硅缺陷及半導(dǎo)體術(shù)語英中對(duì)應(yīng)

位錯(cuò)產(chǎn)生原因：晶體生長過程中，籽晶中的位錯(cuò)、固-液界面附近落入不溶性固態(tài)顆粒，界面附近溫度梯度或溫度波動(dòng)以及機(jī)械振動(dòng)都會(huì)在晶體中產(chǎn)生位錯(cuò)。在晶體生長后，快速降溫也容易增殖位錯(cuò)。（111）呈三角形；（100）呈方形；（110）呈菱形。雜質(zhì)條紋：晶體縱剖面經(jīng)化學(xué)腐蝕后可見明、暗相間的層狀分布條紋，又稱為電阻率條紋。雜質(zhì)條紋有分布規(guī)律，在垂直生長軸方向的橫斷面上，一般成環(huán)狀分布；在平行生長軸方向的縱剖面上，呈層狀分布。反映了固-液界面結(jié)晶前沿的形狀。產(chǎn)生原因：晶體生長時(shí)，由于重力產(chǎn)生的自然對(duì)流和攪拌產(chǎn)生的強(qiáng)制對(duì)流，引起固-液界近附近的溫度發(fā)生微小的周期性變化，導(dǎo)致晶體微觀生長速率的變化，或引起雜質(zhì)邊界厚度起伏，一截小平面效應(yīng)和熱場(chǎng)不對(duì)稱等，均使晶體結(jié)晶時(shí)雜質(zhì)有效分凝系數(shù)產(chǎn)生波動(dòng)，引起雜質(zhì)中雜質(zhì)濃度分布發(fā)生相應(yīng)的變化，從而在晶體中形成雜質(zhì)條紋。解決方案:：調(diào)整熱場(chǎng)，使之具有良好的軸對(duì)稱性，并使晶體的旋轉(zhuǎn)軸盡量與熱場(chǎng)中心軸同軸，抑制或減弱熔熱對(duì)流，可以使晶體中雜質(zhì)趨于均勻分布。采用磁場(chǎng)拉晶工藝或無重力條件下拉晶可以消除雜質(zhì)條紋。凹坑：晶體經(jīng)過化學(xué)腐蝕后，由于晶體的局部區(qū)域具有較快的腐蝕速度，使晶體橫斷面上出現(xiàn)的坑。腐蝕溫度越高，腐蝕時(shí)間越長，則凹坑就越深，甚至貫穿?？斩矗?jiǎn)尉袛嗝嫔蠠o規(guī)則、大小不等的小孔。產(chǎn)生原因：在氣氛下拉制單晶，由于氣體在熔體中溶解度大，當(dāng)晶體生長時(shí)，氣體溶解度則減小呈過飽和狀態(tài)。如果晶體生長過快，則氣體無法及時(shí)從熔體中排出，則會(huì)在晶體中形成空洞。孿晶：使晶體斷面上呈現(xiàn)金屬光澤不同的兩部分，分界線通常為直線。造成原因：晶體生長過程中固-液界面處存在固態(tài)小顆粒、機(jī)械振動(dòng)、拉晶速度過快、溫度的突變以及熔體中局部過冷都會(huì)造成核中心而產(chǎn)生攣晶。嵌晶：在錯(cuò)單晶內(nèi)部存在與基體取向不同的小晶體。化學(xué)拋光：液配比：HF（40%）：HNO3（65%-68%）=1:3（體積比）拋光的時(shí)間依不同為2-5min。拋光的溫度不宜過高，樣品不能暴露空氣中，防止氧化。多晶：晶體中出現(xiàn)多個(gè)取向不同的單晶體。在單晶的橫斷面上經(jīng)研磨或化學(xué)腐蝕后呈現(xiàn)多個(gè)金屬光澤不同的區(qū)域。機(jī)械加工缺陷機(jī)械應(yīng)力缺陷：在機(jī)械加工時(shí)，所切片子表面會(huì)引入機(jī)械應(yīng)力缺陷，嚴(yán)重時(shí)，即使研磨后表面上已看不到損傷痕跡，但經(jīng)化學(xué)腐蝕后又會(huì)呈現(xiàn)這種缺陷，也可能會(huì)引起位錯(cuò)。切割刀痕：切割加工時(shí)的刀具痕跡。產(chǎn)生原因：刀具不平整，加工時(shí)有較大擺動(dòng)，金剛石顆粒不均勻以及進(jìn)刀速度過快。根部崩裂：片子邊緣沿著刀痕有呈現(xiàn)圓弧狀的斷裂。產(chǎn)生原因：刀片安裝不當(dāng)，進(jìn)刀速度過快，使晶片未被切割到底就崩裂。斜片：晶片兩個(gè)表面不平行，經(jīng)過研磨后某一區(qū)域未能磨到，稱為斜片。產(chǎn)生原因：刀片安裝太松，進(jìn)刀速度太快，切割阻力超過刀片本身的張力時(shí)，引起刀片側(cè)向移動(dòng)，造成斜片。凹片與凸片：產(chǎn)生原因；刀片安裝過松，進(jìn)刀速度過快，拋光時(shí)，晶片受溫度影響變形。劃痕：晶片在研磨或拋光過程中，出現(xiàn)明顯的劃傷痕跡。產(chǎn)生原因磨粉或拋光粉中混入較大硬質(zhì)顆?；蚓槠瑱C(jī)械拋光瀝青盤局部太硬。裂紋：晶片或晶體內(nèi)存在微小的縫隙。產(chǎn)生原因：熱應(yīng)力或機(jī)械應(yīng)力。崩邊：晶片邊緣呈現(xiàn)單面局部破損。產(chǎn)生原因：在劃片、腐蝕、清洗、分選及包裝等工藝過程中，由于邊緣受沖擊力造成邊緣崩邊。缺口與缺角：晶片邊緣呈現(xiàn)貫穿兩面的局部破損。。產(chǎn)生原因：在劃片、腐蝕、清洗、分選及包裝等工藝過程中，由于邊緣受沖擊力造成邊緣崩邊。形狀不規(guī)則：出現(xiàn)近似橢圓形、菱形、圓錐形的片或塊。產(chǎn)生原因：刀具應(yīng)用不當(dāng)。毛邊：晶片邊緣多處破裂，輪廓不清。產(chǎn)生原因：在切割、研磨是操作不當(dāng)。表面沾污：指紋、水漬、有機(jī)物、灰塵以及腐蝕氧化。產(chǎn)生原因：晶片清洗不當(dāng)，晶片烘干后，表面留下水漬；操作不當(dāng)，手指接觸晶片表面；晶片長期存放在潮濕環(huán)境是表面氧化而發(fā)烏；有機(jī)物或灰塵落于晶片表面；晶片腐蝕過程中被氧化。粘片：表面受潮粘在一起。平整度：flatness晶片表面與基準(zhǔn)平面之間的最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的差值，是一種表面性質(zhì)。加工為近似平面時(shí)，無牛頓光環(huán)或呈近似直線的干涉條紋；加工成球面時(shí)。呈環(huán)形光圈條紋，光圈越少，越近似平面。加工面既不是平面又不是球面時(shí)，干涉條紋不規(guī)則。產(chǎn)生原因：操作不當(dāng)，設(shè)備異常，環(huán)境溫、濕度不適宜。彎曲度：晶片中心面凹凸形變的一種度量，它與晶片存在的任何厚度變化沒有關(guān)系，是晶片的一種體性質(zhì)而不是表面特性。翹曲度：晶片中心面與基準(zhǔn)平面之間最大和最小距離的差值，是晶片的一種體性質(zhì)而不是表面特性。半導(dǎo)體材料術(shù)語半導(dǎo)體semiconductior元素半導(dǎo)體elementalsemiconductor化合物半導(dǎo)體compoundsemiconductor導(dǎo)電類型conductivitytypen-型半導(dǎo)體n-typesemiconductorp-型半導(dǎo)體p-typesemiconductor空穴hole受主accepter施主donor['dmunm]載流子caeeier載流子濃度carrierconcentration多數(shù)載流子majoritycarrier少數(shù)載流子minoritycarrier雜志濃度impurityconcentration深能級(jí)雜質(zhì)deep-levelimpurity復(fù)合中心recombinationcenter補(bǔ)償compensation耗盡層depletionlayer紅外吸收光譜infraredabsorptionspectrum紅外吸收系數(shù)infraredabsorptioncoefficient電阻率(體)resistivity(bulk)電導(dǎo)率conductivity電阻率允許偏差allowableresistivitytolerance徑向電阻率變化radialresistivityvariation薄層電阻sheetresistance擴(kuò)展電阻spreadingresistance二探針twopointprobe四探針fourpointprobe遷移率mobility霍爾效應(yīng)halleffect霍爾系數(shù)hallcoefficient霍爾遷移率hallmobility壽命lifetime各向異性anisotropic結(jié)晶學(xué)表示法crystallographicnotation密勒指數(shù)millerindices勞埃法Lauemethod晶向crystallographicdirection晶面crystallographicplane取向偏離off-orientation正交晶向偏離orthogonalmisorientation主參考面primaryflat副參考secondaryflat解理面cleavageplane外延層epitaxiallayer擴(kuò)散層diffusedlayer埋層buriedlayer薄層邊界layerboundary界面interfacep-n結(jié)p-njunction雙極型器件bipolardevices集成電路integratedcircuit晶體crystal晶錠ingot多晶半導(dǎo)體polycrystallinesemiconductor孿晶twinnedcrystal單晶singlecrysal無位錯(cuò)單晶zeroDsinglecrystal襯底substrate化學(xué)氣相沉積chemicalvapordeposition(CVD)外延epitaxy氣相外延vaporphaseepitaxy(VPE)液相外延liquidphaseepitaxy(LPE)分子束外延molecularbeamepitaxy(MBE)同質(zhì)外延homoepitaxy異質(zhì)外延heteroepitaxy濺射法sputteringmethod摻雜doping重參雜heavydoping離子注入ionimplanation自摻雜autodoping補(bǔ)償摻雜compensationdoping中子嬗變摻雜neutrontransmutationdoping(NTD)摻雜劑dopant直拉法verticalpullingmethod(Czochralskigrowth)(cz)懸浮區(qū)熔法floatingzonemethod(FZ)水平法horizontalcrysalgrowthmethod磁場(chǎng)拉晶法magneticfieldCzochralskigrowth(MCZ)吸除gettering切割cutting研磨lapping腐蝕etching各向同性腐蝕isotropicetching各向異性腐蝕anisotropicetching擇優(yōu)腐蝕preferentialetching化學(xué)機(jī)械拋光Chem-Mechpolishing拋光面polishedsurface正面frontside背面backside晶片slice摻雜片dopingwafer直徑diameter厚度thickness晶片厚度thicknessofslices厚度允許偏差allowablethicknesstolerance總厚度變化totalthichnessvariation(TTV)中心面mediansurface彎曲度bow翹曲度warp平整度flatness固定優(yōu)質(zhì)區(qū)fixedqualityarea(FQA)線性厚度變化linearthicknessvariation(LTV)非線性厚度變化nonlinearthicknessvariation(NTV)邊緣凸起edgecrown倒角edgerounding崩邊chip缺口indent刀痕sawmarks退刀痕sawexitmarks劃道scratch重劃道m(xù)acroscratch輕劃到microscratch溝槽groove波紋waves凹坑dimple探針損傷probedamage殘留機(jī)械損傷residualmechanicaldamage亮點(diǎn)brightpoint嵌入磨料顆粒imbeddedabrasivegrain裂紋crack裂痕fracture鴉爪crows'feet晶體缺陷crystaldefect塊狀結(jié)構(gòu)blockstructure點(diǎn)缺陷pointdefect位錯(cuò)dislocation位錯(cuò)腐蝕坑dislocationdensity堆垛層錯(cuò)stackingfault層錯(cuò)fault氧化層錯(cuò)oxidationinducedstackingfault(OSF)滑移slip滑移線slipline晶粒間界grainboundary小角晶界low-anglegrainboundary位錯(cuò)排dislocationarray系屬結(jié)構(gòu)lineage星形結(jié)構(gòu)starstructure夾雜inclusion微缺陷microdefect沉淀物precipitates雜質(zhì)富集impurityconcentrating管道piping六角網(wǎng)絡(luò)turretnetwork雜質(zhì)條紋stria