產(chǎn)線工藝流程介紹20120616

求實(shí)高效協(xié)作創(chuàng)新

產(chǎn)線工藝流程介紹目錄

產(chǎn)線工藝流程介紹前工序介紹PECVD工序介紹PVD工序介紹組前工序介紹組后工藝介紹產(chǎn)線工藝流程

1.1前工序產(chǎn)品介紹清洗一：去除透明導(dǎo)電玻璃上的灰塵、油污，獲得清潔的表面透明導(dǎo)電膜玻璃磨邊：磨掉導(dǎo)電玻璃鋒利的四邊；對(duì)四個(gè)角倒角。提高玻璃安全性激光一：把TCO導(dǎo)電膜分成39個(gè)小塊，每個(gè)小塊絕緣清洗二：去除激光劃刻后膜層表面殘留的顆粒目的：磨掉導(dǎo)電玻璃鋒利的四邊，消除玻璃應(yīng)力，提高安全性磨邊后尺寸：1244±1mm×634±1mm×3.1±0.1mm；磨邊機(jī)目的:去除透明導(dǎo)電玻璃的灰塵、油污，獲得清潔的表面純水電阻率≥15MΩ?cm清洗機(jī)一目的：把TCO導(dǎo)電膜分成等面積的39個(gè)子電池采用德國(guó)rofin公司的激光器，使用高科技空氣軸承技術(shù)實(shí)現(xiàn)玻璃板勻速傳輸及精確刻劃線。激光刻劃時(shí)，采用紅外激光(1064nm)以達(dá)到刻劃效果。線寬:40~50μm正極邊線距：(16.2-0.2mm)~(16.2+0.3mm)跨線電阻：≥20KΩ直線度：＜20μm激光一（P1）目前：去除激光劃刻后膜層表面殘留的顆粒清洗二1.2PECVD工序介紹PECVD：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，在透明導(dǎo)電玻璃的導(dǎo)電膜上，氣相沉積非晶硅鍺三結(jié)疊層薄膜，拓寬電池對(duì)太陽(yáng)光吸收波長(zhǎng)范圍。此設(shè)備為“單室多片”模式，整個(gè)工件架內(nèi)的玻璃（72片），完成P、I、N三層非晶硅的沉積。生產(chǎn)效率高，且能夠制備出SiGe薄膜電池，而這在歐瑞康、應(yīng)用材料等設(shè)備上因氣體利用率過(guò)低而不能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。工藝溫度：225℃本底真空：8E-3Pa沉積壓力：50~133Pa沉積功率：100~200W膜厚：400~550nmPECVD設(shè)備1.3PVD區(qū)域各工序PVD：沉積背電極激光二：去除硅膜，形成分割的子電池連接的通道激光三：去除硅膜及背電極膜掃邊：去除四周邊緣部分膜層，保證組件絕緣安全目的：去除硅膜，形成分割的子電池連接的通道此設(shè)備的機(jī)體與P1設(shè)備類似，但采用532nm的綠激光，實(shí)現(xiàn)a-SiGe薄膜刻劃線寬:75±5μm直線度：＜20μm與P1間距：20~100μm激光二（P2）目的：用磁控濺射設(shè)備沉積AZO/Al背電極，有效收集載流子設(shè)備分為進(jìn)/出片室，緩沖室以及沉積室五部分；沉積室安裝有8個(gè)靶位，可分別安裝不同的靶材，一次性完成AZO/Ag/NiCr/Al或者是AZO/Al的濺射；AZO膜厚：80±10nm，方阻：450±100Ω/□；AL膜厚：100±10nm，方阻：0.5±0.1Ω/□；PVD設(shè)備

目的：去除硅膜及背電極，形成39個(gè)串聯(lián)的子電池線寬:75±5μm直線度：＜20μm與P1間距：220~270μmp1p2p30.35mm左右激光三（P3）原理圖目的：去除四周邊緣膜層，保證組件絕緣性能此設(shè)備使用1064nm的紅外激光將玻璃基板四周邊緣的所有膜層去除掃邊區(qū)域電阻：≥200MΩ/cm掃邊寬度：長(zhǎng)邊9.5±0.5mm，短邊10±0.5mm激光掃邊（P4）退火目的：消除膜層內(nèi)應(yīng)力，提高芯片性能加溫時(shí)間：90min；保溫時(shí)間：30min；退火溫度：190℃；退火設(shè)備反壓：去除電池中短路的地方，提高電池性能1.4組前各工序產(chǎn)品介紹焊接：用超聲波滾焊鋁帶，收集電流，引出電池正負(fù)極。敷設(shè)：在芯片上鋪設(shè)EVA背板玻璃與芯片對(duì)位測(cè)試：在標(biāo)準(zhǔn)條件下，測(cè)試出芯片電性能參數(shù)反壓設(shè)備目的:此設(shè)備通過(guò)對(duì)子電池加反向電壓，去除電池中短路的地方，提高電池性能;該設(shè)備含40排緩沖高強(qiáng)度銅質(zhì)探針,不損傷電池組件膜面,使用壽命長(zhǎng),容易更換;反壓限流：1900mA目的：對(duì)芯板進(jìn)行IV測(cè)試，獲得其各個(gè)性能參數(shù)該設(shè)備關(guān)鍵部件采用德國(guó)進(jìn)口脈沖氙燈，模擬標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件AM（airmass大氣質(zhì)量）1.5、1000W/m2、25℃，達(dá)到測(cè)試IV參數(shù)的目的測(cè)試環(huán)境溫度：25±2℃；單臺(tái)數(shù)據(jù)一致性：±1%；多臺(tái)數(shù)據(jù)一致性：±2%；I-V測(cè)試設(shè)備目的：去除刻線中的雜質(zhì)以及芯片印跡

芯片清洗目的：焊接匯流條——鋁帶，以引出電流此設(shè)備通過(guò)超聲波能量，使Al帶與芯片上的Al膜焊接在一起。設(shè)備由超聲波焊接機(jī)、雙圓型焊頭、工件裝夾運(yùn)動(dòng)平臺(tái)和控制機(jī)柜構(gòu)成，超聲波焊頭安放在兩側(cè)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)上，通過(guò)伺服電機(jī)控制同步帶運(yùn)動(dòng)帶動(dòng)焊頭移動(dòng)實(shí)現(xiàn)滾動(dòng)焊接，焊接時(shí)間短，無(wú)火花，環(huán)保安全，焊后導(dǎo)電性好，電阻系數(shù)極低。滾焊-超聲波焊接目的：背板玻璃、EVA、芯片疊合在一起，為后序?qū)訅鹤鰷?zhǔn)備敷設(shè)1.5組后各工序產(chǎn)品介紹層壓：在一定真空和高溫的條件下，通過(guò)對(duì)電池組件表面施加一定的壓力，將電池芯片、EVA和背板玻璃形成一個(gè)具有一定剛性的整體。接線盒安裝：將接線盒粘貼到組件背面，鋁帶焊接完成后，用灌封膠填充盒體。邊緣涂密封膠：在組件四周涂一層密封膠，提高組件在潮濕條件下的絕緣性能，緩沖防撞，防止磕角。測(cè)試：在標(biāo)準(zhǔn)條件下，測(cè)試出芯片電性能參數(shù)標(biāo)簽粘貼目的：在一定真空和高溫的條件下，通過(guò)對(duì)電池組件表面施加一定的壓力，將電池芯片、EVA和背板玻璃形成一個(gè)具有一定剛性的整體。工藝溫度：160℃層壓機(jī)設(shè)備（奧瑞特）目的：將接線盒粘貼到組件背面；鋁帶焊接完成后，用灌封膠填充盒體，保護(hù)電極在后期不會(huì)出現(xiàn)短路、漏電問(wèn)題接線盒安裝工序目