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材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)8

位錯(cuò)蝕坑的觀察與分析一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康牧私馕诲e(cuò)觀察的幾種常用方法,借助光學(xué)顯微鏡觀察晶體表面的位錯(cuò)蝕坑。初步掌握用浸蝕法觀察位錯(cuò)的實(shí)驗(yàn)技術(shù)。

學(xué)會(huì)計(jì)算位錯(cuò)密度。二、實(shí)驗(yàn)原理與方法觀察位錯(cuò)的方法浸蝕法：利用蝕坑顯示晶體表面的位錯(cuò)露頭。透射電鏡法：觀察薄膜（厚度<0.2μm）樣品試樣中的位錯(cuò)。X射線衍射顯微鏡分析：利用X光束的局部衍射來研究位錯(cuò)密度。場(chǎng)離子顯微分析：以極高的放大倍數(shù)來顯示金屬表面的原子排列情況。

二、實(shí)驗(yàn)原理與方法浸蝕法：利用蝕坑顯示晶體表面的位錯(cuò)露頭。

{111}晶面{110}晶面{100}晶面位錯(cuò)蝕坑在面心立方結(jié)構(gòu)中各個(gè)晶面上的形狀二、實(shí)驗(yàn)原理與方法利用浸蝕法顯示硅單晶中的位錯(cuò)蝕坑螺型位錯(cuò)刃型位錯(cuò)氧化層錯(cuò)小角度晶界三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容借助金相顯微鏡觀察硅單晶中的各種位錯(cuò)蝕坑、小角度晶界、刃型位錯(cuò)、螺型位錯(cuò)、位錯(cuò)塞積、位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)及層錯(cuò)。利用測(cè)微目鏡計(jì)算所觀察的位錯(cuò)密度。四、實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論分析觀察硅單晶中的位錯(cuò)蝕坑金相特征。如何根據(jù)蝕坑的特征確定位錯(cuò)的性質(zhì)及蝕坑所在的位置。金相顯微鏡下和透射電鏡觀察到的位錯(cuò)

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