高考化學總復習第十單元物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合練習

第十單元綜合練習

［建議用時：40分鐘］

一、選擇題（每小題只有1個選項符合題意）

1.下列各項敘述中，正確的是（）

A.所有原子任一能層的S軌道都是球形，但球的半徑大小不同

B.鎂原子由Is22s22p63s2fIs22s22p63p2時，原子釋放能量，由基態(tài)轉(zhuǎn)化成激

發(fā)態(tài)

C.24Cr原子的電子排布式是

ls22s22p63s23p63d44s2

D.價電子排布為5s25p∣的元素位于第五周期第IA族，是S區(qū)元素

答案A

2.（2022?南京、鹽城高三一模）科學家發(fā)現(xiàn)金星大氣中存在PH3,據(jù)此推斷金

星大氣層或存在生命。利用下列反應(yīng)可制備PH3:P4+3KOH（濃）+3出0=邑

3KH2PO2+PH3↑0下列說法正確的是（）

A.PH3為非極性分子

B.中子數(shù)為10的氧原子可表示為1080

C.H2θ分子空間結(jié)構(gòu)為V形

D.1個P4分子中含有4個。鍵

答案C

3.我國科學家研制出一種催化劑，能在室溫下高效催化空氣中甲醛的氧化,

催化齊“

HCHO+O-―

其反應(yīng)如下：2>C02+H20O下列有關(guān)說法正確的是（）

A.反應(yīng)物和生成物都是非極性分子

B.0.5molHCHO含有Imo1σ鍵

C.HCH0、CO2分子的中心原子的雜化類型相同

D.HCHO能溶解在HzO中

答案D

4.在堿性溶液中，O?+可以與縮二版形成紫色配離子，其結(jié)構(gòu)如圖所示。

HNCuCuNH

、NrxOz

OH（）

下列說法錯誤的是（）

A.該配離子與水分子形成氫鍵的原子只有N和O

B.該配離子中銅離子的配位數(shù)是4

C.基態(tài)CU原子的價層電子排布式是3d∣°4s∣

D.該配離子中非金屬元素的電負性大小順序為O>N>C>H

答案A

解析根據(jù)其結(jié)構(gòu)可知，該配離子中的N和O可與水分子中的H形成氫鍵,

而水分子中的O也可與該配離子中的H形成氫鍵，因此該配離子與水分子形成氫

鍵的原子除N和。外，還有H,A錯誤。

5.下列有關(guān)Noi?NOi和NE的說法正確的是（）

A.Noi的鍵角大于NH3的鍵角

B.N05的空間結(jié)構(gòu)為直線形

C.NE中的N原子雜化類型為sp?

D.NH3作配體是因為N原子存在空軌道

答案A

6.（2022.湖北十一校高三第二次聯(lián)考）下列關(guān)于B、Al及其化合物結(jié)構(gòu)與性

質(zhì)的論述正確的是（）

A.AI能以sp3d2雜化形成AlFk,推測B也能以sp3d2雜化形成BFr

B.Al（OH）3是兩性氫氧化物，推測B（OH）3也是兩性氫氧化物

C.鍵能：B-C1>A1-Cl,所以BCb的沸點高于AlCl3

D.立方BN是結(jié)構(gòu)類似于金剛石的共價晶體，推測其有很高的硬度

答案D

7.在通常條件下，下列比較正確的是（）

A.熔點：CO2>KCl>SiO2

B,水溶性：HC1>CH4>SO2

C.鍵角：CH4>H2O>NH3

D.鍵能：H—F鍵〉H—Cl鍵〉H-Br鍵

答案D

解析晶體的熔點高低順序一般為共價晶體>離子晶體>分子晶體，則熔點高

低為SiO2>KCl>CO2,A錯誤；HCI和SCh均為極性分子，CH1為非極性分子，根

據(jù)“相似相溶"規(guī)律，HCI和SCh在水中的溶解度均大于CH*B錯誤；NH3、H2O.

CH4三種分子的中心原子均采取sp3雜化，CH4中C原子上沒有孤電子對，為正

四面體形，NE中N原子上有1個孤電子對，為三角錐形，氏0中。原子上有2

個孤電子對，為V形，孤電子對數(shù)越多，鍵角越小，所以鍵角：CH4>NH3>H2O,

C錯誤。

8.（2021.湖北高考）某立方晶系的鎖鉀（Sb-K）合金可作為鉀離子電池的電極材

料,圖a為該合金的晶胞結(jié)構(gòu)圖，圖b表示晶胞的一部分。下列說法正確的是（）

A.該晶胞的體積為X10-36cm3

B.K和Sb原子數(shù)之比為3：1

C.與Sb最鄰近的K原子數(shù)為4

D.K和Sb之間的最短距離為gαpm

答案B

解析該晶胞的邊長為αXl（Γ∣°cm,故晶胞的體積為（αX10T°cm）3=∕χ

10-3。cn√,A錯誤；以面心處Sb為研究對象，與Sb最鄰近的K原子數(shù)為8,C

1?/?

錯誤；K和Sb的最短距離為晶胞體對角線長度的R即4-apm,D錯誤。

9.下列關(guān)于物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的說法中，不正確的是（）

A.bAsF6晶體中存在H,H的空間結(jié)構(gòu)為V形

E≡≡≡]E

B.CU的價層電子排布圖為葡4*

C.水分子間存在氫鍵，故H2。的熔、沸點均大于H2S

D.第四周期元素中，Ga的第一電離能高于Zn

答案D

解析Zn的核外電子排布為[Ar]3d∣°4s2,電子所在的軌道均處于全充滿狀態(tài),

較穩(wěn)定，故第一電離能大于Ga,D錯誤。

10.如圖三條曲線表示C、Si和P元素的前四級電離能變化趨勢。下列說法

正確的是（）

A.元素電負性：c>b>a

B.氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性：c>a>b

C.簡單氣態(tài)氫化物的相對分子質(zhì)量：b>c>a

D.第五電離能/5：a>b>c

答案C

解析同主族元素自上而下第一電離能逐漸減小，P元素3p能級為半滿穩(wěn)定

狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的，故Si的第一電離能最小，由圖中第一

電離能可知，C為Si,P原子第四電離能為失去3s?中1個電子，3s2為穩(wěn)定狀態(tài),

與第三電離能相差較大，可知b為P、a為C。同周期主族元素自左而右電負性逐

漸增大，同主族元素自上而下電負性逐漸減小，則Si的電負性最小，故A錯誤;

Si的非金屬性最弱，非金屬性越強，氣態(tài)氫化物越穩(wěn)定，則SiE的穩(wěn)定性最差，

故B錯誤；簡單氣態(tài)氫化物的相對分子質(zhì)量b>c>a,故C正確；C、Si失去4個

電子后分別為IS2、2s22p6穩(wěn)定狀態(tài)，能量更低，再失去1個電子時，第五電離能

與第四電離能相差較大，P失去4個電子最外層為3s∣狀態(tài)，第四電離能與第五電

離能相差不大，故第五電離能C〉Si〉P,故D錯誤。

11.X、Y、Z、W是同一短周期的主族元素，原子序數(shù)依次增大；基態(tài)X的

價層電子軌道表示式為而口\,Z最外層電子數(shù)是其次外層電子數(shù)的3倍；四

種元素與鋰組成的化合物結(jié)構(gòu)如圖（箭頭表示配位鍵）。下列說法正確的是（）

ΓZZw^ι^

Y

A.四種元素中第一電離能最大的是Z

B.Y和Z形成的化合物常溫下均易溶于水

C.X的最高價氧化物對應(yīng)的水化物是一種強酸

D.Z和W分別與氫元素形成的10電子化合物的沸點：前者高于后者

答案D

解析由題意可知，X、Y、ZsW分別為B、C、0、Fo根據(jù)同一周期從左

往右第一電離能呈增大趨勢，HA族與VA族反常，故四種元素中第一電離能最

大的是W（F）,故A錯誤；Y和Z形成的化合物有CO和CO2,常溫下CO難溶于

水，CO2能溶于水，故B錯誤；X的最高價氧化物對應(yīng)的水化物為硼酸，是弱酸,

故C錯誤；Z和W分別與氫元素形成的10電子化合物為H2O和HF1由于H2O

分子能與周圍4個H20分子形成4個氫鍵，HF分子能與周圍2個HF分子形成2

個氫鍵，一般氫鍵越多，沸點越高，所以H2。沸點高于HF,故D正確。

12.（2022.湖北省高三新起點聯(lián)考）F、K和Ni三種元素組成的化合物的晶胞

如圖所示。下列說法正確的是（）

A.該結(jié)構(gòu)單元中F原子的個數(shù)為8

B

-該晶胞的密度可表示為4(X)2x1308XNAX-

C.Ni的配位數(shù)為4

D.該物質(zhì)的化學式為KNiF4

答案A

解析F原子個數(shù)=%16+/4+2=8,A正確；ImOlK4Ni2F8晶胞的質(zhì)量為

426

(39×4+59×2+19×8)g=426g,一個晶胞的質(zhì)量為而g；一個晶胞的體積為4("

426

X1308X10-3。cm3,密度為薪又詢蚊晟義工30g/e?/,B錯誤；選擇頂點處的

Ni原子為研究對象，在這個晶胞中與頂點最近的F原子在三條棱上，頂點周圍應(yīng)

該有8個晶胞，但一條棱被頂點周圍的4個晶胞共用，所以配位數(shù)為6,C錯誤;

化學式為K2NiF4,D錯誤。

二、非選擇題

13.(2021.福建高考)類石墨相氮化碳(g-C3N4)作為一種新型光催化材料，在光

解水產(chǎn)氫等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，研究表明，非金屬摻雜(0、S等)能提高其

光催化活性。g-C3N4具有和石墨相似的層狀結(jié)構(gòu)，其中一種二維平面結(jié)構(gòu)如圖所

7J?0

?IN

OC

回答下列問題：

(1)基態(tài)C原子的成對電子數(shù)與未成對電子數(shù)之比為

⑵N、0、S的第一電離能(∕∣)大小為∕l(N)>∕l(O)>∕1(S),原因是____________o

(3)g-C3N4晶體中存在的微粒間作用力有(填標號)。

a.非極性鍵b.金屬鍵

c.兀鍵d.范德華力

(4)g-C3N4中，C原子的雜化軌道類型為,N原子的配位數(shù)為

(5)每個基本結(jié)構(gòu)單元(圖中實線圈部分)中兩個N原子(圖中虛線圈的N原子)

被0原子代替，形成0摻雜的gCN4(0PCN)°OPCN的化學式為。

答案(1)2：1(2)N原子2p軌道半充滿，比相鄰的。原子更穩(wěn)定，更難失

電子；0、S同主族，S原子半徑大于0原子，更易失去電子

(3)cd⑷sp?雜化2、3(5)C3N3O

解析G)g-C3N4具有和石墨相似的層狀結(jié)構(gòu)，環(huán)中存在大兀鍵，層間為范德

華力，晶體中不存在非極性鍵和金屬鍵。

(4)g-C3N4中C原子雜化類型為SP2。由題圖知，N原子周圍的C原子有2個

或3個，因此N原子的配位數(shù)為2、3o

(5)每個基本結(jié)構(gòu)單元中含C的個數(shù)為6,N的個數(shù)為5+3×∣=6,O的個數(shù)

為2,則CsN、O的個數(shù)比為6：6:2=3：3：1,故OPCN的化學式為C3N3Oo

「素養(yǎng)提升題」

碳族元素的單質(zhì)和化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

(1)鑄是重要半導體材料，基態(tài)Ge原子中，核外電子占據(jù)的最高能級是

,該能級的電子云輪廓圖為oGe與C同族，C原子之間可以形

成雙鍵、三鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵，從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原

因是O

(2)C2O分子是由許多正五邊形構(gòu)成的空心籠狀結(jié)構(gòu)如圖所示，分子中每個碳

原子只跟相鄰的3個碳原子形成化學鍵。則C20分子中含個。鍵，推測

C20分子中碳原子的雜化軌道為介于之間。

(3)如圖，銅離子與有機物HA可形成一種螯合物CUA2,從而萃取水中的銅

離子。

R-CH-C-R,

IIl

?)N

Ii×/>)圖中的R、R'均為烷烽基

H-OH2()∕?H該落取反應(yīng)可簡單表示為

'V/X1F