華工半導(dǎo)體器件物理復(fù)習(xí)2016

pn結(jié)1、PN結(jié)的雜質(zhì)分布、空間電荷區(qū)，電場分布2、

平衡載流子和非平衡載流子3、Fermi能級，準(zhǔn)Fermi能級，平衡PN結(jié)能帶圖，非平衡PN結(jié)能帶圖4、pn結(jié)的接觸電勢差5、非平衡PN結(jié)載流子的注入和抽取6、

過剩載流子的產(chǎn)生與復(fù)合7、

理想二極管的電流~電壓關(guān)系，并討論pn結(jié)的單向?qū)щ娦院蜏囟忍匦浴?、PN結(jié)大注入效應(yīng)，大注入和小注入時的電流電壓特性的比較。（擴散系數(shù)增大一倍）9、pn結(jié)自建電場、緩變基區(qū)自建電場（非均勻摻雜電場）、大注入自建電場的異同點。10、勢壘電容與擴散電容的產(chǎn)生機制11、三種pn結(jié)擊穿機構(gòu)12、雪崩擊穿的條件？討論影響雪崩擊穿電壓的條件。13、PN結(jié)的交流等效電路？14、PN結(jié)的開關(guān)特性，貯存時間的影響因素。15、

肖特基勢壘二極管與PN結(jié)二極管的異同。雙極晶體管1、晶體管基本結(jié)構(gòu)(三個區(qū)域的摻雜濃度的數(shù)值大小)2、晶體管處在放大區(qū)時的能帶圖、電流分布圖、基區(qū)少子濃度分布圖（四種偏置）。3、晶體管具有放大能力的基本條件。4、發(fā)射效率γ和基區(qū)輸運因子

T的定義。提高晶體管電流放大系數(shù)的主要措施。5、晶體管共基極和共射極放大系數(shù)之間的關(guān)系6、晶體管的Ebers-Moll模型及其等效電路和互易關(guān)系。7、晶體管共基極和共射極輸入、輸出特性8、

大電流效應(yīng)對器件特性的影響8.1大注入效應(yīng)？Rittner效應(yīng)(基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng))Webster(韋伯斯脫)效應(yīng)（大注入內(nèi)建電場效應(yīng)）8.2基區(qū)擴展效應(yīng)(Kirk效應(yīng))。8.3發(fā)射極電流集邊效應(yīng)。9、

什么是Early效應(yīng)?對器件特性有什么影響？10、

基區(qū)穿通和外延層穿通11、

三種擊穿電壓的關(guān)系12、f

,f

fT,fm的定義，及相互間的大小關(guān)系13、寫出載流子從發(fā)射極到集電極的總傳輸延遲時間的表達式，并說明各傳輸延遲時間的意義，如何提高晶體管的特征頻率fT？14、晶體管在開關(guān)過程中，EB結(jié)和CB結(jié)偏壓是如何變化的？提高開關(guān)速度的途徑。

15、HBT的優(yōu)勢？場效應(yīng)晶體管1、FET器件的種類及相關(guān)的工作原理MOS場效應(yīng)晶體管1、閾值電壓及其影響因素（襯底濃度和偏壓，氧化層中電荷,氧化層厚度等）。（VT表達式）2、MOSFET工作原理及其類型。輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線。3、亞閾值區(qū)及其特性（特點）。4、MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性（理想、實際）5、

短溝道效應(yīng)、窄溝道效應(yīng)、DIBL效應(yīng)。如何影響VT及輸出特性？6、MOSFET的伏安特性方程（線性區(qū)、非飽和區(qū)和飽和區(qū)）7、柵跨導(dǎo)，襯底跨導(dǎo)，漏源電導(dǎo)。8、MOSFET小信號等效電路。提高頻率性能的途徑