敏組件（如熱敏電阻等），但是由于半導(dǎo)體的這一特性，容易引起熱不穩(wěn)定性，在制作半導(dǎo)體器件時(shí)需要考慮器件自身產(chǎn)生的熱量，需要考慮器件使用環(huán)境的溫度等，考慮如何散熱，否則將導(dǎo)致器件失效、報(bào)廢。

第28頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

(2)半導(dǎo)體在受到外界光照的作用時(shí)導(dǎo)電能力大大提高。利用這一特點(diǎn)，可制成光敏三極管、光敏電阻等。(3)在純凈的半導(dǎo)體中加入微量（千萬(wàn)分之一）的其它元素（這個(gè)過(guò)程我們稱(chēng)為摻雜），可使他的導(dǎo)電能力提高百萬(wàn)倍。這是半導(dǎo)體的最初的特征。例如在原子密度為5*1022/cm3的硅中摻進(jìn)大約5X1015/cm3磷原子，比例為10-7（即千萬(wàn)分之一），硅的導(dǎo)電能力提高了幾十萬(wàn)倍。

第29頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.3摻雜半導(dǎo)體的電阻率第30頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.4電子和空穴的傳導(dǎo)N型硅導(dǎo)帶電子多于價(jià)帶空穴第31頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月P型硅第32頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月N型半導(dǎo)體中的電子傳導(dǎo)第33頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月P半導(dǎo)體中的空穴傳導(dǎo)第34頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月受主：在半導(dǎo)體材料中形成P型導(dǎo)電的摻雜劑施主：在半導(dǎo)體材料中形成N型導(dǎo)電的摻雜劑摻雜半導(dǎo)體的特性第35頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.5電子和空穴的輸運(yùn)1、熱運(yùn)動(dòng)電子或空穴在半導(dǎo)體中的熱運(yùn)動(dòng)是隨機(jī)的，又是被碰撞過(guò)程所中斷。所以熱運(yùn)動(dòng)最終并不產(chǎn)生凈移位或長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)的輸運(yùn)，電子隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)的速度是溫度的函數(shù)，在室溫下這一速度近似為8*106cm/s.第36頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2、漂移運(yùn)動(dòng)當(dāng)在樣品上加有電場(chǎng)時(shí)，就會(huì)有一個(gè)附加速度分量與載流子的熱運(yùn)動(dòng)相迭加，這個(gè)附加分量就是漂移運(yùn)動(dòng)。電子的漂移運(yùn)動(dòng)方向與電場(chǎng)的方向相反。當(dāng)漂移速度與熱運(yùn)動(dòng)速度相當(dāng)時(shí)，電場(chǎng)對(duì)漂移速度的作用開(kāi)始減小。電子和空穴漂移速度隨電場(chǎng)的增強(qiáng)而增加。但漂移速度的增長(zhǎng)速率逐漸減緩，最后達(dá)到一個(gè)最大的漂移速度。

第37頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月單位面積上的電子和空穴漂移電流密度分別為：總的漂移電流密度為

第38頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)上述兩種運(yùn)動(dòng)是指半導(dǎo)體中濃度均勻的載流子運(yùn)動(dòng)，在濃度不均勻的情況下，載流子還會(huì)在濃度梯度▽n、▽p的影響下進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，電子和空穴的擴(kuò)散電流密度分別為：

第39頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月總的電流擴(kuò)散密度為：

第40頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.6載流子的遷移率遷移率：漂移速度與外加電場(chǎng)強(qiáng)度之間的比例常數(shù)。

載流子被電場(chǎng)加速的同時(shí)，將與晶格格點(diǎn)和晶格中的雜質(zhì)碰撞產(chǎn)生散射，各種散射機(jī)構(gòu)決定了載流子的遷移率的大小。

第41頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月遷移率與擴(kuò)散系數(shù)間滿(mǎn)足第42頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.7硅中的載流子的壽命在任一溫度下，均可通過(guò)熱過(guò)程在硅內(nèi)部不斷產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，同時(shí)，電子—空穴對(duì)又通過(guò)復(fù)合不斷消失。當(dāng)電子—空穴對(duì)的產(chǎn)生與復(fù)合率完全相同時(shí)便達(dá)到了平衡。如果用一個(gè)高能源照射本征半導(dǎo)體表面，電子—空穴對(duì)的數(shù)目將迅速增加。光照去去除后，電子和空穴濃度仍然相等，但兩者的乘積卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于半導(dǎo)體在同一溫度下的平均值，過(guò)剩的電子和空穴通過(guò)復(fù)合衰減，同時(shí)以光照和熱的形式向晶格釋放能量。第43頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月過(guò)剩電子—空穴對(duì)復(fù)合所需時(shí)間為載流子壽命。對(duì)硅而言，載流子壽命可高達(dá)幾百，低至幾ps。硅中的電子空穴對(duì)可通過(guò)以下幾種途徑進(jìn)行復(fù)合：1.直接復(fù)合，在導(dǎo)帶、價(jià)帶之間直接躍遷所產(chǎn)生的復(fù)合2.間接復(fù)合，借助硅中雜質(zhì)能級(jí)進(jìn)行復(fù)合3.表面復(fù)合

第44頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.8PN結(jié)PN結(jié)的形成第45頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月內(nèi)建電場(chǎng)內(nèi)建電場(chǎng)是由多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)引起的，伴隨著它的建立將帶來(lái)兩種影響：一是內(nèi)電場(chǎng)將阻礙多子的擴(kuò)散二是P區(qū)和N區(qū)的少子一旦靠近PN結(jié)，便在內(nèi)電場(chǎng)的作用下漂移到對(duì)方，使空間電荷區(qū)變窄。

第46頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，交界面形成穩(wěn)定的空間電荷區(qū)，即ＰＮ結(jié)處于動(dòng)態(tài)平衡。ＰＮ結(jié)的寬度一般為0.5um。

PN結(jié)在未加外加電壓時(shí)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)處于動(dòng)態(tài)平衡，通過(guò)PN結(jié)的電流為零。

第47頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.9半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

1.點(diǎn)接觸型二極管的結(jié)構(gòu)

第48頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

它的特點(diǎn)是結(jié)面積小，因而結(jié)電容小，適用于高頻(幾百兆赫)電路。但它不能通過(guò)很大的電流，也不能承受高的反向電壓。主要用于小電流整流和高額檢波，也適用于開(kāi)關(guān)電路。

第49頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.面接觸型二極管的結(jié)構(gòu)

第50頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

它的特點(diǎn)是PN結(jié)面積大，能通過(guò)較大的電流，結(jié)電容也大，適用于整流電路，但工作頻率較低。

第51頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3.平面型二極管的結(jié)構(gòu)

第52頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

它的特點(diǎn)是結(jié)面積較大時(shí)，能通過(guò)較大的電流，適用于大功率整流。結(jié)面積較小時(shí)，結(jié)電容較小，工作頻率較高，適用于開(kāi)關(guān)電路。第53頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.10半導(dǎo)體產(chǎn)品材料鍺和硅鍺的熔點(diǎn)為973℃，限制了高溫工藝，表面缺少自然生成的氧化物，從而容易漏電。硅的熔點(diǎn)為1415℃，允許高溫工藝，且容易生成二氧化硅。第54頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月半導(dǎo)體化合物化合物半導(dǎo)體由元素周期表中的第Ⅱ族、第Ⅲ族、第Ⅳ族、第Ⅵ族形成。其中用的最多的是砷化鎵（GaAs）、磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）、砷鋁化鎵（GaAlAs）和磷鎵化銦（InGaP）等。當(dāng)電流激活時(shí)，由砷化鎵和磷砷化鎵做成的二極管會(huì)發(fā)出可見(jiàn)的激光。也用于電子面板中的發(fā)光二極管。第55頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月砷化鎵1、載流子的遷移率比硅高，寄生電容和信號(hào)損耗小，這種特性使得在通信系統(tǒng)中比Si器件更快的響應(yīng)高頻微波并有效地把它們轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏鳌?/p>

2、抗輻射能力強(qiáng)。

3、半絕緣特性使得臨近器件的歐姆最小化。

4、制造成本較Si大，而且沒(méi)有天然的氧化物，脆性，有劇毒第56頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月碳化硅（SiC）

在用新型半導(dǎo)體材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅(SiC)功率器件。它的性能指標(biāo)比砷化鎵器件還要高一個(gè)數(shù)量級(jí)，碳化硅與其他半導(dǎo)體材料相比，具有下列優(yōu)異的物理特點(diǎn):高的禁帶寬度，高的飽和電子漂移速度，高的擊穿強(qiáng)度，低的介電常數(shù)和高的熱導(dǎo)率。第57頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

這些優(yōu)異的物理特性,決定了碳化硅在高溫、高頻率、高功率的應(yīng)用場(chǎng)合是極為理想的半導(dǎo)體材料。在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的SiC場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器件的開(kāi)關(guān)時(shí)間可達(dá)10nS量級(jí)。

第58頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

SiC可以用來(lái)制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。SiC高頻功率器件已在Motorola公司研發(fā)成功，并應(yīng)用于微波和射頻裝置。GE公司正在開(kāi)發(fā)SiC功率器件和高溫器件(包括用于噴氣式引擎的傳感器)。西屋公司已經(jīng)制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻的MESFET。ABB公司正在研制高功率、高電壓的SiC整流器和其他SiC低頻功率器件，用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。第59頁(yè)，課件共65頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月理論分析表明，SiC功率器件非常接近于理想的功率器件?？梢灶A(yù)見(jiàn)，各種SiC器件的研究與開(kāi)發(fā)，必將成為功率器件研究領(lǐng)域的主要潮流之一。但是，SiC材料和功率器件的機(jī)理、理論、制造工藝均有大量問(wèn)題需要解決，它們要真