半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析課件

半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析半導體三極管的特性與識別

半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析一、半導體三極管（一）基本結(jié)構(gòu)和類型1、結(jié)構(gòu)BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP集電極基極發(fā)射極BCEPNP型半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū)：較薄，摻雜濃度低集電區(qū)：面積較大發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析BECNNP基極發(fā)射極集電極發(fā)射結(jié)集電結(jié)2、類型有PNP型和NPN型；硅管和鍺管；大功率管和小功率管；高頻管和低頻管。半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析（二）電流放大原理BECNNPEBRBECIE基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。IBE進入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合，形成電流IBE

，多數(shù)擴散到集電結(jié)。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流IE。半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析BECNNPEBRBECIE集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO

ICEIBEICE從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進入集電結(jié)而被收集，形成ICE。1、載流子傳輸過程發(fā)射、復合、收集半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析IB=IBE-ICBO

IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO

ICEIBE2、各極電流關(guān)系半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析ICE與IBE之比稱為電流放大倍數(shù)要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。3、電流放大系數(shù)半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析BECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析（三）特性曲線ICmA

AVVUCEUBERBIBECEB

實驗線路半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析1、輸入特性工作壓降：硅管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3V。UCE1VIB(

A)UBE(V)204060800.40.8UCE=0VUCE=0.5V

死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.2V。半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析2、輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域滿足IC=

IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。當UCE大于一定的數(shù)值時，IC只與IB有關(guān)，IC=

IB。半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中UCE

UBE,集電結(jié)正偏，IB>IC，UCE0.3V稱為飽和區(qū)。半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此區(qū)域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析輸出特性三個區(qū)域的特點:放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。即：IC=IB,且IC

=

IB(2)飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。即：UCE

UBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止區(qū)：UBE<死區(qū)電壓，IB=0，IC=ICEO

0

半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析（四）主要參數(shù)前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。共射直流電流放大倍數(shù)：工作于動態(tài)的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號?；鶚O電流的變化量為

IB，相應(yīng)的集電極電流變化為

IC，則交流電流放大倍數(shù)為：1.電流放大倍數(shù)和

半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析例：UCE=6V時：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的計算中，一般作近似處理：

=解：半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析2.集-基極反向截止電流ICBO

AICBOICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析BECNNPICBOICEO=

IBE+ICBO

IBE

IBEICBO進入N區(qū)，形成IBE。根據(jù)放大關(guān)系，由于IBE的存在，必有電流

IBE。集電結(jié)反偏有ICBO3.集-射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影響很大，當溫度上升時，ICEO增加很快，所以IC也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差。半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析4.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會導致三極管的

值的下降，當

值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。5.集-射極反向擊穿電壓當集---射極之間的電壓UCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數(shù)值是25C、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEO。半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析6.集電極最大允許功耗PCM

集電極電流IC

流過三極管，所發(fā)出的焦耳熱為：PC=ICUCE

必定導致結(jié)溫上升，所以PC

有限制。PC

PCMICUCEICMU(BR)CEO安全工作區(qū)半導體三極管和基本共射極放大電路的靜態(tài)分析小結(jié)：1.三極管的結(jié)構(gòu)是由二個PN結(jié)形成的，它的類型有PNP型和NPN型。2.