硅缺陷及半導體術語英中對應

位錯產生原因：晶體生長過程中，籽晶中的位錯、固-液界面附近落入不溶性固態(tài)顆粒，界面附近溫度梯度或溫度波動以及機械振動都會在晶體中產生位錯。在晶體生長后，快速降溫也容易增殖位錯。（111）呈三角形；（100）呈方形；（110）呈菱形。雜質條紋：晶體縱剖面經化學腐蝕后可見明、暗相間的層狀分布條紋，又稱為電阻率條紋。雜質條紋有分布規(guī)律，在垂直生長軸方向的橫斷面上，一般成環(huán)狀分布；在平行生長軸方向的縱剖面上，呈層狀分布。反映了固-液界面結晶前沿的形狀。產生原因：晶體生長時，由于重力產生的自然對流和攪拌產生的強制對流，引起固-液界近附近的溫度發(fā)生微小的周期性變化，導致晶體微觀生長速率的變化，或引起雜質邊界厚度起伏，一截小平面效應和熱場不對稱等，均使晶體結晶時雜質有效分凝系數產生波動，引起雜質中雜質濃度分布發(fā)生相應的變化，從而在晶體中形成雜質條紋。解決方案:：調整熱場，使之具有良好的軸對稱性，并使晶體的旋轉軸盡量與熱場中心軸同軸，抑制或減弱熔熱對流，可以使晶體中雜質趨于均勻分布。采用磁場拉晶工藝或無重力條件下拉晶可以消除雜質條紋。凹坑：晶體經過化學腐蝕后，由于晶體的局部區(qū)域具有較快的腐蝕速度，使晶體橫斷面上出現的坑。腐蝕溫度越高，腐蝕時間越長，則凹坑就越深，甚至貫穿?？斩矗簡尉袛嗝嫔蠠o規(guī)則、大小不等的小孔。產生原因：在氣氛下拉制單晶，由于氣體在熔體中溶解度大，當晶體生長時，氣體溶解度則減小呈過飽和狀態(tài)。如果晶體生長過快，則氣體無法及時從熔體中排出，則會在晶體中形成空洞。孿晶：使晶體斷面上呈現金屬光澤不同的兩部分，分界線通常為直線。造成原因：晶體生長過程中固-液界面處存在固態(tài)小顆粒、機械振動、拉晶速度過快、溫度的突變以及熔體中局部過冷都會造成核中心而產生攣晶。嵌晶：在錯單晶內部存在與基體取向不同的小晶體。化學拋光：液配比：HF（40%）：HNO3（65%-68%）=1:3（體積比）拋光的時間依不同為2-5min。拋光的溫度不宜過高，樣品不能暴露空氣中，防止氧化。多晶：晶體中出現多個取向不同的單晶體。在單晶的橫斷面上經研磨或化學腐蝕后呈現多個金屬光澤不同的區(qū)域。機械加工缺陷機械應力缺陷：在機械加工時，所切片子表面會引入機械應力缺陷，嚴重時，即使研磨后表面上已看不到損傷痕跡，但經化學腐蝕后又會呈現這種缺陷，也可能會引起位錯。切割刀痕：切割加工時的刀具痕跡。產生原因：刀具不平整，加工時有較大擺動，金剛石顆粒不均勻以及進刀速度過快。根部崩裂：片子邊緣沿著刀痕有呈現圓弧狀的斷裂。產生原因：刀片安裝不當，進刀速度過快，使晶片未被切割到底就崩裂。斜片：晶片兩個表面不平行，經過研磨后某一區(qū)域未能磨到，稱為斜片。產生原因：刀片安裝太松，進刀速度太快，切割阻力超過刀片本身的張力時，引起刀片側向移動，造成斜片。凹片與凸片：產生原因；刀片安裝過松，進刀速度過快，拋光時，晶片受溫度影響變形。劃痕：晶片在研磨或拋光過程中，出現明顯的劃傷痕跡。產生原因磨粉或拋光粉中混入較大硬質顆?；蚓槠瑱C械拋光瀝青盤局部太硬。裂紋：晶片或晶體內存在微小的縫隙。產生原因：熱應力或機械應力。崩邊：晶片邊緣呈現單面局部破損。產生原因：在劃片、腐蝕、清洗、分選及包裝等工藝過程中，由于邊緣受沖擊力造成邊緣崩邊。缺口與缺角：晶片邊緣呈現貫穿兩面的局部破損。。產生原因：在劃片、腐蝕、清洗、分選及包裝等工藝過程中，由于邊緣受沖擊力造成邊緣崩邊。形狀不規(guī)則：出現近似橢圓形、菱形、圓錐形的片或塊。產生原因：刀具應用不當。毛邊：晶片邊緣多處破裂，輪廓不清。產生原因：在切割、研磨是操作不當。表面沾污：指紋、水漬、有機物、灰塵以及腐蝕氧化。產生原因：晶片清洗不當，晶片烘干后，表面留下水漬；操作不當，手指接觸晶片表面；晶片長期存放在潮濕環(huán)境是表面氧化而發(fā)烏；有機物或灰塵落于晶片表面；晶片腐蝕過程中被氧化。粘片：表面受潮粘在一起。平整度：flatness晶片表面與基準平面之間的最高點和最低點的差值，是一種表面性質。加工為近似平面時，無牛頓光環(huán)或呈近似直線的干涉條紋；加工成球面時。呈環(huán)形光圈條紋，光圈越少，越近似平面。加工面既不是平面又不是球面時，干涉條紋不規(guī)則。產生原因：操作不當，設備異常，環(huán)境溫、濕度不適宜。彎曲度：晶片中心面凹凸形變的一種度量，它與晶片存在的任何厚度變化沒有關系，是晶片的一種體性質而不是表面特性。翹曲度：晶片中心面與基準平面之間最大和最小距離的差值，是晶片的一種體性質而不是表面特性。半導體材料術語半導體semiconductior元素半導體elementalsemiconductor化合物半導體compoundsemiconductor導電類型conductivitytypen-型半導體n-typesemiconductorp-型半導體p-typesemiconductor空穴hole受主accepter施主donor['dmunm]載流子caeeier載流子濃度carrierconcentration多數載流子majoritycarrier少數載流子minoritycarrier雜志濃度impurityconcentration深能級雜質deep-levelimpurity復合中心recombinationcenter補償compensation耗盡層depletionlayer紅外吸收光譜infraredabsorptionspectrum紅外吸收系數infraredabsorptioncoefficient電阻率(體)resistivity(bulk)電導率conductivity電阻率允許偏差allowableresistivitytolerance徑向電阻率變化radialresistivityvariation薄層電阻sheetresistance擴展電阻spreadingresistance二探針twopointprobe四探針fourpointprobe遷移率mobility霍爾效應halleffect霍爾系數hallcoefficient霍爾遷移率hallmobility壽命lifetime各向異性anisotropic結晶學表示法crystallographicnotation密勒指數millerindices勞埃法Lauemethod晶向crystallographicdirection晶面crystallographicplane取向偏離off-orientation正交晶向偏離orthogonalmisorientation主參考面primaryflat副參考secondaryflat解理面cleavageplane外延層epitaxiallayer擴散層diffusedlayer埋層buriedlayer薄層邊界layerboundary界面interfacep-n結p-njunction雙極型器件bipolardevices集成電路integratedcircuit晶體crystal晶錠ingot多晶半導體polycrystallinesemiconductor孿晶twinnedcrystal單晶singlecrysal無位錯單晶zeroDsinglecrystal襯底substrate化學氣相沉積chemicalvapordeposition(CVD)外延epitaxy氣相外延vaporphaseepitaxy(VPE)液相外延liquidphaseepitaxy(LPE)分子束外延molecularbeamepitaxy(MBE)同質外延homoepitaxy異質外延heteroepitaxy濺射法sputteringmethod摻雜doping重參雜heavydoping離子注入ionimplanation自摻雜autodoping補償摻雜compensationdoping中子嬗變摻雜neutrontransmutationdoping(NTD)摻雜劑dopant直拉法verticalpullingmethod(Czochralskigrowth)(cz)懸浮區(qū)熔法floatingzonemethod(FZ)水平法horizontalcrysalgrowthmethod磁場拉晶法magneticfieldCzochralskigrowth(MCZ)吸除gettering切割cutting研磨lapping腐蝕etching各向同性腐蝕isotropicetching各向異性腐蝕anisotropicetching擇優(yōu)腐蝕preferentialetching化學機械拋光Chem-Mechpolishing拋光面polishedsurface正面frontside背面backside晶片slice摻雜片dopingwafer直徑diameter厚度thickness晶片厚度thicknessofslices厚度允許偏差allowablethicknesstolerance總厚度變化totalthichnessvariation(TTV)中心面mediansurface彎曲度bow翹曲度warp平整度flatness固定優(yōu)質區(qū)fixedqualityarea(FQA)線性厚度變化linearthicknessvariation(LTV)非線性厚度變化nonlinearthicknessvariation(NTV)邊緣凸起edgecrown倒角edgerounding崩邊chip缺口indent刀痕sawmarks退刀痕sawexitmarks劃道scratch重劃道m(xù)acroscratch輕劃到microscratch溝槽groove波紋waves凹坑dimple探針損傷probedamage殘留機械損傷residualmechanicaldamage亮點brightpoint嵌入磨料顆粒imbeddedabrasivegrain裂紋crack裂痕fracture鴉爪crows'feet晶體缺陷crystaldefect塊狀結構blockstructure點缺陷pointdefect位錯dislocation位錯腐蝕坑dislocationdensity堆垛層錯stackingfault層錯fault氧化層錯oxidationinducedstackingfault(OSF)滑移slip滑移線slipline晶粒間界grainboundary小角晶界low-anglegrainboundary位錯排dislocationarray系屬結構lineage星形結構starstructure夾雜inclusion微缺陷microdefect沉淀物precipitates雜質富集impurityconcentrating管道piping六角網絡turretnetwork雜質條紋stria