SnSe熱電半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)展_第1頁(yè)
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SnSe進(jìn)展化熱能為電能并反之亦然的材料。近年來(lái)，隨著的需求增加以及碳排放減少的壓力加大，熱電半導(dǎo)體材料的研e量機(jī)理和非常優(yōu)良的熱電性能，已成為研究和應(yīng)用的熱點(diǎn)。對(duì)SnSe研究ee法、化學(xué)氣相沉積法和熱壓法。其中物理氣相沉積法是最常見(jiàn)理氣相沉積法物理氣相沉積法(PVD)是一種常用的薄膜制備方法，其中包括蒸積、濺射沉積和分子束蒸發(fā)沉積等方法。這種生長(zhǎng)方法可獲得高品nSeSnSe法通常獲得的薄膜質(zhì)量很好，核機(jī)制沉積法化學(xué)氣相沉積法(CVD)是另一種生產(chǎn)SnSe晶體的方法。CVD法涉液態(tài)、氣態(tài)或固態(tài)底板上通過(guò)化學(xué)反應(yīng)使材料固化成晶體。這種夠達(dá)到極高的晶體質(zhì)量，并且可以控制晶體的各項(xiàng)性能，因?yàn)槠銫VD熱處理粉末來(lái)獲得晶體。在這種方法中，通過(guò)對(duì)夠得到良好的晶格，但是晶體的尺寸受到較嚴(yán)格的控制，并且技術(shù)，也是目前最受關(guān)注的一。這種方法采用低熔點(diǎn)合金作為基底材料，通過(guò)在晶體表的溫度梯度，來(lái)控制晶體的生長(zhǎng)和核心的位置。晶體控制生浸潤(rùn)法e機(jī)制是另一種新型的晶體生長(zhǎng)方法。這種方法采用了液相核和漸進(jìn)解固化材料的組合，從而使材料的生長(zhǎng)速度變得更快。增強(qiáng)核機(jī)制還可以增強(qiáng)晶體生

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