晶體變換器的概要及設計

晶體變換器的概要及設計晶體變換器的概要及設計對于頻率變換器的基本頻率(局部振蕩頻率)使用晶體振蕩電路，則稱之為晶體變換器。此一晶體變換器加在接收機的前級，便可以接收與原來接收機不同頻率的信號。在此，所接收的頻率選擇為AirBand的118M~136MHz中的一部分，此為航空通信所使用的頻帶。晶體變換器的概要

圖17所示的為晶體變換器的方塊圖?？梢越邮?18~136MHz的AirBand的一部分信號，將其變換成為原來的接收機(主接收機)的頻率。圖中所示的主接收機可以接收50MHz頻帶的AM信號。<align="middle"colSpan="2"width="100%">

頻率變換為利用FET的順方向傳達電導(Admittance)的變化，以達到乘算的作用。所使用的FET為Dual-GateFET。

從天線所輸入的信號經(jīng)過高頻率放大用的DuaIGateFET3SK73的放大。為了改變高頻率放大電路的放大率，可以控制3SK73的G2(Gate2)的電壓。

為了得到目標的局部振蕩頻率，將12MHz的晶體振蕩器的頻率做(×3×2=)6倍頻，以取出72MHz。

在頻率變換電路中，再將接收頻率的122MHz與此一72MHz混合，變換成為差的122M-72MHz＝50MHz。

AirBand(航空頻帶)的接收頻帶為136M~118MHz=18MHz，但是，主接收機的頻帶一般僅約為數(shù)MHz而已。在此所使用的業(yè)余無線電機的接收頻率為50M～54MHz，可以含蓋的頻帶范圍。也即是122M~l26MHz的4MHz頻帶寬。在此，如果利用SW切換晶體的頻率至11.333MHz時，便可以接收118M~122MHz的頻率信號，總共可接收8MHz頻寬的信號。

最后所得到的晶體變換器電路圖如圖18所示

頻率變換為利用FET的順方向傳達電導(Admittance)的變化，以達到乘算的作用。所使用的FET為Dual-GateFET。

從天線所輸入的信號經(jīng)過高頻率放大用的DuaIGateFET3SK73的放大。為了改變高頻率放大電路的放大率，可以控制3SK73的G2(Gate2)的電壓。

為了得到目標的局部振蕩頻率，將12MHz的晶體振蕩器的頻率做(×3×2=)6倍頻，以取出72MHz。

在頻率變換電路中，再將接收頻率的122MHz與此一72MHz混合，變換成為差的122M-72MHz＝50MHz。

AirBand(航空頻帶)的接收頻帶為136M~118MHz=18MHz，但是，主接收機的頻帶一般僅約為數(shù)MHz而已。在此所使用的業(yè)余無線電機的接收頻率為50M～54MHz，可以含蓋的頻帶范圍。也即是122M~l26MHz的4MHz頻帶寬。在此，如果利用SW切換晶體的頻率至11.333MHz時，便可以接收118M~122MHz的頻率信號，總共可接收8MHz頻寬的信號。

最后所得到的晶體變換器電路圖如圖18所示

利用Dual-GateFET所做成的高頻率放大/頻率變換電路

以下說明利用Dual-GateFET3SK73GR做為設計的情形。在此用來做為晶體變換器的高頻率放大電路與頻率變換電路使用。

圖19所示的為FET3SK73的規(guī)格特性。應注意其極限參數(shù)。圖19VHF頻帶用Dual-GateFET3SK73的特性[取自東芝的規(guī)格表]電氣的特性(源極接地Ta=25℃圖19VHF頻帶用Dual-GateFET3SK73的特性(續(xù))

圖20所示的為各種性能。由其中的圖(C)所示的順方向傳達電導|yfs|特征，可以知道VG1S=0.5V,VD2S=4V時，|yfs|=23mS。圖203SK73的諸項特性

(此為使用廠商的數(shù)據(jù)規(guī)格所做的設計。在G2電壓(AGC電壓)為0~2V時，電功率放大率為l0~24dB變化。)

根據(jù)以上的條件，從圖(a)與圖(b)的特性可以求出漏極電流ID=14mA。

可是，如圖(e)所示，在外部溫度Ta達到75℃時，漏極電功率損失PD必須控制在150mW以下。此時，可以求出漏極-源極間電壓VDS=150/14=10.7V。

根據(jù)3SK73GR的IDSS分類，有6mA~14mA。由特性圖可以看出，所流通的ID值較大，為考慮余裕度，電源電壓設計為6V。

圖(d)所示的為AGC(AutomaticGainContro1)電壓與噪聲指數(shù)NF，以及電功率放大率Gps的關(guān)系。此所示的雖然為在VG1S＝0V時的數(shù)據(jù)，但是，相當不太大，因此，可以直接如此使用。

ACC電壓是指VG2S，在VG2S=4V時，