半導(dǎo)體物理與器件智慧樹(shù)知到課后章節(jié)答案2023年下上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院

半導(dǎo)體物理與器件智慧樹(shù)知到課后章節(jié)答案2023年下上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院

第一章測(cè)試

半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能介于金屬材料和絕緣材料之間。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

電中性原子失去電子后帶正電。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

半導(dǎo)體硫化銀的電阻具有負(fù)的溫度系數(shù)是因?yàn)?？（?/p>

A:當(dāng)硫化銀受熱時(shí)產(chǎn)生了更多的電子參與定向運(yùn)動(dòng)B:當(dāng)硫化銀受熱時(shí)產(chǎn)生了更少的電子參與定向運(yùn)動(dòng)

答案:當(dāng)硫化銀受熱時(shí)產(chǎn)生了更多的電子參與定向運(yùn)動(dòng)

常溫下，半導(dǎo)體材料的電阻率在什么范圍？（）

A:＞109Ω·cmB:＜10-3Ω·cmC:10-3Ω·cm~109Ω·cmD:＞1010Ω·cm

答案:10-3Ω·cm~109Ω·cm

是誰(shuí)首先提出：將電、磁、光統(tǒng)歸為電磁場(chǎng)現(xiàn)象的麥克斯韋方程組？（）

A:赫茲B:安培C:麥克斯韋D:奧斯特

答案:麥克斯韋

第二章測(cè)試

中子是帶正電的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

中子是帶負(fù)電的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

核外的電子是分布在能量的軌道上的（）

A:不連續(xù)B:連續(xù)

答案:不連續(xù)

核外電子的能量是被量子化的，每份能量的大小由公式hυ確定，h是，υ表示。（）

A:波的頻率，普朗克常量B:普朗克常量，波的頻率

答案:普朗克常量，波的頻率

一個(gè)主量子數(shù)是不能精確確定電子的軌道的，每個(gè)軌道里面還可以再細(xì)分，即還有分殼層，它用表示的。（）

A:字母，例如s，p，d，…B:數(shù)字，例如1，2，3，…

答案:字母，例如s，p，d，…

第三章測(cè)試

N型半導(dǎo)體主要靠自由電子運(yùn)動(dòng)導(dǎo)電，也稱(chēng)為電子半導(dǎo)體。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

P型半導(dǎo)體主要靠空穴運(yùn)動(dòng)導(dǎo)電，也稱(chēng)為空穴半導(dǎo)體。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

PN結(jié)中載流子的運(yùn)動(dòng)是這樣的：P型半導(dǎo)體中的多子空穴向N區(qū)擴(kuò)散，留下不可移動(dòng)的負(fù)離子；N型半導(dǎo)體的多子電子向P區(qū)擴(kuò)散，留下不可移動(dòng)的正離子。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

在硅或鍺的晶體中摻入少量的5價(jià)雜質(zhì)元素，如磷、銻、砷等，可以構(gòu)成。（）

A:P型半導(dǎo)體B:N型半導(dǎo)體

答案:N型半導(dǎo)體

在硅或鍺的晶體中摻入少量的3價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等，可以構(gòu)成。（）

A:N型半導(dǎo)體B:P型半導(dǎo)體

答案:P型半導(dǎo)體

第四章測(cè)試

將兩個(gè)背靠背的PN結(jié)連接在一起的三明治結(jié)構(gòu)，可以形成雙極結(jié)型晶體管，它有兩種不同的結(jié)構(gòu)，一種是NPN結(jié)構(gòu)，另一種是PNP結(jié)構(gòu)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

將兩個(gè)PN結(jié)以非背靠背方式連接在一起的四層結(jié)構(gòu)，可以形成晶閘管。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

晶體管發(fā)射極(emitter)e用于收集載流子。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

晶體管的電流放大倍數(shù)等于集電極電流變化量ΔIC與基極電流變化量ΔIB的比值。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

將晶體管三個(gè)區(qū)的摻雜濃度按從高到低順序排序，正確的順序是：。（）

A:發(fā)射區(qū)＞集電區(qū)＞基區(qū)B:發(fā)射區(qū)＞集電區(qū)＞基區(qū)C:發(fā)射區(qū)＞基區(qū)＞集電區(qū)D:集電區(qū)＞發(fā)射區(qū)＞基區(qū)

答案:發(fā)射區(qū)＞集電區(qū)＞基區(qū)

第五章測(cè)試

三極管是由電流來(lái)控制實(shí)現(xiàn)功能的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

MOSFET管是由電流來(lái)控制實(shí)現(xiàn)功能的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

MOSFET管是由電場(chǎng)來(lái)控制實(shí)現(xiàn)功能的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

增強(qiáng)型NMOS管中，兩個(gè)重?fù)诫s的N區(qū)分別稱(chēng)為源區(qū)Source和漏區(qū)Drain。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

溝道電壓、柵極電壓和漏極電壓三者之間的關(guān)系是什么？（）

A:柵極電壓=柵極電壓＋漏極電壓B:柵極電壓=柵極電壓—漏極電壓

答案:柵極電壓=柵極電壓—漏極電壓

第六章測(cè)試

CMOS是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）的簡(jiǎn)寫(xiě)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

CMOS中的字母M代表Metal金屬的意思。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

CMOS中的字母O代表Oxide氧化物的意思。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

N阱CMOS工藝中第六次光刻是為了制作接觸孔。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

N阱CMOS工藝中第七次光刻是為了制作金屬互聯(lián)線(xiàn)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第七章測(cè)試

金屬和半導(dǎo)體接觸又稱(chēng)為歐姆接觸。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

結(jié)面積較大的二極管適用于低頻線(xiàn)路。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

半導(dǎo)體有四種基本結(jié)構(gòu)分別為：（）

A:MS結(jié)構(gòu)B:異質(zhì)結(jié)構(gòu)C:MOS結(jié)構(gòu)D:PN結(jié)構(gòu)

答案:MS結(jié)構(gòu);異質(zhì)結(jié)構(gòu);MOS結(jié)構(gòu);PN結(jié)構(gòu)

二極管按材料，可分為哪兩大類(lèi)？（）

A:硅管B:鍺管C:LEDD:整流管

答案:硅管;鍺管

晶體管主要分為哪兩類(lèi)？（）

A:穩(wěn)壓管B:雙極結(jié)型晶體管C:二極管D:場(chǎng)效應(yīng)晶體管

答案:雙極結(jié)型晶體管;場(chǎng)效應(yīng)晶體管

第八章測(cè)試

摩爾定律是物理定律，這種說(shuō)法是否正確。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

摩爾定律不是物理定律，這種說(shuō)法是否正確。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

22nm到5nm的工藝節(jié)點(diǎn)的芯片采用FinFET鰭狀場(chǎng)效應(yīng)管工藝制作。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

新型半導(dǎo)體器件的三大發(fā)展方向是什么？（）

A:擴(kuò)展摩爾（MorethanMoore）B:深度摩爾（MoreMoore）C:超越摩爾（BeyondMoore）

答案:擴(kuò)展摩爾（M