第五講IC工藝流程課件

簡單NMOS和CMOS器件平面工藝簡單NMOS和CMOS器件平面工藝1復(fù)習(xí)：工藝流程圖晶片準(zhǔn)備平面工藝封裝測試復(fù)習(xí)：工藝流程圖晶片準(zhǔn)備平面工藝封裝測試2硅片的類型標(biāo)志P(100)P(111)N(111)N(100)硅片的類型標(biāo)志P(100)P(111)N(111)N(1003微電子制造工藝的主要內(nèi)容襯底制備—單晶生長；晶片的切、磨、拋；薄膜技術(shù)—氧化、外延、蒸發(fā)；摻雜技術(shù)—擴(kuò)散、離子注入；圖形加工—制版、光刻（曝光、腐蝕）熱處理——退火、燒結(jié)、去除光刻膠微電子制造工藝的主要內(nèi)容襯底制備—單晶生長；晶片的切、磨、拋4簡單NMOS和CMOS器件平面工藝簡單NMOS和CMOS器件平面工藝5SimpleNMOSTechnologyNchannel4-mask1metallayerSimpleNMOSTechnologyNchanne6單晶硅掩膜版單晶硅掩膜版7第五講IC工藝流程課件8Note!Note!9第五講IC工藝流程課件100.55:0.450.55:0.4511第五講IC工藝流程課件12第五講IC工藝流程課件13第五講IC工藝流程課件14第五講IC工藝流程課件15第五講IC工藝流程課件16第五講IC工藝流程課件17noteselfalignmentnoteselfalignment18第五講IC工藝流程課件19??20第五講IC工藝流程課件21第五講IC工藝流程課件22第五講IC工藝流程課件23第五講IC工藝流程課件24SimpleCMOSTechnology4-Metal12-Polysilicon3-Diffusions1-Tub(N-well)SimpleCMOSTechnology4-Meta25CMOSInvertercutlineCMOSInvertercutline26N-wellMaskN-wellMask27ActiveMaskActiveMask28PolyMaskPolyMask29N+SelectMaskN+SelectMask30P+SelectMaskP+SelectMask31ContactMaskContactMask32MetalMaskMetalMask33OtherCutawayViewsSiO2剖面圖OtherCutawayViewsSiO2剖面圖34第五講IC工藝流程課件35

ULSI技術(shù)中較為典型的雙阱CMOS工藝制造的CMOS集成電路的一部分

標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極集成電路工藝制造的集成電路的一部分

外延、氧化、擴(kuò)散、離子注入、氣相淀積、光刻腐蝕以及金屬化等工藝總結(jié)一下：ULSI技術(shù)中較為典型的雙阱CMOS工藝制造的CM36現(xiàn)代工藝概要現(xiàn)代工藝概要37雙阱工藝氮化物雙阱工藝氮化物38隔離槽技術(shù)STI（shallowtrenchisolation）USG：外層二氧化硅，防止吸潮，抗氧化氧化物平坦化槽刻蝕氧化物填充隔離槽技術(shù)STI（shallowtrenchisolat39SOI工藝埋層SiO2SOI工藝埋層SiO240多層技術(shù)化及焊球制備SOD：旋凃絕緣介質(zhì)多層技術(shù)化及焊球制備SOD：旋凃絕緣介質(zhì)41多芯片模組技術(shù)MCM多芯片模組技術(shù)MCM42當(dāng)前熱點(diǎn)SoC-SystemonaChip系統(tǒng)芯片技術(shù)MEMS-MicroElectroMechanicalSys