新能源材料合成與制備智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下山東科技大學(xué)_第1頁
新能源材料合成與制備智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下山東科技大學(xué)_第2頁
新能源材料合成與制備智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下山東科技大學(xué)_第3頁
免費(fèi)預(yù)覽已結(jié)束,剩余4頁可下載查看

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

新能源材料合成與制備智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下山東科技大學(xué)山東科技大學(xué)

第一章測試

近幾年,我國新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展較快的幾個(gè)領(lǐng)域,包括()。

A:前沿新材料三大領(lǐng)域。B:先進(jìn)基礎(chǔ)材料C:關(guān)鍵戰(zhàn)略材料

答案:前沿新材料三大領(lǐng)域。;先進(jìn)基礎(chǔ)材料;關(guān)鍵戰(zhàn)略材料

一種新能源材料的誕生、性能改進(jìn)又與材料的合成與制備技術(shù)密不可分。()

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第二章測試

下列屬于新型的干燥方法的是()。

A:紅外干燥B:冷凍干燥C:電熱鼓風(fēng)干燥D:微波干燥

答案:紅外干燥;冷凍干燥;微波干燥

根據(jù)材料的結(jié)構(gòu),下列更容易發(fā)生低溫固相反應(yīng)的材料是()。

A:一維延伸固體B:二維延伸固體C:分子固體D:三維延伸固體

答案:一維延伸固體;二維延伸固體;分子固體

外力作用可以降低固體物質(zhì)的熔化溫度,也就是在外力作用下可以使物質(zhì)在低于其熔點(diǎn)的溫度下熔化。()

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

固體的層狀結(jié)構(gòu)只有在固體存在時(shí)才擁有,一旦固體溶解在溶劑中,層狀結(jié)構(gòu)不復(fù)存在,因而溶液化學(xué)中不存在嵌入反應(yīng)。()

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

材料燒結(jié)過程中,不管坯體中存在不存在多晶轉(zhuǎn)變都需要持續(xù)供熱。()

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第三章測試

金屬離子的電子構(gòu)型會(huì)影響到水解反應(yīng)的過程,非8e構(gòu)型的金屬離子容易發(fā)生水解反應(yīng),比較容易采用水解反應(yīng),制備相應(yīng)的氧化物粉體材料。下列元素周期表中的元素離子易于發(fā)生水解的是()。

A:d區(qū)B:ds區(qū)C:p區(qū)D:f區(qū)

答案:d區(qū);ds區(qū);p區(qū);f區(qū)

采用鎂離子和鋁離子的共沉淀反應(yīng)制備鎂鋁尖晶石的過程中,可以采用NaOH作為沉淀劑,最終都能合成鎂鋁尖晶石。()

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

在溶膠凝膠反應(yīng)過程中,水的多少不會(huì)改變反應(yīng)過程,因此,添加量多少對(duì)反應(yīng)產(chǎn)物沒有任何影響。()

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

氣凝膠材料由于具有大的比表面積、疏松多孔性能,使實(shí)現(xiàn)下列那幾個(gè)方面應(yīng)用()。

A:保溫隔熱B:吸附C:結(jié)構(gòu)材料D:催化

答案:保溫隔熱;吸附;催化

水熱反應(yīng)制備材料過程中前驅(qū)體與最終產(chǎn)物在水熱溶液中不需要有一定的溶解度差,就可以實(shí)現(xiàn)材料的合成。()

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第四章測試

以下哪個(gè)化學(xué)氣相沉積合成方法要求雙溫區(qū)()。

A:氧化還原反應(yīng)B:化學(xué)合成反應(yīng)C:熱分解反應(yīng)D:化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)

答案:化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)

相比于常壓化學(xué)氣相沉積,低壓化學(xué)氣相沉積成膜速率更快。()

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

化學(xué)氣相沉積裝置主要組成部分包括()。

A:加熱系統(tǒng)B:氣相反應(yīng)室C:氣體控制系統(tǒng)D:排氣系統(tǒng)

答案:加熱系統(tǒng);氣相反應(yīng)室;氣體控制系統(tǒng);排氣系統(tǒng)

相比于立式開口體系,應(yīng)用臥式開口體系制備的薄膜均勻性更好。()

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

影響化學(xué)氣相沉積的工藝參數(shù)包括()。

A:沉積溫度的確定B:反應(yīng)混合物的選擇C:系統(tǒng)內(nèi)總壓和氣體總流速D:原材料的純度

答案:沉積溫度的確定;反應(yīng)混合物的選擇;系統(tǒng)內(nèi)總壓和氣體總流速;原材料的純度

第五章測試

自蔓延高溫合成法中著火的三種形式包括()。

A:熱自燃B:點(diǎn)燃C:化學(xué)自燃

答案:熱自燃;點(diǎn)燃;化學(xué)自燃

自蔓延高溫合成法中,燃燒波前沿光滑的表面以恒定的速率傳播的燃燒過程稱為穩(wěn)態(tài)燃燒。()

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

等離子體是氣體。()

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

氣氛控制對(duì)放電等離子提燒結(jié)過程具有重要的影響。當(dāng)燒結(jié)由正離子擴(kuò)散控制時(shí),氧化氣氛或氧分壓較高正離子空位形成,燒結(jié)。()

A:不利于,促進(jìn)B:有利于,促進(jìn)C:有利于,抑制D:不利于,抑制

答案:有利于,促進(jìn)

利用傳統(tǒng)的燒結(jié)方法不可以一次燒成梯度功能材料。()

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第六章測試

下列屬于第三代半導(dǎo)體的晶體材料是()。

A:GaAsB:GaNC:InPD:SiC

答案:GaN;SiC

壓電效應(yīng)是物質(zhì)彈性性質(zhì)與電性能之間的相互耦合作用,具有壓電效應(yīng)的晶體我們稱為壓電晶體;由于壓電效應(yīng)的存在與晶體的結(jié)構(gòu)和對(duì)稱性密切相關(guān),在晶體的32個(gè)點(diǎn)群中,只有個(gè)非中心對(duì)稱的晶體點(diǎn)群才具有壓電性,因此,我們稱這些晶體點(diǎn)群為壓電晶體點(diǎn)群。()

A:21B:22C:20D:15

答案:20

降溫法的生長原理是利用晶體物質(zhì)較大的,通過降溫使其形成過飽和溶液,實(shí)現(xiàn)晶體的生長。()

A:負(fù)溶解度溫度系數(shù)B:正溶解度溫度系數(shù)

答案:正溶解度溫度系數(shù)

溫差水熱法生長大晶體時(shí),當(dāng)生長結(jié)束后,反應(yīng)釜不需

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論