東芝電磁爐維修手冊(cè)

東芝電磁爐修理手冊(cè)內(nèi)容介紹088系列電磁爐簡(jiǎn)介,088局部介紹電路的檢測(cè)方法及標(biāo)準(zhǔn),并針對(duì)檢測(cè)時(shí)消滅的不良狀況給出對(duì)策,而且介紹一些故障案例供修理時(shí)作參考。目 錄一、簡(jiǎn)介電磁加熱原理088二、原理分析特別零件簡(jiǎn)介L(zhǎng)M339IGBT電路方框圖主回路原理分析振蕩電路IGBTPWM同步電路加熱開(kāi)關(guān)掌握VAC電流檢測(cè)電路VCE浪涌電壓監(jiān)測(cè)電路過(guò)零檢測(cè)鍋底溫度監(jiān)測(cè)電路IGBT散熱系統(tǒng)主電源關(guān)心電源報(bào)警電路三、故障修理故障代碼表主板檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)主板檢測(cè)表主板測(cè)試不合格對(duì)策故障案例1一、簡(jiǎn)介電磁加熱原理電磁灶是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能 -磁能-熱能的廚房電器。在電磁灶內(nèi)部，由整流電路將50/60Hz的溝通電壓變成直流電壓，再經(jīng)過(guò)掌握電路將直流電壓轉(zhuǎn)換成頻率為20-40KHz的高頻電壓，高速變化的電流流過(guò)線圈會(huì)產(chǎn)生高速變化的磁場(chǎng)，當(dāng)磁場(chǎng)內(nèi)的磁力線通過(guò)金屬器皿(導(dǎo)磁又導(dǎo)電材料)底部金屬體內(nèi)產(chǎn)生很多的小渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的東西。088系列簡(jiǎn)介088系列是由東芝電子技術(shù)開(kāi)發(fā)制造廠設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的一代電磁爐,介面有LED發(fā)光二極管顯示模式、LED數(shù)碼顯示模式、LCDVFD熒光顯示模式機(jī)種。操作功能有加熱火力調(diào)整、自動(dòng)恒溫設(shè)定、定時(shí)關(guān)機(jī)、預(yù)約開(kāi)/關(guān)機(jī)、預(yù)置操作模式、自動(dòng)泡茶、自動(dòng)煮飯、自動(dòng)煲粥、自動(dòng)煲湯及煎、炸、烤、火鍋等料理功能機(jī)種。額定加熱功率有700~3000W的不同機(jī)種,功率調(diào)整范圍為額定功率的85%,并且在全電壓范圍內(nèi)功率自動(dòng)恒定。220V機(jī)種電壓使用范160~260V,110V90~135V50、60Hz的電壓頻率。使用環(huán)境溫度為-23℃~45℃/短路保護(hù)、2IGBTIGBT式、IGBT/短路保護(hù)、凹凸電壓保護(hù)、浪涌電壓保護(hù)、VCEVCE過(guò)零檢測(cè)、小物檢測(cè)、鍋具材質(zhì)檢測(cè)。088系列雖然機(jī)種較多,且功能簡(jiǎn)單,但不同的機(jī)種其主控電路原理一樣,區(qū)分只是零件參CPU84K路簡(jiǎn)潔且零件極少,并設(shè)有故障報(bào)警功能,故電路牢靠性高,修理簡(jiǎn)潔,修理時(shí)依據(jù)故障報(bào)警指示,對(duì)應(yīng)檢修相關(guān)單元電路,大局部均可輕易解決。二、原理分析特別零件簡(jiǎn)介L(zhǎng)M339集成電路LM3396mV的器當(dāng)較器輸入端電壓正向時(shí)(+輸入端電壓高于-入輸端電壓),置于LM339內(nèi)部掌握輸出端的三極管截止,此時(shí)輸出端相當(dāng)于開(kāi)路;當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí)(-輸入端電壓高于+輸入端電壓),置于LM339內(nèi)部掌握輸出端的三極管導(dǎo)通,將比較器外部接入輸出端的電壓拉低,此時(shí)輸出端為0V。IGBT絕緣柵雙極型晶體管(IusulatedGateBipolarTransistorIGBT,是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓鼓勵(lì)場(chǎng)控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。目前有用不同材料及工藝制作的IGBT,但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET極型晶體管放大的復(fù)合構(gòu)造。IGBT有三個(gè)電極(見(jiàn)上圖),分別稱(chēng)為柵極GC(亦稱(chēng)漏極)及放射極EIGBT的下述特點(diǎn)中可看出,它抑制了功率MOSFET工作時(shí),導(dǎo)通電阻大,器件發(fā)熱嚴(yán)峻,輸出效率下降。IGBTMOSFET輸入阻抗高,柵驅(qū)動(dòng)功率微小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)潔。BVceo下,其導(dǎo)通電阻Rce(on)不大于MOSFETRds(on)的10%。擊穿電壓高,安全工作區(qū)大,在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會(huì)受損壞。1kV~1.8kV1.2us600V0.2us,約為GTR10%,接近于功率MOSFET,100KHz,開(kāi)關(guān)損耗僅為GTR30%。IGBT將場(chǎng)控型器件的優(yōu)點(diǎn)與GTR半導(dǎo)體功率器件。目前088系列因應(yīng)不同機(jī)種采了不同規(guī)格的IGBT,它們的參數(shù)如下:(1) H20T120 西門(mén)子公司出品,耐壓1200V,電流容量25℃時(shí)40A,100℃時(shí)20A,內(nèi)部帶阻尼二極管。(2) FGA25N120----仙童公司出品,1200V,2540A,10025A,內(nèi)部帶阻尼二極管,IGBT可代用SGW25N120SKW25N120,代用SGW25N120時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT的D11快速恢復(fù)二極管撤除不裝。(3) GT40T101東芝公司出品,耐壓1500V,電流容量25℃時(shí)80A,100℃時(shí)40A,內(nèi)部不帶阻尼二極管,所以應(yīng)用時(shí)須配套15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)使用,該IGBT配套6A/1200V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120GT40Q321,15A/1500V以上的快速恢復(fù)二極管(D11)后可代用GT40T301。(4) GT40T301----東芝公司出品,1500V,2580A,10040A,內(nèi)部帶阻尼二極管,該IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101,代用SGW25N120和GT40T101時(shí)請(qǐng)將原配套該IGBT的D11快速恢復(fù)二極管撤除不裝。(5) GT60M303----東芝公司出品,耐壓900V,電流容量25℃時(shí)120A,100℃時(shí)60A,內(nèi)部帶阻尼二極管。電路方框圖主回路原理分析時(shí)間t1~t2加至Q1的G極時(shí),Q1飽和導(dǎo)通,電流i1L1,由于線圈感抗不允許電流突變.t1~t2i1隨線性上升,t2時(shí)脈沖完畢,Q1截止,同樣由于感抗作用,i10,C3充電,i2,t3時(shí)間,C3電荷布滿,0,L1C3的電場(chǎng)能量,在電容兩端消滅左負(fù)右正,幅度到達(dá)峰值電壓,在Q1的CE極間消滅的電壓實(shí)際為逆程脈沖峰壓+電源電壓,t3~t4時(shí)間,C3通過(guò)L1放電完畢,i3到達(dá)最大值,電容兩端電壓消逝,這時(shí)電容中的電能又全部轉(zhuǎn)為L(zhǎng)1中的磁能,因感抗作用,i30,于是L1兩端電動(dòng)勢(shì)反向,即L1兩端電位左正右負(fù),由于阻尼管D11的存在,C3不能連續(xù)反向充電,C2、D11回流,i4,t4時(shí)間,其次個(gè)脈沖開(kāi)頭到來(lái),但這時(shí)Q1的UE為正,UC為負(fù),處于反偏狀態(tài),所以Q1不能導(dǎo)通,待i40,L1中的磁能放完,即到t5時(shí)Q1才開(kāi)頭其次次導(dǎo)通,產(chǎn)生i5以后又重復(fù)i1~i4過(guò)程,因此在L1上就產(chǎn)生了和開(kāi)關(guān)脈沖f(20KHz~30KHz)一樣的溝通電流。t4~t5i4是阻尼管D11的導(dǎo)通電流,在高頻電流一個(gè)電流周期里,t2~t3的i2是線盤(pán)磁能對(duì)電容C3的充電電流,t3~t4的i3是逆程脈沖峰壓通過(guò)L1放電的電流,t4~t5的i4是L1兩端電動(dòng)勢(shì)反向時(shí),因D11的存在令C3不能連續(xù)反向充電,而經(jīng)過(guò)C2、D11回流所形成的阻尼電流,Q1的導(dǎo)通電流實(shí)際上是i1。Q1的VCE電壓變化:在靜態(tài)時(shí),UC為輸入電源經(jīng)過(guò)整流后的直流電源,t1~t2,Q1飽和導(dǎo)通,UC接近地電位,t4~t5,阻尼管D11導(dǎo)通,UC為負(fù)壓(電壓為阻尼二極管的順向壓降),t2~t4,也就LC自由振蕩的半個(gè)周期,UC上消滅峰值電壓,t3時(shí)UC到達(dá)最大值。以上分析證明兩個(gè)問(wèn)題:一是在高頻電流的一個(gè)周期里,i1L的能量,所以i1的大小就打算加熱功率的大小,同時(shí)脈沖寬度越大,t1~t2的時(shí)間就越長(zhǎng),i1就越大,反之亦然,所以要調(diào)整加熱功率,只需要調(diào)整脈沖的寬度;二是LC自由振蕩的半周期時(shí)間是消滅峰值電壓的時(shí)間,亦是Q1的截止時(shí)間,也是開(kāi)關(guān)脈沖沒(méi)有到達(dá)的時(shí)間,這個(gè)時(shí)間關(guān)系是不能錯(cuò)位的,如峰值脈沖還沒(méi)有消逝,而開(kāi)關(guān)脈沖己提前到來(lái),就會(huì)消滅很大的導(dǎo)通電流使Q1燒壞,因此必需使開(kāi)關(guān)脈沖的前沿與峰值脈沖后沿一樣步。振蕩、檢鍋及IGBT驅(qū)動(dòng)電路電磁爐的加熱功率越大,

A點(diǎn)接同步信號(hào)〔方波〕輸出端，當(dāng)A點(diǎn)有方波輸入時(shí)、經(jīng)C10微分后變成三角波B點(diǎn)，與C點(diǎn)電壓進(jìn)展比較，當(dāng)V8>V9時(shí)，V14為OFF，Q1導(dǎo)通，E點(diǎn)輸出低電平。當(dāng)V8<V9時(shí)，V14為ON，Q3導(dǎo)通，E點(diǎn)輸出高電平。BACE“C點(diǎn)輸入的電壓越高,V14處于ONBACECPU16uS負(fù)檢鍋脈沖至BIGBT瞬間翻開(kāi)，再推斷PAN-Q端的脈沖個(gè)數(shù)。如：7＞脈沖個(gè)數(shù)＞0則推斷有鍋，PWM有輸出0=脈沖個(gè)數(shù)＞7 則推斷無(wú)鍋，連續(xù)1分鐘后自動(dòng)關(guān)機(jī)PWM脈寬調(diào)控電路待機(jī)時(shí)，Q2處在導(dǎo)通狀態(tài)，使得EC9正極電壓極低，確保IGBT在待機(jī)時(shí)牢靠截止，防止在Q2當(dāng)CUR處電壓增加時(shí),13ON時(shí)刻相對(duì)短,IGBTON時(shí)間也短.CUR降低.功率保持不變.到達(dá)自動(dòng)恒功率掌握的目的.+5V11+5V111310R1710KPWMCURR30 R31R34U3DR326.8KR35100KQ2R3322KR36EC98550EC2同步電路OUT2OUT21OUT11LP1C5IGBT-C1B1ACIGBT1+3C6R12AC-4R5Z2R8R3R4R9U3B7C9 D816R21C8R20 C7R8、R21分壓產(chǎn)生V6,R1+R3+R4+R9、R20分壓產(chǎn)生V4,在高頻電流的一個(gè)周期里,在t2~t4時(shí)間(圖1),由于C5,所以V7<V6，V1ON(V1=5V)振蕩電路V8>V9,V14OFF(V14=0V),振蕩沒(méi)有輸出,也就沒(méi)有開(kāi)關(guān)脈沖加至IGBT的G極,保證了IGBT在t2~t4t4~t6時(shí)間,C3電容兩端電壓消逝,V7>V6,V1下降,振蕩有輸出,有開(kāi)關(guān)脈沖加IGBT的G極。以上動(dòng)作過(guò)程,保證了加到IGBTG極上的開(kāi)關(guān)脈沖前沿與IGBT上產(chǎn)生的VCE脈沖后沿一樣步。VAC檢測(cè)電路+5VD11IN4148D3R13MCUR12EC10D4AC220VD3、D4R13、R12+5VD11IN4148D3R13MCUR12EC10D4判別輸入的電源電壓是否在充許范圍內(nèi),否則停頓加熱,并報(bào)知信息(詳見(jiàn)故障代碼表)。協(xié)作電流檢測(cè)電路、VCE電路反響的信息,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令(詳見(jiàn)加熱開(kāi)關(guān)掌握及摸索過(guò)程一節(jié))。協(xié)作電流檢測(cè)電路反響的信息及方波電路監(jiān)測(cè)的電源頻率信息,調(diào)控PWM的脈寬,令輸出功率保持穩(wěn)定。220V±1V電壓,不接線盤(pán)(L1)CPUVA/D輸入腳電壓,標(biāo)準(zhǔn)為2.4V±0.1電流檢測(cè)及浪涌電壓監(jiān)測(cè)電路T2T2+5V+5VC13R273K9R1010K+18V3R1410KVR1500R262KR398205U3A4D16D152LM339INTC14D9R401KC12IN4148IN4148R2520021D14D13IN4148IN4148R1810KCUREC11T2AC電壓,D13~D16組成的橋式整流電路整流、EC11平滑,所獲得的直流電壓送至CPU,該電壓越高,表示電源輸入的電流越大,CPU依據(jù)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,自動(dòng)作出各種動(dòng)作指令:協(xié)作VAC檢測(cè)電路,判別是否己放入適合的鍋具,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令(詳見(jiàn)加熱開(kāi)關(guān)掌握及摸索過(guò)程一節(jié))。協(xié)作VAC檢測(cè)電路反響的信息及方波電路監(jiān)測(cè)的電源頻率信息,調(diào)控PWM的脈寬,令輸出功率保持穩(wěn)定。浪涌電壓監(jiān)測(cè)電路:電源電壓正常時(shí),V5>V4,V2ON(V24.7V),振蕩電路可以輸出振蕩脈沖信號(hào),當(dāng)電源突然有浪涌電壓輸入時(shí),V5V4>V5，U3A比較器翻轉(zhuǎn),V2OFF(V2=0V),D9瞬間導(dǎo)通,將振蕩電路輸出的振蕩脈沖電壓拉低,電磁爐暫停加熱,同時(shí),CPUINTV2OFF信息,馬上發(fā)出暫止加熱指令,待浪涌電壓過(guò)后、V2OFF轉(zhuǎn)為ON時(shí),CPU再重發(fā)出加熱指令。VCE檢測(cè)電路+5VR19R28R41240KR1110K71DR42220KZ3Q5NPNR4317K將IGBT集電極上的脈沖電壓通過(guò)R19+R28+R41+R42、R43Q6基極,在放射極上獲得其取樣電壓,D17瞬間導(dǎo)通,將振蕩電路輸出的振蕩脈沖電壓拉低,VCE取樣電壓值+5VR19R28R41240KR1110K71DR42220KZ3Q5NPNR4317K鍋底溫度監(jiān)測(cè)電路+5VR29PAN1NOC1MT-MAINMCUR28加熱鍋具底部的溫度透過(guò)微晶玻璃板傳至緊貼玻璃板底的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,該電阻阻值的變化間接反響了加熱鍋具的溫度變化(溫度/阻值詳見(jiàn)熱敏電阻溫度分度表),熱敏電阻與R28+5VR29PAN1NOC1MT-MAINMCUR28定溫功能時(shí),掌握加熱指令,另被加熱物體溫度恒定在指定范圍內(nèi)。220℃時(shí),加熱馬上停頓,并報(bào)知信息(詳見(jiàn)故障代碼表)。當(dāng)鍋具空燒時(shí),加熱馬上停頓,并報(bào)知信息(詳見(jiàn)故障代碼表)。當(dāng)熱敏電阻開(kāi)路〔2分鐘〕或短路時(shí),發(fā)出不啟動(dòng)指令,并報(bào)知相關(guān)的信息(詳見(jiàn)故障代碼表)。IGBT溫度監(jiān)測(cè)電路IGBT

+5VNOC

T-IGBT

IGBT產(chǎn)生的溫度透過(guò)散熱片傳至緊貼其上的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻TH,IGBT的溫度變化MCU (溫度/阻值詳見(jiàn)熱敏電阻溫度分度表),熱敏電阻與R11分壓R11 點(diǎn)的電壓變化其實(shí)反影了熱敏電阻阻值的變化,即IGBT的溫度變化,CPU通過(guò)監(jiān)測(cè)該電壓的變化,作出相應(yīng)的動(dòng)作指令:當(dāng)IGBT結(jié)溫由于某緣由(例如散熱系統(tǒng)故障)100℃時(shí),加熱馬上停頓,并報(bào)知信息(詳見(jiàn)故障代碼表)。當(dāng)熱敏電阻TH〔2分鐘或短路時(shí),發(fā)出不啟動(dòng)指令,并報(bào)知相關(guān)的信息(詳見(jiàn)故障代碼表)。散熱系統(tǒng)D12 18VMCUR38D12 18VMCUR38Q4

IGBTDB進(jìn)、出風(fēng)口形成的氣流將散熱片上的熱及線盤(pán)L1等零件工作時(shí)產(chǎn)生的熱、加熱鍋具輻射進(jìn)電磁爐內(nèi)的熱排出電磁爐外。CPUR38Q4,Q4和導(dǎo)通,VCCQ4至地,風(fēng)扇運(yùn)轉(zhuǎn);CPU指令時(shí),FAN,Q4截止,風(fēng)扇因沒(méi)有電流流過(guò)而停轉(zhuǎn)。為了能將電磁爐內(nèi)部的余熱降低，每次按開(kāi)關(guān)鍵關(guān)機(jī)，風(fēng)扇均會(huì)延遲1分鐘后再停頓運(yùn)轉(zhuǎn)。主電源L21L21ACLAC220VC15R231*/1W1AC+3N112ACNAC-B14T2VDDD1D2VccD3D4AC220V50/60Hz電源經(jīng)保險(xiǎn)絲FUSE,再通過(guò)電流互感器至橋式整流器DB,產(chǎn)生的脈動(dòng)直流電壓通過(guò)扼流線圈供給應(yīng)主回路使用;AC1、AC2兩端電壓除送至關(guān)心電源使用外,另外還送D3、D4

R4電源U1D5U2C4Z1EC12 E61010U/5VC2104C3EC5C1U 40U/5V4D7智能電源IC的掌握器和功率器件完全集成在單芯片內(nèi)，而且不必考慮功率器件驅(qū)動(dòng)及有關(guān)電源核心局部的布局問(wèn)題，因此，智能功率技術(shù)進(jìn)一步簡(jiǎn)化了這種電源的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)過(guò)程。由意法半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)的VIPer12AIC60KHz的集成脈寬調(diào)制掌握器和一個(gè)擊730V的高壓功率MOSFET。VIPer12A特點(diǎn)如下:1、固定60KHZ開(kāi)關(guān)頻率 239~38V寬脈沖電壓4+18VVIPer12APWM1、2腳輸出,再經(jīng)高頻變壓器初級(jí)—R7——EC6C4濾波可得一個(gè)+18V直流電。

+5V是高頻變壓器變壓D6整流EC3濾波再由L785穩(wěn)壓而得。

東芝國(guó)注：由于是承受開(kāi)關(guān)電源，工作頻率格外高，故二極管均為快速恢復(fù)型，絕非一般整流二極管。蜂鳴器發(fā)聲電路電磁爐發(fā)出報(bào)知響聲時(shí),CPU145V4KHz的脈沖信號(hào)電壓至蜂鳴器BZ,BZ發(fā)出報(bào)知響聲。三、故障修理088CPU84K路簡(jiǎn)潔且零件極少,并設(shè)有故障報(bào)警功能,故電路牢靠性高,修理簡(jiǎn)潔,修理時(shí)依據(jù)故障報(bào)警指示,對(duì)應(yīng)檢修相關(guān)單元電路,大局部均可輕易解決。故障代碼表故障故障電壓過(guò)低電壓過(guò)高爐面?zhèn)鞲衅鏖_(kāi)路爐面?zhèn)鞲衅鞫搪稩GBT傳感器開(kāi)路IGBT傳感器短路鍋空燒爐面溫度過(guò)高通氣口堵塞長(zhǎng)時(shí)間烹調(diào)爐面電阻感應(yīng)不到溫度代碼F12F11F01F03備注F07F09關(guān)機(jī)關(guān)機(jī)C10關(guān)機(jī)C4主板檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)由于電磁爐工作時(shí),主回路工作在高壓、大電流狀態(tài)中,所以對(duì)電路檢查時(shí)必需將線盤(pán)(L1)斷開(kāi)不接,機(jī)前,應(yīng)依據(jù)3.2.1<<主板檢測(cè)表>>對(duì)主板各點(diǎn)作測(cè)試后,一切符合才進(jìn)展。一、待機(jī)測(cè)試(一、待機(jī)測(cè)試(不接入線盤(pán),接入電源后不按任何鍵)二、動(dòng)檢(不接入線盤(pán),接入電源后按開(kāi)機(jī)鍵)步測(cè)試點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)備注驟1通電發(fā)出“B”一聲2OUT2>305V220V時(shí)3+18VDC18V±1V4+5V5V±0.1V5Q1G極<0.5V6V16>4.7V7V點(diǎn)(VA/D)2.35V±0.1V確認(rèn)輸入8V61.2V±0.1V電壓為9V70.65V±0.1V220V時(shí) 并聯(lián)1只10K電阻10V10.7V±0.1VC3兩端,測(cè)試完后撤除。11EC7正極2.5V±0.05VTH,15.1K電阻,測(cè)試完后撤除,再接回TH。12EC8正極2.5V±0.05V不插入傳感器,改接入10K電阻,測(cè)試完后撤除,再接回傳感器。13IGBT-G極間隔消滅幅度5V，16.8US的此為加至檢鍋信號(hào)。脈沖14CON4兩端18V±1V風(fēng)扇應(yīng)轉(zhuǎn)動(dòng)151~14151~14步驟合格再接入線盤(pán)試機(jī),電磁爐應(yīng)能正常啟動(dòng)加熱1:放入鍋具電磁爐檢測(cè)不到鍋具而不啟動(dòng),3秒發(fā)出“嘟”一聲短音,連續(xù)1分鐘后轉(zhuǎn)入待機(jī)。分析:根椐報(bào)警信息,CPU判定為加熱鍋具過(guò)小(8cm)或無(wú)鍋放入或鍋具材質(zhì)不符而不加熱,,電磁爐啟動(dòng)時(shí),CPU先從第12腳輸出摸索檢鍋信號(hào)電壓,該信號(hào)經(jīng)過(guò)PWM脈寬調(diào)控電路轉(zhuǎn)換為掌握振蕩脈寬輸出的電壓加至IGBT推動(dòng)電路,IGBT工作的摸索信號(hào)電壓,關(guān)鍵條件有三個(gè):一是參加Q1G極的摸索信號(hào)必需足夠,通過(guò)測(cè)試IGBT-G極的摸索電壓可推斷摸索信號(hào)是否足夠(正常為間隔消滅5V),而影響該信號(hào)電壓的電路有PWM脈寬調(diào)控電路、振蕩電路、IGBT7＞脈沖個(gè)數(shù)＞0則PWM有輸出。三是互感器須流夠足夠的電流。2:按啟動(dòng)指示燈指示正常,但不加熱。分析:一般狀況下,CPU0=脈沖個(gè)數(shù)＞7則推斷無(wú)鍋，1分鐘后自動(dòng)關(guān)機(jī)但當(dāng)反響信號(hào)電流I/D處于足夠與缺乏夠之間的臨界狀態(tài)時(shí),CPU發(fā)出的指令將會(huì)在摸索→正常加熱→摸索循環(huán)動(dòng)作,產(chǎn)生啟動(dòng)后指示燈指示正常,但不加熱的故障。緣由為電流反響信號(hào)電壓缺乏(處于可啟動(dòng)的臨界狀態(tài))。3:插入電源電磁爐數(shù)顯型機(jī)種顯示E0,“B“一聲響后電磁爐轉(zhuǎn)入待機(jī)。分析:此現(xiàn)象為CPU檢測(cè)到電壓過(guò)低信息,假設(shè)此時(shí)輸入電壓正常,VAC檢測(cè)電路故障。故障現(xiàn)象4:插入電源電磁爐數(shù)顯型機(jī)種顯示EB“一聲響后電磁爐轉(zhuǎn)入待機(jī)。分析:此現(xiàn)象為CPU檢測(cè)到電壓過(guò)高信息,假設(shè)此時(shí)輸入電壓正常,VAC檢測(cè)電路故障。6:插入電源電磁爐,2分鐘后數(shù)顯型機(jī)種顯示E2。分析:CPU檢測(cè)到安裝在微晶玻璃板底的鍋傳感器(負(fù)溫系數(shù)熱敏電阻)開(kāi)路信息,CPU15腳電壓狀況推斷鍋溫度及熱敏電阻開(kāi)、短路的,而該點(diǎn)電壓是由R28,EC7電容作濾波。7:插入電源電磁爐數(shù)顯型機(jī)種顯示E3。分析:CPU檢測(cè)到安裝在微晶玻璃板底的鍋傳感器(負(fù)溫系數(shù)熱敏電阻)短路信息,其實(shí)CPU是根椐第15腳電壓狀況推斷鍋溫度及熱敏電阻開(kāi)/短路的,而該點(diǎn)電壓是由R28、熱敏電阻分壓而成及一只C18電容作濾波。8:2分鐘后數(shù)顯型機(jī)種顯示E4。分析:此現(xiàn)象為CPU檢測(cè)到安裝在散熱器的TH傳感器(負(fù)溫系數(shù)熱敏電阻)開(kāi)路信息,其實(shí)CPU14腳電壓狀況推斷散熱器溫度及TH開(kāi)/短路的,而該點(diǎn)電壓是由R11、熱敏電阻分壓而成及一只EC8電容作濾波。9:插入電源電磁爐數(shù)顯型機(jī)種顯示E5。分析:此現(xiàn)象為CPU檢測(cè)到按裝在散熱器的TH傳感器(負(fù)溫系數(shù)熱敏電阻)短路信息,CPU14TH開(kāi)/短路的,而該點(diǎn)電壓是由R11、熱敏電阻分壓而成及一只EC8電容作濾波。10:電磁爐工作一段時(shí)間后停頓加熱,E5。分析:此現(xiàn)象為CPU檢測(cè)到IGBT超溫的信息,而造成IGBT超溫通常有兩種,一種是散熱系統(tǒng),主要是風(fēng)扇不轉(zhuǎn)或轉(zhuǎn)速低,IGBTG極的脈沖關(guān)斷速度慢(脈沖的下降沿時(shí)間過(guò)長(zhǎng)),造成IGBT功耗過(guò)大而產(chǎn)生高溫。11:電磁爐低電壓以最高火力檔工作時(shí),頻繁消滅間歇暫?，F(xiàn)象。分析:在低電壓使用時(shí),由于電流較高電壓使用時(shí)大,而且工作頻率也較低,假設(shè)供電線路容量缺乏,會(huì)產(chǎn)生浪涌電壓,假設(shè)輸入電源電路濾波不良,則吸取不了所產(chǎn)生的浪涌電壓,會(huì)另浪涌電壓監(jiān)測(cè)電路動(dòng)作,產(chǎn)生上述故障。處理方法:檢查C15容量是否缺乏,1600W以上機(jī)種C11~2uF,將該電容換3.3uF/250VAC規(guī)格的電容器。12:燒保險(xiǎn)管。分析:電流容量為15A的保險(xiǎn)管一般自然燒斷的概率極低,通常是通過(guò)了較大的電流才燒,所以覺(jué)察燒保險(xiǎn)管故障必需在換入的保險(xiǎn)管后對(duì)電源負(fù)載作檢查。通常大電流的零件損壞會(huì)另保險(xiǎn)管作保護(hù)性溶斷，而大電流零件損壞除了零件老化緣由外,大局部是由于掌握電路不良所引至,特別是IGBT,所以換入的大電流零件后，還需對(duì)其它可能損壞該零件的保護(hù)電路作徹底檢查,IGBT損壞主要有過(guò)流擊穿和過(guò)壓擊穿,IGBT監(jiān)測(cè)電路、VCE檢測(cè)電路、主回路不良和單片機(jī)(CPU)。1 2 3 4 5 6 7R220RV D5A4 T1 G

R54.7KB 24VZ2

VDD 電源

D5FR107 12U2T4TG

O1

ER1 R9

HV2

R430/3W87

U1DVDD 4FB 3

T11.6MHZ1 C4

CON5T/FUSER48

+18V

1 in Vout 3NGC2

+5VC31BG1I

6 D S 25 D S 1

18VC1

104EE

1010U/5V

1042

EC4

104V0V012 1F 3 OUT2.

R19R8

EC5+5V

/04D7

R22

+5VD10

R1501

HV1

HV2

同步 2K

10K R11

C9D8 7

U3B

C10

U3C 116C LP1 C61

10K

IGBTHIGHVOLTAGEPROTECT

1 814聚酯電容〕 914L

R42

NOR0

C8

LM339 LM3393 4-6 +-S

R43B1

18VZ3

Q5

D17

C7

5K*LUDOMR

4.7K*D9

EN C11D5 DA A

T+5V C

EW OP

+5V13

11

PAN-Q1 2T2

C13

ETORP+18E

+5VR3

R31

R34R32

10U3D

R35

CUR3G 10K

+5V

6.8K* Q2 R3R26 R39

RU3A

V FAN5 U PANB

0

2KD16

D15

V

1

4R25

S 2LM339

1C14 OC471/50V

T-MAIN

R33

EC9

uR6CR24R23L C15

D14

D13

1K C34D1 D2 4007

200 21VDD

IGBT

+5V

EINTT-IGBT

CURV+5V1U0 SUF2FA1

4007 R13

EC10

VVOLTAGETEST

INTPWMN-QENFANL N D4 C CA A1 1AL2 N1

CURRENTTEST

R18

BUZT-MAINT-IGBT1CURPC250

10K*

T