半導(dǎo)體物理學(xué)期末復(fù)習(xí)試題及答案二

選擇題如果半導(dǎo)體中電子濃度等于空穴濃度，則該半導(dǎo)體以〔A〕導(dǎo)電為主；如果半導(dǎo)體中電子濃度大于空穴濃度，則該半導(dǎo)體以〔E〕導(dǎo)電為主；如果半導(dǎo)體中電子濃度小于空穴濃度，則該半導(dǎo)體以〔C〕導(dǎo)電為主。A、本征B、受主C、空穴D、施主E、電子受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供〔B〕，施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供〔C〕，本征激發(fā)向半導(dǎo)體提供〔A〕。A.電子和空穴B.空穴C.電子電子是帶〔B〕電的〔E〕；空穴是帶〔A〕電的〔D〕粒子。A、正B、負(fù)C、零D、準(zhǔn)粒子E、粒子當(dāng)Au摻入Si中時(shí)，它是〔B〕能級(jí)，在半導(dǎo)體中起的是〔D〕的作用；當(dāng)B摻入Si中時(shí)，它是〔C〕能級(jí)，在半導(dǎo)體中起的是〔A〕的作用。A、受主B、深C、淺D、復(fù)合中心E、陷阱MIS構(gòu)造發(fā)生多子積累時(shí)，外表的導(dǎo)電類型與體材料的類型〔A〕。A.一樣B.不同C.無關(guān)雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是〔B〕。A.變大，變?。籅.變小，變大；C.變小，變小；D.變大，變大。砷有效的陷阱中心位置〔B〕靠近禁帶中央B.靠近費(fèi)米能級(jí)在熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為〔D〕，當(dāng)溫度大于熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為〔A〕。A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于1E.如下圖的P型半導(dǎo)體MIS構(gòu)造的C-V特性圖中，AB段代表〔A〕，CD段代表〔B〕。A.多子積累B.多子耗盡C.少子反型D.平帶狀態(tài)金屬和半導(dǎo)體接觸分為：〔B〕。A.整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸B.整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸C.非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸D.非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸一塊半導(dǎo)體材料，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，假設(shè)光照突然停頓后，其中非平衡載流子將衰減為原來的〔A〕。A.1/eB.1/2C.0D.載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)為〔A〕，由于濃度差引起的運(yùn)動(dòng)為〔B〕。A.漂移運(yùn)動(dòng)B.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)C.熱運(yùn)動(dòng)13．鍺的晶格構(gòu)造和能帶構(gòu)造分別是〔C〕。A.金剛石型和直接禁帶型B.閃鋅礦型和直接禁帶型C.金剛石型和間接禁帶型D.閃鋅礦型和間接禁帶型14．非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體是指〔A〕的半導(dǎo)體。15．當(dāng)半導(dǎo)體材料處于熱平衡時(shí)，其電子濃度與空穴濃度的乘積為〔B〕，并且該乘積和〔D〕有關(guān)，而與〔C〕無關(guān)。A、變化量；B、常數(shù)；C、雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)類型；D、禁帶寬度和溫度二、證明題對(duì)于某n型半導(dǎo)體，其雜質(zhì)濃度為,試證明對(duì)于某半導(dǎo)體，其能帶如下圖，試證明其為P型半導(dǎo)體，即證明p0>n0三、計(jì)算畫圖題1.計(jì)算〔1〕摻入ND為1×1015個(gè)/cm3的施主硅，在室溫〔300K〕時(shí)的電子n0和空穴濃度p0，其中本征載流子濃度nI=1010個(gè)/cm3?！?〕如果在〔1〕中摻入NA=5×1014個(gè)/cm3的受主，則電子n0和空穴濃度p0分別為多少？1.解：〔1〕300K時(shí)可認(rèn)為施主雜質(zhì)全部電離?！?〕摻入了NA=5×1014個(gè)/cm3的受主，則同等數(shù)量的施主得到了補(bǔ)償。 2．室溫下，硅本征載流子濃度nI=1010個(gè)/cm3，，〔1〕計(jì)算本征電導(dǎo)率，〔2〕假設(shè)硅原子的濃度為，摻入施主雜質(zhì)，使每個(gè)硅原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子，計(jì)算室溫下電子濃度和空穴濃度(設(shè)雜質(zhì)全部電離)，試求該摻雜硅材料的電阻率。 解： 〔1〕〔2〕雜質(zhì)全部電離，〔3〕3、施主濃度的N型硅，其親和勢(shì)為eV的金屬Al嚴(yán)密接觸，〔1〕接觸后形成阻擋層還是反阻擋層，〔2〕求半導(dǎo)體端和金屬端的勢(shì)壘高度。解：〔1〕當(dāng)金屬功函數(shù)大于半導(dǎo)體功函數(shù)時(shí)，電子由半導(dǎo)體流向金屬端，形成阻擋層〔2〕ws=4．MIS構(gòu)造中，以金屬—絕緣體—P型半導(dǎo)體為例，當(dāng)VG>0但不是很大時(shí)，半導(dǎo)體外表空間電荷區(qū)為什么狀態(tài)，并畫出此時(shí)的能帶圖和電荷密度分布圖。解：當(dāng)金屬與半導(dǎo)體之間加正電壓，外表勢(shì)為正值，外表處能帶向下彎曲，外表處的空