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小功率對(duì)地絕緣阻抗檢測(cè)電路一、現(xiàn)有技術(shù)總結(jié)第一種方法是專利EP1265076中使用的檢測(cè)方法。該方案如圖1所示。阜Vbus—LVbusn阜Vbus—LVbusn圖1對(duì)地絕緣檢測(cè)電路該方法通過(guò)采樣Q1導(dǎo)通和關(guān)斷后16點(diǎn)和17點(diǎn)的電壓,并進(jìn)行計(jì)算,得到虛擬的R1和R2值。該地方R4與R8、R5與R6的比例非常大。且R4和R5都達(dá)到了幾兆歐以上,因此電壓信號(hào)非常微弱,采樣的成本比較高。第二種方法是DANFOSS目前使用的方法。該方法如圖2所示。RM
—VW*Vm圖2第二種檢測(cè)方案與第一種方案相比,Vbusn電壓從電容中點(diǎn)取樣,并增加了中點(diǎn)到地的電阻RM,通過(guò)K的開(kāi)通和關(guān)斷,檢測(cè)Vp、Vn、Vbusn的電壓,得到的值構(gòu)建方程,計(jì)算出虛擬電壓Upvm和虛擬電阻R。該方法精度變高,該方法SG15KTL機(jī)器正在使用,只是采樣電壓已經(jīng)沒(méi)有Viso了。二、小功率對(duì)地檢測(cè)電路的推薦
由于我們小功率沒(méi)有方案2由于我們小功率沒(méi)有方案2中的兩個(gè)電容,因此建議用電阻R7和R8代替,構(gòu)建中點(diǎn)電壓。同時(shí),對(duì)地電阻的虛擬與方案一相同。具體計(jì)算公式和方法如下:令3點(diǎn)的電壓為0V,那么該電路采樣第1、2、4點(diǎn)的電壓,分別命名為VISO、VBUS、VMID。算法:當(dāng)開(kāi)關(guān)管S1斷開(kāi)時(shí),根據(jù)第2點(diǎn)電流流入、流出相等的原理有:…VISO1VISO1-VMID1VBUS-VISO1IG1= + TOC\o"1-5"\h\zR4 R6 R3當(dāng)開(kāi)關(guān)管S1導(dǎo)通時(shí),有下列等式:…VISO2(R4+R5)VISO2-VMID2VBUS-VISO2IG2= <+ R4xR5 R6 R3又有:VBUS-VISOVISOIG= — R1 R2可以得到方程組:(1)(2)—VBUS-VISO1VISO1(1)(2)IG1= — R1 R2“cVBUS-VISO2VISO2IG2=—R1 R2解(1)(2)組成的方程組可以得到R1、R2的解:R1=VBUS1X(VISO1'-VISO1)/(IG1XVISO1'-IG2XVISO1),R2=VBUS1X(VISO1'-VISO1)/(IG1XVBUS1-IG1XVISO1-IG2XVBUS1+IG2XVISO1)。
這中方式,對(duì)地電阻的虛擬與方案二一樣,電容用電阻替代。計(jì)算方式如下:令3點(diǎn)的電壓為0V,這中方式,對(duì)地電阻的虛擬與方案二一樣,電容用電阻替代。計(jì)算方式如下:令3點(diǎn)的電壓為0V,那么該電路采樣第1、2、4點(diǎn)的電壓,分別命名為VISO、VBUS、VMID。算法:當(dāng)開(kāi)關(guān)管S1斷開(kāi)時(shí),根據(jù)第2點(diǎn)電流流入、流出相等的原理有:…VISO1VISO1-VMID1VBUS-VISO1IG1= + TOC\o"1-5"\h\zR4 R6 R3當(dāng)開(kāi)關(guān)管S1導(dǎo)通時(shí),有下列等式:VISO2(R4+R5)VISO2-VMID2VBUS-VISO2IG2= + — R4xR5 R6 R3又有:VBUS-VISOVISO
IG= — R1 R2可以得到方程組:(1)(2)—VBUS-VISO1VISO1(1)(2)IG1= — R1 R2VBUS-VISO2VISO2IG2= — R1 R2解(1)(2)的方程得到:IG1VISO1- -VISO2U=PVM U=PVMi__IG11— _UPVM-_UPVM-VISO
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