光伏電鍍銅量產(chǎn)臨近加速HJT降本放量

目錄N型電池優(yōu)勢(shì)明顯，電鍍銅技術(shù)助力發(fā)展 5N型電池時(shí)代將至，HJT電池大勢(shì)所趨 5“去銀降本”必經(jīng)之路，HJT仍有巨大提升空間 5電鍍銅鋒芒初現(xiàn)，助力降本增效 6工藝詳解：涵蓋四大環(huán)節(jié)，工藝選擇有待驗(yàn)證 7種子層制備：提高技術(shù)成熟度+簡化工藝流程實(shí)現(xiàn)降本 7種子作及料擇三大能力能升銅鎳金理材料 7種子制方：種層為流無子方助力本 8圖形化：電鍍銅核心工藝環(huán)節(jié)之一，主流路線仍在探索 光刻線濕油更綜合勢(shì)直光發(fā)前景好 12激光線工流精，配HJT難較大 17電鍍：三大工藝各具特色，設(shè)備持續(xù)升級(jí) 18電鍍節(jié)響素多工藝程雜 18電鍍節(jié)術(shù)線樣設(shè)備續(xù)級(jí) 19垂直鍍 19水平鍍 20光誘電鍍 21后處理：去感光材料、刻蝕種子層、鍍錫抗氧化、表面處理四步完成電鍍銅收尾 23產(chǎn)業(yè)進(jìn)程：技術(shù)持續(xù)迭代，各大廠商積極布局 24電鍍銅自海外興起，提效作用明顯 24技術(shù)路線尚未定型，設(shè)備為量產(chǎn)主要瓶頸 25設(shè)備廠商齊發(fā)力，2024有望導(dǎo)入量產(chǎn) 26經(jīng)濟(jì)測(cè)算：電鍍銅降本效果凸顯，設(shè)備端為突破口 27重要標(biāo)的 29邁為股份：HJT設(shè)備龍頭，持續(xù)推動(dòng)圖形化設(shè)備業(yè)務(wù) 29深耕大準(zhǔn)術(shù)積開展形設(shè)業(yè)務(wù) 29公司入速長經(jīng)趨勢(shì)好 30絲網(wǎng)刷備頭自研發(fā)鍍圖化節(jié) 30蘇大維格：投影光刻設(shè)備龍頭，四大產(chǎn)品事業(yè)群并進(jìn) 31專精納學(xué)產(chǎn)技多樣 31公司入善經(jīng)趨向好 31專注鍍圖化助電鍍降增效 32羅博特科：光伏自動(dòng)化設(shè)備龍頭，電鍍銅高效推陳出新 34光伏備頭深布電鍍銅 34公司收復(fù)發(fā)趨向好 35電鍍?cè)O(shè)研進(jìn)迅，在訂超13億 35芯碁微裝：激光直寫光刻設(shè)備龍頭，拓展光伏電鍍銅曝光設(shè)備 36激光寫備進(jìn)中階段拓電銅光備 36經(jīng)營中進(jìn)業(yè)保增長勢(shì) 37光刻備銅鍍藝心設(shè)，外單利付 38東威科技：垂直連續(xù)電鍍?cè)O(shè)備龍頭，積極擴(kuò)展光伏電鍍銅領(lǐng)域 39專精鍍備技行領(lǐng)先 39公司收觀未發(fā)可期 39垂直鍍頭產(chǎn)迭迅速 40圖表目錄圖1：HJT與TOPCon數(shù)據(jù)對(duì)比 5圖2：各類電池2021-2030產(chǎn)能情況 5圖3：各類電池漿耗量 6圖4：各類電池漿成本 6圖5：絲印電極電鍍極形貌對(duì)比 6圖6：絲網(wǎng)印刷電鍍對(duì)比 7圖7：HJT銅電極電池構(gòu) 7圖8：阻擋層類示意圖 8圖9：銅、銅鎳金、鋁合金、銅錳合金子附著力的膠帶測(cè)試果 8圖10：磁控濺射PVD工藝示意圖 9圖整面沉積種子層意圖 10圖12：選擇性沉積示意圖 10圖13：太陽井局部制備HJT電池種子層步驟 圖14：一種無種子層HJT電池結(jié)構(gòu)示意圖 圖15：圖形化工藝形成膜種子層相間排列的圖形 12圖16：光刻工藝流程 12圖17：光致抗蝕干膜結(jié)構(gòu) 13圖18：干膜貼膜示意圖 13圖19：貼膜機(jī)示意圖 13圖20：濕膜曝光時(shí)聚合應(yīng)的機(jī)理 14圖21：滾涂原理示意圖 14圖22：濕膜光刻膠與干光刻膠顯影后形貌比意圖 15圖23：光刻技術(shù)分類 15圖24：主要光刻技術(shù)示圖 16圖25：采用DMD（數(shù)微鏡器件）的直寫刻術(shù)原理 17圖26：激光開槽工藝流程 18圖27：電鍍的基本原理 19圖28：垂直電鍍示意圖 20圖29：水平電鍍示意圖 20圖30：水平電鍍空洞問產(chǎn)生示意圖 21圖31：柔性接觸電鍍?cè)c實(shí)物示意圖 21圖32：光誘導(dǎo)電沉積裝示意圖 22圖33：光誘導(dǎo)電沉積原示意圖 22圖34：絲網(wǎng)印刷與光誘電鍍技術(shù)制備銀電效對(duì)比 23圖35：濕法刻蝕和干法蝕技術(shù)路線對(duì)比 24圖36：后處理環(huán)節(jié)流程圖 24圖37：SunPowerMaxeon電池 25圖38：捷得寶水平電鍍備 26圖39：東威科技垂直電設(shè)備 26圖40：太陽井水平電鍍27圖41：芯碁微裝直寫光技術(shù)設(shè)備 27圖42：非硅成本結(jié)構(gòu)對(duì)比 29圖43：邁為發(fā)展歷程 29圖44：邁為九宮格產(chǎn)品局 30圖45：邁為近年?duì)I業(yè)收入 30圖46：邁為近年歸母凈潤 30圖47：邁為絲網(wǎng)印刷設(shè)備 31圖48：蘇大維格發(fā)展歷程 31圖49：蘇大維格近年?duì)I收入 32圖50：蘇大維格近年歸凈利潤 32圖51：高速低成本投影刻掃描設(shè)備 33圖52：iGrapher3000大型紫外3D直寫光刻設(shè)備 33圖53：羅博特科發(fā)展歷程 34圖54：羅博特科在HJT領(lǐng)域產(chǎn)品 34圖55：羅博特科近年?duì)I收入 35圖56：羅博特科近年歸凈利潤 35圖57：芯碁微裝發(fā)展歷程 37圖58：芯碁微裝近年?duì)I收入 38圖59：芯碁微裝近年歸凈利潤 38圖60：芯碁微裝光伏領(lǐng)的光刻設(shè)備——SDI/SRD系列 38圖61：公司發(fā)展歷程 39圖62：公司近年?duì)I業(yè)收入 40圖63：公司近年歸母凈潤 40表1：感光材料比 14表2：不同光刻術(shù)參對(duì)比 17表3：去感光材技術(shù)線 23表4：電鍍銅工設(shè)備及對(duì)應(yīng)廠商 25表5：電鍍銅市空間 27表6：非硅成本算（以M10尺寸、良率98%、轉(zhuǎn)換效率提升0.3%為例） 28表7：良率對(duì)電銅降效果的敏感性測(cè)試銀價(jià)格6500元/kg） 28表8：蘇大維格司相專利 33表9：羅博特科司相專利 36表10：東威科技公司相專利 41N型電池優(yōu)勢(shì)明顯，電鍍銅技術(shù)助力發(fā)展N型電池時(shí)代將至，HJT電池大勢(shì)所趨NPERCHJT電池轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)高于PERCPIDLIDTOPCon1%0.25%HJT圖1：HJT與TOPCon數(shù)據(jù)對(duì)比數(shù)據(jù)來源：物聯(lián)網(wǎng)智庫，阿特斯官網(wǎng)，圖2：各類電池2021-2030產(chǎn)能情況數(shù)據(jù)來源：CPIA、“去銀降本”必經(jīng)之路，HJT仍有巨大提升空間HJT2022240元/kg、M64.5元/0.85元HJT0.91元。HJTCPIA數(shù)據(jù)，2021年HJT180mg/TOPCon160mg/片和PERC90mg/0.18元TOPCon元/W和PERC0.07元/W，HJT圖3：各類電池漿耗量 圖4：各類電池漿成本PERC銀漿耗量（mg/片）TOPCon銀漿耗量（mg/片）HJT銀漿耗量（mg/片）2022PERC銀漿耗量（mg/片）TOPCon銀漿耗量（mg/片）HJT銀漿耗量（mg/片）20222021150100500PERC銀漿成本（元/W）TOPCon銀漿成本（元/W）HJT銀漿成本（元/W）202220210.150.10.050數(shù)據(jù)來源：CPIA， 數(shù)據(jù)來源：CPIA，電鍍銅鋒芒初現(xiàn)，助力降本增效THT（BB/0BB30%-40%12BB150mg/50%7175770元/69.48元/25μm1.30.3圖5：絲印電極與電鍍電極形貌對(duì)比數(shù)據(jù)來源：《硅異質(zhì)結(jié)太陽電池接觸特性及銅金屬化研究》，圖6：絲網(wǎng)印刷與電鍍銅對(duì)比數(shù)據(jù)來源：《硅異質(zhì)結(jié)太陽電池接觸特性及銅金屬化研究》，工藝詳解：涵蓋四大環(huán)節(jié)，工藝選擇有待驗(yàn)證種子層制備：提高技術(shù)成熟度+簡化工藝流程實(shí)現(xiàn)降本TCOTCO薄膜TCOHJTConductive）TCOTCO100nm圖7：HJT銅電極電池結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)來源：《硅異質(zhì)結(jié)太陽電池接觸特性及銅金屬化研究》，/阻塞型/圖8：阻擋層類型示意圖數(shù)據(jù)來源：《集成電路銅互連中鉭硅氮擴(kuò)散阻擋層的制備及其阻擋特性研究》，種子層能夠充當(dāng)陰極提供電勢(shì)。金屬種子層具有較高的橫向電導(dǎo)率，使得電鍍夾點(diǎn)至電池邊緣的電位梯度較小，有利于實(shí)現(xiàn)HJT電池雙面均勻電鍍。（0.6mΩ?cm2）（1.18mΩ?cm2）HJT圖9：銅、銅鎳合金、銅鋁合金、銅錳合金種子層附著力的膠帶測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)來源：《Contactresistivityandadhesionofcopperalloyseedlayerforcopper-platedsiliconheterojunctionsolarcells》，目前種子層制備包括整面種子層、局部種子層和無種子層三個(gè)方案。整面種子層（DDD是一PVDPVD中PVDTCOPVD時(shí)圖10：磁控濺射PVD工藝示意圖數(shù)據(jù)來源：《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》，TCO表面沉TCO層。該方案為傳統(tǒng)電鍍工藝的主流路線，但應(yīng)用在光伏電池制備中還需解決以下問題：（12圖形（HT（4（）VD圖11：整面沉積種子層示意圖數(shù)據(jù)來源：《Coppermetallizationofelectrodesforsiliconheterojunctionsolarcells:Process,reliabilityandchallenges》，局部種子層TCOSiNxSiO2、Al2O3TCO化及后處理環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)選擇性電鍍，有利于節(jié)約種子層的蝕刻成本，避免TCO圖12：選擇性沉積示意圖數(shù)據(jù)來源：《NovelPlatingProcessesforSiliconHeterojunctionSolarCellMetallizationUsingaStructuredSeedLayer》，7-9圖13：太陽井局部制備HJT電池種子層步驟數(shù)據(jù)來源：專利之星，無種子層TCOTCO層TCOTCO及IWO20229SunDrive26.41%9μ7μTCO層與銅柵線的接觸問題有待解決。層和TCO圖14：一種無種子層HJT電池結(jié)構(gòu)示意圖數(shù)據(jù)來源：專利之星，圖形化：電鍍銅核心工藝環(huán)節(jié)之一，主流路線仍在探索圖15：圖形化工藝形成掩膜-種子層相間排列的電極圖形數(shù)據(jù)來源：《硅異質(zhì)結(jié)太陽電池接觸特性及銅金屬化研究》，-圖16：光刻工藝流程數(shù)據(jù)來源：公開資料，涂覆感光材料感光材料是光刻工藝最重要的耗材，其性能很大程度上決定加工成品的精密程度和良品率。光伏電鍍銅領(lǐng)域應(yīng)用的感光材料分為干膜材料和濕膜油墨兩類，目前濕膜油墨性能略差但價(jià)格低于干膜，適用于追求低成本的光伏行業(yè)。（Dry主體（圖17：光致抗蝕干膜結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)來源：《光致抗蝕干膜的制備及性能研究》，圖18：干膜貼膜示意圖 圖19：貼膜機(jī)示意圖數(shù)據(jù)來源：《Low-costtechnologyformultilayerelectroplatedpartsusinglaminateddryfilmresist》，

數(shù)據(jù)來源：德中（天津）技術(shù)發(fā)展有限公司官網(wǎng)，濕膜（Wetfilm）是一種光成像抗蝕抗電鍍油墨，其主要成分包含樹脂、活性稀釋劑、光引發(fā)劑和助劑等。油墨在曝光時(shí)發(fā)生聚合反應(yīng)而固化，反應(yīng)機(jī)理如下：光引發(fā)劑在紫外光線的激化下吸收光能成為自由基，單體在自由基的加成作用下產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)，形成聚合物。不同于干膜，濕膜直接以液態(tài)的形式涂覆在待加工基材的表面，涂布方式包括滾涂、噴涂、旋涂、浸沒、絲網(wǎng)印刷等。圖20：濕膜曝光時(shí)聚合應(yīng)的機(jī)理 圖21：滾涂原理示意圖數(shù)據(jù)來源：《濕膜和滾涂技術(shù)》, 數(shù)據(jù)來源：《濕膜和滾涂技術(shù)》,M60.5元/0.2元/15μm;表1：感光材料對(duì)比

涂覆工藝 設(shè)備 成本 分辨率 顯影效果干膜 貼膜 貼膜機(jī) 較高，0.5/（M6硅片）

較低 邊緣不直，有毛刺濕膜 滾涂、噴涂、旋涂浸沒、絲網(wǎng)印刷

滾涂機(jī)、浸沒機(jī)、噴涂機(jī)、旋涂儀、絲網(wǎng)印刷機(jī)

較低，0.2元/片（M6硅片）

較高 邊緣直，臺(tái)階明顯數(shù)據(jù)來源：公開資料，捷得寶官網(wǎng)，圖22：濕膜光刻膠與干膜光刻膠顯影后形貌對(duì)比示意圖數(shù)據(jù)來源：《ITO電極的濕膜光刻與干膜光刻制備研究》，曝光曝光（（。圖23：光刻技術(shù)分類數(shù)據(jù)來源：芯碁微裝招股說明書，掩膜光刻由光源發(fā)出的光束，經(jīng)掩膜版在感光材料上成像，具體可分為接近、接觸式光刻以及投影光刻。相較于接觸式光刻和接近式光刻技術(shù)，投影式光刻技術(shù)更加先進(jìn)，能夠在使用相同尺寸掩膜版的情況下借助投影原理獲取更小比例的圖像，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的成像。直寫光刻由計(jì)算機(jī)控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面，直接（與（圖24：主要光刻技術(shù)示意圖數(shù)據(jù)來源：芯碁微裝招股說明書，5-20μm直寫光刻中，1）IC掩膜版激光直寫5μm掩膜光刻中，1）光學(xué)投影式光刻1μm直寫20-30表2：不同光刻技術(shù)參數(shù)對(duì)比

精度（5-20μm） 換版清洗頻率 變更圖樣難易程度 擴(kuò)產(chǎn)難可實(shí)現(xiàn)的最小線寬掩膜光刻直寫光刻

光學(xué)投影式光刻激光直寫光刻

50μm不足1μm本高昂的分辨率及精度5μm線寬，滿足求

20-30片更換一次幾十或幾百片更換一次無需頻繁換版

掩膜版，操作繁僅需操作軟件即可實(shí)現(xiàn)圖紙的快速更替，靈活度更高

版式固定，擴(kuò)產(chǎn)需換版，成本較高自動(dòng)化程度較高，可一次性設(shè)置多個(gè)掩膜圖形，更易實(shí)現(xiàn)一版多片，擴(kuò)產(chǎn)難度較低數(shù)據(jù)來源：公開資料，圖25：采用DMD（數(shù)字微鏡器件）的直寫光刻技術(shù)原理數(shù)據(jù)來源：芯碁微裝招股說明書，HJT等工序中的廢液排放污染問題。目前國內(nèi)的帝爾激光主攻激光路線。圖26：激光開槽工藝流程數(shù)據(jù)來源：《一種單面或雙面太陽能電池圖形化掩膜和太陽能電池的制備方法》，HJT電池上面臨較大阻力。HJT250-300°C工產(chǎn)生的不良光熱副作用將對(duì)HJT電鍍：三大工藝各具特色，設(shè)備持續(xù)升級(jí)電鍍是電鍍銅的核心環(huán)節(jié)，其目的是在掩膜開口處通過電鍍沉積金屬銅，形成銅電極。電鍍環(huán)節(jié)直接影響電池片的產(chǎn)能和良率，需要控制鍍層的厚度、寬度、均勻性，工藝復(fù)雜并且需要與圖形化方案相互銜接與配合，技術(shù)壁壘高。圖27：電鍍的基本原理數(shù)據(jù)來源：公開資料，PCBPCB垂直電均勻性欠佳。垂直連續(xù)電鍍?cè)赑CB自動(dòng)化水平低、難度大，產(chǎn)能較小。圖28：垂直電鍍示意圖數(shù)據(jù)來源：公開資料，專利之星，均勻性和良率較好。+節(jié)約電鍍液。占地面積小。圖29：水平電鍍示意圖數(shù)據(jù)來源：專利之星，水平電鍍技術(shù)制程難度較高且尚未成熟，仍存以下問題亟待攻克：（51g張圖30：水平電鍍空洞問題產(chǎn)生示意圖數(shù)據(jù)來源：公開資料，圖31：柔性接觸電鍍?cè)砼c實(shí)物示意圖數(shù)據(jù)來源：公開資料，光誘導(dǎo)技術(shù)Light–InducedProcess）圖32：光誘導(dǎo)電沉積裝置示意圖數(shù)據(jù)來源：專利之星，感的化合物本身吸收太陽能直接光解和通過光轉(zhuǎn)化為熱使對(duì)熱敏感的化合物在基P-NP-NPNN圖33：光誘導(dǎo)電沉積原理示意圖數(shù)據(jù)來源：《光誘導(dǎo)沉積技術(shù)的發(fā)展及其在光伏工業(yè)中的應(yīng)用》，3μ～0μ圖34：絲網(wǎng)印刷與光誘導(dǎo)電鍍技術(shù)制備銀電極效果對(duì)比數(shù)據(jù)來源：《晶體硅太陽電池光誘導(dǎo)電鍍工藝的研究》，成電鍍銅收尾去感光材料即用退膜機(jī)洗去剩余的感光材料層，露出種子層?，F(xiàn)有退感光材料的技術(shù)有濕法腐蝕、等離子體刻蝕和激光刻蝕。表3：去感光材料技術(shù)路線原理與流程 優(yōu)勢(shì)濕法腐蝕等離子體刻蝕激光刻蝕

溶液里的反應(yīng)物利用擴(kuò)散效應(yīng)通過一層薄邊界層，達(dá)到被蝕刻薄膜的表面。反應(yīng)物與薄膜表面的分子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成物也利用擴(kuò)散效應(yīng)通過邊界層進(jìn)入溶液，而后隨溶液被排出。質(zhì)表面，并被真空系統(tǒng)抽出腔體。將高光束質(zhì)量的小功率激光（激光）聚焦在極小的光點(diǎn)上，在焦點(diǎn)上形成高功率密度，使材料瞬間蒸發(fā)形成孔、槽。

與干法相比，濕法的腐蝕速率快、各向異性弱、成本低，腐蝕厚度大，具有較高的機(jī)械靈敏度。過程相對(duì)快速、清潔和干燥；兼容各種基材；蝕刻不同圖案的的精度高；刻蝕速率得到進(jìn)一步控制，選擇性更高。以激光非接觸方式加工，高柔性、高速、無噪聲、熱影響區(qū)小、精度高。數(shù)據(jù)來源：公開資料，刻蝕種子層TCO法刻蝕排放管線中會(huì)布置洗滌器，在向大氣排放廢氣前經(jīng)過中和過程，從而減少對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。圖35：濕法刻蝕和干法刻蝕技術(shù)路線對(duì)比數(shù)據(jù)來源：公開資料，鍍錫抗氧化。在銅電極的表面電鍍一層錫保護(hù)層。錫的導(dǎo)電性能較好，是比銅更活潑的金屬，比銅優(yōu)先失去電子，錫被氧化后產(chǎn)生一層二氧化錫，能防止進(jìn)一步的氧化。該步驟可以有效減少銅的氧化，確保電池壽命。表面處理。圖36：后處理環(huán)節(jié)流程圖數(shù)據(jù)來源：公開資料，產(chǎn)業(yè)進(jìn)程：技術(shù)持續(xù)迭代，各大廠商積極布局電鍍銅自海外興起，提效作用明顯SunPoweMaxeon200421%25%。Kaneka年HJTTCOBC20178月將HJT26.63%。HJT2018SunpremeHJT22.7%24%。2016100MWHT228218年50W2。2022SunDrive26.41%。37：SunPowerMaxeon電池?cái)?shù)據(jù)來源：SunPower官網(wǎng)，PERC20139156mm尺i-PERC20.7%，目前最新NPERC22.5%TOPConFraunhoferISE202022.7%RENA的22.6%。技術(shù)路線尚未定型，設(shè)備為量產(chǎn)主要瓶頸表4：電鍍銅工藝設(shè)備以及對(duì)應(yīng)廠商環(huán)節(jié)工藝設(shè)備廠商種子層種子層制備PVD邁為股份料

濕膜 油墨印刷機(jī)（噴涂/滾涂機(jī)

邁為股份、捷得寶圖形化

光刻路線

干膜 貼膜機(jī)+真空層壓機(jī) 金石能源蘇大維格（投影曝光、邁掩膜光刻 掩膜光刻機(jī)+顯影機(jī)曝光顯影

井、捷得寶激光路線激光開槽激光開槽設(shè)備帝爾激光井、捷得寶激光路線激光開槽激光開槽設(shè)備帝爾激光電鍍電鍍水平電鍍（鏈?zhǔn)剑┧诫婂儥C(jī)寶馨科技、捷得寶

為股份（投影曝光）芯碁微裝、天準(zhǔn)科技、太陽垂直電鍍（掛鍍） 垂直電鍍

東威科技、太陽井、鈞石能源VDI電鍍 VDI電鍍機(jī) 羅博特科后處理

去感光材料 清洗機(jī)刻蝕種子層 刻蝕劑鍍錫抗氧化 電鍍機(jī)數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)等，PVDPVDPCB10μm圖38：捷得寶水平電鍍備 圖39：東威科技垂直電設(shè)備數(shù)據(jù)來源：捷得寶官網(wǎng)， 數(shù)據(jù)來源：東威科技官網(wǎng)，設(shè)備廠商齊發(fā)力，2024有望導(dǎo)入量產(chǎn)2018PERCIBCPVD圖40：太陽井水平電鍍備 圖41：芯碁微裝直寫光技術(shù)設(shè)備 數(shù)據(jù)來源：太陽井官網(wǎng)， 數(shù)據(jù)來源：芯碁微裝招股說明書，經(jīng)濟(jì)測(cè)算：電鍍銅降本效果凸顯，設(shè)備端為突破口202572.9億元，2023-2025CAGR674%。2024GWGW1.5-21/GW2023-20251.67%10%和GW1.5/1.35/1.215202572.92023-2025年CAGR674%。表5：電鍍銅市場(chǎng)空間2023E2024E2025EHJT擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模（GW）60150300電鍍銅擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模（GW）11560電鍍銅滲透率（%）1.671020電鍍銅單GW價(jià)值量（億元）1.51.351.215yoy-10%-10%其中：PVD單GW價(jià)值量（億元）0.50.450.405曝光機(jī)單GW價(jià)值量（億元）0.30.270.243電鍍機(jī)單GW價(jià)值量（億元）0.50.450.405其他設(shè)備單GW價(jià)值量（億元）0.20.180.162電鍍銅市場(chǎng)規(guī)模（億元）1.520.2572.9數(shù)據(jù)來源：公開資料，整線量產(chǎn)后，電鍍銅環(huán)節(jié)總成本有望達(dá)0.106元/W，較銀漿絲網(wǎng)印刷下降0.86元/W98%HJT0.3%M10（16500k，HT0.12元0.6元45（2）3000元/kg0.043元/W表6：非硅成本測(cè)算（以M10尺寸、良率98%、轉(zhuǎn)換效率提升0.3%為例）銀漿絲網(wǎng)印刷銀漿絲網(wǎng)印刷電鍍銅(銀漿價(jià)格=3000元/kg)(銀漿價(jià)格=6500元/kg)（量產(chǎn)）單片電池功率電池片面積（mm2）33069.533069.533069.5轉(zhuǎn)換效率（%）25.0%25.0%25.30%電池片功率（W）8.38.38.4耗材銀漿耗量（mg/片）190190銀漿含稅價(jià)格（元/kg）30006500銀漿單瓦成本（元/W）0.070.15銅漿耗量（mg/片）126銅漿含稅價(jià)格（元/kg）69銅漿單瓦成本（元/W）0.001掩膜、電鍍液、錫、添加劑等其他耗材0.05耗材成本合計(jì)（元/W）0.070.150.05設(shè)備設(shè)備價(jià)值量（億元/GW）445.5折舊年限101010設(shè)備單瓦折舊成本（元/W）0.040.040.055非硅成本合計(jì)（元/W）0.1100.1920.106電鍍銅降本幅度-4%-45%數(shù)據(jù)來源：CPIA等，東北證券37%37.2%HJT31%21%52%，表7：良率對(duì)電鍍銅降本效果的敏感性測(cè)試（銀漿價(jià)格6500元/kg）電鍍銅良率10%20%30%35%37.2%50%70%80%90%100%耗材成本合計(jì)(元/W)0.5100.2550.1700.1460.1370.1020.0730.0640.0570.051設(shè)備折舊(元/W)0.0550.0550.0550.0550.0550.0550.0550.0550.0550.055非硅成本合計(jì)-電鍍銅0.5650.3100.2250.2010.1920.1570.1280.1190.1120.106非硅成本合計(jì)-絲網(wǎng)印刷0.1920.1920.1920.1920.1920.1920.1920.1920.1920.192電鍍銅降本效果(元/W)(0.373)(0.118)(0.033)(0.009)(0.000)0.0350.0640.0730.0800.086數(shù)據(jù)來源：公開資料，圖42：非硅成本結(jié)構(gòu)對(duì)比（a）銀絲印非本結(jié)構(gòu) （b）電銅硅本構(gòu)數(shù)據(jù)來源：公開資料，重要標(biāo)的目前，國內(nèi)布局光刻的企業(yè)主要有蘇大維格、邁為股份、芯碁微裝、太陽井等，感光材料和曝光工藝均存在多種可選方案。邁為股份：HJT設(shè)備龍頭，持續(xù)推動(dòng)圖形化設(shè)備業(yè)務(wù)HJT2010年，201826420219SunDriveM6HJT25.54%2022826.41%圖43：邁為發(fā)展歷程數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，圖44：邁為九宮格產(chǎn)品布局?jǐn)?shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，202241.488.61934.09%。202311.572.2122.8%圖45：邁為近年?duì)I業(yè)收入 圖46：邁為近年歸母凈潤yoyyoy歸母凈利潤（億元）2018 2019 2020 2021 20222023Q170%60%50%40%30%20%10%0%1086420yoy營業(yè)收入（億元）2018 2019 2020 2021 20222023Q190%80%70%60%50%40%30%20%10%0%454035302520151050數(shù)據(jù)來源：同花順iFinD、 數(shù)據(jù)來源：同花順iFinD、邁為生產(chǎn)的太陽能電池絲網(wǎng)印刷設(shè)備，應(yīng)用于太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈的中游——電池片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，對(duì)電池片的產(chǎn)量、良率和轉(zhuǎn)換效率等關(guān)鍵指標(biāo)有著重要作用。公司的銅電鍍的強(qiáng)項(xiàng)在于絲網(wǎng)印刷積累的圖形化技術(shù)，目前光刻工藝為銅電鍍圖形化主要技術(shù)路線，曝光設(shè)備為光刻圖形化環(huán)節(jié)的核心設(shè)備。圖47：邁為絲網(wǎng)印刷設(shè)備數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，蘇大維格：投影光刻設(shè)備龍頭，四大產(chǎn)品事業(yè)群并進(jìn)20012012圖48：蘇大維格發(fā)展歷程數(shù)據(jù)來源：蘇大維格官網(wǎng)、招股說明書、2018-2022年公司營收CAGR年公17.61.22.79201。20213.120222.220233.93億106.11圖49：蘇大維格近年?duì)I收入 圖50：蘇大維格近年歸凈利潤-1000%-1000%yoy歸母凈利潤（億元）-4-800%-3-600%-2-200%201820192020202120222023Q1-1 -400%00%1200%2yoy營業(yè)收入（億元）2018 2019 2020 2021 20222023Q130%25%20%15%10%5%0%-5%20151050數(shù)據(jù)來源：同花順iFinD、 數(shù)據(jù)來源：同花順iFinD、6000萬。2022202378.063LDI2023年7月283DiGrapher3000表8：蘇大維格公司相關(guān)專利激光轉(zhuǎn)印模具和激光轉(zhuǎn)印裝置專利信息上述激光轉(zhuǎn)印模具用于制作光伏電池電極，與傳統(tǒng)的激光轉(zhuǎn)印模具相比，應(yīng)用本實(shí)用新型上述技術(shù)方案的激光轉(zhuǎn)印模具制作光伏電池電極時(shí)，柱透鏡陣列能夠?qū)す馐M(jìn)行聚焦，大部分能量被凹槽內(nèi)的激光功率條件下可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)多條光伏電池電極的光刻控制方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)專利信息對(duì)光刻任務(wù)中的所有光刻網(wǎng)點(diǎn)進(jìn)行分層處理得到n域內(nèi)的光刻網(wǎng)點(diǎn)數(shù)據(jù)；按照每層每個(gè)區(qū)域內(nèi)的光刻光刻任務(wù)；可以解決拼接平臺(tái)自身的定位精度誤差均的現(xiàn)象的問題；由于不同層光刻網(wǎng)點(diǎn)所屬的層區(qū)同層的交集部分可以重新進(jìn)行振鏡掃描，實(shí)現(xiàn)拼接部分的過渡，減少平臺(tái)自身定位精度帶來的誤差影響。數(shù)據(jù)來源：愛企查、東北證圖51：高速低成本投影刻掃描設(shè)備 圖52：iGrapher3000大型紫外3D直寫光刻設(shè)備 數(shù)據(jù)來源：蘇大維格公眾號(hào)、 數(shù)據(jù)來源：公開信息梳理、羅博特科：光伏自動(dòng)化設(shè)備龍頭，電鍍銅高效推陳出新20152020FiconTEC2023年與國家電投達(dá)成合作，共同研究VDI圖53：羅博特科發(fā)展歷程數(shù)據(jù)來源：羅博特科官網(wǎng)、、圖54：羅博特科在HJT領(lǐng)域產(chǎn)品數(shù)據(jù)來源：羅博特科官網(wǎng)、2018-2022年?duì)I收CAGR8.22%202052846.52029031683。20232.5930.123.61萬，44.71%圖55：羅博特科近年?duì)I收入 圖56：羅博特科近年歸凈利潤yoy營業(yè)收入（百萬元）2018 2019 2020 2021 2022 2023Q1yoy營業(yè)收入（百萬元）2018 2019 2020 2021 2022 2023Q1-60%0-30%2000%40030%60060%80090%1000120%1200yoy歸母凈利潤（百萬元）-200%-40-80-100%2018 2019 2020 2021 20222023Q100%40100%80200%120數(shù)據(jù)來源：同花順iFinD， 數(shù)據(jù)來源：同花順iFinD，13億VDI20232287200wph-16000wph202373GW20%BCN2023721102023610VDI5GW表9：羅博特科公司相關(guān)專利相關(guān)專利圖例說明一種插片式太陽能電池片銅電極電鍍裝置陽極結(jié)構(gòu)以及陰極導(dǎo)一種插片式太陽能電池片銅電極電鍍裝置及方法電結(jié)構(gòu)。電鍍裝置實(shí)現(xiàn)了雙面電鍍，單線14000/小提高裝置產(chǎn)能，降低了不良率，提高了電鍍質(zhì)量，結(jié)構(gòu)新穎合理，占地面積小。一種太陽能電池片銅電極電鍍陽極結(jié)構(gòu)，可同時(shí)對(duì)正面陽極板、背面陽極板施加一種太陽能電池片銅電極電鍍陽極結(jié)構(gòu)不同的電流，從而實(shí)現(xiàn)太陽能電池片兩面不同的銅電極面積的電鍍；配合多塊陽極板組件同時(shí)對(duì)多塊電池片不同的兩面進(jìn)行電鍍，大大提高了電池片的電鍍產(chǎn)能。一種太陽能電池片銅電極電鍍陰極導(dǎo)電結(jié)夾持、定位的施力分散，一方面定位更加一種太陽能電池穩(wěn)定，降低在電鍍過片銅電極電鍍陰程中的破片率，另一極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)方面導(dǎo)電分布均勻，電鍍的質(zhì)量高，導(dǎo)電支架上分布多個(gè)支撐單元，大大提高單線理。數(shù)據(jù)來源：專利之星、芯碁微裝：激光直寫光刻設(shè)備龍頭，拓展光伏電鍍銅曝光設(shè)備產(chǎn)品線不斷向縱深發(fā)展，推動(dòng)銅電鍍曝光設(shè)備的發(fā)展。芯碁微裝成立于2015年，于202120232100B（DIOED光刻D圖57：芯碁微裝發(fā)展歷程數(shù)據(jù)來源：芯碁微裝官網(wǎng)、招股說明書、2018-2022年公司營收CAGR1.36628.66%2023年1.56950.29%0.33570.32%圖58：芯碁微裝近年?duì)I收入 圖59：芯碁微裝近年歸凈利潤765765432102018 2019 2020 2021 2022 2023Q1營業(yè)收入（百萬元）1.41.210.80.60.402018 2019 2020 2021 2022 2023Q1歸母凈利潤（億元）數(shù)據(jù)來源：同花順iFinD， 數(shù)據(jù)來源：同花順iFinD，SDI/SRD20236月19VechnogyCoLtdVE圖60：芯碁微裝光伏領(lǐng)域的光刻設(shè)備——SDI/SRD系列數(shù)據(jù)來源：芯碁微裝公眾號(hào)，東威科技：垂直連續(xù)電鍍?cè)O(shè)備龍頭，積極擴(kuò)展光伏電鍍銅領(lǐng)域20052021年于上交所科創(chuàng)板A股PCBVCP50%圖6