天馬微-Array制程與檢測介紹課件

Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹TFT-LCD簡介1.何謂TFT-LCD：

TFT─ThinFilmTransistor薄膜晶體管

LCD─LiquidCrystalDisplay

液晶顯示器

2.應(yīng)用：由于TFT-LCD具有體積小、重量輕、低輻射、低耗電量、全彩化等優(yōu)點(diǎn)，故已廣泛使用于各類顯示器材上天馬微-Array制程與檢測介紹數(shù)碼相機(jī)數(shù)碼攝錄影機(jī)汽車導(dǎo)航顯示器數(shù)碼影音光碟機(jī)筆記型電腦桌上型顯示器液晶電視天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹廠商地區(qū)尺寸投產(chǎn)日期2002200320042005設(shè)計(jì)產(chǎn)能LG.PhilipsLCD韓國龜尾第5代1000X12001季度6萬/月韓國龜尾第5代1100X12501季度6萬/月韓國龜尾第6代1500X18504季度9萬/月三星電子韓國天安第5代1100X12504季度10萬/月韓國天安第5代1100X13004季度10萬/月韓國牙山第7代1870X22001季度7萬/月友達(dá)光電臺灣龍?zhí)兜?代1100X12502季度5萬/月臺灣龍?zhí)兜?代1100X13002季度7萬/月奇美電子臺灣臺南第5代1100X13001季度>6萬/月中華映管中國臺灣第4.5代730X9202季度7萬/月瀚宇彩晶臺灣臺南第5代1200X13001季度6萬/月廣輝電子臺灣桃園第5代1100X13002季度6萬/月群創(chuàng)光電中國臺灣第5代1100X12502季度3.5萬/月夏普日本第6代1500X18001季度4.5萬/月日本第6代1500X18002季度1.5萬/月京東方中國北京第5代1100X12501季度6萬/月上廣電-NEC中國上海第5代1100X13004季度4.5萬/月上天馬中國上海第4.5代730X9202007.3季度3萬/月天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫素(pixel)之?dāng)?shù)目天馬微-Array制程與檢測介紹Cell工程Module工程[信號基板］[驅(qū)動IC][ＬＣＤPanel][BLU］[LCDModule][連接電路][保護(hù)板]検査裝配綁定[LCDPanel]液晶滴下真空貼合

切割［CF］［TFT基板］TFT工程成膜[膜][Glass基板][PR]塗布曝光[Mask]現(xiàn)像刻蝕剝離[TFT基板]重復(fù)[Glass基板]天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹PhotoProcess–ResistCoatingSpincoatingSlit(extrusion)coating天馬微-Array制程與檢測介紹薄膜生長制程天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹PVD天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)—濕刻

將顯影后所產(chǎn)生的光阻圖案轉(zhuǎn)印到光阻下的材質(zhì)上，形成由光刻技術(shù)定義的圖形.刻蝕利用等離子體電漿去除薄膜未被光阻覆蓋的部分—干刻天馬微-Array制程與檢測介紹EtchingtypeSubstrateChemicalIsotropicPlasmaIsotropic+AnisotropicWetetchDryetchPRPR膜膜基板基板PR膜基板IsotropicAnisotropicEtchant等方向浸入造成SideEtch天馬微-Array制程與檢測介紹EtchingtypeselectionPEP1Mo/AlNdwetetchPEP2SiNx/α-Si/n+-SidryetchPEP3Mo/Al/Mo;α-Si/n+-Siwet/dryetchPEP4SiNxdryetchPEP5ITOwetetch天馬微-Array制程與檢測介紹干刻用氣體

反應(yīng)方程：Cl2+SF6+Si→SiF4↑+SiS2↑+其他

Cl2：Cl元素的供給源，刻蝕a-Si的主要?dú)怏w。

SF6：F元素的供給源，用來與a-Si發(fā)生反應(yīng)，提高刻蝕速率。a-Si的刻蝕反應(yīng)方程：SF6+He＋SiN→SiF4↑+SiS2↑+其他

SF6：F元素的供給源。

He：使等離子體均一化

2.SiN的刻蝕3.PR灰化（Ashing）反應(yīng)方程：PR+O2→O2：利用等離子體方法去除PRO2：有利于形成Taper角天馬微-Array制程與檢測介紹濕刻M1：Mo/AlNdM2：Mo/Al/MoITO草酸（H2C2O4）HNO3+CH3COOH+H3PO4天馬微-Array制程與檢測介紹EtchingmodeSpray噴淋Spray+DipDip浸入GoodtapershapeFasterEtchingrateStep1：SprayStep2：Dip天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹AOI

←2160mm→←2400mm→

3GB×44unit=132GBG８SizeTheCCDsensordetectthesubstrate,Imagebytheprocessunit.DefectcanbereviewedpreciselyAOI–Autoopticalinspection天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹TEGproberandTester天馬微-Array制程與檢測介紹天馬微-Array制程與檢測介紹Arraylaserrepair天馬微-Array制程與檢測介紹AfterStriperAfterlaserrepairInlayerrepair(PEP1)DatafromAOIExample:MetalAl/ND:532nm天馬微-Array制程與檢測介紹DefecttypeRepairmethodMetalresidueMetalresidueGCshort用Blocklaser將殘留metal打掉用Blocklaser將殘留metal打掉Metalresidue用Blocklaser將殘留metal打掉波長選擇532nm天馬微-Array制程與檢測介紹技術(shù)名稱優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)半反射半透射技術(shù)

（Transflective）省電、室外顯示效果好制程復(fù)雜、良率降低多疇垂直取向/電極圖形垂直取向技術(shù)(MVA/PVA)視角廣、對比度高、響應(yīng)時(shí)間短、不需要摩擦制程制程復(fù)雜、良率降低平面內(nèi)轉(zhuǎn)換技術(shù)(IPS)視角廣、低色移制程復(fù)雜、良率降低、透過率低、耗電量高光學(xué)補(bǔ)償彎曲排列技術(shù)

（OCB）響應(yīng)速度快（包括低溫情況）、視角廣制程復(fù)雜、良率降低、需要預(yù)置電壓有機(jī)膜高開口率技術(shù)

（HAR）開口率高、透過率高制