發(fā)光二極管資料

發(fā)光二極管資料一、生產(chǎn)工藝1.工藝：

a)清洗：采用超聲波清洗PCB或LED支架，并烘干。

b)裝架：在LED管芯（大圓片）底部電極備上銀膠后進(jìn)行擴(kuò)張，將擴(kuò)張后的管芯（大圓片）安置在刺晶臺(tái)上，在顯微鏡下用刺晶筆將管芯一個(gè)一個(gè)安裝在PCB或LED支架相應(yīng)的焊盤(pán)上，隨后進(jìn)行燒結(jié)使銀膠固化。

c)壓焊：用鋁絲或金絲焊機(jī)將電極連接到LED管芯上，以作電流注入的引線。LED直接安裝在PCB上的，一般采用鋁絲焊機(jī)。（制作白光TOP-LED需要金線焊機(jī)）

d)封裝：通過(guò)點(diǎn)膠，用環(huán)氧將LED管芯和焊線保護(hù)起來(lái)。在PCB板上點(diǎn)膠，對(duì)固化后膠體形狀有嚴(yán)格要求，這直接關(guān)系到背光源成品的出光亮度。這道工序還將承擔(dān)點(diǎn)熒光粉（白光LED）的任務(wù)。

e)焊接：如果背光源是采用SMD-LED或其它已封裝的LED，則在裝配工藝之前，需要將LED焊接到PCB板上。

f)切膜：用沖床模切背光源所需的各種擴(kuò)散膜、反光膜等。

g)裝配：根據(jù)圖紙要求，將背光源的各種材料手工安裝正確的位置。

h)測(cè)試：檢查背光源光電參數(shù)及出光均勻性是否良好。包裝：將成品按要求包裝、入庫(kù)。二、封裝工藝1.LED的封裝的任務(wù)

是將外引線連接到LED芯片的電極上，同時(shí)保護(hù)好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。關(guān)鍵工序有裝架、壓焊、封裝。2.LED封裝形式

LED封裝形式可以說(shuō)是五花八門(mén)，主要根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)合采用相應(yīng)的外形尺寸，散熱對(duì)策和出光效果。LED按封裝形式分類(lèi)有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。3.LED封裝工藝流程4．封裝工藝說(shuō)明1.芯片檢驗(yàn)鏡檢：材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑（lockhill）

芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求

電極圖案是否完整2.擴(kuò)片由于LED芯片在劃片后依然排列緊密間距很小（約0.1mm），不利于后工序的操作。我們采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)黏結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，是LED芯片的間距拉伸到約0.6mm。也可以采用手工擴(kuò)張，但很容易造成芯片掉落浪費(fèi)等不良問(wèn)題。3.點(diǎn)膠在LED支架的相應(yīng)位置點(diǎn)上銀膠或絕緣膠。（對(duì)于GaAs、SiC導(dǎo)電襯底，具有背面電極的紅光、黃光、黃綠芯片，采用銀膠。對(duì)于藍(lán)寶石絕緣襯底的藍(lán)光、綠光LED芯片，采用絕緣膠來(lái)固定芯片。）工藝難點(diǎn)在于點(diǎn)膠量的控制，在膠體高度、點(diǎn)膠位置均有詳細(xì)的工藝要求。

由于銀膠和絕緣膠在貯存和使用均有嚴(yán)格的要求，銀膠的醒料、攪拌、使用時(shí)間都是工藝上必須注意的事項(xiàng)。4.備膠和點(diǎn)膠相反，備膠是用備膠機(jī)先把銀膠涂在LED背面電極上，然后把背部帶銀膠的LED安裝在LED支架上。備膠的效率遠(yuǎn)高于點(diǎn)膠，但不是所有產(chǎn)品均適用備膠工藝。5.手工刺片將擴(kuò)張后LED芯片（備膠或未備膠）安置在刺片臺(tái)的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED芯片一個(gè)一個(gè)刺到相應(yīng)的位置上。手工刺片和自動(dòng)裝架相比有一個(gè)好處，便于隨時(shí)更換不同的芯片，適用于需要安裝多種芯片的產(chǎn)品.6.自動(dòng)裝架自動(dòng)裝架其實(shí)是結(jié)合了沾膠（點(diǎn)膠）和安裝芯片兩大步驟，先在LED支架上點(diǎn)上銀膠（絕緣膠），然后用真空吸嘴將LED芯片吸起移動(dòng)位置，再安置在相應(yīng)的支架位置上。自動(dòng)裝架在工藝上主要要熟悉設(shè)備操作編程，同時(shí)對(duì)設(shè)備的沾膠及安裝精度進(jìn)行調(diào)整。在吸嘴的選用上盡量選用膠木吸嘴，防止對(duì)LED芯片表面的損傷，特別是蘭、綠色芯片必須用膠木的。因?yàn)殇撟鞎?huì)劃傷芯片表面的電流擴(kuò)散層。7.燒結(jié)燒結(jié)的目的是使銀膠固化，燒結(jié)要求對(duì)溫度進(jìn)行監(jiān)控，防止批次性不良。

銀膠燒結(jié)的溫度一般控制在150℃，燒結(jié)時(shí)間2小時(shí)。根據(jù)實(shí)際情況可以調(diào)整到170℃，1小時(shí)。

絕緣膠一般150℃，1小時(shí)。

銀膠燒結(jié)烘箱的必須按工藝要求隔2小時(shí)（或1小時(shí)）打開(kāi)更換燒結(jié)的產(chǎn)品，中間不得隨意打開(kāi)。燒結(jié)烘箱不得再其他用途，防止污染。8.壓焊壓焊的目的將電極引到LED芯片上，完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作。LED的壓焊工藝有金絲球焊和鋁絲壓焊兩種。右圖是鋁絲壓焊的過(guò)程，先在LED芯片電極上壓上第一點(diǎn)，再將鋁絲拉到相應(yīng)的支架上方，壓上第二點(diǎn)后扯斷鋁絲。金絲球焊過(guò)程則在壓第一點(diǎn)前先燒個(gè)球，其余過(guò)程類(lèi)似。壓焊是LED封裝技術(shù)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，工藝上主要需要監(jiān)控的是壓焊金絲（鋁絲）拱絲形狀，焊點(diǎn)形狀，拉力。

對(duì)壓焊工藝的深入研究涉及到多方面的問(wèn)題，如金（鋁）絲材料、超聲功率、壓焊壓力、劈刀（鋼嘴）選用、劈刀（鋼嘴）運(yùn)動(dòng)軌跡等等。（下圖是同等條件下，兩種不同的劈刀壓出的焊點(diǎn)微觀照片，兩者在微觀結(jié)構(gòu)上存在差別，從而影響著產(chǎn)品質(zhì)量。）我們?cè)谶@里不再累述。9.點(diǎn)膠封裝LED的封裝主要有點(diǎn)膠、灌封、模壓三種。基本上工藝控制的難點(diǎn)是氣泡、多缺料、黑點(diǎn)。設(shè)計(jì)上主要是對(duì)材料的選型，選用結(jié)合良好的環(huán)氧和支架。（一般的LED無(wú)法通過(guò)氣密性試驗(yàn)）如右圖所示的TOP-LED和Side-LED適用點(diǎn)膠封裝。手動(dòng)點(diǎn)膠封裝對(duì)操作水平要求很高（特別是白光LED），主要難點(diǎn)是對(duì)點(diǎn)膠量的控制，因?yàn)榄h(huán)氧在使用過(guò)程中會(huì)變稠。白光LED的點(diǎn)膠還存在熒光粉沉淀導(dǎo)致出光色差的問(wèn)題。10.灌膠封裝

Lamp-LED的封裝采用灌封的形式。灌封的過(guò)程是先在LED成型模腔內(nèi)注入液態(tài)環(huán)氧，然后插入壓焊好的LED支架，放入烘箱讓環(huán)氧固化后，將LED從模腔中脫出即成型。11.模壓封裝

將壓焊好的LED支架放入模具中，將上下兩副模具用液壓機(jī)合模并抽真空，將固態(tài)環(huán)氧放入注膠道的入口加熱用液壓頂桿壓入模具膠道中，環(huán)氧順著膠道進(jìn)入各個(gè)LED成型槽中并固化。功率型LED的熱特性直接影響到LED的工作溫度、發(fā)光效率、發(fā)光波長(zhǎng)、使用壽命等，因此，對(duì)功率型LED芯片的封裝設(shè)計(jì)、制造技術(shù)更顯得尤為重要。7LED發(fā)展及應(yīng)用前景近幾年，LED的發(fā)光效率增長(zhǎng)100倍，成本下降10倍，廣泛用于大面積圖文顯示全彩屏，狀態(tài)指示、標(biāo)志照明、信號(hào)顯示、液晶顯示器的背光源，汽車(chē)組合尾燈及車(chē)內(nèi)照明等等方面，其發(fā)展前景吸引全球照明大廠家都先后加入LED光源及市場(chǎng)開(kāi)發(fā)中。極具發(fā)展與應(yīng)用前景的是白光LED，用作固體照明器件的經(jīng)濟(jì)性顯著，且有利環(huán)保，正逐步取代傳統(tǒng)的白熾燈，世界年增長(zhǎng)率在20％以上，美、日、歐及中國(guó)臺(tái)灣省均推出了半導(dǎo)體照明計(jì)劃。目前，普通白光LED發(fā)光效率251m／W，專(zhuān)家預(yù)計(jì)2005年可能超過(guò)3001m／W。功率型LED優(yōu)異的散熱特性與光學(xué)特性更能適應(yīng)普通照明領(lǐng)域，被學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界認(rèn)為是LED進(jìn)入照明市場(chǎng)的必由之路。為替代熒光燈、白光LED必須具有150—2001m／W的光效，且每Im的價(jià)格應(yīng)明顯低于0．015／Im(現(xiàn)價(jià)約0．25$／Im，紅LED為0．065／Im)，要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)仍有很多技術(shù)問(wèn)題需要研究，但克服解決這些問(wèn)題并不是十分遙遠(yuǎn)的事。按固體發(fā)光物理學(xué)原理，LED的發(fā)光效率能近似100％，因此，LED被譽(yù)為21世紀(jì)新光源，有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四代光源。8結(jié)束語(yǔ)國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)中有20余家上、中游研制及生產(chǎn)單位和150余家后道封裝企業(yè)，高端封裝產(chǎn)品還未見(jiàn)推向市場(chǎng)。目前，完成GaN基藍(lán)綠光LED中游工藝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化研究，力爭(zhēng)在短期內(nèi)使產(chǎn)品的性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)外同時(shí)期同類(lèi)產(chǎn)品的水平，力爭(zhēng)在較短時(shí)間內(nèi)達(dá)到月產(chǎn)10kk的生產(chǎn)能力，開(kāi)發(fā)白光照明光源用的功率型LED芯片等新產(chǎn)品?？萍疾繉⑼度?000萬(wàn)元資金，啟動(dòng)國(guó)家半導(dǎo)體照明工程，注意終端產(chǎn)品，先從特種產(chǎn)品做起，以汽車(chē)、城市景觀照明作為市場(chǎng)突破口，把大功率、高亮度LED放在突出位置，它的成果將要服務(wù)于北京奧運(yùn)會(huì)和上海世博會(huì)。無(wú)庸質(zhì)疑，產(chǎn)業(yè)鏈中的襯底、外延、芯片、封裝、應(yīng)用需共同發(fā)展，多方互動(dòng)培植，封裝是產(chǎn)業(yè)鏈中承上啟下部分，需要關(guān)注與重視。

高亮度LED之封裝光通原理技術(shù)分析:編者按：毫無(wú)疑問(wèn)的，這個(gè)世界需要高亮度發(fā)光二極管（HighBrightnessLight-EmittingDiode；HBLED），不僅是高亮度的白光LED（HBWLED），也包括高亮度的各色LED，且從現(xiàn)在起的未來(lái)更是積極努力與需要超高亮度的LED（UltraHighBrightnessLED，簡(jiǎn)稱(chēng)：UHDLED）。用LED背光取代手持裝置原有的EL背光、CCFL背光，不僅電路設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)潔容易，且有較高的外力抗受性。用LED背光取代液晶電視原有的CCFL背光，不僅更環(huán)保而且顯示更逼真亮麗。用LED照明取代白光燈、鹵素?zé)舻日彰?，不僅更光亮省電，使用也更長(zhǎng)效，且點(diǎn)亮反應(yīng)更快，用于煞車(chē)燈時(shí)能減少后車(chē)追撞率。所以，LED從過(guò)去只能用在電子裝置的狀態(tài)指示燈，進(jìn)步到成為液晶顯示的背光，再擴(kuò)展到電子照明及公眾顯示，如車(chē)用燈、交通號(hào)志燈、看板訊息跑馬燈、大型影視墻，甚至是投影機(jī)內(nèi)的照明等，其應(yīng)用仍在持續(xù)延伸。更重要的是，LED的亮度效率就如同摩爾定律（Moore'sLaw）一樣，每24個(gè)月提升一倍，過(guò)去認(rèn)為白光LED只能用來(lái)取代過(guò)于耗電的白熾燈、鹵素?zé)?，即發(fā)光效率在10～30lm/W內(nèi)的層次，然而在白光LED突破60lm/W甚至達(dá)100lm/W后，就連熒光燈、高壓氣體放電燈等也開(kāi)始感受到威脅。雖然LED持續(xù)增強(qiáng)亮度及發(fā)光效率，但除了最核心的熒光質(zhì)、混光等專(zhuān)利技術(shù)外，對(duì)封裝來(lái)說(shuō)也將是愈來(lái)愈大的挑戰(zhàn)，且是雙重難題的挑戰(zhàn)，一方面封裝必須讓LED有最大的取光率、最高的光通量，使光折損降至最低，同時(shí)還要注重光的發(fā)散角度、光均性、與導(dǎo)光板的搭配性。另一方面，封裝必須讓LED有最佳的散熱性，特別是HB（高亮度）幾乎意味著HP（HighPower，高功率、高用電），進(jìn)出LED的電流值持續(xù)在增大，倘若不能良善散熱，則不僅會(huì)使LED的亮度減弱，還會(huì)縮短LED的使用壽命。所以，持續(xù)追求高亮度的LED，其使用的封裝技術(shù)若沒(méi)有對(duì)應(yīng)的強(qiáng)化提升，那么高亮度表現(xiàn)也會(huì)因此打折，因此本文將針對(duì)HBLED的封裝技術(shù)進(jìn)行更多討論，包括光通方面的討論，也包括熱導(dǎo)方面的討論。附注：大陸方面稱(chēng)為「發(fā)光二極管」。

附注：一般而言，HBLED多指8lm/W（每瓦8流明）以上的發(fā)光效率。

附注：一般而言，HPLED多指用電1W（瓦）以上，功耗瓦數(shù)以順向?qū)妷撼艘皂樝驅(qū)娏鳎╒f×If，f＝forward）求得。■裸晶層：「量子井、多量子井」提升「光轉(zhuǎn)效率」雖然本文主要在談?wù)揕ED封裝對(duì)光通量的強(qiáng)化，但在此也不得不先說(shuō)明更深層核心的裸晶部分，畢竟裸晶結(jié)構(gòu)的改善也能使光通量大幅提升。首先是強(qiáng)化光轉(zhuǎn)效率，這也是最根源之道，現(xiàn)有LED的每瓦用電中，僅有15％～20％被轉(zhuǎn)化成光能，其余都被轉(zhuǎn)化成熱能并消散掉（廢熱），而提升此一轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)就在p-n接面（p-njunction）上，p-n接面是LED主要的發(fā)光發(fā)熱位置，透過(guò)p-n接面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)改變可提升轉(zhuǎn)化效率。

▲量子井（QuantumWell；QW）的結(jié)構(gòu)圖。（郭長(zhǎng)佑制圖）關(guān)于此，目前多是在p-n接面上開(kāi)鑿量子井（QuantumWell；QW），以此來(lái)提升用電轉(zhuǎn)換成光能的比例，更進(jìn)一步的也將朝更多的開(kāi)鑿數(shù)來(lái)努力，即是多量子井（MultipleQuantumWell；MQW）技術(shù)?！雎憔樱骸笓Q料改構(gòu)、光透光折」拉高「出光效率」如果光轉(zhuǎn)效率難再要求，進(jìn)一步的就必須從出光效率的層面下手，此層面的作法相當(dāng)多，依據(jù)不同的化合材料也有不同，目前HBLED較常使用的兩種化合材料是AlGaInP及GaN/InGaN，前者用來(lái)產(chǎn)生高亮度的橘紅、橙、黃、綠光，后者GaN用來(lái)產(chǎn)生綠、翠綠、藍(lán)光，以及用InGaN產(chǎn)生近紫外線、藍(lán)綠、藍(lán)光。至于作法有哪些？這包括改變實(shí)體幾何結(jié)構(gòu)（橫向轉(zhuǎn)成垂直）、換用基板（substrate，也稱(chēng)：襯底）的材料、加入新的材料層、改變材料層的接合方式、不同的材料表面處理等。不過(guò)，無(wú)論如何變化，大體都不脫兩個(gè)要?jiǎng)t：一、降低遮蔽、增加光透率。二、強(qiáng)化光折射、反射的利用率。舉例來(lái)說(shuō)，過(guò)去AlGaInP的LED，其基板所用的材料為GaAs，然黑色表面的GaAs使p-n接面散發(fā)出的光有一半被遮擋吸收，造成光能的浪費(fèi)，因此改用透明的GaP材料來(lái)做基板。又如日本日亞化學(xué)工業(yè)（Nichia）在GaN的LED中，將p型電極（ptype）部分做成網(wǎng)紋狀（MeshPattern），以此來(lái)增加p極的透明度，減少光阻礙同時(shí)提升光透量。至于增加折反射上，在AlGaInP的結(jié)構(gòu)中增加一層DBR（DistributedBraggReflector）反射層，將另一邊的光源折向同一邊。GaN方面則將基板材料換成藍(lán)寶石（Sapphire，Al2O3，三氧化二鋁）來(lái)增加反射，同時(shí)將基板表面設(shè)計(jì)成凹凸紋狀，藉此增加光反射后的散射角度，進(jìn)而使取光率提升?；蛉绲聡?guó)歐司朗（OSRAM）使用SiC材料的基板，并將基板設(shè)計(jì)成斜面，也有助于增加反射，或加入銀質(zhì)、鋁質(zhì)的金屬鏡射層。

▲亮度提升的LED已經(jīng)跨足到公眾場(chǎng)合的號(hào)志應(yīng)用，此為國(guó)內(nèi)工地外圍的交通方向指示燈，即是用HBLED所組構(gòu)成。（郭長(zhǎng)佑攝影）附注：AlGaInP（磷化鋁鎵銦）也稱(chēng)為「四元發(fā)光材料」，即是以Al、Ga、In、P四種元素化合而成。

附注：在一般的圖形結(jié)構(gòu)解說(shuō)時(shí)，p-n接面也稱(chēng)為「發(fā)光層，emittinglayer或activelayer、activeregion」。

附注：除了減少光遮、增加反射外，有時(shí)換用不同技術(shù)的用意是在于規(guī)避其它業(yè)者已申請(qǐng)的專(zhuān)利。

▲各種AlGaInPLED的發(fā)光效能強(qiáng)化法，由左至右為技術(shù)先進(jìn)度的差別，最左為最基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)的LED幾何結(jié)構(gòu)，接著開(kāi)始加入DBR（DistributedBraggReflector）反射層，再來(lái)是有DBR后再加入電流局限（CurrentBlocking）技術(shù)，而最右為晶元光電的OMA（Omni-directionalMirrorAdherence）全方位鏡面接合技術(shù)，該技術(shù)也將基板材質(zhì)從GaAs換成Si。（圖片來(lái)源：晶元光電）

▲對(duì)GaN、InGaN化合材料的LED而言，也有其自有的一套制程結(jié)構(gòu)光通強(qiáng)化法，以德國(guó)OSRAM來(lái)說(shuō)，1999年還在使用標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，2002年就進(jìn)展到ATON結(jié)構(gòu)，2003年換成更佳的NOTA結(jié)構(gòu)，2005年則是ThinGaN結(jié)構(gòu)。（圖片來(lái)源：晶元光電）■封裝層：抗老化黃光、透光率保衛(wèi)戰(zhàn)從裸晶層面努力增加光亮后，接著就正式從封裝層面接手，務(wù)使光通維持最高、光衰減至最少。要有高的流明保持率（Transmittance，透光率、穿透率，以百分比單位表示），第一步是封裝材質(zhì)，過(guò)去LED最常用的是環(huán)氧樹(shù)脂（epoxy），不過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂老化后會(huì)逐漸變黃（因「苯環(huán)」成份），進(jìn)而影響光亮顏色，尤其波長(zhǎng)愈低時(shí)老化愈快，特別是部分WLED使用近紫外線（Nearultraviolet）發(fā)光，與其它可見(jiàn)光相比其波長(zhǎng)又更低，老化更快。新的提案是用硅樹(shù)脂（silicone）換替環(huán)氧樹(shù)脂，例如美國(guó)Lumileds公司的Luxeon系列LED即是改采硅封膠。使用硅膠的不只是LumiledsLuxeon，其它業(yè)者也都有硅膠方案，如通用電氣．東芝（GEToshiba）公司的InvisiSi1，東麗．道康寧（DowCoringToray）的SR7010等也都是LED的硅膠封裝方案。硅膠除了對(duì)低波長(zhǎng)有較佳的抗受性、較不易老化外，硅膠阻隔近紫外線使其不外泄也是對(duì)人體健康的一種保護(hù)，此外硅膠的光透率、折射率、耐熱性都很理想，GEToshiba的InvisiSi1具有高達(dá)1.5～1.53的折射率，波長(zhǎng)范疇在350nm～800nm間的光透率達(dá)95％，且波長(zhǎng)低至300nm時(shí)仍有75％～80％的光透，或者與折射率進(jìn)行取舍，將折射率降至1.41，如此即便是300nm波長(zhǎng)也能維持95％的光透性。同樣的，DowCoringToray的SR7010在405nm波長(zhǎng)以上時(shí)光透率達(dá)99％，且硬化處理后折射率亦有1.51，另外耐熱上也都能達(dá)180℃～200℃此外，也有業(yè)者提出所謂的無(wú)樹(shù)脂封裝，即是用玻璃來(lái)作為外套保護(hù)，或如日本京瓷（Kyocera）提出的陶瓷封裝，都是為了抗老化而提出，其中陶瓷也有較佳的耐熱效果。

▲LumiledsLighting公司的Luxeon系列LED（InGaN）的橫切面圖，從圖中可知Luxeon用硅封裝進(jìn)行裸晶防護(hù)，而非傳統(tǒng)的環(huán)氧樹(shù)脂。（圖片來(lái)源：L）

▲隨著使用時(shí)間的增長(zhǎng)，LED的光通量也會(huì)逐漸降低，圖中是兩個(gè)LED的壽命光通量曲線比較，下方藍(lán)色線為一般5mm的WLED指示燈，上方紅色線則是高功率LED照明燈。（圖片來(lái)源：L）附注：另一個(gè)加速環(huán)氧樹(shù)脂老化變黃的因素來(lái)自溫度，高溫會(huì)加速老化?！龇庋b層：透鏡的透射反射杯的反射、折射前述的封裝主要在于保護(hù)LED裸晶，并在保護(hù)之余盡可能讓光熱忠實(shí)向外傳遞，接下來(lái)還是在封裝層面，不過(guò)不再是內(nèi)覆的Resin部分，而是外蓋的Lens部分。在用膠封裝完后，依據(jù)LED的不同用途會(huì)有各種不同的接續(xù)作法，例如做成一個(gè)一個(gè)的獨(dú)立封裝組件，過(guò)去最典型的單顆LED指示燈即是如此，另一種則是將多個(gè)LED并成一個(gè)整體性組件，如七段顯示器、點(diǎn)陣型顯示器等。此外焊接腳位方面也有兩種區(qū)分，即穿孔技術(shù)（Through-HoleTechnology；THT）及表面黏著技術(shù)（Surface-MountTechnology；SMT）。在此暫且不談?wù)撊杭缘钠叨物@示器、點(diǎn)陣型顯示器，而就逐一獨(dú)立、分離、離散性的封裝來(lái)說(shuō)，也要因應(yīng)不同的應(yīng)用而有不同的封裝外觀，若是與過(guò)往LED相同是做為穿孔性焊接的狀態(tài)指示燈則只要采行燈泡（Lamp）型態(tài)的封裝（今日也多俗稱(chēng)成「炮彈型」），即便確定是此型也還有透鏡型態(tài)（LensType）的區(qū)別，如典型Lamp、卵橢圓Oval、超卵橢圓SuperOval、平直Flat等。而若是表面黏著型，也有頂視TopView、邊視SideView、圓頂Dome等。為何要有各種不同的透鏡外型？其實(shí)也有各自的應(yīng)用需求，就一般而言，Lamp用來(lái)做指示燈號(hào)、Oval用于戶(hù)外標(biāo)示或號(hào)志、TopView用來(lái)做直落式的背光、Flat與SideView配合導(dǎo)光板（GuidePlate：LGP）做側(cè)邊入光式的背光、Dome做為小型照明燈泡、小型閃光燈等。外型不同、應(yīng)用不同，發(fā)光的可視角度（ViewAngle）也就不同，此部分也就再次考驗(yàn)封裝設(shè)計(jì)，運(yùn)用不同的設(shè)計(jì)方式，可以獲得不同的發(fā)光角度、光強(qiáng)度、光通量，此方面常見(jiàn)的作法有四：中軸透鏡Axiallens、平直透鏡Flatlens、反射杯Reflectivecup、島塊反射杯Reflectivecupbyisland。一般的Lamp用的即是中軸透鏡法，Dome及Oval/SuperOval等也類(lèi)似，但Oval/SuperOval的光亮比Lamp更集中在軸向的小角度內(nèi)。而Flat則是用平直透鏡法，好處是光視角比中軸透鏡法更大，但缺點(diǎn)是光通量降低、光強(qiáng)度減弱。至于TopView、SideView等則多用反射杯或島塊反射杯，此作法是在封裝內(nèi)加入反射鏡，對(duì)部分發(fā)散角度的光束進(jìn)行反射、折射等收斂動(dòng)作，使角度與光強(qiáng)度能取得平衡。

▲日亞化學(xué)工業(yè)（Nichia）的5mm白光LED，圖中可見(jiàn)炮彈（Lamp）型封裝內(nèi)部也使用碗狀的反射杯（Reflectivecup）設(shè)計(jì)來(lái)強(qiáng)化光照角度及強(qiáng)度。（圖片來(lái)源：Ledstyles.de）就技術(shù)難易來(lái)說(shuō)，只用上透鏡的Axiallens、Flatlens確實(shí)較為簡(jiǎn)易，只要考慮透射與光束發(fā)散性，相對(duì)的有Reflectivecup就不同了，原有的透射、發(fā)散一樣要考慮，還要追加考慮反射、折射以及光束收斂，確實(shí)更加復(fù)雜。還有，我們還沒(méi)討論材質(zhì)，透鏡部分除了可持續(xù)用原有的覆膠材質(zhì)外也可以改用其它材質(zhì)，因?yàn)橥哥R已較為講究光透而較不講究裸晶防護(hù)，如此還可采行塑料（