材料科學(xué)基礎(chǔ)-第五章

第五(2)章回復(fù)和再結(jié)晶

RecoveryandRecrystallization塑性變形→系統(tǒng)的能量↑回復(fù)再結(jié)晶

回復(fù)Recovery再結(jié)晶Recrystallization晶粒長(zhǎng)大Graingrowthafterrecrystallization

自發(fā)趨勢(shì)

※

1.變形材料加熱時(shí)的變化一、顯微組織的變化熱（～90％）儲(chǔ)存能（～10％）變形材料發(fā)生回復(fù)再結(jié)晶的驅(qū)動(dòng)力冷變形材料在加熱時(shí)先后經(jīng)歷回復(fù)在較低溫度下變形材料的顯微組織基本上未發(fā)生變化，但產(chǎn)生多邊化;再結(jié)晶新的無(wú)畸變等軸小晶粒代替變形組織;晶粒長(zhǎng)大細(xì)小新晶粒通過(guò)互相吞并長(zhǎng)大而形成穩(wěn)定的尺寸.塑性變形外力所做的功二、性能變化

ssHVργ※

2.回復(fù)Recovery一、回復(fù)階段性能與組織的變化:在回復(fù)階段，觀察以下幾種現(xiàn)象:

1.宏觀內(nèi)應(yīng)力大部分去除，而微觀應(yīng)力仍存在

2.電阻率ρ↓Cu、Al、Ag線材預(yù)先在90K下變形，發(fā)現(xiàn)在293K

下導(dǎo)電性能就可以逐漸恢復(fù)，相對(duì)原始變形態(tài)

ρ↓30％3.HV、ss變化隨材料不同而異：Zn、Cd在室溫下就可以絕大部分去除冷變形所產(chǎn)生的加工硬化；

Cu、α黃銅則加熱至350℃，其HV仍無(wú)明顯變化

Fe在358℃以上就可看到部分加工硬化的去除4.在光鏡下顯微組織基本上未發(fā)生變化。但在高溫回復(fù)時(shí)，在熱激活能條件下，通過(guò)位錯(cuò)與攀移，會(huì)發(fā)生多邊化亞結(jié)構(gòu)。

二、回復(fù)動(dòng)力學(xué)RecoveryKinetics變形材料加熱時(shí)，其力學(xué)和物理性能回復(fù)程度隨溫度T和時(shí)間t變化R為回復(fù)部分

s為回復(fù)退火后的流變應(yīng)力

s0為加工硬化完全消除的流變應(yīng)力

sm為退火前即冷態(tài)的流變應(yīng)力馳豫過(guò)程無(wú)孕育期回復(fù)的初始階段去除硬化的程度較快，隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，回復(fù)的程度就減弱了，而且，隨變形量越大，起始回復(fù)速率也越快。進(jìn)一步分析，在某一恒定溫度下，回復(fù)時(shí)間可表達(dá)為：

Q為回復(fù)過(guò)程的激活能，R為氣體常數(shù)T為絕對(duì)溫度A、B為常數(shù)作lnt-1/T關(guān)系曲線直線，由直線斜率可求得Q三、回復(fù)機(jī)制在回復(fù)過(guò)程中，發(fā)生如下變化1.低溫回復(fù)遷移至表面或晶界點(diǎn)缺陷變化―與間隙原子復(fù)合與位錯(cuò)交互作用聚集成空位片崩塌表現(xiàn)ρ↓

2.中溫回復(fù)位錯(cuò)滑移――位錯(cuò)重新組合以及異號(hào)位錯(cuò)互相抵消(過(guò)飽和空位的消失)3.高溫回復(fù)多邊化Polygonization

多邊化產(chǎn)生的條件

1）塑性變形使晶體點(diǎn)陣發(fā)生彎曲

2）在滑移面上有過(guò)剩的同號(hào)刃型位錯(cuò)

3）熱激活下刃位錯(cuò)產(chǎn)生攀移運(yùn)動(dòng)

刃型位錯(cuò)可獲得足夠能量產(chǎn)生攀移⊥位錯(cuò)排列成墻多邊化結(jié)構(gòu)產(chǎn)生單滑移的單晶體中多邊化過(guò)程最為典型多晶體中，由于多系滑移→位錯(cuò)纏結(jié)→形成胞狀組織，多邊化不明顯※3.再結(jié)晶Recrystallizationt℃↑，在變形組織的基體上就會(huì)產(chǎn)生新的無(wú)畸變?cè)俳Y(jié)晶晶核，并逐漸長(zhǎng)大形成等軸晶粒，從而取代變形組織，該過(guò)程就成為再結(jié)晶過(guò)程。再結(jié)晶——無(wú)晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分的變化，不屬于相變。一、再結(jié)晶的形核再結(jié)晶的轉(zhuǎn)變驅(qū)動(dòng)力：——晶體的彈性畸變能可預(yù)料晶核必然產(chǎn)生于高畸變能區(qū)域：大角度晶界、相界面、孿晶或滑移帶界面上1.晶界弓出形核

變形量較?。?lt;20％）多晶體，其再結(jié)晶核心往往以晶界弓出方式形成或稱應(yīng)變導(dǎo)致的晶界遷移，凸出形核方式形成。再結(jié)晶的形核機(jī)制變形度較小時(shí)，多晶粒間變形不均勻性而導(dǎo)致多晶粒內(nèi)位錯(cuò)密度不同。為了降低系統(tǒng)的自由能，再結(jié)晶時(shí)，通過(guò)晶界遷移原來(lái)平直的晶界會(huì)向位錯(cuò)密度大的晶粒內(nèi)凸出，在其前沿掃過(guò)的區(qū)域內(nèi)通過(guò)吞食畸變亞晶的方式形成無(wú)畸變的再結(jié)晶晶核。晶核的臨界尺寸可作如下估算形核時(shí)單位體積引起總的自由能變化單位體積儲(chǔ)存的應(yīng)變能界面表面能dA

弓出的表面積dV

弓出的晶界由位置Ⅰ—Ⅱ時(shí)掃過(guò)的體積若界面為一球面其半徑為r，則dA/dV＝2/r，則上式可改寫(xiě)為由于弓出形核的能量條件為△G<0即若弓出部分兩端距離為2L則r=L/sina

當(dāng)α＝π/2時(shí)，L=rmin∴Lc=2g/Es2.亞晶形核

當(dāng)變形度較大（>20%）時(shí)，形成位錯(cuò)纏結(jié)組成的胞狀結(jié)構(gòu)→多邊形化→亞晶，借助亞晶作為再結(jié)晶的核心，其形核機(jī)制為：

1)亞晶的遷移機(jī)制通過(guò)亞晶界的移動(dòng)，吞并相鄰的形變基體和亞晶而生長(zhǎng);常出現(xiàn)在低層錯(cuò)能金屬中.

2)亞晶合并機(jī)制通過(guò)兩亞晶之間亞晶界的消失，使兩相鄰亞晶合并而生長(zhǎng);常出現(xiàn)在高層錯(cuò)能金屬中.

位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)解離、拆散以及位錯(cuò)的攀移與滑移加熱亞晶無(wú)論以那種方式生長(zhǎng)，包圍著它的一部分亞晶界的位向差必然會(huì)越來(lái)越大，最后構(gòu)成了大角度晶界。大角度晶界一旦形成，由于它較亞晶界具有大的多的遷移率，故可以迅速移動(dòng)，而在其后留下無(wú)畸變的晶體——再結(jié)晶核心。二、再結(jié)晶動(dòng)力學(xué)

RecystallizationKinetics

再結(jié)晶過(guò)程是通過(guò)無(wú)畸變新晶粒的形核和長(zhǎng)大而進(jìn)行的，故再結(jié)晶的動(dòng)力學(xué)決定于N和G。實(shí)驗(yàn)：不同T，以縱坐標(biāo)表示再結(jié)晶的體積分?jǐn)?shù)jR以橫坐標(biāo)表示再結(jié)晶的時(shí)間t

恒溫動(dòng)力學(xué)曲線1）不同T，不同變形度，曲線不同，但有“S”特征2）發(fā)生再結(jié)晶，需要一段孕育期incubationperiod（T↑

，t孕↓）3）開(kāi)始再結(jié)晶時(shí)，轉(zhuǎn)變量速率V轉(zhuǎn)很低，隨著轉(zhuǎn)變量↑，V轉(zhuǎn)

↑，至50％時(shí)，V轉(zhuǎn)

V轉(zhuǎn)max

轉(zhuǎn)變量進(jìn)一步↑

V轉(zhuǎn)↓Johnson&Mehl：

均勻形核晶核為球形

N和G不隨t而改變推導(dǎo)出恒溫下經(jīng)過(guò)t時(shí)間后，再結(jié)晶體積分?jǐn)?shù)為：即所謂J－M方程假定但實(shí)際N是隨t↑而呈指數(shù)關(guān)系↓，并非Const，故J－M方程應(yīng)修正，通常采用Avrami方程來(lái)描述再結(jié)晶過(guò)程比較合適，即：

B、K均為常數(shù)，再結(jié)晶為三維時(shí)，K＝3-4二維K＝2-3

一維K＝1-2

取雙對(duì)數(shù)

截距斜率此分析結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果完全吻合，且發(fā)現(xiàn)在一定溫度范圍內(nèi)，K不隨T而變不同T下，各直線基本平行,B則隨T不同而變

作關(guān)系圖（線性關(guān)系圖）170℃>139℃>125℃

T1>T2>T3>T4>T5再結(jié)晶是一熱激活過(guò)程，N和G均符合Arrhenius方程，因此等溫溫度T對(duì)再結(jié)晶速率V的影響可用表示之而再結(jié)晶速率V和產(chǎn)生某一體積分?jǐn)?shù)jR所需要的時(shí)間t成反比，（V∝1/t）∴

（2.3lgx=lnx）作1/T--lgt圖即可求得Q（再結(jié)晶的激活能）在兩個(gè)不同的恒定溫度T1、T2

產(chǎn)生同樣程度的再結(jié)晶時(shí)可得三、再結(jié)晶溫度

Recrystallizationtemperature冷變形材料開(kāi)始進(jìn)行再結(jié)晶的最低溫度稱為再結(jié)晶溫度，它可以用不同的方法來(lái)測(cè)定。1）金相法：從顯微鏡中觀察到第一個(gè)新晶?；蛘呔Ы缫蛲蛊鹦魏硕霈F(xiàn)鋸齒狀邊緣的退火溫度為T(mén)R。2）硬度法：以硬度－退火溫度曲線上硬度開(kāi)始顯著降低的溫度定為T(mén)R，有時(shí)也將該曲線上軟化50％的退火溫度定為T(mén)R。應(yīng)指出，TR并不是一個(gè)物理常數(shù)，它隨變形程度，純度，及退火時(shí)間而變工業(yè)生產(chǎn)中，通常以經(jīng)過(guò)大變形量(>70%)的冷變形金屬，經(jīng)一小時(shí)退火能完全再結(jié)晶或再結(jié)晶體積分?jǐn)?shù)>95％的最低退火溫度定為T(mén)R

。TR↑

，VR↑

，達(dá)到一定再結(jié)晶體積分?jǐn)?shù)所需時(shí)間必愈短根據(jù)Johnson和Mehl方程式，令R＝0.95，則可求出完成95％再結(jié)晶所需時(shí)間為由于N、G隨T↑

而↑即為溫度的函數(shù)，故可根據(jù)各T下的N、G值建立T與t0.95關(guān)系，于是，一小時(shí)內(nèi)能完成再結(jié)晶的溫度TR即可確定。對(duì)工業(yè)純金屬經(jīng)大變形后，若完成再結(jié)晶的為0.5-1小時(shí)則TR≈（0.35-0.4）Tm四、影響再結(jié)晶的主要因素

凡是影響和的因素均將反映再結(jié)晶動(dòng)力學(xué)曲線變化1.在給定溫度下發(fā)生再結(jié)晶需要一個(gè)最小變形量，這就是臨界變形度

（Criticaldeformationdegree）。低于此變形度，不能再結(jié)晶。2.ψ％↑，TR

↓

3.再結(jié)晶后的晶粒大小主要取決于變形度ψ％↑，再結(jié)晶的晶粒↓。4.微量雜質(zhì)元素可明顯地升高TR或推遲再結(jié)晶過(guò)程的進(jìn)行。5.第二相的影響：當(dāng)?shù)诙喑叽巛^大（>1mm）且間距較寬時(shí)，再結(jié)晶核心能在其表面產(chǎn)生；當(dāng)?shù)诙喑叽绾苄∮州^密集時(shí)，則會(huì)阻礙再結(jié)晶的進(jìn)行。6.原始晶粒愈細(xì)或者退火時(shí)間增加都會(huì)TR

↓

。五、再結(jié)晶晶粒長(zhǎng)大經(jīng)再結(jié)晶后形成的晶粒，通常呈等軸狀，其大小受多種因素的影響，主要有：變形度：臨界變形度，ψ％↑晶?！嘶饻囟龋篢↑

晶?！R界變形度↓

化學(xué)成分和雜質(zhì)：凡延緩再結(jié)晶及阻礙晶粒長(zhǎng)大的合金元素、雜質(zhì)，有利于得到細(xì)晶原始晶粒度：原始晶粒度↓→晶界總面積↑→

→

N↑→

再結(jié)晶晶?！訜崴俣龋篤加

↑可獲得細(xì)小再結(jié)晶晶粒再結(jié)晶后晶粒的平均直徑d與、存在以下關(guān)系：

故愈小，則再結(jié)晶后晶粒愈細(xì)小。k為常數(shù)※

4、再結(jié)晶后晶粒的長(zhǎng)大

GraingrowthafterRecrystallization

冷變形材料在完成再結(jié)晶后繼續(xù)加熱時(shí)會(huì)發(fā)生晶粒長(zhǎng)大再結(jié)晶晶粒長(zhǎng)大正常長(zhǎng)大異常長(zhǎng)大——二次再結(jié)晶

Secondaryrecrystallizaton一、晶粒的正常長(zhǎng)大NormalGrainGrowth1.晶界移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力再結(jié)晶完成后，晶粒長(zhǎng)大是一自發(fā)過(guò)程，因?yàn)樗偸橇D使界面自由能變小，所以晶粒長(zhǎng)大的驅(qū)動(dòng)力是來(lái)自晶界移動(dòng)后體系總的自由能的降低。就個(gè)別晶粒長(zhǎng)大的微觀過(guò)程而言，晶粒界面的不同曲率是造成晶界遷移的直接原因，實(shí)際上，晶粒長(zhǎng)大時(shí)，晶界總是向著曲率中心的方向移動(dòng)。模型：晶面曲率為什么成為晶界面移動(dòng)的動(dòng)力？圓柱界面

平衡時(shí)

σ：界面張力

ΔP：界面兩側(cè)壓力差，凹側(cè)所存在的壓應(yīng)力>凸側(cè)壓力da/2

slda/2

slrdar界面曲率半徑厚度△Plda當(dāng)dα很小時(shí)，對(duì)非圓柱面可改寫(xiě)為(∵任一段曲率界面，可通過(guò)其法線的兩個(gè)相互垂直平面上的兩個(gè)主曲率半徑r1和r2來(lái)表示)若界面為球面時(shí)，則r1＝r2＝r則當(dāng)σ一定時(shí)，r↓

則△P↑

∴晶粒長(zhǎng)大過(guò)程就是“大吃小”和凹面變平的過(guò)程實(shí)踐表明，當(dāng)晶界移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力單純來(lái)自晶界能時(shí)，晶界的移動(dòng)速度V與晶界移動(dòng)驅(qū)動(dòng)力△P成正比。

m為比例常數(shù)稱晶界的遷移率2.晶粒的穩(wěn)定形狀為了降低界面能晶粒長(zhǎng)大晶粒不斷平直化

向其曲率中心方向遷移晶粒趨向穩(wěn)定形狀第三章晶界一節(jié)曾指出三晶粒交合處各晶界的表面張力與晶界角存在下述平衡關(guān)系:

q1q2q3s3s2s1由于再結(jié)晶后的晶界屬于大角度晶界，其界面張力與兩側(cè)晶粒位向無(wú)關(guān)，因此二維晶粒穩(wěn)定形狀的平衡條件：晶界為平直線晶界夾角為120°的六邊形，該形狀晶粒若繼續(xù)加熱時(shí)，不再發(fā)生晶界遷移而處于穩(wěn)定狀態(tài)，因三晶界交會(huì)點(diǎn)的任何移動(dòng)都會(huì)增加晶界的總長(zhǎng)度總晶界能

若二維晶粒不是六邊形，為了使晶粒的各頂角形成120°的夾角：

1.邊數(shù)小于6的晶粒，其晶界向外彎曲的

2.邊數(shù)大于6的晶粒，其晶界向內(nèi)彎曲的

這樣，由于高溫下彎曲的晶界在晶界能的驅(qū)動(dòng)下會(huì)移動(dòng)其曲率中心趨于平直

1.邊數(shù)<6，即尺寸較小晶粒，必然逐漸縮小而最終消失

2.邊數(shù)>6，即尺寸較大晶粒，必然存在長(zhǎng)大傾向

為了在三維情況下實(shí)現(xiàn)平衡，多晶體晶粒在平衡狀態(tài)下最穩(wěn)定形狀是十四面體。3.晶粒長(zhǎng)大速度正常晶粒長(zhǎng)大時(shí)，晶界的平均移動(dòng)速度為：晶界平均遷移率：晶界平均驅(qū)動(dòng)力：晶界平均曲率半徑：晶粒平均直徑的增大速度對(duì)于大致均勻晶粒而言，，m和s在一定溫度下均可看作常數(shù)，因此

積分為常數(shù)若》則有或這表明恒溫下發(fā)生正常晶粒長(zhǎng)大時(shí)，平均晶粒直徑隨保溫時(shí)間的平方根而增大更常見(jiàn)的情況下，，n<1/2因存在晶界移動(dòng)和阻礙晶粒長(zhǎng)大諸因素歸納晶界遷移的規(guī)律性有如下幾點(diǎn)：1.為降低表面能，彎曲的晶界總是趨向于平直化，即晶界向曲率中心移動(dòng)以減小表面積；2.當(dāng)三個(gè)晶粒的晶界夾角不等于120°時(shí)，晶界總是向角度較銳的晶粒方向移動(dòng)，力圖使其夾角趨向于120°；3.在二維坐標(biāo)中，晶界邊數(shù)<6的晶粒（晶界向外凹出）必然逐步縮小，甚至消失

晶界邊數(shù)>6的晶粒（晶界向內(nèi)凹進(jìn)）必然逐步長(zhǎng)大晶界邊數(shù)=6晶界平直，且?jiàn)A角＝120°，處于平衡狀態(tài)不再移動(dòng)4.晶界遷移速度將隨晶界曲率半徑增大而減小，且隨時(shí)間而改變4.影響晶粒長(zhǎng)大的因素

Severalimportantfactorsongraingrowth積分得

1)溫度由于晶界遷移與原子的熱激活有關(guān)，其中晶界的平均遷移速率與成正比（Qm為晶界遷移的激活能）2）可溶解的雜質(zhì)或合金元素溶解原子都能阻礙晶界移動(dòng)，特別是晶界偏聚現(xiàn)象顯著的元素，其作用更大。一般認(rèn)為被吸附在晶界上的溶質(zhì)原子會(huì)降低晶界的界面能，能拖住晶界使之不易移動(dòng)3）不溶解的第二相彌散的第二相質(zhì)點(diǎn)對(duì)于阻礙晶界移動(dòng)起著重要的作用。當(dāng)運(yùn)動(dòng)的晶界遷移到第二相質(zhì)點(diǎn)（設(shè)為球形）時(shí)，第二相質(zhì)點(diǎn)對(duì)晶界的移動(dòng)產(chǎn)生一阻力，拖住晶界使之不向前移動(dòng)，如果此時(shí)處于平衡狀態(tài)，則阻力F的大小必須等于總張力在⊥方向的分力此處加圖5-60假定彌散相在晶體中呈均勻分布,單位體積晶體中存在著N個(gè)粒子,當(dāng)單位面積的晶界移動(dòng)2r距離時(shí)，切過(guò)體積為2r×1,必然會(huì)切過(guò)2rN個(gè)第二相質(zhì)點(diǎn)∴單位面積晶界上各粒子對(duì)晶界移動(dòng)所施加的總約束力接觸周界晶界能當(dāng)q＝45°時(shí)，此約束力為極大值：實(shí)際上晶界遷移能力及其所決定的晶粒長(zhǎng)大速度，不僅與分散相粒子的尺寸有關(guān)，而且與第二相顆粒的彌散度密切相關(guān)。因單位體積晶體中分散相粒子所占體積分?jǐn)?shù)為：

而晶界移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力當(dāng)時(shí)，正常晶粒長(zhǎng)大就停止，此時(shí)晶粒平均直徑成為極限的晶粒平均直徑（Dlim）

∴

4）晶粒間的位向差晶界的界面能決定于相鄰晶粒間的位相差。小角度晶界的界面能小于大角度晶界的，而驅(qū)使界面移動(dòng)的力又與界面能及擴(kuò)散系數(shù)成正比。因此，前者的遷移速度要小于后者。5）熱蝕溝金屬在高溫下長(zhǎng)時(shí)間加熱，晶界與金屬表面相交處會(huì)產(chǎn)生熱蝕溝（為了達(dá)到表面張力互相平衡，通過(guò)表面擴(kuò)散而產(chǎn)生）它存在也影響晶粒長(zhǎng)大。

二、晶粒的異常長(zhǎng)大——二次再結(jié)晶

SecondaryRecrastallization晶粒的異常長(zhǎng)大又稱不連續(xù)晶粒長(zhǎng)大或二次再結(jié)晶，是一種特殊的晶粒長(zhǎng)大現(xiàn)象，通常發(fā)生于一次再結(jié)晶后經(jīng)正常晶粒長(zhǎng)大的基體中。其特點(diǎn)為少數(shù)晶粒迅速長(zhǎng)大，使晶粒之間的尺寸差別顯著增大，直到這些迅速長(zhǎng)大的晶粒完全接觸為止。二次再結(jié)晶過(guò)程有以下特征：1.二次再結(jié)晶的驅(qū)動(dòng)力是來(lái)自界面能或表面能的降低，而不是來(lái)自應(yīng)變能，所以它比一次再結(jié)晶的驅(qū)動(dòng)力要小的多。2.二次再結(jié)晶并不需要重新形核，它是以一次再結(jié)晶后的某些特殊晶粒作為基礎(chǔ)而長(zhǎng)大的，因此，嚴(yán)格說(shuō)它是特殊條件下的晶粒長(zhǎng)大過(guò)程，而非再結(jié)晶。3.只有正常晶粒長(zhǎng)大受阻的情況才產(chǎn)生二次再結(jié)晶，阻礙正常晶粒長(zhǎng)大的主要因素有a)含有適量夾雜物b)具有強(qiáng)烈的一次再結(jié)晶織構(gòu)。

4.二次再結(jié)晶的動(dòng)力學(xué)類似于一次再結(jié)晶的動(dòng)力學(xué)，也有一孕育期5.二次再結(jié)晶完成時(shí)也產(chǎn)生明顯的織構(gòu)，但它與一次的不同6.必須超過(guò)一最低溫度進(jìn)行退火時(shí)才會(huì)發(fā)生二次再結(jié)晶。通常最大的晶粒是在加熱溫度剛剛超過(guò)這一溫度時(shí)得到的，當(dāng)加熱溫度更高時(shí)，得到的二次再結(jié)晶晶粒的尺寸反而較小。二次再結(jié)晶機(jī)制二次再結(jié)晶形成的大晶粒在長(zhǎng)大到某一臨界尺寸后便迅速長(zhǎng)大，這一點(diǎn)不難解釋，因?yàn)樵诔醮卧俳Y(jié)晶的各晶粒中，達(dá)到臨界晶體尺寸的晶粒必超過(guò)它周?chē)木Я?，由于大晶粒的晶界總是凹向外測(cè)的，因而晶界總是向外遷移而擴(kuò)大，結(jié)果它就愈長(zhǎng)愈大。形成二次再結(jié)晶。至于大晶粒是怎樣長(zhǎng)到臨界尺寸的，一般認(rèn)為，初次再結(jié)晶后，大多數(shù)晶粒具有明顯的織構(gòu)，但也有一些晶粒具有與這個(gè)織構(gòu)不同位向，其中更有少數(shù)具有特殊的位向，使其晶界的遷移率較高，因而能夠長(zhǎng)大到臨界直徑，另一方面，要發(fā)生二次再結(jié)晶，還必須有某種阻礙晶粒正常長(zhǎng)大的因素存在，如第二相質(zhì)點(diǎn)，一次再結(jié)晶織構(gòu)，熱蝕溝等，只有正常晶粒長(zhǎng)大進(jìn)行得很慢時(shí)，二次再結(jié)晶才能發(fā)生。5.再結(jié)晶退火后得組織一、再結(jié)晶退火后的晶粒大小GrainSize取決于預(yù)先變形程度：Ψ％退火后晶粒退火溫度：t℃晶粒

若將變形量，退火溫度和再結(jié)晶的晶粒大小三者綜合于三維圖上，即得靜態(tài)再結(jié)晶圖