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文檔簡介
新能源材料合成與制備智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下山東科技大學(xué)山東科技大學(xué)
第一章測試
近幾年,我國新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展較快的幾個(gè)領(lǐng)域,包括()。
A:前沿新材料三大領(lǐng)域。B:先進(jìn)基礎(chǔ)材料C:關(guān)鍵戰(zhàn)略材料
答案:前沿新材料三大領(lǐng)域。;先進(jìn)基礎(chǔ)材料;關(guān)鍵戰(zhàn)略材料
一種新能源材料的誕生、性能改進(jìn)又與材料的合成與制備技術(shù)密不可分。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第二章測試
下列屬于新型的干燥方法的是()。
A:紅外干燥B:冷凍干燥C:電熱鼓風(fēng)干燥D:微波干燥
答案:紅外干燥;冷凍干燥;微波干燥
根據(jù)材料的結(jié)構(gòu),下列更容易發(fā)生低溫固相反應(yīng)的材料是()。
A:一維延伸固體B:二維延伸固體C:分子固體D:三維延伸固體
答案:一維延伸固體;二維延伸固體;分子固體
外力作用可以降低固體物質(zhì)的熔化溫度,也就是在外力作用下可以使物質(zhì)在低于其熔點(diǎn)的溫度下熔化。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
固體的層狀結(jié)構(gòu)只有在固體存在時(shí)才擁有,一旦固體溶解在溶劑中,層狀結(jié)構(gòu)不復(fù)存在,因而溶液化學(xué)中不存在嵌入反應(yīng)。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
材料燒結(jié)過程中,不管坯體中存在不存在多晶轉(zhuǎn)變都需要持續(xù)供熱。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)
第三章測試
金屬離子的電子構(gòu)型會(huì)影響到水解反應(yīng)的過程,非8e構(gòu)型的金屬離子容易發(fā)生水解反應(yīng),比較容易采用水解反應(yīng),制備相應(yīng)的氧化物粉體材料。下列元素周期表中的元素離子易于發(fā)生水解的是()。
A:d區(qū)B:ds區(qū)C:p區(qū)D:f區(qū)
答案:d區(qū);ds區(qū);p區(qū);f區(qū)
采用鎂離子和鋁離子的共沉淀反應(yīng)制備鎂鋁尖晶石的過程中,可以采用NaOH作為沉淀劑,最終都能合成鎂鋁尖晶石。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
在溶膠凝膠反應(yīng)過程中,水的多少不會(huì)改變反應(yīng)過程,因此,添加量多少對(duì)反應(yīng)產(chǎn)物沒有任何影響。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)
氣凝膠材料由于具有大的比表面積、疏松多孔性能,使實(shí)現(xiàn)下列那幾個(gè)方面應(yīng)用()。
A:保溫隔熱B:吸附C:結(jié)構(gòu)材料D:催化
答案:保溫隔熱;吸附;催化
水熱反應(yīng)制備材料過程中前驅(qū)體與最終產(chǎn)物在水熱溶液中不需要有一定的溶解度差,就可以實(shí)現(xiàn)材料的合成。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
第四章測試
以下哪個(gè)化學(xué)氣相沉積合成方法要求雙溫區(qū)()。
A:氧化還原反應(yīng)B:化學(xué)合成反應(yīng)C:熱分解反應(yīng)D:化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)
答案:化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)
相比于常壓化學(xué)氣相沉積,低壓化學(xué)氣相沉積成膜速率更快。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
化學(xué)氣相沉積裝置主要組成部分包括()。
A:加熱系統(tǒng)B:氣相反應(yīng)室C:氣體控制系統(tǒng)D:排氣系統(tǒng)
答案:加熱系統(tǒng);氣相反應(yīng)室;氣體控制系統(tǒng);排氣系統(tǒng)
相比于立式開口體系,應(yīng)用臥式開口體系制備的薄膜均勻性更好。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
影響化學(xué)氣相沉積的工藝參數(shù)包括()。
A:沉積溫度的確定B:反應(yīng)混合物的選擇C:系統(tǒng)內(nèi)總壓和氣體總流速D:原材料的純度
答案:沉積溫度的確定;反應(yīng)混合物的選擇;系統(tǒng)內(nèi)總壓和氣體總流速;原材料的純度
第五章測試
自蔓延高溫合成法中著火的三種形式包括()。
A:熱自燃B:點(diǎn)燃C:化學(xué)自燃
答案:熱自燃;點(diǎn)燃;化學(xué)自燃
自蔓延高溫合成法中,燃燒波前沿光滑的表面以恒定的速率傳播的燃燒過程稱為穩(wěn)態(tài)燃燒。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
等離子體是氣體。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)
氣氛控制對(duì)放電等離子提燒結(jié)過程具有重要的影響。當(dāng)燒結(jié)由正離子擴(kuò)散控制時(shí),氧化氣氛或氧分壓較高正離子空位形成,燒結(jié)。()
A:不利于,促進(jìn)B:有利于,促進(jìn)C:有利于,抑制D:不利于,抑制
答案:有利于,促進(jìn)
利用傳統(tǒng)的燒結(jié)方法不可以一次燒成梯度功能材料。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第六章測試
下列屬于第三代半導(dǎo)體的晶體材料是()。
A:GaAsB:GaNC:InPD:SiC
答案:GaN;SiC
壓電效應(yīng)是物質(zhì)彈性性質(zhì)與電性能之間的相互耦合作用,具有壓電效應(yīng)的晶體我們稱為壓電晶體;由于壓電效應(yīng)的存在與晶體的結(jié)構(gòu)和對(duì)稱性密切相關(guān),在晶體的32個(gè)點(diǎn)群中,只有個(gè)非中心對(duì)稱的晶體點(diǎn)群才具有壓電性,因此,我們稱這些晶體點(diǎn)群為壓電晶體點(diǎn)群。()
A:21B:22C:20D:15
答案:20
降溫法的生長原理是利用晶體物質(zhì)較大的,通過降溫使其形成過飽和溶液,實(shí)現(xiàn)晶體的生長。()
A:負(fù)溶解度溫度系數(shù)B:正溶解度溫度系數(shù)
答案:正溶解度溫度系數(shù)
溫差水熱法生長大晶體時(shí),當(dāng)生長結(jié)束后,反應(yīng)釜不需
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