鼻塞式呼吸器的制作方法

鼻塞式呼的制方法鼻塞式呼吸器1.本發(fā)明是申號(hào)為201610399521.8，申日為2016年06月07日，明名稱為《鼻塞式呼器》的分案申請(qǐng)技術(shù)領(lǐng)域2.本發(fā)明涉及種呼吸器，具體及一種改良的鼻塞呼吸器。背技：3.一般而言，氣中通常存在粉等顆粒污染物，若體長期吸入含有樣的空氣，往往會(huì)導(dǎo)人體呼吸系統(tǒng)等損。尤其對(duì)于某特殊人群，例如對(duì)花粉等過敏的人群說，若吸入含有些過敏源的空氣將導(dǎo)致這些人員發(fā)哮喘、呼氣困難等狀。為保障人體健康和安全，人已經(jīng)習(xí)于采用棉布紗布等材質(zhì)制作的罩來濾除空氣中顆粒污染物。但類傳統(tǒng)口罩僅對(duì)尺較大的顆粒污染物效，且經(jīng)短時(shí)間用即可能被污染4.又及，考慮近年來在國內(nèi)外地出現(xiàn)的嚴(yán)重霧霾氣，在空氣中存的大量pm2.5(空氣等效粒徑在2.5μm以下的粒)將嚴(yán)重影響人體健康，普通的口罩對(duì)于pm2.5并無除效果的問題業(yè)界又提出了包靜電過濾器等特過濾器的口罩、吸器(例如n95口罩等)，對(duì)于空氣中普通染顆粒的過濾性好，但氣阻大呼吸困難，且對(duì)霧霾天氣而言，樣也基本無法起到護(hù)作用。技實(shí)要素：5.本發(fā)明的主目的在于提供一鼻塞式呼吸器，以服現(xiàn)有技術(shù)中的足。6.為了實(shí)現(xiàn)上目的，本發(fā)明的術(shù)方案如下：7.本發(fā)明實(shí)施提供了一種鼻塞呼吸器，其包括：8.鼻塞和過濾片，至少所述鼻的一端部能夠插入用者的鼻腔，且述鼻塞包含有與所述腔連通的氣體通，所述過濾芯片以濾除混雜于待處氣流內(nèi)的、粒徑大設(shè)定值的顆粒，處理的氣體流經(jīng)述過濾芯片后進(jìn)入述鼻塞內(nèi)的氣體通；以及，9.過濾芯片防結(jié)構(gòu)，用以對(duì)所過濾芯片進(jìn)行防護(hù)10.在一些實(shí)施方中，所述過濾芯防護(hù)結(jié)構(gòu)包括第一定式硬質(zhì)濾網(wǎng)和二固定式硬質(zhì)濾網(wǎng)所述過濾芯片設(shè)于第一固定式硬濾網(wǎng)和第二固定式質(zhì)濾網(wǎng)之間。11.在一些實(shí)施方中，所述鼻塞式吸器還包括第一過織物和/或第二過濾織物，所述第一濾織物分布于所鼻塞和過濾芯片間，所述過濾芯片布于第二過濾織物鼻塞之間。12.在一些實(shí)施方中，所述鼻塞式吸器還包括第一可卸式硬質(zhì)濾網(wǎng)和/或第二可拆式硬質(zhì)網(wǎng)，所述第一可卸式硬質(zhì)濾網(wǎng)與一過濾織物固定連，所述第二可拆卸硬質(zhì)濾網(wǎng)與第二濾織物固定連接13.在一些實(shí)施方中，所述鼻塞采腰鼓型鼻塞；和/或，所述鼻塞式吸器還包括一兩端開的殼體，所述鼻可拆卸的安裝于述殼體一端，所述濾芯片容置于所述體內(nèi)。14.在本發(fā)明的較具體的第一實(shí)施案中，所述過濾芯包括：15.具有第一流體道的基體，所述一流體通道具有空入口和空氣出口所述第一流體通道空氣入口分布于述基體的第一表；16.彼此間隔設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)凸起部，述凸起部沿橫向在述基體的第一表上連續(xù)延伸，下固定設(shè)置于所述體的第一表面，上設(shè)有沿橫向連續(xù)伸的帽形結(jié)構(gòu)，所述形結(jié)構(gòu)的相背對(duì)兩側(cè)部沿側(cè)向外，而相鄰帽形結(jié)構(gòu)間形成有可供空氣過的開口部，所開口部的口徑大0但小于混雜于待處理的空氣內(nèi)的選定粒的粒徑，其中少兩個(gè)所述的凸部分別與所述第一體通道的空氣入口相背對(duì)的兩側(cè)相設(shè)置，以及至少個(gè)所述的凸起部直從所述第一流體通的空氣入口上通，從而使復(fù)數(shù)個(gè)形結(jié)構(gòu)、復(fù)數(shù)個(gè)凸部與基體之間配合成與所述第一流通道連通的第二體通道，且待處理空氣僅能通過所述二流體通道進(jìn)入一流體通道。17.在該第一實(shí)施案中，至少兩個(gè)述的凸起部直接從述第一流體通道空氣入口上通過；和或，所述復(fù)數(shù)個(gè)凸起部平分布在所述基體第一表面上。18.較為優(yōu)選的，述帽形結(jié)構(gòu)與凸部一體設(shè)置。19.在該第一實(shí)施案中，所述帽形構(gòu)可具有倒梯形截結(jié)構(gòu)。20.較為優(yōu)選的，成于相鄰帽形結(jié)之間的開口部的口為1nm～50μm。21.較為優(yōu)選的，述帽形結(jié)構(gòu)的高為50nm～200μm。22.較為優(yōu)選的，鄰?fù)蛊鸩恐g的離為0.1μm～100μm。23.較為優(yōu)選的，述凸起部的高度0.1μm～400μm，寬度為0.1μm～100μm。24.較為優(yōu)選的，述第一流體通道孔徑為1μm～1mm。25.較為優(yōu)選的，述基體的厚度在1μm以上26.較為優(yōu)選的，少于所述凸起部帽形結(jié)構(gòu)和基體中任一者的表面還置有光催化功能材層和/或抗菌功能材料層。27.較為優(yōu)選的，述凸起部、帽形構(gòu)和基體中的至少者的至少局部為明結(jié)構(gòu)。28.在本發(fā)明的較具體的第二實(shí)施案中，所述過濾芯包括：29.具有第一流體道的基體，所述一流體通道具有空入口和空氣出口所述第一流體通道空氣入口分布于述基體的第一表；30.由復(fù)數(shù)根線形相互交叉形成的孔結(jié)構(gòu)，用以與所基體的第一表面合形成第二流體通，所述復(fù)數(shù)根線體一端均與所述體固定連接，所述孔結(jié)構(gòu)中孔洞的直大于0但小于混雜于待處的空氣內(nèi)的選定粒的粒徑，且待處理的空氣僅通過所述第二流通道進(jìn)入第一流通道。31.進(jìn)一步的，所復(fù)數(shù)根線形體的端均與所述基體的一表面固定連接并環(huán)繞分布于所述一流體通道的空入口周圍。32.較為優(yōu)選的，述的過濾芯片還括彼此間隔設(shè)置的數(shù)個(gè)凸起部，所凸起部固定設(shè)置在述基體的第一表上，并沿橫向在述基體的第一表面連續(xù)延伸，其中至兩個(gè)凸起部分別所述第一流體通的空氣入口的相背的兩側(cè)相鄰設(shè)置，少一個(gè)凸起部直從所述第一流體道的空氣入口上通，所述凸起部上固連接有兩根以上述的線形體。33.較為優(yōu)選的，接在一凸起部上復(fù)數(shù)根線形體和連在與該凸起部相的另一凸起部上的數(shù)根線形體相互叉。34.較為優(yōu)選的，述復(fù)數(shù)個(gè)凸起部行分布在所述基體第一表面上。35.進(jìn)一步的，所凸起部的形狀包長條狀或片狀，且限于此。36.進(jìn)一步的，所的復(fù)數(shù)個(gè)凸起部均勻分布非均勻分布在所基體的第一表面上。37.較為優(yōu)選的，述凸起部的寬度0.1μm～100μm，高度為0.1μm～400μm。38.較為優(yōu)選的，鄰?fù)蛊鸩恐g的離為0.1μm～100μm。39.較為優(yōu)選的，述凸起部表面還置有光催化功能材層和/或抗菌功能材料層。40.較為優(yōu)選的，述基體、所述復(fù)根線形體、所述復(fù)個(gè)凸起部中的至一者的至少局部為明結(jié)構(gòu)。41.較為優(yōu)選的，述線形體的直徑1nm～50μm。42.較為優(yōu)選的，中任一線形體的端和與該線形體相的另一線形體的端之間的距離為1nm～50。43.較為優(yōu)選的，述線形體的長度50nm～200μm。44.較為優(yōu)選的，少于所述線形體面還分布有光催化料或抗菌材料。45.較為優(yōu)選的，述基體和所述復(fù)根線形體中的至少者的至少局部為明結(jié)構(gòu)。46.較為優(yōu)選的，述線形體為直線。47.進(jìn)一步的，所第一流體通道的氣入口具有規(guī)則或規(guī)則形狀，所述則形狀包括多邊形圓形或橢圓形。48.較為優(yōu)選的，述第一流體通道孔徑為1μm～1mm。49.較為優(yōu)選的，述基體的厚度在1μm以上50.較為優(yōu)選的，述過濾芯片還包平行分布在所述基的第一表面的復(fù)根橫梁，所述橫梁橫向在所述基體第一表面連續(xù)延，其中至少兩根橫分別與所述第一流通道的空氣入口相背對(duì)的兩側(cè)相設(shè)置，至少一根橫直接從所述第一流通道的空氣入口通過；以及，任橫梁上均分布有復(fù)根線形體，該復(fù)數(shù)線形體中的至少分線形體的一端定于所述橫梁表面另一端沿逐漸遠(yuǎn)離任一橫梁的方向向延伸和/或在平行于所述基體一表面的面上連續(xù)延伸，與分布在相鄰于任一橫梁的另一梁上的復(fù)數(shù)根線形相互交叉，從而形所述多孔結(jié)構(gòu)。51.較為優(yōu)選的，少兩根橫梁直接所述第一流體通道空氣入口上通過52.較為優(yōu)選的，述線形體包括碳米線、碳納米管、zno納線、gan納米線、tio2納米、ag納米線、au納米線中的一種或兩種以上組合，但不限于此。53.在本發(fā)明的較具體的第三實(shí)施案中，所述過濾芯包括：54.具有第一流體道的基體，所述一流體通道具有空入口和空氣出口所述第一流體通道空氣入口分布于述基體的第一表的第一區(qū)域內(nèi)；55.空氣阻擋部，有與所述基體的一表面相對(duì)設(shè)置的二表面，用于阻待處理空氣直接進(jìn)所述第一流體通的空氣入口；56.彼此間隔設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)凸起部，述凸起部一端固定置于所述基體的一表面的第二區(qū)域內(nèi)，一端與所述空氣擋部的第二表面定連接，其中相鄰起部之間的距離大0但小于混雜于待處理的氣內(nèi)的選定顆粒粒徑，所述基體的第一表面的二區(qū)域與第一區(qū)鄰接，從而使所復(fù)數(shù)個(gè)凸起部、空阻擋部與基體之間合形成第二流體道，且待處理的氣僅能通過所述第流體通道進(jìn)入第一體通道。57.進(jìn)一步的，所復(fù)數(shù)個(gè)凸起部環(huán)所述第一流體通道空氣入口設(shè)置。58.進(jìn)一步的，所基體的第一表面第三區(qū)域內(nèi)亦間隔置有復(fù)數(shù)個(gè)凸起，所述第二區(qū)域設(shè)所述第三區(qū)域和一區(qū)域之間。59.較為優(yōu)選的，述第一流體通道孔徑為1μm～1mm。60.較為優(yōu)選的，述基體的厚度在1μm以上61.較為優(yōu)選的，述空氣阻擋部的度為0.5μm～200μm。62.較為優(yōu)選的，述凸起部表面還置有功能材料層，述功能材料層的質(zhì)包括光催化材料抗菌材料。63.較為優(yōu)選的，述過濾芯片中的少部分組件的至少部為透明結(jié)構(gòu)。64.進(jìn)一步的，所基體的第一表面第三區(qū)域環(huán)繞所述二區(qū)域設(shè)置。65.進(jìn)一步的，所基體的第一表面第一區(qū)域及第二區(qū)分布在所述空氣擋部于所述基體的一表面上的正投內(nèi)。66.較為優(yōu)選的，述過濾芯片還包至少一個(gè)支撐體，述支撐體一端與述基體固定連接，一端與所述空氣擋部固定連接。67.較為優(yōu)選的，布于所述基體的一表面的第三區(qū)域復(fù)數(shù)個(gè)凸起部排形成具有超疏水或疏油性能的微米或納米級(jí)陣列結(jié)。68.較為優(yōu)選的，述過濾芯片包括個(gè)以上所述的支撐，并且該兩個(gè)以所述的支撐體對(duì)稱布于所述第一流通道的空氣入口圍。69.較為優(yōu)選的，述第一流體通道空氣入口上架設(shè)有根以上支撐梁，述支撐梁與所述空阻擋部固定連接70.進(jìn)一步的，所凸起部為站立設(shè)的線狀、柱狀、片、管狀、錐狀、臺(tái)狀結(jié)構(gòu)中的任意種，且不限于此71.進(jìn)一步的，所凸起部的橫向截具有規(guī)則或不規(guī)則狀，所述規(guī)則形包括多邊形、圓形橢圓形，但不限此。72.進(jìn)一步的，所的復(fù)數(shù)個(gè)凸起部勻分布或非均勻分在所述基體的第表面上。73.進(jìn)一步的，所第一流體通道的氣入口具有規(guī)則或規(guī)則形狀，所述則形狀包括多邊形圓形或橢圓形，不限于此。74.較為優(yōu)選的，述凸起部為線狀起，其長徑比為4∶1～200000∶1。75.較為優(yōu)選的，鄰?fù)蛊鸩恐g的離與所述凸起部的度的比值為1∶4～1∶200000。76.較為優(yōu)選的，述凸起部為豎立置的微米線或納米，其直徑為1nm～50μm，長度為50nm～200μm，鄰?fù)蛊鸩恐g的離為1nm～50μm。77.在本發(fā)明的較具體的第四實(shí)施案中，所述過濾芯包括：78.具有第一流體道的基體，所述一流體通道具有空入口和空氣出口所述第一流體通道的空入口分布于所述體的第一表面的一區(qū)域內(nèi)；79.空氣阻擋部，有與所述基體的一表面相對(duì)設(shè)置的二表面，用于阻待處理空氣直接進(jìn)所述第一流體通的空氣入口；80.復(fù)數(shù)個(gè)凸起部所述凸起部沿橫在所述基體的第一面的第二區(qū)域連延伸，其中相鄰?fù)共恐g形成有可空氣通過的溝槽所述溝槽的開口部口徑大于0但小于混于待處理的空氣的選定顆粒的粒徑并且所述凸起部上端與所述基體第一表面密封連，下端的局部區(qū)與所述空氣阻擋部第二表面密封連接從而使所述復(fù)數(shù)凸起部之間的一以上溝槽、空氣阻擋與基體配合形成二流體通道，且處理的空氣僅能過所述第二流體通進(jìn)入第一流體通道81.進(jìn)一步的，所基體的第一表面第二區(qū)域環(huán)繞第一域設(shè)置。82.進(jìn)一步的，所凸起部的第二端局部區(qū)域及所述第流體通道的空氣口均分布在所述空阻擋部于所述基的第一表面上形的正投影內(nèi)。83.進(jìn)一步的，所凸起部的形狀包長條狀或片狀，但限于此。84.進(jìn)一步的，所的復(fù)數(shù)個(gè)凸起部勻分布或非均勻分在所述基體的第表面上。85.進(jìn)一步的，所第一流體通道的氣入口具有規(guī)則或規(guī)則形狀，所述則形狀包括多邊形圓形或橢圓形，不限于此。86.較為優(yōu)選的，述凸起部的寬度1nm～50μm，高度為50nm～200μm87.較為優(yōu)選的，成于相鄰?fù)蛊鸩块g的溝槽開口部的寸為1nm～50μm。88.較為優(yōu)選的，述第一流體通道孔徑為1μm～1mm。89.較為優(yōu)選的，述基體的厚度在1μm以上90.較為優(yōu)選的，述空氣阻擋部的度為0.5μm～200μm。91.較為優(yōu)選的，述凸起部表面還置有功能材料層，述功能材料層的質(zhì)包括光催化材料抗菌材料。92.較為優(yōu)選的，述基體、空氣阻部、凸起部中的至少一者至少局部為透明結(jié)構(gòu)。93.在本發(fā)明的較具體的第五實(shí)施案中，所述過濾芯包括：94.具有第一流體道的基體，所述一流體通道具有空入口和空氣出口所述第一流體通道空氣入口分布于述基體的第一表；95.彼此間隔設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)凸起部，述凸起部固定設(shè)置所述基體的第一面上，并沿橫向在述基體的第一表上連續(xù)延伸，其相鄰?fù)蛊鸩恐g形有可供空氣通過的槽，所述溝槽的口部的口徑大于0但小于混雜于處理的空氣內(nèi)的選定顆的粒徑，以及，中至少兩個(gè)凸起分別與所述第一流通道的空氣入口的背對(duì)的兩側(cè)相鄰置，至少一個(gè)凸部直接從所述第一體通道的空氣入口通過，從而使所復(fù)數(shù)個(gè)凸起部與體之間配合形成與述第一流體通道連的第二流體通道且待處理的空氣能通過所述第二流通道進(jìn)入第一流體道。96.較為優(yōu)選的，述過濾芯片還包：空氣阻擋部，具與所述基體的第表面相對(duì)設(shè)置的第表面，所述第一體通道的空氣入分布在所述空氣阻部于所述基體的第表面上形成的正影內(nèi)，所述復(fù)數(shù)凸起部具有相背對(duì)第一端和第二端，述第一端與所述基體的第一面密封連接，第端的局部區(qū)域與述遮擋部的第二表密封連接。97.較為優(yōu)選的，述復(fù)數(shù)個(gè)凸起部行分布在所述基體第一表面上。98.較為優(yōu)選的，成于相鄰?fù)蛊鸩块g的溝槽的開口部尺寸為1nm～50μm。99.較為優(yōu)選的，述第一流體通道孔徑為1μm～1mm。100.較為優(yōu)選，所述基體的厚在1μm以上。101.較為優(yōu)選，所述凸起部表還設(shè)置有功能材料，所述功能材料的材質(zhì)包括光催化材或抗菌材料。102.較為優(yōu)選，所述空氣阻擋的厚度為0.5μm～200μm。103.較為優(yōu)選，所述基體、空阻擋部、凸起部中至少一者的至少部為透明結(jié)構(gòu)。104.在本發(fā)明較為具體的第六施方案中，所述過濾芯片括：105.具有流體道的基體，以及106.復(fù)數(shù)根線體的聚集體，用對(duì)流經(jīng)所述流體通的、混雜有選定粒的空氣進(jìn)行處理；107.所述聚集分布于所述流體道內(nèi)，并具有多孔構(gòu)，所述多孔結(jié)內(nèi)孔洞的直徑大于0但于所述選定顆粒粒徑。108.進(jìn)一步的所述線形體一端與所述流體通道的壁固定連接，另端沿所述流體通道的向延伸。109.進(jìn)一步的所述復(fù)數(shù)根線形相互交叉或彼此交形成所述多孔結(jié)。110.進(jìn)一步的所述復(fù)數(shù)根線形彼此間隔設(shè)置并平排布形成所述多結(jié)構(gòu)。111.進(jìn)一步的所述基體具有相對(duì)的第一表面和第表面，所述流體道的空氣入口分布于述基體的第一表。112.進(jìn)一步的所述基體的第一面還分布有彼此間設(shè)置的復(fù)數(shù)根豎線形體，所述復(fù)數(shù)根立線形體環(huán)繞所流體通道設(shè)置。113.進(jìn)一步的所述過濾芯片還括空氣阻擋部，所空氣阻擋部具有所述基體的第一表面對(duì)設(shè)置的第三表，并且所述復(fù)數(shù)豎立線形體一端固設(shè)置于所述基體的一表面，另一端所述空氣阻擋部第三表面固定連接其中相鄰豎立線形之間的距離大于0但小于述選定顆粒的粒。114.較為優(yōu)選，所述基體的第一表面還置有功能材料層所述功能材料層的材質(zhì)包括光催材料或抗菌材料115.較為優(yōu)選，所述過濾芯片的至少部分組件具透明結(jié)構(gòu)。116.進(jìn)一步的所述流體通道的氣入口具有規(guī)則或規(guī)則形狀，所述則形狀包括多邊形、形或橢圓形，但限于此。117.較為優(yōu)選，所述流體通道孔徑為1μm～1mm。118.較為優(yōu)選，所述基體的厚在1μm以上。119.進(jìn)一步的所述流體通道的氣入口及復(fù)數(shù)根豎線形體分布在所空氣阻擋部于所述基的第一表面的正影內(nèi)。120.較為優(yōu)選，所述豎立線形的長徑比為4∶1～200000∶1。121.較為優(yōu)選，相鄰豎立線形之間的距離與所述立線形體的長度比值為1∶4～1∶200000。122.較為優(yōu)選，所述線形體的徑為1nm～500μm。123.較為優(yōu)選，所述線形體選納米線或納米管。124.較為優(yōu)選，至少于所述線體表面還分布有光化材料或抗菌材。125.較為優(yōu)選，所述線形體包碳納米線、碳納米、zno納米線、gan納米線、tio2納米、ag納米線、au納米線中的一種或兩種以上組合，但不限于此。126.較之現(xiàn)有術(shù)，本發(fā)明的優(yōu)至少在于：127.1)本發(fā)明供的鼻塞式呼吸過濾性好、呼吸方、舒適感好，可次使用，使用壽命長128.2)本發(fā)明的過濾芯片至少有通量大、流阻小能高效清除空氣微納米級(jí)顆粒等特點(diǎn)還可采用較厚的體，機(jī)械強(qiáng)度高可以(超聲)清洗及多次使用，使用壽命，且優(yōu)選具有自潔功能，同時(shí)其備工藝簡單可控，適于規(guī)模化大批量制。附圖說明129.為了更清地說明本發(fā)明結(jié)特征和技術(shù)要點(diǎn)，面結(jié)合附圖和具實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)詳細(xì)說明。130.圖1為本明一典型實(shí)施例一種鼻塞式呼吸器結(jié)構(gòu)示意圖；131.圖2為本術(shù)第一一實(shí)施例一種過濾芯片的俯圖；132.圖3為本術(shù)第一實(shí)施例中種過濾芯片的局部視圖(a-a向)；133.圖4為本術(shù)第一實(shí)施例中種過濾芯片的制備藝流程圖；134.圖5為本術(shù)第二實(shí)施例中種過濾芯片的俯視；135.圖6為本術(shù)第二實(shí)施例中種過濾芯片的局部視圖；136.圖7為本術(shù)第二實(shí)施例中種過濾芯片的制備藝流程圖；137.圖8為本術(shù)第三實(shí)施例中種過濾芯片的剖視；138.圖9a-圖9e本技術(shù)第三實(shí)施中一些凸起部的向截面圖；139.圖10a-圖10c為技術(shù)第三實(shí)施例中些凸起部的排布意圖；140.圖11a-圖11c為技術(shù)第三實(shí)施例中種過濾芯片的俯圖；141.圖12為本技第四實(shí)施例中一過濾芯片的剖視圖142.圖13為本技第五實(shí)施例中一過濾芯片的剖視圖143.圖14為本技第六實(shí)施例中一過濾芯片的剖視圖144.圖15為本技第七實(shí)施例中一過濾芯片的剖視圖145.圖16為本技第八實(shí)施例中一過濾芯片的制備工流程圖；146.圖17為本技第九實(shí)施例中一過濾芯片的制備工流程圖；147.圖18為本技第十實(shí)施例中一過濾芯片的俯視圖148.圖19為本技第十實(shí)施例中一過濾芯片的局部剖圖；149.圖20為本技第十一實(shí)施例中種過濾芯片的俯視；150.圖21為本技第十二實(shí)施例中種過濾芯片的局部視圖；151.圖22為本技第十三實(shí)施例中種過濾芯片的局部視圖；152.圖23為本技十四實(shí)施例中一過濾芯片的俯視圖153.圖24為本技十五實(shí)施例中一過濾芯片的局部剖圖；154.圖25為本技十六實(shí)施例中一過濾芯片的制備工流程圖。具體實(shí)施方式155.本發(fā)明實(shí)例提供的一種鼻式呼吸器包括：156.鼻塞和過芯片，至少所述塞的一端部能夠插使用者的鼻腔，所述鼻塞包含有與所鼻腔連通的氣體道，所述過濾芯用以濾除混雜于待理氣流內(nèi)的、粒徑于設(shè)定值的顆粒待處理的氣體流所述過濾芯片后進(jìn)所述鼻塞內(nèi)的氣體道；以及，157.過濾芯片護(hù)結(jié)構(gòu)，用以對(duì)述過濾芯片進(jìn)行防。158.在一些實(shí)方案中，所述過芯片防護(hù)結(jié)構(gòu)包括一固定式硬質(zhì)濾和第二固定式硬質(zhì)濾，所述過濾芯片置于第一固定式質(zhì)濾網(wǎng)和第二固定硬質(zhì)濾網(wǎng)之間。159.在一些實(shí)方案中，所述鼻式呼吸器還包括第過濾織物和/或第二過濾織物，所述第一濾織物分布于所鼻塞和過濾芯片間，所述過濾芯片布于第二過濾織物鼻塞之間。160.在一些實(shí)方案中，所述鼻式呼吸器還包括第可拆卸式硬質(zhì)濾和或第二可拆式硬質(zhì)網(wǎng)，所述第一可拆卸式硬濾網(wǎng)與第一過濾物固定連接，所述第二可拆卸硬質(zhì)濾網(wǎng)與第二濾織物固定連接161.較為優(yōu)選，所述鼻塞采用鼓型鼻塞，其可局或整體插入人體腔內(nèi)。162.較為優(yōu)選，所述鼻塞式呼器還包括一兩端開的殼體，所述鼻可拆卸的安裝于所述體一端，所述過芯片容置于所述體內(nèi)。該殼體一方可以實(shí)現(xiàn)對(duì)過濾芯的進(jìn)一步防護(hù)，一方面也可以容前述的各種組件，得該呼吸器結(jié)構(gòu)緊牢固。該殼體優(yōu)采用硬質(zhì)殼體。163.請(qǐng)參閱圖所示是本發(fā)明一型實(shí)施例中的一種塞式呼吸器，其以包括：164.硬質(zhì)外殼11165.嵌入式硬絲網(wǎng)組件，包括向、間隔地設(shè)置于殼11內(nèi)的兩片嵌入式硬質(zhì)絲網(wǎng)12；166.過濾絲織片組件，包括橫、間隔地設(shè)置于外11內(nèi)的兩片過濾絲織物片13，兩片過絲織物片13位于兩片嵌入硬質(zhì)絲網(wǎng)12之間，且分別設(shè)于嵌入式硬質(zhì)絲網(wǎng)12上167.固定式硬絲網(wǎng)組件，包括向、間隔地設(shè)置于殼11內(nèi)的兩片固定式硬質(zhì)絲網(wǎng)14，固式硬質(zhì)絲網(wǎng)14位于兩片過絲織物片13之間；168.過濾芯片16橫向設(shè)置于外殼11內(nèi)，并于兩片固定式硬絲網(wǎng)14之間；169.腰鼓型鼻15，包括連接片體151以及由連接片體151的一面向外凸出的兩個(gè)鼻塞主體152，鼓型鼻塞15經(jīng)接片體151嵌設(shè)于外殼11的內(nèi)腔的一端，且鼻塞主152與外殼11的內(nèi)腔相連通170.優(yōu)選的，入式硬質(zhì)絲網(wǎng)12的兩端分可拆卸的與外殼11的腔壁連接。過濾絲織物13的兩端分別與外殼11的內(nèi)腔相接，其一面與入式硬質(zhì)絲網(wǎng)12固定接，其另一面搭于由外殼11的內(nèi)腔壁凸伸出的凸上。固定式硬質(zhì)絲網(wǎng)14的兩分別固設(shè)于外殼11的內(nèi)腔壁上。濾芯片的兩端分固設(shè)于外殼11內(nèi)腔壁上。171.在本發(fā)明，前述過濾芯片以是采用mems(微機(jī)電系統(tǒng)加工工藝)制的，因此也可以命名為mems過芯片。172.請(qǐng)參閱圖2-3所示，在本發(fā)明的一實(shí)施例(名為第一實(shí)施例)中，一種過濾芯片包括基101，所述基體101具有背對(duì)的第一表面1011和第表面1012，且所述體101內(nèi)分布有若干作為體通道的通孔102，所述第表面設(shè)置有多個(gè)橫梁103(可命名為凸起部)平排布形成的陣，其中有多根橫103直接從通孔102上過以及有多根橫103分布在通孔102兩側(cè)其中，各橫梁103頂部還分布有帽形結(jié)構(gòu)104(簡稱層)，各帽層亦隨各橫梁沿向連續(xù)延伸，并成帽形結(jié)構(gòu)的陣，且待處理的空無法繞過前述帽形構(gòu)的陣列而直接進(jìn)所述通孔102。173.其中，通調(diào)整前述各帽形構(gòu)之間的間距，即形成具有選定尺的開口部(可以稱為微道)，實(shí)現(xiàn)對(duì)空氣中不同粒范圍的顆粒進(jìn)行清處理，特別是，當(dāng)將這些形結(jié)構(gòu)的間距控在納米級(jí)時(shí)，可去除空氣中的極微的顆粒(納米級(jí)的顆)。174.前述橫梁以為條狀，并具有較大的度和厚度，使得些橫梁可具有較高機(jī)械強(qiáng)度，使對(duì)帽形層形成較的支撐，而各橫的間距可以較大，提供較大的空氣通。175.前述帽層可以具有較大的度，其兩側(cè)沿側(cè)向延，使相鄰帽層間距可以達(dá)到很小，如可以低至1nm，因此可截留混雜于待處的空氣內(nèi)的極小的顆粒。176.前述帽層以與凸起部一體置，例如可以通過發(fā)、沉積、生長典型的如金屬濺射mocvd、pecvd、電化學(xué)沉等)技術(shù)直接形成于所述起部上部，并且所述帽結(jié)構(gòu)亦可隨所述起部沿橫向連續(xù)伸，從而使相鄰帽結(jié)構(gòu)之間形成沿橫連續(xù)延伸的開口，如此一方面可保證對(duì)混雜于待處的空氣內(nèi)的選定顆的處理，亦還保很高的通量，且低了加工難度，節(jié)了成本。177.前述帽層材質(zhì)可以選自絕介質(zhì)材料如氧化硅氮化硅氧化鋁、磷硅玻璃等，或者半體材料如si、zno、gan、tio2、inn等或金屬材料如ag、au、al、ni、cr、ti，但不限于此。178.其中，所基體101可以具有較大的度，使其對(duì)前述/納米片陣列形成較好的支撐，同還可進(jìn)一步增強(qiáng)述過濾芯片的機(jī)強(qiáng)度，使所述過濾片耐壓、耐彎折、碰撞、耐沖擊，進(jìn)而使其以在多種環(huán)境中用而不致?lián)p壞，例如可以應(yīng)于對(duì)高壓、高速氣進(jìn)行處理，這功能是現(xiàn)有的多孔等無法企及的。179.其中，所過濾芯片各部分(101、102103、104)的材料選擇圍是多樣的，可以是無機(jī)料，也可以是有材料，例如金屬非金屬無機(jī)材料、料、陶瓷、半導(dǎo)、玻璃、聚合物。當(dāng)這些部分都擇使用無機(jī)材料時(shí)所述過濾芯片還具耐溫度變化的特，可以處理高溫低溫空氣。180.采用前述計(jì)的過濾芯片可(超聲)清洗，多次使用，仍舊保持良好的空氣處理能力。181.當(dāng)利用所的過濾芯片對(duì)空進(jìn)行處理時(shí)，含有質(zhì)顆粒的空氣(空氣流向如圖3中帶有虛線箭頭所示)在進(jìn)入前述帽形構(gòu)的陣列時(shí)，其粒徑大于一定數(shù)值的顆粒(或些與空氣不相容液滴，例如空氣中水滴或油中的水被阻擋在前述帽結(jié)構(gòu)的陣列之外之后空氣經(jīng)由各形結(jié)構(gòu)之間的開口到達(dá)通孔102的入口后再進(jìn)入通孔102，實(shí)現(xiàn)對(duì)氣的凈化和/或者對(duì)所顆粒(液滴)的富集收。182.在該實(shí)施的一些具體應(yīng)用案中，前述各帽層間隙可以為1nm～50μm，帽層的高度可以為50nm～200μm183.在該實(shí)施的一些具體應(yīng)用案中，前述通孔的徑可以為1μm～1mm，前述基體的厚度以＞1μm。184.在該實(shí)施的一些具體應(yīng)用案中，前述橫梁的度可以為0.1μm～400μm，寬度以為0.1um～100μm，各橫梁間距可以為0.1μm～100μm。185.形成于相帽形層及相鄰橫之前的開口部的縱截面可以是規(guī)則不規(guī)則形狀的，例如以是梯形、多邊(三角形、四邊形或其它)、圓形橢圓形、星形等等。186.前述橫梁帽形層可以規(guī)則不規(guī)則、均勻或非勻的分布在所述體的第一表面上。187.另外，在第一實(shí)施例中，述通孔102的形狀可以是多樣的例如可以是圓形、正方、長方形或其它狀。188.在本技術(shù)其它一些實(shí)施例，一種過濾芯片可具有與前述實(shí)施中任一者相似的結(jié)構(gòu)不同之處在于：橫梁、帽形層及體表面還可設(shè)置有催化材料層。在以含光催化材料層過濾芯片對(duì)空氣行處理時(shí)，若輔以外光照等，還可對(duì)氣中的一些有機(jī)染物等進(jìn)行光催降解，實(shí)現(xiàn)對(duì)空氣多重凈化。189.其中，為于光線透入，所帽形層、橫梁及基中的部分或全部以由透明材料制成。本實(shí)施例的一些體實(shí)施方案中，述帽形層、橫梁可整體由透明材料制，例如光線射入190.其中，較典型的光催化材可以是二氧化鈦等但不限于此。191.其中，為成所述光催化材層，本領(lǐng)域技術(shù)人可以采用業(yè)界已的多種方式，例如涂布旋涂、噴涂、印刷等)、物或化學(xué)氣相沉積(如mocvd、pecvd、原子層沉等)、濺射等等，且不限于。192.其中，所光催化材料層的度可以被控制在納級(jí)，以盡量減少對(duì)所述過濾芯片的空通量的影響。193.該實(shí)施例所采用的基體、形層、橫梁、通孔的結(jié)構(gòu)、設(shè)置形、材質(zhì)等可與前文述的相同或相似，而此處不再贅述194.在本技術(shù)其它一些實(shí)施例，一種過濾芯片可具有與前述實(shí)施例中任一者相似的結(jié)構(gòu)不同之處在于：橫梁、帽形層及體表面還可設(shè)置有菌材料層。在以包抗菌材料層的過芯片對(duì)空氣進(jìn)行理時(shí)，可以在空氣處理過程中，同步殺空氣中的細(xì)菌病毒等，實(shí)現(xiàn)對(duì)氣的多重凈化。195.其中，較典型的抗菌材料以是諸如au、ag等貴金屬等，但限于此。196.其中，為成所述抗菌材料，本領(lǐng)域技術(shù)人員以采用業(yè)界已知多種方式，例如涂(旋涂、噴涂、刷等)、物理或化學(xué)氣相沉(如mocvd、pecvd、原子層沉等)、濺射等等，且不限于。197.其中，所抗菌材料層的厚可以被控制在納米，以盡量減少其所述過濾芯片的空氣量的影響。198.該實(shí)施例所采用的基體、形層、橫梁、通孔的結(jié)構(gòu)、設(shè)置形、材質(zhì)等可與前文述的相同或相似，而此處不再贅述199.本技術(shù)的述過濾芯片可以過物理、化學(xué)方法備，例如可以是學(xué)生長法、物理加工法等，特是mems(微機(jī)電系統(tǒng)，microelectromechanicalsystems)法等。200.在本技術(shù)另一些實(shí)施例中一種過濾芯片的制工藝可以包括如步驟：201.s1：提供底(例如硅片)；202.s2：在襯的一側(cè)表面(命名為第一表)上光刻出微納米尺度線條，即形成圖形化的光膠掩模；203.s3：在所襯底的第一表面蝕(rie、icp、濕法腐蝕、電化學(xué)蝕等)出微納米尺度的多橫梁，之后除去述光刻膠掩模；204.s4：在所襯底的與第一表相背對(duì)的另一側(cè)表(命名為第二表面)上設(shè)置光刻膠刻蝕掩；205.s5：對(duì)所襯底的該另一側(cè)面進(jìn)行刻蝕，直至所述襯底的該另側(cè)表面形成作為流體道的通孔；206.s6：除去刻膠刻蝕掩模，后在有襯底的有橫一側(cè)的表面蒸鍍沉積或生長帽層結(jié)構(gòu)蒸鍍或沉積或生工藝過程中存在向延伸的現(xiàn)象，能夠帽層間隙隨著厚的增加而減小，小可以達(dá)到幾個(gè)米。207.s7：劃片封裝，制得過濾片(該步驟在圖中未示出)。208.前述各步中采用的刻蝕方還可以是光刻、機(jī)刻蝕、干法刻蝕濕法刻蝕等。209.例如，在述步驟中，形成形化的光刻膠掩模方法包括：光刻術(shù)、納米小球掩膜技、納米(金屬)顆粒掩膜技等，且不限于此210.顯然，該一實(shí)施例中過濾片的制備工藝是簡可控的，適合批化大規(guī)模生產(chǎn)，且所過濾芯片至少具如下優(yōu)點(diǎn)：(1)通量大，流阻小(2)物理過濾，能有效清大于納米縫隙的粒；(3)跨越式橫梁和較大的襯厚度，可以保證高機(jī)械強(qiáng)；(5)可以(超聲)清洗，多次用。211.請(qǐng)參閱圖所示，在本技術(shù)第二實(shí)施例中，一過濾芯片包括基201，所述基體201具有背對(duì)的第一表面2011和第表面2012，且所述體201上分布有若作為流體通道的通204。所述第一表面2011上設(shè)置平行排布的多根橫梁203，述橫梁203在所第一表面上沿向連續(xù)延伸，其的若干橫梁203從述通孔204上連續(xù)跨過，因此可以被視為跨越橫梁203。其中任一橫203上均分布有多根納米202，該多根納米線202的一端均固定于該任一梁203表面，另一端沿逐遠(yuǎn)離該任一橫梁203的向斜向延伸(亦可認(rèn)為是向延伸)，并與分布在相鄰該任一橫梁203的另一梁上的多根納米線202互交叉，從而形所述多孔結(jié)構(gòu)205。請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D5，所述多孔結(jié)構(gòu)205以視的視角觀察為蓋所述通孔204的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。所多孔結(jié)構(gòu)205中孔洞的徑大于0但小于混雜于待處理流體內(nèi)的選定顆的粒徑。而請(qǐng)參閱圖5-6，可以看到該多根納米線102交叉成的多孔結(jié)構(gòu)205與所述基體201的一表面2011配合形成另一體通道，使得待理的流體206僅能通過該一流體通道進(jìn)入所通孔204。212.其中，因述納米線具有較的高徑比(或者長徑比)，使得這納米線可密集排布于所述體的第一表面，過調(diào)整前述橫梁間的間距以及這些米線的密度、長度延伸方向等，即對(duì)流體中不同粒范圍的顆粒進(jìn)行清處理，特別是，當(dāng)用的均是納米線，通過將這些納線交叉形成的孔洞徑控制在納米級(jí)，僅可以去除流體的極微小的顆粒而且因納米線自身徑極小，還可使其于流體的阻力被制在很低的水平并形成很大的流體通，遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有多孔膜、基于橫流道的過濾芯片等213.其中，若考業(yè)界已知的方，將前述的納米線排布方式進(jìn)行一的設(shè)計(jì)，還可使之形超疏水結(jié)構(gòu)、超油結(jié)構(gòu)，不僅可清除流體中的顆粒且還可通過自清潔用，使被阻擋的粒無法在所述過芯片的功能區(qū)域(納米線陣列表面)積聚，免所述過濾芯片長期使用后失效。214.其中，所橫梁203可以在所述基體201的第一面2011上以合的密度分布，以使所述濾芯片具有盡可高的流體處理通。以及，所述橫梁可具有合適的寬，以使所述橫梁203在具足夠的機(jī)械強(qiáng)度同時(shí)，還可避免對(duì)所述過濾芯的通量造成過多響。例如，所述梁的高度可以為0.1μm～100μm，寬可以為0.1μm～400μm，橫梁之的間距可以為0.1μm～100μm。215.其中，所基體201可以具有較大的度及所述橫梁203可以有較大的高度，使其對(duì)前納米線陣列形成好的支撐，同時(shí)可進(jìn)一步增強(qiáng)所述濾芯片的機(jī)械強(qiáng)度使所述過濾芯片壓、耐彎折、耐撞、耐沖擊，進(jìn)而其可以在多種環(huán)境應(yīng)用而不致?lián)p壞例如可以應(yīng)用于高壓、高速流體進(jìn)處理，這一功能是有的多孔膜等無企及的。216.其中，所過濾芯片各部分(201、202203)的材料選擇范圍是樣的，可以是無機(jī)材料，可以是有機(jī)材料當(dāng)這些部分都選使用無機(jī)材料時(shí)，述過濾芯片還具有溫度變化的特性可以處理高溫和溫流體。217.采用前述計(jì)的所述的過濾片可以(超聲)清洗，多次使用，仍舊保持良好的流體處理力。218.當(dāng)利用所的過濾芯片對(duì)流進(jìn)行處理時(shí)，含有質(zhì)顆粒的流體在入前述多孔結(jié)構(gòu)205時(shí)其中粒徑大于一數(shù)值的顆粒(或一些與流體不相容液滴，例如空氣中水滴或油中的水)被阻擋在前述多孔結(jié)構(gòu)205之，之后流體經(jīng)由各納米線間的間隙到達(dá)通204的入口處后再進(jìn)入通204，實(shí)現(xiàn)對(duì)流體的凈化和/或?qū)λ桀w粒(液滴)的富集收。219.請(qǐng)?jiān)俅螀D5所示，在該實(shí)施例的些具體應(yīng)用方案，前述納米線202的直徑和間可以為1nm～50μm，長6度(高度可以為50nm～200μm。述通孔104的孔徑以為1μm～1mm。所述基體厚度可以在1μm以上220.前述納米的橫向截面結(jié)構(gòu)以是規(guī)則或不規(guī)則狀的，例如可以多邊形(三角形、四邊或其它)、圓形、橢圓形、形等等。221.前述納米202可以規(guī)則或不規(guī)則、勻或非均勻的分在所述基體201的第一表面上。222.由這些納線202形成的陣列可具有疏水結(jié)構(gòu)，進(jìn)而得所述過濾芯片具有自清潔功能223.前述的納線202可以優(yōu)選自碳納米、碳納米管、zno納米線、gan納米線、tio2納米、ag納米線、au納米線等，不限于此。224.前述納米202可以通過外界轉(zhuǎn)移、位生長(例如化學(xué)生長、化學(xué)生長)或沉積(例物理、化學(xué)氣相積，電沉積)等方式固定于所述基表面或者于所述基體表面長形成。225.前述通孔204的狀(特別是橫向截面的形狀)可以是多的，例如可以是圓形、正方形、長方形、形、多邊形或其規(guī)則或不規(guī)則形。226.在該實(shí)施的一些具體應(yīng)用案中，所述納米線202可以由光催化材料或具有抗菌、殺菌能的材料形成，者，所述納米線202也可以是表覆蓋有光催化材料或具殺菌、抗菌功能材料形成的涂層227.例如，所納米線202可采用zno納線、gan納米線、tio2米線等具有光催化的性質(zhì)納米線，在光輔照射下，能夠降流體中的有機(jī)物。228.例如，所納米線202可采用ag納米、au納米線等，以殺滅流中的細(xì)菌、病毒、微物。229.在該實(shí)施的一些具體應(yīng)用案中，所述基體201的第一表面2011上設(shè)置有光催化材料或抗菌材料層等230.在以包含催化材料層的過芯片對(duì)流體進(jìn)行處時(shí)，若輔以紫外照等，還可對(duì)流體的一些有機(jī)污染等進(jìn)行光催化降，實(shí)現(xiàn)對(duì)流體的多凈化。231.其中，為于光線透入，所基體、凸起部、納線中的部分或全可以由透明材料制成232.其中，較典型的光催化材可以是二氧化鈦等但不限于此。233.其中，為成所述光催化材層，本領(lǐng)域技術(shù)人可以采用業(yè)界已的多種方式，例如涂布旋涂、噴涂、印刷等)、物或化學(xué)氣相沉積(如mocvd、pecvd、原子層沉等)、濺射等等，且不限于。234.其中，所光催化材料層的度可以被控制在納級(jí)，以盡量減少對(duì)所述過濾芯片的流通量的影響。235.而在以包抗菌材料層的過芯片對(duì)流體進(jìn)行處時(shí)，可以在流體處理過程中，同步滅流體中的細(xì)菌、毒等，實(shí)現(xiàn)對(duì)流的多重凈化。236.其中，較典型的抗菌材料以是諸如au、ag等貴金屬等，但限于此。237.其中，為成所述抗菌材料，本領(lǐng)域技術(shù)人員以采用業(yè)界已知多種方式，例如涂(旋涂、噴涂、刷等)、物理或化學(xué)氣相沉(如mocvd、pecvd、原子層沉等)、濺射等等，且不限于。238.其中，所抗菌材料層的厚可以被控制在納米，以盡量減少其所述過濾芯片的流體量的影響。239.本技術(shù)的述過濾芯片可以過物理、化學(xué)方法備，例如可以是學(xué)生長法、物理加工等，特別是mems(微機(jī)電統(tǒng)，microelectromechanicalsystems)法等240.例如，請(qǐng)閱圖7所示，在該實(shí)施例，一種過濾芯片制備工藝可以包括如下步驟：241.s1：在襯(例如硅片)的第一表面上積用于納米線生的種子層。242.s2：在所種子層上設(shè)置圖化的光刻膠掩模，包含光刻出微納尺度的線條。243.s3：利用述光刻膠掩模對(duì)述襯底的第一表面行刻蝕，從而在述襯底的第一表面形彼此間隔設(shè)置的根微納米尺度的梁結(jié)構(gòu)，之后除去述光刻膠掩模。244.s4：在所襯底的第二表面設(shè)置光刻膠形成的形化刻蝕掩模。245.s5：對(duì)所襯底的第二表面行刻蝕，并刻蝕至述橫梁底部，從在所述襯底的第二表形成用作流體通的槽孔，并除去刻膠。246.s6：在種層上生長納米線控制納米線的生長件，使納米線有定的側(cè)向生長比率，且形成微納米尺的交叉網(wǎng)格。247.s7：劃片封裝，制得過濾片。248.前述各步中采用的刻蝕方可以是光刻、機(jī)械蝕、干法刻蝕、法刻蝕等。249.例如，在述步驟中，形成形化(納米圖形)的光刻膠掩模的法包括：光刻技術(shù)、納米球掩膜技術(shù)、納(金屬)顆粒掩膜技術(shù)等，且不限此。250.例如，在述步驟中，可通業(yè)界已知的方式，如rie、icp、濕法腐蝕、電化學(xué)腐蝕刻蝕出橫梁203、通孔204等。251.顯然，本術(shù)過濾芯片的制工藝是簡單可控的適合批量化大規(guī)生產(chǎn)。252.請(qǐng)參閱圖及圖11a-圖11b所示，在技術(shù)的第三實(shí)施中，一種過濾芯片包括基體301所述基體301具有第一表301a，且所述基體301的第一區(qū)域3011(圖中虛圍合的區(qū)域)分布有若干作流體通道的通孔304，述第一表面上設(shè)置有根豎直微/納米線/管303(，微米級(jí)的線、米級(jí)的管、納米線、納米管中的一種或多種的組)形成的陣列，分布在環(huán)第一區(qū)域3011的第二區(qū)域3012內(nèi)的述通孔304分布的多根微/納米線/303的頂部還接有流體阻擋部302所述流體阻擋部302設(shè)置于述通孔304的流體入口上方，使待處理的體無法繞過前述微/納米線/管陣列而直接進(jìn)入所通孔304，所述流體阻部302具有與所述第一表3011相對(duì)設(shè)置的第二表302b。而在所第一表面3011的其余區(qū)域3013(命名為第三區(qū)域)內(nèi)亦可密集分布多根豎直微納米線/管303。在圖8中帶有虛線的箭頭出了流體的行進(jìn)方向。253.其中，因述微/納米線/管具有較大高徑比(或者長徑比)，得這些微/納米線/管可密集布于所述基體的一表面，通過調(diào)整些微/納米線/管的間距，即可對(duì)流體不同粒徑范圍的粒進(jìn)行清除處理特別是，當(dāng)采用的是納米線/管時(shí)，通將這些納米線/管之間的間控制在納米級(jí)，不可以去除流體中的極微小顆粒，而且因納線/管自身直徑極小，還使其對(duì)于流體的阻力被控制在很的水平，并形成大的流體通量，遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有的多孔、基于橫向流道過濾芯片等。254.其中，若考業(yè)界已知的方，將前述的微/納米線/管陣列進(jìn)一定的設(shè)計(jì)，還可使之形超疏水結(jié)構(gòu)、超油結(jié)構(gòu)，不僅可清除流體中的顆粒且還可通過自清潔用，使被阻擋的粒無法在所述過芯片的功能區(qū)域(微/納米線/管陣列表面)積，避免所述過濾片在長期使用后失。255.其中，所基體301可以具有較大的度，使其對(duì)前述/納米線/管陣列形成較好的支撐同時(shí)還可進(jìn)一步強(qiáng)所述過濾芯片機(jī)械強(qiáng)度，使所述濾芯片耐壓、耐彎、耐碰撞、耐沖，進(jìn)而使其可以多種環(huán)境中應(yīng)用而致?lián)p壞，例如可以用于對(duì)高壓、高流體進(jìn)行處理，一功能是現(xiàn)有的多膜等無法企及的。256.其中，所流體阻擋部可以片狀的，其厚度等依據(jù)實(shí)際應(yīng)用需而調(diào)整。257.其中，所過濾芯片各部分(301、302303、304)的材料選擇圍是多樣的，可以是無機(jī)料，也可以是有材料，例如金屬非金屬無機(jī)材料、料、陶瓷、半導(dǎo)、玻璃、聚合物。當(dāng)這些部分都擇使用無機(jī)材料時(shí)所述過濾芯片還具耐溫度變化的特，可以處理高溫低溫流體。258.采用前述計(jì)的所述的過濾片可以(超聲)清洗，多次使用，仍舊保持良好的流體處理能力。259.當(dāng)利用所的過濾芯片對(duì)流進(jìn)行處理時(shí)，含有質(zhì)顆粒的流體在入前述微/納米線303成的陣列時(shí)，其粒徑大于一定數(shù)值顆粒(或一些與流體不相容的液滴，如空氣中的水滴油中的水滴)被阻擋在前述微/納線/管陣列之外，之后流經(jīng)由各微/納米線/管之間間隙到達(dá)通孔304的入處后再進(jìn)入通孔304，現(xiàn)對(duì)流體的凈化和/或?qū)λ桀w粒(液滴)的富回收。260.請(qǐng)?jiān)俅螀D8所示，在該第三實(shí)施的一些具體應(yīng)用案中，前述微/納米線的直徑可以1nm～50μm，長度(高度)h1可以為50nmμm，相鄰微/納米線之間的距可以為1nm～50μm。所述孔304的孔徑w可以為1μm～1mm。所述基體的度h2可以在1μm以上。述流體阻擋部的厚度h3可以為0.5μm～200μm。261.請(qǐng)?jiān)俅螀D9a一圖9e，前述微/納線的橫向截面結(jié)可以是規(guī)則或不規(guī)則形狀的，例可以是多邊形(三角形、四邊或其它)、圓形、橢圓、星形等等。262.請(qǐng)?jiān)俅螀D10a-圖10c，前述微/納線可以規(guī)則或不規(guī)、均勻或非均勻的分布在所述體的第一表面上在一些較為具體應(yīng)用方案中，相鄰納米線的平均間距1nm～50μm。263.另外，請(qǐng)閱圖11a-圖11c，在該第實(shí)施例中，前述孔304和流體阻擋部302的形狀特別是橫向截面形狀)可以是多樣的，例如以是圓形、正方形、長方形或它形狀。264.請(qǐng)參閱圖12示，較為優(yōu)選的在本技術(shù)的第四實(shí)例中，一種過濾片包括基體401，述基體401具有第一表面與該第一表面相對(duì)的和第三表面，且所述基體401上布有若干作為體通道的通孔404，所述第表面上設(shè)置有多根豎直微納米線/管403形成的陣列環(huán)繞所述通孔404分布多根微/納米線/管403的部還連接有流體擋部402，所述流體阻擋部402設(shè)置于所述通孔404的體入口上方，使處理的流體無法繞前述的微/納米線/管陣列而直接入所述通孔404。并且，在所通孔404周圍還對(duì)稱或?qū)ΨQ的分布有一個(gè)以的，例如四根支體405，藉由所述支撐體405還增加對(duì)所述流體阻擋部402的撐，實(shí)現(xiàn)流體擋部與基體之間為牢固穩(wěn)定的配合，并可有效的分布在流體阻擋與基體之間的微/納米線/管陣列成保護(hù)，避免因流體擋部和/或基體在受到外力作后，對(duì)前述微/納米線/管陣列擠壓而造成的/納米線/管403坍塌、損等問題。265.其中，所支撐體可以是多形態(tài)的，例如可以有矩形、梯形、階形縱向截面(此處的向可理解為垂直所述基體第一表面方向)等等，且不限于此。在該第二施例的一些具體施方案中，所述撐體可以為自所述孔404邊緣部向上出形成的凸臺(tái)等，上端連接所述流阻擋部402。266.其中，所支撐體的數(shù)量、徑、分布密度等可據(jù)實(shí)際需要而調(diào)，但應(yīng)盡量少的占用述基體第一表面空間，避免其對(duì)述微/納米線的流體通量造成大的影響。267.該第二實(shí)例中所采用的基、微/納米線/管陣列、流體阻擋、通孔等的結(jié)構(gòu)、設(shè)置形、材質(zhì)等可與前述及的相同或相，故而此處不再贅。268.請(qǐng)參閱圖13示，較為優(yōu)選的在本技術(shù)的第五實(shí)例中，一種過濾片包括基體501，述基體501具有第一表面與該第一表面相對(duì)的和第三表面，且所述基體501上布有若干作為體通道的通孔504，所述第表面上設(shè)置有多根豎直微納米線/管503形成的陣列，環(huán)繞所通孔504分布的多根微/納米/管503的頂部還連接流體阻擋部502，所流體阻擋部502設(shè)置于所通孔504的流體入口上，使待處理的流體無法過前述的微/納米線/管陣而直接進(jìn)入所述孔504。并且，在所述通孔504上架設(shè)有一根以的，例如對(duì)稱或?qū)ΨQ排布的多根撐梁505，藉由述支撐梁505還可增加對(duì)述流體阻擋部502的支，實(shí)現(xiàn)流體阻擋部與基之間更為牢固穩(wěn)的配合，并可有的對(duì)分布在流體阻部與基體之間的/納米線/管陣列形成保護(hù)避免因流體阻擋和/或基體在受到外力作用后，對(duì)述微/納米線/管陣列擠壓造成的微/納米線/管503坍塌損毀等問題。269.其中，所支撐梁可以是多形態(tài)的，例如可以橋形等，且不限此。且進(jìn)一步的，所支撐梁還可與其支撐體配合，例第五實(shí)施例中述及支撐體配合。270.其中，所支撐梁的數(shù)量、寸、分布密度等可據(jù)實(shí)際需要而調(diào)，但應(yīng)盡量少的遮擋述通孔的流體入，避免其對(duì)所述濾芯片的流體通量成大的影響。271.該第五實(shí)例中所采用的基、微/納米線/管陣列、流體阻擋、通孔等的結(jié)構(gòu)、設(shè)置形、材質(zhì)等可與前述及的相同或相，故而此處不再贅。272.請(qǐng)參閱圖14示，較為優(yōu)選的在本技術(shù)的第六實(shí)例中，一種過濾片包括基體601，述基體601具有第一表面6011和該第一表面相背對(duì)第三表面6012，且述基體601上分布有若干作流體通道的通孔604，述第一表面上設(shè)置有多豎直納米柱603形成的陣，環(huán)繞所述通孔604分的多根納米柱603的頂部連接有流體阻擋602，所述流體阻擋部602設(shè)置于所通孔604的流體入上方，使待處理流體無法繞過前述納米柱陣列而直進(jìn)入所述通孔604并且，在所述納柱603表面及所述基體601的第一表上還設(shè)置有光催材料層605。在以包含光化材料層605的過濾芯對(duì)流體進(jìn)行處理時(shí)，輔以紫外光照等還可對(duì)流體中的一有機(jī)污染物等進(jìn)光催化降解，實(shí)現(xiàn)對(duì)體的多重凈化。273.其中，為于光線透入，所流體阻擋部、基體凸起部中的部分全部可以由透明材料成。在本實(shí)施例一些具體實(shí)施方中，所述流體阻擋可以整體由透明材制成，例如光線入。274.其中，較典型的光催化材可以是二氧化鈦等但不限于此。275.其中，為成所述光催化材層605，本領(lǐng)域技術(shù)人員以采用業(yè)界已知的多種方式，例涂布(旋涂、噴涂、印刷等)、物或化學(xué)氣相沉積(如mocvd、pecvd原子層沉積等)、濺射等等且不限于此。276.其中，所光催化材料層605的厚度以被控制在納米，以盡量減少其對(duì)所述過濾芯片流體通量的影響277.該第六實(shí)例中所采用的基、微/納米線/管陣列、流體阻擋、通孔等的結(jié)構(gòu)、設(shè)置形、材質(zhì)等可與前述及的相同或相，故而此處不再贅。278.請(qǐng)參閱圖15示，較為優(yōu)選的在本技術(shù)的第七實(shí)例中，一種過濾片包括基體701，述基體701具有第一表面7011和該第一表面相背對(duì)第三表面7012，且述基體701上分布有若干作流體通道的通孔704，述第一表面上設(shè)置有多豎直納米柱703形成的陣，環(huán)繞所述通孔704分的多根納米柱703的頂部連接有流體阻擋702，所述流體阻擋部702設(shè)置于所通孔704的流體入上方，使待處理流體無法繞過前述納米柱陣列而直進(jìn)入所述通孔704并且，在所述納柱703表面及所述基體701的第一表上還設(shè)置有抗菌材料705。在以包含抗菌材料705的過濾芯片對(duì)流體行處理時(shí)，可以在流體處理過程中，同滅殺流體中的細(xì)、病毒等，實(shí)現(xiàn)對(duì)體的多重凈化。279.其中，較典型的抗菌材料以是諸如au、ag等貴金屬等，但限于此。280.其中，為成所述抗菌材料705，本領(lǐng)域技術(shù)人員可采用業(yè)界已知的多種方式，例如布(旋涂、噴涂、印刷等)、物理化學(xué)氣相沉積(如mocvd、pecvd、原子層沉等)、濺射等等，且不限于。281.其中，所抗菌材料層705的厚度可被控制在納米級(jí)以盡量減少其對(duì)所述過濾芯片的體通量的影響。282.該第七實(shí)例中所采用的基、微/納米線/管陣列、流體阻擋、通孔等的結(jié)構(gòu)、設(shè)置形、材質(zhì)等可與前述及的相同或相，故而此處不再贅。283.本技術(shù)的述過濾芯片可以過物理、化學(xué)方法備，例如可以是學(xué)生長法、物理加工等，特別是mems(微機(jī)電統(tǒng)，microelectromechanicalsystems)法等284.例如，請(qǐng)閱圖16所示，在本技術(shù)的八實(shí)施例中，一種濾芯片的制備工藝可以包括如步驟：285.s1：在襯(例如硅片)的一側(cè)表面(定為第一表面a)上設(shè)置圖形的光刻膠掩模；286.s2：對(duì)所襯底的第一表面行刻蝕，從而在所襯底的第一表面成彼此間隔設(shè)置的多垂直納米線，之除去所述第一光膠掩模；287.s3：在所襯底的第一表面布可溶性或可腐蝕有機(jī)物和/或無機(jī)物，并使有機(jī)物和/或無物填充各垂直納線之間的間隙，形犧牲層；288.s4：在所犧牲層上設(shè)置光膠，并進(jìn)行光刻；289.s5：對(duì)所犧牲層進(jìn)行刻蝕使分布在所述襯底第一表面的第二中的多根垂直納米項(xiàng)部暴露出，之除去光刻膠；290.s6：在所襯底的第一表面置光刻膠掩模，并所述襯底第一表上的、與所述流體擋部相對(duì)應(yīng)的區(qū)暴露出；291.s7：在暴出的、與所述流阻擋部相對(duì)應(yīng)的區(qū)內(nèi)沉積形成流體擋部；292.s8：剝離去光刻膠；293.s9：在所襯底的第二表面設(shè)置圖形化的刻蝕模；294.s10：對(duì)所述底的與第一表面背對(duì)的另一側(cè)表面(定為第三表面b)進(jìn)行刻蝕，直至露填充在相鄰垂直米線之間的犧牲料，從而在所述襯的第三表面形成槽，所述槽孔所在置與所述襯底的一表面的第一區(qū)域?qū)?yīng)，所述襯底的一表面的第二區(qū)環(huán)繞所述第一區(qū)設(shè)置；295.s11：除去所刻蝕掩模及填充各垂直納米線之間犧牲材料，制得濾芯片。296.前述各步中采用的刻蝕方可以是光刻、機(jī)械蝕、干法刻蝕、法刻蝕等。297.例如，在述步驟s1中，形成圖形化納米圖形)的光刻膠掩模方法包括：光刻技術(shù)、米小球掩膜技術(shù)納米(金屬)顆粒掩膜技術(shù)等，且限于此。298.例如，在述步驟s2中，可通過業(yè)界知的方式，例如rie、icp濕法腐蝕、電化學(xué)腐等刻蝕出垂直納線陣列。299.例如，在述步驟s3中，填充的可溶有機(jī)物可以是光刻等或可腐蝕無機(jī)物如金屬、sio2、化硅等。300.例如，在述步驟s10中，可通過業(yè)已知的方式，例rie、icp、濕法腐蝕、電化學(xué)腐等刻蝕出所述槽。301.顯然，本術(shù)過濾芯片的制工藝是簡單可控的適合批量化大規(guī)生產(chǎn)。302.請(qǐng)參閱圖17示，在本技術(shù)的九實(shí)施例中，一種濾芯片的制備工可以包括如下步驟303.s1：在襯(例如硅片)的第一表面生形成彼此間隔設(shè)的多根豎直納米線/管；304.s2：在所襯底的第一表面布可溶性或可腐蝕有機(jī)物和/或無機(jī)物，并使有機(jī)物和/或無物填充各豎直納線/管之間的間隙，形成犧牲；305.s3：在所犧牲層上設(shè)置光膠，并進(jìn)行光刻；306.s4：對(duì)所犧牲層進(jìn)行刻蝕使分布在所述襯底第一表面的第二域中的多根豎直納米頂部暴露出，之除去光刻膠；307.s5：在所襯底的第一表面置光刻膠掩模，并所述襯底第一表上的、與所述流體擋部相對(duì)應(yīng)的區(qū)暴露出；308.s6：在暴出的、與所述流阻擋部相對(duì)應(yīng)的區(qū)內(nèi)沉積形成流體擋部；309.s7：剝離去光刻膠；310.s8：在所襯底的與第一表相背對(duì)的第三表面設(shè)置圖形化的刻掩模；311.s9：對(duì)所襯底的第三表面行刻蝕，直至露出充在相鄰垂直納線之間的犧牲材料，而在所述襯底的三表面形成槽孔所述槽孔所在位置所述襯底的第一表的第一區(qū)域相對(duì)，所述襯底的第表面的第二區(qū)域環(huán)所述第一區(qū)域設(shè)置312.s10：除去所刻蝕掩模及填充各垂直納米線之間犧牲材料，制得濾芯片。313.前述步驟用以生長形成豎納米線/管的方式可以選自mocvdpecvd、電化學(xué)沉積等業(yè)已知的多種方式314.前述各步中采用的刻蝕方可以是光刻、機(jī)械蝕、干法刻蝕、法刻蝕等。315.例如，前步驟中形成圖形(納米圖形)的光刻膠掩模的方法括：光刻技術(shù)、納米小球膜技術(shù)、納米(金屬)顆粒膜技術(shù)等，且不于此。316.例如，在述步驟中可通過界已知的方式，例rie、icp、濕法腐蝕、電化學(xué)腐蝕等對(duì)底進(jìn)行刻蝕。317.例如，在述步驟中，填充可溶性有機(jī)物可以光刻膠等或可腐無機(jī)物如金屬、sio2、sin等。318.請(qǐng)參閱圖18示，在本技術(shù)的十實(shí)施例中，一種濾芯片包括基體801，所述基體801具有背對(duì)的第一表面8011和第表面8012，且所述體801上的第一區(qū)8013分布有若干作為流體道的通孔804，所述第表面的第二區(qū)域8014置有多個(gè)微/納米片803(微片和/或納米片)平行排布成的陣列，環(huán)繞所述孔804分布的多根微/納米片803的頂部的局部區(qū)域與體阻擋部802連接，所流體阻擋部802設(shè)置于所述通804的流體入口上方，待處理的流體無繞過前述的微/納米片陣列而接進(jìn)入所述通孔804。319.其中，因述微/納米片微/納米片具較薄的厚度，使這些微/納米片微/納米片可密集排于所述基體的一表面，通過調(diào)這些微/納米片的間距，即可形成具有選尺寸的開口部的槽(可以稱為微流道)，實(shí)現(xiàn)對(duì)流中不同粒徑范圍的顆粒行清除處理，特別是，當(dāng)用的均是納米片，通過將這些納片之間的間距控制在納米級(jí)，不僅可以除流體中的極微的顆粒，而且因米片自身厚度極小還可使其對(duì)于流體阻力被控制在很的水平，并形成大的流體通量(特別是納米片具有較高的度時(shí))，遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有的多孔、基于橫向流道過濾芯片等。320.其中，所基體801可以具有較大的度，使其對(duì)前述/納米片陣列形成較好的支撐，同還可進(jìn)一步增強(qiáng)述過濾芯片的機(jī)強(qiáng)度，使所述過濾片耐壓、耐彎折、碰撞、耐沖擊，而使其可以在多環(huán)境中應(yīng)用而不致壞，例如可以應(yīng)于對(duì)高壓、高速體進(jìn)行處理，這功能是現(xiàn)有的多孔等無法企及的。321.其中，所過濾芯片各部分(801、802803、804)的材料選擇圍是多樣的，可以是無機(jī)料，也可以是有材料，例如金屬非金屬無機(jī)材料、料、陶瓷、半導(dǎo)、玻璃、聚合物。當(dāng)這些部分都擇使用無機(jī)材料時(shí)所述過濾芯片還具耐溫度變化的特，可以處理高溫低溫流體。322.其中，所流體阻擋部可以片狀的，其厚度等依據(jù)實(shí)際應(yīng)用需而調(diào)整。323.進(jìn)一步的在本實(shí)施例中，通孔周圍還可對(duì)稱不對(duì)稱的設(shè)置一以上的支撐體，藉由述支撐體還可增對(duì)所述流體阻擋的支撐，實(shí)現(xiàn)流體擋部與基體之間為牢固穩(wěn)定的配，并可有效的對(duì)分在流體阻擋部與體之間的微/納米片陣形成保護(hù)，避免流體阻擋部和/或基體在受到外力用后，對(duì)前述微/納片陣列擠壓而造的微/納米片坍塌、損毀等問題。324.其中，所支撐體可以是多形態(tài)的，例如可以有矩形、梯形、階形截面等等，且不于此。在該第十施例的一些具體施方案中，所述支體可以為自所述通邊緣部向上突出成的凸臺(tái)等，其端頂撐連接所述流阻擋部。325.其中，所支撐體的數(shù)量、徑、分布密度等可據(jù)實(shí)際需要而調(diào)，但應(yīng)盡量少的占用述基體第一表面空間，避免其對(duì)述微/納米片陣列的流體通量造成大的影。326.采用前述計(jì)的過濾芯片可(超聲)清洗，多次使用，仍舊保持良好的流體處理能力。327.當(dāng)利用所的過濾芯片對(duì)流進(jìn)行處理時(shí)，含有質(zhì)顆粒的流體在入前述微/納米片陣列，其中粒徑大于定數(shù)值的顆粒(或一些與流體不相的液滴，例如空氣中水滴或油中的水)被阻擋在前述微/納米片陣列之，之后流體經(jīng)由各微/納片之間的溝槽到通孔104的入口處后再進(jìn)入通孔104，實(shí)現(xiàn)對(duì)流體的凈化和或者對(duì)所需顆粒(液滴)的集回收。328.請(qǐng)?jiān)俅螀D18-圖19所示，在該第實(shí)施例的一些具應(yīng)用方案中，前述微/納米片的厚可以為1nm～50μm，高度以為50nm～200μm，相微/納米片之間的溝槽度可以為1nm～50μm。所通孔804的孔徑可以為1μm～1mm。所述基體的度可以在1μm以上。所述體阻擋部的厚度可為0.5μm～200μm。329.形成于相微/納米片之前的溝槽的截可以是規(guī)則或不規(guī)形狀的，例如可以是多邊形(三形、四邊形或其)、圓形、橢圓形、星形等等330.前述微/納米可以規(guī)則或不規(guī)、均勻或非均勻的布在所述基體的一表面上。331.另外，在第十實(shí)施例中，述通孔804和流體阻擋部802的狀(特別是縱向或橫向截面的形狀)可是多樣的，例如可以是圓、正方形、長方或其它形狀。332.請(qǐng)參閱圖20示，較為優(yōu)選的在本技術(shù)的第十一施例中，一種過芯片包括基體901所述基體901具有相背對(duì)第一表面和第二面，且所述基體901上分布有若作為流體通道的孔904，所述第一表面上設(shè)置有多片橫向連續(xù)延伸的微納米片903形成的陣列，中微/納米片之間形成有供流體通過的溝槽，述溝槽的開口部口徑大于0但小于混雜于待處理流體內(nèi)的選定顆粒的粒，其中，有多個(gè)/納米片直接從所述通孔904上過，從而使這些微/納米片基體之間配合形與通孔904連通的流體通道，且處理的流體僅能通過該體通道進(jìn)入通孔904。333.進(jìn)一步的在該實(shí)施例中，可于微/納米片陣列上連接流阻擋部902，所述流體阻擋部902設(shè)于所述通孔904的體入口上方，使處理的流體無法繞過前述的/納米片陣列而接進(jìn)入所述通孔904。334.進(jìn)一步的在通孔904周圍也可設(shè)置個(gè)或若干支撐體335.該第十一施例中所采用的體、微/納米片陣列、流體阻部、通孔、支撐體等的結(jié)構(gòu)、置形式、材質(zhì)等與前文述及的相或相似，故而此處再贅述。336.在本技術(shù)第十一實(shí)施例中，所述過芯片可具有與第、第二實(shí)施例相類似的結(jié)構(gòu)，不之處在于，在通上還可架設(shè)有一以上的，例如對(duì)稱不對(duì)稱排布的多根撐梁，藉由所述撐梁還可增加對(duì)述流體阻擋部的支，實(shí)現(xiàn)流體阻擋部基體之間更為牢穩(wěn)定的配合，并有效的對(duì)分布在流阻擋部與基體之間微/納米片陣列形成保護(hù)，避因流體阻擋部和/或基在受到外力作用后，前述微/納米線陣列擠壓而造的微/納米片坍塌、損等問題。337.其中，所支撐梁可以是多形態(tài)的，例如可以橋形等，且不限此。且進(jìn)一步的，所支撐梁還可與其支撐體配合，例第二實(shí)施例中述及支撐體配合。338.其中，所支撐梁的數(shù)量、寸、分布密度等可據(jù)實(shí)際需要而調(diào)，但應(yīng)盡量少的遮擋述通孔的流體入，避免其對(duì)所述濾芯片的流體通量成大的影響。339.該第十一施例中所采用的體、微/納米線陣列、流體阻部、通孔等的結(jié)構(gòu)、設(shè)置形式材質(zhì)等可與前文及的相同或相似故而此處不再贅述340.請(qǐng)參閱圖21示，在本技術(shù)的十二實(shí)施例中，一過濾芯片可以具與第十、第十一實(shí)例中任一者相似結(jié)構(gòu)，不同之處于：在納米片1103表面及基體1101的一表面上還設(shè)置光催化材料層1105。在以包含光化材料層1105的過濾片對(duì)流體進(jìn)行處時(shí)，若輔以紫外光等，還可對(duì)流體的一些有機(jī)污染物等行光催化降解，現(xiàn)對(duì)流體的多重化。341.其中，為于光線透入，所流體阻擋部1102、基體、凸起部的部分或全部可以由透明料制成。在本實(shí)例的一些具體實(shí)方案中，所述流體擋部可以整體由透材料制成，例如線射入。342.其中，較典型的光催化材可以是二氧化鈦等但不限于此。343.其中，為成所述光催化材層1105，本領(lǐng)域技術(shù)人員以采用業(yè)界已知的多種方式，例涂布(旋涂、噴涂、印刷等)、物或化學(xué)氣相沉積(如mocvd、pecvd原子層沉積等)、濺射等等且不限于此。344.其中，所光催化材料層1105的厚度以被控制在納米級(jí)以盡量減少其對(duì)所述過濾芯片的流體量的影響。345.該第十二施例中所采用的體、微/納米線陣列、流體阻部、通孔等的結(jié)構(gòu)、設(shè)置形式材質(zhì)等可與前文及的相同或相似故而此處不再贅述346.請(qǐng)參閱圖22示，較為優(yōu)選的在本技術(shù)的第十三施例中，一種過芯片可以具有與第、第十一、第十實(shí)施例中任一者似的結(jié)構(gòu)，不同之在于：在納米片1203表及基體1201的一表面上還設(shè)置抗菌材料層1205。在以包含抗菌材層1205的過濾芯片對(duì)流體進(jìn)處理時(shí)，可以在體的處理過程中，同步滅殺體中的細(xì)菌、病等，實(shí)現(xiàn)對(duì)流體多重凈化。347.其中，較典型的抗菌材料以是諸如au、ag等貴金屬等，但限于此。348.其中，為成所述抗菌材料1205，本領(lǐng)域技術(shù)人員可采用業(yè)界已知的多種方式，例如布(旋涂、噴涂、印刷等)、物理化學(xué)氣相沉積(如mocvd、pecvd、原子層沉等)、濺射等等，且不限于。349.其中，所抗菌材料層1205的厚度可被控制在納米級(jí)，盡量減少其對(duì)所述過濾芯片的體通量的影響。350.該第十三施例中所采用的基體、微/米線陣列、流體阻部、通孔等的結(jié)構(gòu)、設(shè)置形式材質(zhì)等可與前文及的相同或相似故而此處不再贅述351.本技術(shù)的述過濾芯片可以過物理、化學(xué)方法備，例如可以是學(xué)生長法、物理加工等，特別是mems(微機(jī)電統(tǒng)，microelectromechanicalsystems)法等352.在本技術(shù)第十四實(shí)施例中一種過濾芯片的制工藝可以包括如步驟：353.s1：在襯(例如硅片)的一側(cè)表面(命為第一表面)上設(shè)置圖化的光刻膠掩模；354.s2：對(duì)所襯底的第一表面行刻蝕，從而在所襯底的第一表面成彼此間隔設(shè)置的多沿橫向延伸的垂納米片，之后除所述第一光刻膠掩；355.s3：在所襯底的第一表面布可溶性或可腐蝕有機(jī)物和/或無機(jī)物，并使有機(jī)物和/或無物填充各垂直納片之間的溝槽，形犧牲層；356.s4：在所犧牲層上設(shè)置光膠，并進(jìn)行光刻；357.s5：對(duì)所犧牲層進(jìn)行刻蝕使分布在所述襯底第一表面的第二域中的多根垂直納米頂部暴露出，之除去光刻膠；358.s6：在所襯底的第一表面置光刻膠掩模，并所述襯底第一表上的、與所述流體擋部相對(duì)應(yīng)的區(qū)暴露出；359.s7：在暴出的、與所述流阻擋部相對(duì)應(yīng)的區(qū)內(nèi)沉積形成流體擋部，再剝離除去刻膠；360.s8：在所襯底的與第一表相背對(duì)的另一側(cè)表(命名為第三表面)上設(shè)置圖形化的刻蝕模，再對(duì)所述襯的該另一側(cè)表面行刻蝕，直至露出充在相鄰垂直納米之間的犧牲材料從而在所述襯底該另一側(cè)表面形成孔，所述槽孔所位置與所述襯底第一表面的第一域相對(duì)應(yīng)，所述襯的第一表面的第二域環(huán)繞所述第一域設(shè)置；361.s9：除去述刻蝕掩模及填在各垂直納米片之的犧牲材料，制過濾芯片。362.前述各步中采用的刻蝕方可以是光刻、機(jī)械蝕、干法刻蝕、法刻蝕等。363.例如，在述步驟s1中，形成圖形化納米圖形)的光刻膠掩模方法包括：光刻技術(shù)、米小球掩膜技術(shù)、納米(金屬)顆掩膜技術(shù)等，且限于此。364.例如，在述步驟s2中，可通過業(yè)界知的方式，例如rie、icp濕法腐蝕、電化學(xué)腐等刻蝕出垂直納片陣列。365.例如，在述步驟s3中，填充的可溶有機(jī)物可以是光刻等或可腐蝕無機(jī)物如金屬、sio2、等。366.例如，在述步驟s8中，可通過業(yè)界知的方式，例如rie、icp濕法腐蝕、電化學(xué)腐等刻蝕出所述槽。367.請(qǐng)參閱圖23示，在本技術(shù)的十五實(shí)施例中，一過濾芯片主要用對(duì)混雜有選定顆粒流體進(jìn)行處理，包括基體1300，所述基體1300具有相背對(duì)的第一表面1301和二表面1302，且述基體1300上分布有干作為流體通道的通孔1303。任一通孔1303內(nèi)分布有若微/納米線/管1400(即微米線、微米管、納線、納米管中的一種或多種)，尤其是納米線/管(納米線和/或納米管)。述微/納米線/管1400一端定于所述通孔1303的壁上，另一端沿所述通孔徑向延伸。這些/納米線/管2以相互交叉的形式集成為多孔結(jié)構(gòu)。所述孔結(jié)構(gòu)內(nèi)孔洞的徑大于0但小于所述選定顆粒的徑。368.再請(qǐng)參閱24，所述多孔結(jié)構(gòu)俯視的視角觀察分布于所述通孔1303內(nèi)的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。369.其中，因述微/納米線/管1400具有大的高徑比(或者長徑)，使得這些微/納米線/1400可密集排布于所述通內(nèi)，而通過調(diào)整這微/納米線/管1400的分布密、長度等，即可流體1500中不同粒徑范圍的顆粒行清除處理，特別是，采用的均是納米/管時(shí)，通過將這些納米/管交叉形成的孔洞孔徑控制在米級(jí)，不僅可以除流體中的極微的顆粒，而且因納線/管自身直徑極小還可使其對(duì)于流的阻力被控制在低的水平，并形成大的流體通量，遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有的多孔、基于橫向流道過濾芯片等。370.其中，所基體1300可以具有較大的度，籍以進(jìn)一步增所述過濾芯片的機(jī)械強(qiáng)度，使述過濾芯片耐壓耐彎折、耐碰撞耐沖擊，進(jìn)而使其以在多種環(huán)境中應(yīng)而不致?lián)p壞，例可以應(yīng)用于對(duì)高、高速流體進(jìn)行處，這一功能是現(xiàn)有多孔膜等無法企的。371.特別是，所述的微/納米線/管1400分布于所述通孔1303，使得這些微/納米線/1400實(shí)際上受到基體1300的保護(hù)，而，即使所述過芯片受到壓力等，也會(huì)使這些微/納米線/管1400被損壞372.其中，所過濾芯片各部分(1301、1302、1303)的材料選擇范是多樣的，可以是無機(jī)料，也可以是有材料，例如可以金屬、陶瓷、聚合，等等。當(dāng)這些部都選擇使用無機(jī)料時(shí)，所述過濾片還具有耐溫度變的特性，可以處理溫和低溫流體。373.采用前述計(jì)的過濾芯片可(超聲)清洗，多次使用，仍舊保持良好的流體處理能力。374.當(dāng)利用所的過濾芯片對(duì)流進(jìn)行處理時(shí)，含有質(zhì)顆粒的流體在入前述多孔結(jié)構(gòu)時(shí)，中粒徑大于一定值的顆粒(或一些與流體不相容液滴，例如空氣中的水滴油中的水滴)被阻擋在前述多結(jié)構(gòu)之外，之后體從通孔1303中流出，現(xiàn)對(duì)流體的凈化/或者對(duì)所需顆粒(液滴)的富集回。375.在該實(shí)施的一些具體應(yīng)用案中，前述微/納米線/管1400的徑可以為1nm～500μm。376.在該實(shí)施的一些具體應(yīng)用案中，前述通孔1303的孔徑可以1μm～1mm。377.在該實(shí)施的一些具體應(yīng)用案中，前述基體的度可以在1μm以上。378.前述納米的橫向截面結(jié)構(gòu)以是規(guī)則或不規(guī)則狀的，例如可以多邊形(三角形、四邊或其它)、圓