第三章雙極晶體管資料課件

1微電子器件與IC設(shè)計(jì)

第3章雙極晶體管BipolarJunctionTransistor----BJT1微電子器件與IC設(shè)計(jì)12第3章雙極型晶體管3.1結(jié)構(gòu)3.2放大原理3.3電流增益3.4特性參數(shù)3.5直流伏安特性3.6開關(guān)特性3.7小結(jié)2第3章雙極型晶體管3.1結(jié)構(gòu)233.1晶體管的基本結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布3.1.1晶體管的基本結(jié)構(gòu) 由兩個(gè)靠得很近的背靠背的PN結(jié)構(gòu)成NPNcbecbePNP33.1晶體管的基本結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布3.1.1晶體管的基343.1晶體管的基本結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布3.1.2BJT的雜質(zhì)分布1.鍺合金管-均勻基區(qū)晶體管特點(diǎn)：三個(gè)區(qū)雜質(zhì)均勻分布2結(jié)為突變結(jié)

2.硅平面管-緩變基區(qū)晶體管特點(diǎn)：E、B區(qū)雜質(zhì)非均勻分布2結(jié)為緩變結(jié)43.1晶體管的基本結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布3.1.2BJT455566673.1晶體管的基本結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布“背靠背”的2個(gè)二極管有放大作用嗎？npn晶體放大的機(jī)理是：發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子絕大部分被集電區(qū)收集成為集電極電流（發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)）1.若基區(qū)寬度較大，Wb>Lnb，則注入到基區(qū)的電子（少子）在到達(dá)集電區(qū)前就已經(jīng)復(fù)合掉了，使大的正向電流只在左邊pn結(jié)中存在，右邊pn結(jié)反偏，電流很小，兩pn結(jié)互不相干，沒有放大作用。發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射極集電極基極73.1晶體管的基本結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布“背靠背”的2個(gè)二極72.發(fā)射結(jié)正偏時(shí)，發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子的同時(shí)，基區(qū)也向發(fā)射區(qū)注入空穴--由基極電流提供，但此電流不能形成集電極電流，對放大作用沒有貢獻(xiàn)。故需要讓發(fā)射區(qū)注入的電子比基區(qū)注入的空穴多得多，即要求摻雜濃度的控制。3.1.3、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)（1）基區(qū)寬度遠(yuǎn)小于基區(qū)少子擴(kuò)散長度

(WB

<<L)（2）發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度

(NE>>NB)82.發(fā)射結(jié)正偏時(shí)，發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子的同時(shí)，基區(qū)也向發(fā)射89NPN晶體管的幾種組態(tài)共基極共射極共集電極共基極共發(fā)射極共收集極NNP晶體管的共集電極接法cbe3.2晶體管的放大原理9NPN晶體管的幾種組態(tài)共基極共基極NNP晶體管的共集電極9103.2.1、晶體管中載流子的傳輸

以共基極為例：1、發(fā)射結(jié)的注入2、基區(qū)的輸運(yùn)與復(fù)合3、集電極的收集WBIneIncIrIpeICBOIEICIB103.2.1、晶體管中載流子的傳輸

以共基極為例：WBIn1011各區(qū)少子分布能帶圖11各區(qū)少子分布能帶圖1112NPN晶體管的電流轉(zhuǎn)換Ine:發(fā)射結(jié)正向注入電子電流Ipe:發(fā)射結(jié)反向注入空穴電流Irb:基區(qū)復(fù)合電流Inc:集電結(jié)電子電流Icbo:集電結(jié)反向飽和電流12NPN晶體管的電流轉(zhuǎn)換Ine:發(fā)射結(jié)正向注入電子電流12133.2.2、發(fā)射效率及基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)

1、發(fā)射效率γ0從發(fā)射結(jié)注入的電流有電子電流和空穴電流，即Ine和Ipe，但只有正向注入的Ine中的大部分能達(dá)到集電區(qū)，構(gòu)成IC的主要部分，它顯然對放大有貢獻(xiàn)。因此從電流的傳輸和放大來看，Ine越大越好，Ipe越小越好。為了表示有效注入電流在總的發(fā)射電流中所占的比例133.2.2、發(fā)射效率及基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)

1、發(fā)射效率γ0從基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)β*3、集電區(qū)倍增因子為了說明傳輸過程中效率的高低152、基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)β*為了說明傳輸過程中效率的高低15161.共基極直流電流放大系數(shù)

2.共射極直流電流放大系數(shù)3.2.3、晶體管電流放大系數(shù)163.2.3、晶體管電流放大系數(shù)16晶體管共基極電流沒有電流放大作用，但可有電壓及功率放大作用。共射極電路既可作為電流放大，也可作為電壓放大及功率放大。17晶體管共基極電流沒有電流放大作用，但可有電壓及功率放大作用。1718

晶體管放大三要素：①Wb<<Lnb，實(shí)現(xiàn)不衰減的電流傳輸。②發(fā)射結(jié)為單邊結(jié)，NE>>NB

。③發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。18①Wb<<Lnb，實(shí)現(xiàn)不衰減的電流傳輸。②發(fā)射結(jié)為單18193.3

晶體管的直流電流增益任務(wù)：導(dǎo)出α0、β0的定量關(guān)系式193.3晶體管的直流電流增益任務(wù)：導(dǎo)出α0、β0的定19203.3.1均勻基區(qū)晶體管的電流增益均勻基區(qū)晶體管直流電流增益推導(dǎo)思路

A、對發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)分別建立擴(kuò)散方程

B、利用波爾茲曼分布關(guān)系建立邊界條件

C、解擴(kuò)散方程得到各區(qū)少子分布函數(shù)

D、利用少子分布函數(shù)求出各區(qū)電流密度分布函數(shù)

E、由電流密度分布函數(shù)得到j(luò)ne,jnc,jpe。

F、求出發(fā)射效率和輸運(yùn)系數(shù)

G、得到共基極和共射極電流放大系數(shù)203.3.1均勻基區(qū)晶體管的電流增益2021以共基極連接為例，采用一維理想模型發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置WBIneIncIrIpeICBOIEICIB21以共基極連接為例，采用一維理想模型WBIneIncIrI2122坐標(biāo)：發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射極集電極基極We0WbWcxexc22坐標(biāo)：發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射極集電極基極We02223一、少數(shù)載流子分布（1）基區(qū)“少子”電子密度分布WB0nB(x)23一、少數(shù)載流子分布WB0nB(x)23243.3

晶體管的直流電流增益一、少數(shù)載流子分布（2）發(fā)射區(qū)少數(shù)載流子分布x0pE(x)243.3晶體管的直流電流增益一、少數(shù)載流子分布x0p24253.3

晶體管的直流電流增益一、少數(shù)載流子分布（3）、集電區(qū)少數(shù)載流子分布x0pC(x)253.3晶體管的直流電流增益一、少數(shù)載流子分布x0p25263.3

晶體管的直流電流增益二、電流密度分布函數(shù)263.3晶體管的直流電流增益二、電流密度分布函數(shù)26273.3

晶體管的直流電流增益

273.3晶體管的直流電流增益

27283.3

晶體管的直流電流增益WeWbWcxexc283.3晶體管的直流電流增益WeWbWcxexc28293.3

晶體管的直流電流增益三、直流電流增益1.發(fā)射效率γ02.基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)β*

293.3晶體管的直流電流增益三、直流電流增益2.基區(qū)29303.3

晶體管的直流電流增益3、共基極電流增益或者303.3晶體管的直流電流增益3、共基極電流增益或者3031

4、共射極電流增益314、共射極電流增益31323.3

晶體管的直流電流增益3.3.2緩變基區(qū)晶體管的電流增益一、緩變基區(qū)晶體管基區(qū)自建電場對載流子的影響基區(qū)自建電場多子：維持分布少子：阻滯、加速323.3晶體管的直流電流增益3.3.2緩變基區(qū)晶體32333.3

晶體管的直流電流增益（1）基區(qū)自建電場計(jì)算公式（2）基區(qū)雜質(zhì)分布指數(shù)近似333.3晶體管的直流電流增益（1）基區(qū)自建電場計(jì)算公3334二、發(fā)射區(qū)自建電場34二、發(fā)射區(qū)自建電場34353.3

晶體管的直流電流增益

三、緩變基區(qū)晶體管電流增益推導(dǎo)思路

A、先忽略基區(qū)中少子復(fù)合。

B、利用：“電流＝少子擴(kuò)散電流＋在自建電場作用下的漂移電流”關(guān)系，得到基區(qū)和發(fā)射區(qū)少子密度分布函數(shù)

η=0123xnB(x)基區(qū)少子分布：(3.3.46)當(dāng)基區(qū)雜質(zhì)指數(shù)分布時(shí)(3.3.47)353.3晶體管的直流電流增益三、緩變基區(qū)晶體3536緩變基區(qū)晶體管基區(qū)非平衡少子為非線性分布，且與η有關(guān)。η越大，基區(qū)雜質(zhì)分布越陡峭，自建電場越大，對載流子的漂移作用越強(qiáng)，故少子分布越平坦，少子濃度梯度越??；說明漂移電流所占比例越大，擴(kuò)散電流則越小，只在靠近集電結(jié)處擴(kuò)散電流所占比例才大。36緩變基區(qū)晶體管基區(qū)非平衡少子為非線性分布，且與η有關(guān)。3637根據(jù)(3.3.46)，利用類似可得到37根據(jù)(3.3.46)，利用類似可得到37383.3

晶體管的直流電流增益C、利用

把(3.3.47)代入得到基區(qū)復(fù)合電流383.3晶體管的直流電流增益C、利用3839D、引入平均雜質(zhì)濃度的概念求出jne

和

jpe

，得到發(fā)射效率E、得到共基極和共射極電流放大系數(shù)39D、引入平均雜質(zhì)濃度的概念求出jne和jpe39403.3

晶體管的直流電流增益四、電流增益（1）發(fā)射效率403.3晶體管的直流電流增益四、電流增益40413.3

晶體管的直流電流增益（2）輸運(yùn)系數(shù)均勻基區(qū)晶體管：λ=2基區(qū)雜質(zhì)線性分布：λ=4基區(qū)雜質(zhì)指數(shù)近似：413.3晶體管的直流電流增益均勻基區(qū)晶體管：41423.3

晶體管的直流電流增益（3）共基極電流增益（4）共射極電流增益發(fā)射效率與均勻基區(qū)形式相同423.3晶體管的直流電流增益（3）共基極電流增益（442433.3

晶體管的直流電流增益3.3.3

提高放大系數(shù)的途徑

1、減小基區(qū)寬度（基區(qū)少子濃度梯度大，且復(fù)合損失?。?/p>

2、提高發(fā)射區(qū)的雜質(zhì)濃度與基區(qū)雜質(zhì)濃度比NE/NB↑（NE有上限，NB也不能太低）

3、提高基區(qū)電場因子

4、提高基區(qū)“少子”壽命433.3晶體管的直流電流增益3.3.3提高放大系數(shù)43443.3.4影響電流放大系數(shù)的因素1.發(fā)射結(jié)勢壘復(fù)合對電流放大系數(shù)的影響443.3.4影響電流放大系數(shù)的因素1.發(fā)射結(jié)勢壘復(fù)合對44452.發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)對電流放大系數(shù)的影響發(fā)射區(qū)過重的摻雜不僅不能提高發(fā)射效率，反而使發(fā)射效率降低1）形成雜質(zhì)帶尾，禁帶變窄發(fā)射區(qū)有效雜質(zhì)濃度降低為:發(fā)射區(qū)有效雜質(zhì)濃度降低，導(dǎo)致發(fā)射效率下降。452.發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)對電流放大系數(shù)的影響發(fā)射區(qū)過重的45462）俄歇復(fù)合發(fā)射區(qū)少子空穴壽命隨著俄歇復(fù)合壽命↓而↓。

俄歇復(fù)合通過復(fù)合中心復(fù)合少子空穴壽命縮短使注入到發(fā)射區(qū)的空穴增加，發(fā)射效率↓。

462）俄歇復(fù)合發(fā)射區(qū)少子空穴壽命隨著俄歇復(fù)合壽命4647EcEv多激子產(chǎn)生效應(yīng)俄歇復(fù)合及禁帶變窄效應(yīng)的影響與發(fā)射結(jié)結(jié)深有關(guān)。47EcEv多激子產(chǎn)生效應(yīng)俄歇復(fù)合及禁帶變窄效應(yīng)的影響與發(fā)射4748表面復(fù)合對基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的影響可表示為對均勻基區(qū)對緩變基區(qū)S為表面復(fù)合速率體復(fù)合表面復(fù)合3.基區(qū)表面復(fù)合48表面復(fù)合對基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的影響可表示為對均勻基區(qū)對緩變基區(qū)4849

共射極輸出特性曲線上VBC

＝0點(diǎn)的切線與VCE

軸負(fù)方向交于一點(diǎn)，該點(diǎn)電壓稱為Early電壓，ICVCE－VEAIB增大基區(qū)有效寬度隨集電結(jié)偏壓而變化的現(xiàn)象稱為基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（厄爾利效應(yīng)）4.基區(qū)寬變效應(yīng)有寬變效應(yīng)的電流放大系數(shù)：隨外加電壓變化，電流放大系數(shù)會(huì)隨之變化，降低放大性能的線性度，致使信號失真。49ICVCE－VEAIB增大基區(qū)有效寬度隨集電結(jié)偏壓而變化49503.4晶體管的特性參數(shù)3.4.1晶體管的放大系數(shù)共基極直流放大系數(shù)和交流放大系數(shù)

0

、兩者的關(guān)系共發(fā)射極直流放大系數(shù)交流放大系數(shù)

0、503.4晶體管的特性參數(shù)3.4.1晶體管的放大系數(shù)共基50513.4.2

晶體管的反向電流一、定義

晶體管某二個(gè)電極間加反向電壓，另一電極開路時(shí)流過管中的電流稱其反向電流。1、IEBO：集電極極開路，發(fā)射極與基極間反偏，流過發(fā)射結(jié)的電流。2、ICBO：發(fā)射極開路，集電極和基極間反偏，流過集電結(jié)的電流。3、ICEO：基極開路，發(fā)射極和集電極間反偏，流過發(fā)射極和集電極的電流。IVIeboIVIcboIVIceo513.4.2晶體管的反向電流一、定義IVIeboIV5152二、反向電流的來源 實(shí)際的晶體管反向電流應(yīng)包括反向擴(kuò)散電流，勢壘產(chǎn)生電流和表面漏電流。對Ge管：主要是反向擴(kuò)散電流對Si管：主要是勢壘產(chǎn)生電流，表面電流視工藝而定共射極接法，信號放大的同時(shí)，相應(yīng)的漏電流也增大了倍52二、反向電流的來源共射極接法，信號放大的同時(shí)，52533.4.3晶體管的擊穿電壓1、BVebo2、BVcbo3、Bvceo定義：某一極開路，另二極所能承受的最大反向電壓4、基區(qū)穿通電壓VPT

：集電極開路時(shí)e-b間反向擊穿電壓：發(fā)射極開路時(shí)c-b間反向擊穿電壓：基極開路時(shí)e-c間所能承受的最高反向電壓533.4.3晶體管的擊穿電壓1、BVebo定義：某一極53543.4.4基極電阻基極電流為橫向電流，基區(qū)摻雜濃度低，且很薄，這個(gè)電阻不可忽略?；鶚O電阻rb：擴(kuò)展電阻，包括基區(qū)體電阻和基極電極引出線處接觸電阻。543.4.4基極電阻基極電流為橫向電流，基區(qū)摻雜54降低rb的措施是：1.減小發(fā)射區(qū)條寬、基極電極條寬，以及減小它們之間的距離與增加條長，但這會(huì)受到工藝條件的限制。2.增加發(fā)射極條數(shù)n，但會(huì)受到面積的限制。3.降低基區(qū)方塊電阻，即提高基區(qū)擴(kuò)散層的雜質(zhì)濃度；但會(huì)降低發(fā)射效率，影響

0、0，也會(huì)降低擊穿電壓。55降低rb的措施是：5555563.4.5晶體管的頻率特性參數(shù)

截止頻率f

：共基極電流放大系數(shù)減小到低頻值的所對應(yīng)的頻率值

截止頻率f

：特征頻率fT：共發(fā)射極電流放大系數(shù)為1時(shí)對應(yīng)的工作頻率最高振蕩頻率fM：功率增益為1時(shí)對應(yīng)的頻率6分貝倍頻程段（β增減一倍，放大系數(shù)變化6dB）6分貝倍頻程段＝常數(shù)，這個(gè)常數(shù)就是（增益帶寬積）563.4.5晶體管的頻率特性參數(shù)截止頻率f：共基極56573.5雙極晶體管直流伏安特性3.5.1均勻基區(qū)晶體管直流伏安特性573.5雙極晶體管直流伏安特性5758585859于是得到發(fā)射極電流59于是得到發(fā)射極電流5960集電極電流60集電極電流6061616162以上各式說明雙極晶體管的端電流與其電壓具有指數(shù)關(guān)系，與PN結(jié)的直流伏安特性相似；但是，晶體管是由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)構(gòu)成，其端電流應(yīng)與二結(jié)的結(jié)電流有關(guān)，上式也反映了晶體管的直流特性和單個(gè)PN結(jié)的直流伏安特性有不同，兩個(gè)結(jié)之間存在相互影響。62以上各式說明雙極晶體管的端電流與其電壓具有指數(shù)關(guān)系，與P6263輸入特性曲線63輸入特性曲線6364輸出特性曲線共基極共射極64輸出特性曲線共基極共射極64兩種組態(tài)輸出特性曲線的共同之處是：當(dāng)輸入電流一定時(shí)，兩種組態(tài)的輸出電流基本上保持不變，即輸出電壓的變化很微弱，只有輸入電流改變時(shí)，輸出電流才隨之變化。因此晶體管的輸出電流受輸入電流控制，是一種電流控制器件。但是兩組輸出特性也有一些不同之處：(1)共射極輸出特性中，輸入電流IB較小的變化量，就會(huì)引起輸出電流IC較大的變化(2)共射極輸出特性曲線隨輸出電壓的增大逐漸上升，而共基極特性曲線基本上保持水平。這是因?yàn)榛鶇^(qū)寬變效應(yīng)對共射極電流增益的影響比對共基極的大得多。65兩種組態(tài)輸出特性曲線的共同之處是：656566(3)隨著輸出電壓的減小，共射極特性曲線在VCE下降為零之前，輸出電流IC已經(jīng)開始下降，而共基極特性曲線在VCB=0時(shí)還保持水平，直到VCB為負(fù)值時(shí)才開始下降。放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏，集電極電流IC基本上不受基極電流影響，僅由VCE決定截至區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏66(3)隨著輸出電壓的減小，共射極特性曲線在VCE下降為零66673.5.2Ebers-Moll模型

Ebers-Moll模型是一種適用于計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)的表述簡單的模型，它于1954年由此二人提出，適用于圖2-62所示的所有工作區(qū)。

*薄基區(qū)導(dǎo)致兩個(gè)結(jié)的相互作用，流過每個(gè)結(jié)的電流都應(yīng)由兩個(gè)結(jié)上的電壓所決定。673.5.2Ebers-Moll模型67681.E-M

方程將雙極晶體管的電流看成一個(gè)正向晶體管和一個(gè)倒向晶體管疊加后各自所具有的電流并聯(lián)而成正向晶體管倒向晶體管681.E-M方程將雙極晶體管的電流看成一個(gè)正向晶體管和68691.E-M

方程IES是C結(jié)短路，E結(jié)的反向飽和電流對正向晶體管：對比式（3.5.1）E結(jié)正偏，C結(jié)零偏正向電流增益691.E-M方程IES是C結(jié)短路，E結(jié)的反向飽和電流對6970同理，對倒向晶體管ICS是E結(jié)短路，C結(jié)的反向飽和電流對比式（3.5.2）C結(jié)正偏，E結(jié)零偏反向電流增益70同理，對倒向晶體管ICS是E結(jié)短路，C結(jié)的反向飽和電7071由圖71由圖7172代入式（3.5.6）、（3.5.10）得E-M方程等效電路見圖72代入式（3.5.6）、（3.5.10）得E-M方程等效電7273對照式（3.5.1）、（3.5.2）得E-M方程互易定理實(shí)際器件中

互易定理的本質(zhì)是：eb結(jié)與cb結(jié)有共同部分（基區(qū)），無論哪個(gè)結(jié)短路，另一個(gè)結(jié)的反向飽和電流都含有共同的基區(qū)少子擴(kuò)散電流73對照式（3.5.1）、（3.5.2）得E-M方程互易定73742.EM1模型式（3.5.15）、（3.5.16）是以晶體管某一極短路時(shí)的反向飽和電流來表示端電流的EM方程；同樣也可以某一極開路時(shí)的反向飽和電流來表示EM方程742.EM1模型式（3.5.15）、（3.5.16）7475上式又可寫為于是得到對有:-175上式又可寫為于是得到對有:-17576對有即集電結(jié)（發(fā)射結(jié)）短路時(shí)的發(fā)射結(jié)（集電結(jié)）飽和電流等于集電結(jié)（發(fā)射結(jié)）開路時(shí)的發(fā)射結(jié)（集電結(jié)）飽和電流除以(1－αRαF)

，一般αRαF均小于1，∴IEB0,ICB0都小于IES,ICS76對有即集電結(jié)（發(fā)射結(jié)）短路時(shí)的發(fā)射結(jié)（7677上述二式均可等效為一個(gè)電流源與一個(gè)二極管并聯(lián)，如下圖所示代入式（3.5.15）、（3.5.16）得77上述二式均可等效為一個(gè)電流源與一個(gè)二極管并聯(lián)，如下圖所示7778一、晶體管的工作狀態(tài)

晶體管的工作狀態(tài)完全由直流偏置情況決定，如圖可分為三個(gè)區(qū)。當(dāng)晶體管處于倒向運(yùn)用狀態(tài)時(shí)，也同樣存在以上三個(gè)區(qū)，但截止區(qū)和飽和區(qū)是一樣的。只注意反向放大區(qū)即可。3.6晶體管的開關(guān)特性78一、晶體管的工作狀態(tài)3.6晶體管的開7879各工作區(qū)中結(jié)的偏置情況和電流關(guān)系工作區(qū)正向放大區(qū)反向放大區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)發(fā)射結(jié)偏置VBE>0（正偏）VBE<=0(反偏）VBE>0（正偏）VBE<0(反偏)集電結(jié)偏置VBC<=0(反偏）VBC>0(正偏）VBC>=0（正偏）VBC<0（反偏）電流關(guān)系IC＝βIbIC＝βRIbIC<=βIb

IC=ICE≈0截止區(qū)：

IB＝IEBO＋I(xiàn)CBO飽和區(qū)：

Vi>VBB+VBE時(shí)

IB>IBS

時(shí)Vcc,VBB為集電極和發(fā)射極的反向偏置電壓。RL：負(fù)載電阻當(dāng)VI為負(fù)脈沖或零時(shí)當(dāng)VI為>>VBB的正脈沖信號時(shí)79各工作區(qū)中結(jié)的偏置情況和電流關(guān)系工作區(qū)正向放大區(qū)反向放大7980808081小結(jié)：飽和態(tài)晶體管的特點(diǎn)：(1)飽