半導體存儲器

第四章存儲器本章需解決的主要問題：（1）存儲器如何存儲信息？（2）在實際應用中如何用存儲芯片組成具有一定容量的存儲器？第四章存儲器本章需解決的主要問題：（1）存儲器如何存1存儲子系統(tǒng)存儲器分類半導體存儲器磁表面存儲器存儲原理存儲器設計動態(tài)刷新存儲原理磁盤存儲器本章知識架構：存儲子系統(tǒng)存儲器分類半導體存儲器磁表面存儲器存儲原理存儲器設24.1概述4.1.1存儲器分類4.1.1.1按存儲介質分類(1)半導體存儲器(2)磁表面存儲器(3)磁芯存儲器(4)光盤存儲器易失TTL、MOS磁頭、載磁體硬磁材料、環(huán)狀元件激光、磁光材料非易失4.1概述4.1.1存儲器分類4.1.1.1按3

1951年，中國移民王安發(fā)明了磁芯存儲器，IBM于1956年購買了這項技術專利。

1951年，中國移民王安發(fā)明了磁芯存儲器，IBM于4(1)存取時間與物理地址無關（隨機訪問）順序存取存儲器磁帶4.1.1.2按存取方式分類(2)存取時間與物理地址有關（串行訪問）隨機存儲器只讀存儲器直接存取存儲器磁盤在程序的執(zhí)行過程中

可讀

可寫在程序的執(zhí)行過程中

只讀(1)存取時間與物理地址無關（隨機訪問）順序存取存儲器5磁盤、磁帶、光盤高速緩沖存儲器（Cache）FlashMemory存儲器主存儲器輔助存儲器MROMPROMEPROMEEPROMRAMROM靜態(tài)RAM動態(tài)RAM4.1.1.3按在計算機中的作用分類

磁盤、磁帶、光盤高速緩沖存儲器（Cache）Flash61、存儲器三個主要特性的關系:速度、容量、價格／位,而這三種指標是相互矛盾的。

為了解決這種問題，選用生產與運行成本不同的、存儲容量不同的、讀寫速度不同的多種存儲介質，按一定的層次結構組織成一個統(tǒng)一的存儲器系統(tǒng)，使每種介質都處于不同的地位，發(fā)揮不同的作用，充分發(fā)揮各自在速度、容量、成本方面的優(yōu)勢，從而綜合達到最優(yōu)性能價格比，即把這樣一個存儲器組織作為一個整體看，具有容量大、速度快、位價低的綜合指標。這樣一個存儲整體稱為“存儲系統(tǒng)”。

4.2.存儲器的層次結構1、存儲器三個主要特性的關系:速度、容量、價格／位,而這三種7存儲器速度、容量和價位的關系高低小大快慢輔存寄存器緩存主存磁盤光盤磁帶光盤磁帶速度容量價格位／CPUCPU主機存儲器速度、容量和價位的關系高低小大快慢輔存寄存器緩存主存磁81)通用寄存器組：處于CPU內部，為執(zhí)行指令方便而設，通常由幾個、十幾個、幾十個寄存器組成，各種機器不等。其速度最快、容量最小、位價最高，但由于容量太小，并不被看成是獨立的存儲級。2）主存：是存儲系統(tǒng)的核心，是計算機自動、高速運行程序必不可少的功能部件，是計算機傳統(tǒng)的五大部件之一。因此，計算機對主存的要求是比較高的，但在目前的存儲技術水平下，主存只能做到容量比較大、速度比較快、位價適中，仍然遠遠滿足不了CPU運行程序的要求。3）高速緩存（Cache）：為了平滑主存與CPU之間的速度之差，加速CPU訪存的速度，在性能較好的計算機中，主存與CPU之間增設了一個緩沖存儲器，其容量比通用寄存器組大得多，比主存小得多，速度接近CPU，位價介于寄存器與主存之間Cache與主存一起構成內存。寄存器、Cache、主存由不同指標的半導體存儲器實現(xiàn)。1)通用寄存器組：處于CPU內部，為執(zhí)行指令方便而設，通常由94）輔助存儲器（外部存儲器）；為了存放大量備用的程序和數據，在主機之外設置了一級輔助存儲器，其容量比主存大得多，速度比主存慢得多，但位價也便宜得多。輔存通常由磁表面存儲器實現(xiàn)，目前大多數計算機使用磁盤，但由于磁盤的容量實際上也有限，因此有些系統(tǒng)使用磁帶等速度更低、容量更大（磁帶等設備帶盤可換，容量可無限延伸）的磁表面存儲器作為硬盤的后備。由于輔存與主機的連接方式和I/O設備相同，因此主機通常以I/O管理方式管理外存。4）輔助存儲器（外部存儲器）；為了存放大量備用10緩存CPU主存輔存4.2.2緩存—主存層次和主存—輔存層次緩存主存輔存主存虛擬存儲器10ns20ns200nsms虛地址邏輯地址實地址物理地址主存儲器（速度）（容量）緩存CPU主存輔存4.2.2緩存—主存層次和主存—輔存層111）Cache—主存層次：根據程序運行的局部性原理，可以在計算機運行程序時，通過合理的調度將當前使用最多的一小段程序和數據放在Cache中，使CPU大部分時間訪問高速緩存Cache，只有個別的指令或數據從緩存中讀不到，需要到主存去取。這樣，從整體運行的效果分析，CPU訪存速度接近于Cache的速度，而尋址空間和位價卻接近于主存。程序運行時的局部性原理表現(xiàn)在：在一小段時間內，最近被訪問過的程序和數據很可能再次被訪問；在空間上，這些被訪問的程序和數據往往集中在一小片存儲區(qū)；在訪問順序上，指令順序執(zhí)行比轉移執(zhí)行的可能性大(大約5:1)1）Cache—主存層次：根據程序運行的局部性原理，可以在計122）主存—輔存層次：

為了更好地對主存、輔存統(tǒng)一調度，目前廣泛采用虛擬存儲技術，即將主存與輔存的一部份通過軟硬結合的技術組成虛擬存儲器，程序員可使用這個比主存實際空間大得多的虛擬地址空間編程，當程序運行時，再由軟、硬件自動完成虛擬地址空間與主存實際物理空間的轉換。這個轉換操作對于程序員來說是透明的.因此，從程序員的角度看，他所使用的存儲器其容量和位價接近于輔存，而速度接近于主存。2）主存—輔存層次：13各級存儲器存放的信息必須能夠滿足兩個基本原則：1.一致性原則：同一個信息在各級存儲器中必須保持相同的值。2.包含性原則：處在內層（更靠近CPU）存儲器中的信息一定包含在各外層的存儲器中。通過采用層次結構結合軟硬件技術，從整個存儲系統(tǒng)來看，就達到了速度快、容量大、位價低的優(yōu)化效果。各級存儲器存放的信息必須能夠滿足兩個基本原則：144.2主存儲器4.2.1概述

4.2.1.1主存的基本組成注：MAR存儲器地址寄存器MDR存儲器數據寄存器MAR、MDR邏輯結構上屬MM，物理位置在CPU芯片中。數據線：雙向，或兩組單向線地址線：單向控制線：兩種讀/寫控制線：單向片選控制線：單向存儲體驅動器譯碼器MAR控制電路讀寫電路MDR....................地址總線數據總線控制信號4.2主存儲器4.2.1概述4.2.1.1主存的基15譯碼器74LS138譯碼器74LS13816(a)邏輯電路(18)(16)(14)(12)(9)(7)(5)(3)1Y31Y42Y12Y22Y32Y41Y21Y11A31A42A12A22A32A41A21A1___2G___1G(2)(4)(6)(8)(11)(13)(15)(17)(1)(19)

1G

2G

1A31A42A12A22A32A41A21A11Y31Y42Y12Y22Y32Y41Y21Y1（b）引腳圖驅動器74LS244當1、19腳是H時，Y為高阻抗；是L時，Y=A。(a)邏輯電路(18)(16)(14)(12)(9)(7)174.2.1.2主存和CPU的連接

MDRMARCPU主存讀數據總線地址總線寫地址總線AB的位數決定了可尋址的最大內存空間，數據總線DB的位數與工作頻率的乘積正比于最高數據入出量，控制總線CB指出總線周期的類型和本次入出操作完成的時刻。4.2.1.2主存和CPU的連接MDRMARCPU184.2.1.3.性能指標（1）存儲容量：存放二進制信息的數量存儲容量=存儲單元個數*存儲字長（按字）=字節(jié)數（按字節(jié)編址）目前計算機的存儲容量大多以字節(jié)數來表示(2)存取速度：一般采用兩種參數描述a.存取時間(TA)指從CPU給出有效地址啟動一次存取（讀/寫）操作到該操作完成所需的時間。讀、寫分別為TAR、TAW。b.存取周期(Tmc)指連續(xù)兩次存儲器操作之間的最小時間。間隔略大于TA4.2.1.3.性能指標（1）存儲容量：存放二進制信息的數19（3）帶寬：每秒從存儲器進出的最大信息量存取周期反映存儲器的帶寬

例：TMC＝100ns8位數據帶寬為1s/100ns×8b=80Mb/s提高存儲器的帶寬的途徑a．縮短存取周期，指制造工藝方面,TTL為100ns;MOS為10nsb．增加儲字長c．增加存儲體（3）帶寬：每秒從存儲器進出的最大信息量存取周期反映存儲器的20芯片容量4.2.2半導體存儲芯片簡介4.2.2.1半導體存儲芯片的基本結構譯碼驅動存儲矩陣讀寫電路1K×4位16K×1位8K×8位片選線讀/寫控制線地址線…數據線…地址線（單向）數據線（雙向）104141138芯片容量4.2.2半導體存儲芯片簡介4.2.2.1半導210,015,015,70,7

讀/寫控制電路

地址譯碼器

字線015…………16×8矩陣…………07D07D位線讀/寫選通A3A2A1A0……4.2.2.2半導體存儲芯片的譯碼驅動方式(1)線選法（單譯碼方式）00000,00,7…0……07……D07D

讀/寫選通0,015,015,70,7讀/寫控制電路地22線選法的特點a.譯碼結構簡單，速度快，，但器材用量大（n根地址線需2n套驅動器），當容量較大時，導致成本太高，僅適合于高速小容量存儲器。b.并行輸入/輸出（數據I/O）按多位（字節(jié)）組織線選法的特點a.譯碼結構簡單，速度快，，但器材用量大（n根地23A3A2A1A0A40,310,031,031,31

Y地址譯碼器

X地址譯碼器

32×32矩陣……A9I/OA8A7A56AY0Y31X0X31D讀/寫……(2)重合法（雙譯碼方式）00000000000,031,00,31……I/OD0,0讀A3A2A1A0A40,310,031,031,3124重合法的特點

a.與線選法相比大大減少了譯碼輸出線根數，則器材用量也大大減少，有效地降低了存儲器的成本，適用于大容量存儲芯片b.數據位I/O――按位組織重合法的特點a.與線選法相比大大減少了譯碼輸出線根25工藝雙極型MOS型ECL型速度很快、功耗大、容量小電路結構PMOSNMOSCMOS功耗小、工作方式靜態(tài)MOS動態(tài)MOS存儲信息原理靜態(tài)存儲器SRAM動態(tài)存儲器DRAM依靠雙穩(wěn)態(tài)電路內部交叉反饋的機制存儲信息。（動態(tài)MOS型）：功耗較小,容量大,速度較快,作主存。4.2.3隨機存儲器TTL型工藝雙極型MOS型ECL型速度很快、功耗大、容量小電路結構P26MOS管簡介

(1)、分類：

NMOS（N溝道增強型場效應晶體管）：P型襯底，N型高摻雜擴散區(qū)（兩個），正電壓開啟；

PMOS（P溝道增強型場效應晶體管）：N型襯底，P型高摻雜擴散區(qū)（兩個），負電壓開啟。

(2)、邏輯符號：

以NMOS增強型為例介紹——

(3)、結構：G柵極D漏極S源極P（襯底）N+N+源S柵G漏DSiO2二氧化硅絕緣層B通常襯底和源接在一起MOS管簡介

(1)、分類：

NMOS（N27(4)、工作原理：

在電場作用下，半導體表面的導電性能會發(fā)生變化——半導體表面場效應現(xiàn)象。

仍以NMOS為例：當柵極上加一正壓時（>=VT，VT稱為開啟電壓），柵極下方的自由電子被吸引形成“反型層”（與襯底P型導電類型相反），反型層將兩個N區(qū)連通，形成溝道，源、漏極導通。因此反型層也叫溝道。(5)、開關特性：

以MOS反相器為例，電路圖如下：GDRDVDDSN（襯底）P-P-源S柵G漏D(4)、工作原理：

在電場作用下，半導體表面28

靜態(tài)特性：

1）UGS<UT時，MOS管截止，輸出UDSUDD，iDS0，相當于斷開。等效電路如下（左圖）：GRDSDVDDrDS導通GRDSDVDD截止輸出

2）UGS>UT時，MOS管導通，輸出UDS0V，等效電路如上（右圖）：靜態(tài)特性：

1）UGS<UT294.2.3.1靜態(tài)RAM(SRAM)1.六管單元（1）組成T1、T3：MOS反相器Vcc觸發(fā)器T3T1T4T2T2、T4：MOS反相器T5T6T5、T6：控制門管ZZ：字線，選擇存儲單元位線，完成讀/寫操作WWW、W：（2）定義“0”：T1導通，T2截止；“1”：T1截止，T2導通。AB4.2.3.1靜態(tài)RAM(SRAM)1.六管單元（1）30（3）工作T5、T6Z：加高電平，高、低電平，寫1/0。（4）保持只要電源正常，保證向導通管提供電流，便能維持一管導通，另一管截止的狀態(tài)不變，∴稱靜態(tài)。VccT3T1T4T2T5T6ZWW導通，選中該單元。寫入：在W、W上分別加讀出：根據W、W上有無電流，讀1/0。Z：加低電平，T5、T6截止，該單元未選中，保持原狀態(tài)。靜態(tài)單元是非破壞性讀出，讀出后不需重寫。（3）工作T5、T6Z：加高電平，高、低電平，寫1/0。（4312SRAM芯片2114（1K×4位）地址端：2114（1K×4）191018A6A5A4A3A0A1A2CSGNDVccA7A8A9D0D1D2D3WEA9～A0（入）數據端：D3～D0（入/出）控制端：片選CS=0選中芯片=1未選中芯片寫使能WE=0寫=1讀電源、地2SRAM芯片2114（1K×4位）地址端：2114（1K324.2.3.2動態(tài)MOS存儲單元與存儲芯片1.四管單元（1）組成T1、T2：記憶管C1、C2：柵極電容T3、T4：控制門管Z：字線位線W、W：（2）定義“0”：T1導通，T2截止“1”：T1截止，T2導通T1T2T3T4ZWWC1C2（C1有電荷，C2無電荷）；（C1無電荷，C2有電荷）。（3）工作Z：加高電平，T3、T4導通，選中該單元。4.2.3.2動態(tài)MOS存儲單元與存儲芯片1.四管單元（1332.單管單元（1）組成（4）保持T1T2T3T4ZWWC1C2寫入：在W、W上分別加高、低電平，寫1/0。讀出：W、W先預充電至再根據W、W上有無電流，高電平，斷開充電回路，讀1/0。Z：加低電平，T3、T4截止，該單元未選中，保持原狀態(tài)。需定期向電容補充電荷（動態(tài)刷新），∴稱動態(tài)。四管單元是非破壞性讀出，讀出過程即實現(xiàn)刷新。C：記憶單元CWZTT：控制門管Z：字線W：位線2.單管單元（1）組成（4）保持T1T2T3T4ZWWC1C343.存儲芯片（2）定義（4）保持寫入：Z加高電平，T導通，在W上加高/低電平，寫1/0。讀出：W先預充電，根據W線電位的變化，讀1/0。斷開充電回路。Z：加低電平，T截止，該單元未選中，保持原狀態(tài)。單管單元是破壞性讀出，讀出后需重寫。“0”：C無電荷，電平V0（低）CWZT外特性：“1”：C有電荷，電平V1（高）（3）工作Z加高電平，T導通，例.DRAM芯片2164（64K×1位）V3.存儲芯片（2）定義（4）保持寫入：Z加高電平，T導通，在35地址端：2164（64K×1）18916GNDCASDoA6A3A4A5A7A7～A0（入）數據端：Di（入）控制端：片選寫使能WE=0寫=1讀電源、地空閑/刷新DiWERASA0A2A1Vcc分時復用，提供16位地址。Do（出）行地址選通RAS列地址選通CAS：=0時A7～A0為行地址高8位地址：=0時A7～A0為列地址低8位地址1腳未用，或在新型號中用于片內自動刷新。地址端：2164（64K×1）18916GNDCASDo364.2.3.3半導體存儲器邏輯設計需解決：芯片的選用、例1.用2114（1K×4）SRAM芯片組成容量為4K×8的存儲器。地址總線A15～A0（低）,雙向數據總線D7～D0（低）,讀/寫信號線R/W。給出芯片地址分配與片選邏輯,并畫出M框圖。1.計算芯片數動態(tài)M的刷新、（1）先擴展位數，再擴展單元數。主存的組織涉及：主存的校驗。地址分配與片選邏輯、信號線的連接。2片1K×4

1K×8

4組1K×8

4K×8

8片M的邏輯設計、4.2.3.3半導體存儲器邏輯設計需解決：芯片的選用、例137存儲器尋址邏輯2.地址分配與片選邏輯（2）先擴展單元數，再擴展位數。4片1K×4

4K×4

2組4K×4

4K×8

8片芯片內的尋址系統(tǒng)(二級譯碼)芯片外的地址分配與片選邏輯為芯片分配哪幾位地址，以便尋找片內的存儲單元由哪幾位地址形成芯片選擇邏輯，以便尋找芯片存儲空間分配：4KB存儲器在16位地址空間（64KB）中占據任意連續(xù)區(qū)間。存儲器尋址邏輯2.地址分配與片選邏輯（2）先擴展單元數，再擴3864KB1K×41K×41K×41K×41K×41K×41K×41K×4需12位地址尋址：4KBA15…A12A11A10A9……A0A11～A0000

……

0任意值001

……

1011

……

1101

……

1010

……

0100

……

0110

……

0111

……

1片選芯片地址低位地址分配給芯片，高位地址形成片選邏輯。芯片芯片地址片選信號片選邏輯1K1K1K1KA9～A0A9～A0A9～A0A9～A0CS0CS1CS2CS3A11A10A11A10A11A10A11A1064KB1K×41K×41K×41K×41K×41K×41K393.連接方式（1）擴展位數41K×41K×44101K×41K×44101K×41K×441041K×41K×441044A9~A0D7~D4D3~D044R/WA11A10CS3A11A10CS0A11A10CS1A11A10CS2（2）擴展單元數（3）連接控制線（4）形成片選邏輯電路3.連接方式（1）擴展位數41K×41K×44101K40某半導體存儲器，按字節(jié)編址。其中，0000H～～07FFH為ROM區(qū)，選用EPROM芯片（2KB/片）；0800H～13FFH為RAM區(qū)，選用RAM芯片（2KB/片和1KB/片）。地址總線A15～A0（低）。給出地址分配和片選邏輯。例2.1.計算容量和芯片數ROM區(qū)：2KBRAM區(qū)：3KB存儲空間分配：2.地址分配與片選邏輯先安排大容量芯片（放地址低端），再安排小容量芯片。便于擬定片選邏輯。共3片某半導體存儲器，按字節(jié)編址。其中，0000H～～07FFH41A15A14A13A12A11A10A9…A0000000……0000001……1

000011……1

0001001…1

000010……0

0001000…0低位地址分配給芯片，高位地址形成片選邏輯。芯片芯片地址片選信號片選邏輯2K2K1KA10～A0A10～A0A9～A0CS0CS1CS2A12A11A12A11A12A115KB需13位地址尋址：ROMA12～A064KB1K2K2KRAMA10A15A14A13為全0A15A14A13A12A11A10A9…A0000424.2.3.4動態(tài)RAM刷新①刷新定義和原因定義：刷新。動態(tài)存儲器依靠電容電荷存儲信息。平時無電源供電，時間一長電容電荷會泄放，需定期向電容補充電荷，以保持信息不變。定期向電容補充電荷原因：4.2.3.4動態(tài)RAM刷新①刷新定義和原因定義：刷43注意刷新與重寫的區(qū)別。破壞性讀出后重寫，以恢復原來的信息。②最大刷新間隔在此期間，必須對所有動態(tài)單元刷新一遍。非破壞性讀出的動態(tài)M，需補充電荷以保持原來的信息。2ms。③刷新方法按行讀。刷新一行所用的時間刷新周期（存取周期）刷新一塊芯片所需的刷新周期數由芯片矩陣的行數決定。注意刷新與重寫的區(qū)別。破壞性讀出后重寫，以恢復原來的信息。②44對主存的訪問由CPU提供行、列地址，隨機訪問。2ms內集中安排所有刷新周期。CPU訪存：④刷新周期的安排方式死區(qū)用在實時要求不高的場合。動態(tài)芯片刷新：由刷新地址計數器提供行地址，定時刷新。（1）集中刷新R/W刷新R/W刷新2ms50ns（2）分散刷新各刷新周期分散安排在存取周期中。R/W刷新R/W刷新100ns用在低速系統(tǒng)中。對主存的訪問由CPU提供行、列地址，隨機訪問。2ms內集中安452ms（3）異步刷新例.各刷新周期分散安排在2ms內。用在大多數計算機中。每隔一段時間刷新一行。128行≈15.6微秒每隔15.6微秒提一次刷新請求，刷新一行；2毫秒內刷新完所有行。R/W刷新R/W刷新R/WR/WR/W15.6微秒15.6微秒15.6微秒刷新請求刷新請求（DMA請求）（DMA請求）2ms（3）異步刷新例.各刷新周期分散安排在2ms內。用在大46三種刷新定時方式的特點：

集中刷新：正常工作期間DRAM可達全效率，但刷新期間CPU不能訪存（例中為16μs），形成訪存“死區(qū)”。

分散刷新：消除了訪存死區(qū)，但使CPU訪存周期延長一倍（例中=1μs）。另外，存在多余的刷新操作。

異步刷新：結合集中、分散刷新的優(yōu)點，既克服了死時間，又沒有多余的刷新操作，DRAM工作效率達到最高，是一種理想的刷新方式，得到廣泛應用。但這種方式控制較復雜，需要較多的存儲器外圍電路支持（刷新地址計數器、刷新定時器、訪存仲裁邏輯等）。三種刷新定時方式的特點：集中刷新：正常工作期間DRA47

4.2.3.5動態(tài)RAM和靜態(tài)RAM的比較DRAMSRAM存儲原理集成度芯片引腳功耗價格速度刷新電容觸發(fā)器高低少多小大低高慢快有無主存緩存4.2.3.5動態(tài)RAM和靜態(tài)RAM的比較DRA48SDRAMSDRAM49DDR內存DDR內存50DDR2內存DDR2內存51DDR3內存DDR3內存524.2.4只讀存儲器（ROM）4.2.4.1掩膜ROM(MROM)行列選擇線交叉處有MOS管為“1”行列選擇線交叉處無MOS管為“0”X(行)選位線i位線j存1存0VCC4.2.4只讀存儲器（ROM）4.2.4.1掩膜53VCC行線列線熔絲熔絲斷為“0”為“1”熔絲未斷4.2.4.2PROM(一次性編程)特點：出廠時為通用形式，用戶可通過加高壓、大電流的方法一次結構破壞性寫入信息，寫入的內容為永久的。VCC行線列線熔絲熔絲斷為“0”為“1”熔絲未斷4.2544.2.4.3EPROM(多次性編程)(1)浮動柵雪崩注入型MOS電路(FAMOS)G柵極S源D漏紫外線全部擦洗SGDN+N+P基片GDS浮動柵

SiO2+++++___

D端加25V正電壓形成浮動柵S與D不導通為“0”D端不加25V正電壓不形成浮動柵S與D導通為“1”4.2.4.3EPROM(多次性編程)(1)浮55初態(tài)：出廠時所有FAMOS管浮柵都不帶電荷，表示全存“1”；編程：通常脫機采用專門的編程器進行。寫“0”：源、漏間加25V高壓，字線加編程脈沖，形成浮柵，阻止溝道使源、漏不導通，存“0”；寫“1”：存儲元保持初態(tài)既可；保持：當高壓去除后，由于硅柵被絕緣層包圍，電荷無處泄漏，故FAMOS管一直保持導通，使存入信息長期維持下去。（2）EPROM工作原理：初態(tài)：出廠時所有FAMOS管浮柵都不帶電荷，表示全存“1”；56…控制邏輯Y譯碼X譯碼數據緩沖區(qū)Y控制128×128存儲矩陣…………PD/ProgrCSA10A7…A6A0..…DO0…DO7112………………A7A1A0VSSDO2DO0DO1……27162413………………VCCA8A9VPPCSA10PD/ProgrDO3DO7…(3)2716EPROM的邏輯圖和引腳PD/ProgrPD/Progr功率下降/編程輸入端讀出時

為低電平…控制邏輯Y譯碼X數據緩沖區(qū)Y控制128×128…57半導體存儲器58特點：擦除和編程均可聯(lián)機進行，更加方便。電可擦寫局部擦寫全部擦寫(4)EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）(5)FlashMemory(快擦型存儲器，又稱閃存、電子盤)特點：擦除和寫入速度更快（1M位的芯片擦、寫時間小于5

s）。與EEPROM不同的是只能整體擦或分區(qū)擦。

由于閃速存儲器具有非電易失性，且讀取速度與DRAM接近，寫入速度與硬盤接近，因此目前逐漸用來替代軟、硬盤，稱為半導體盤，具有無機械運動，抗震性好，可靠性高等優(yōu)點，發(fā)展前景看好特點：擦除和編程均可聯(lián)機進行，更加方便。(4)EEPROM59存儲器類型種類可擦除性寫機制易散失性RAM隨機電、字節(jié)級電信號易散失MROM只讀不能掩膜位寫非散失PROM只讀不能電信號非散失EPROM寫一讀多紫外線芯片級電信號非散失EEPROM寫多讀多電，字節(jié)級電信號非散失FLASH寫多讀多電，塊級電信號非散失存儲器類型種類可擦除性寫機制易散失性RAM隨機電、字節(jié)級電信60（1）地址線的連接：CPU通過地址總線向存儲器發(fā)送地址，理論上地址總線的低位可直接與各存儲芯片的地址引腳相連，高位和片選譯碼器輸入端相連；（2）數據線的連接：CPU通過數據總線與存儲器交換數據，因此存儲器的數據引出線與數據總線按位連通即可；（3）讀/寫線的連接：CPU通過控制總線中的相應信號線向存儲器發(fā)讀/寫令，則存儲器的-WE線與控制總線中的讀/寫命令線連通即可。對ROM沒有－WE。(4)片選線的連接：CPU控制總線中的-MREQ（訪存請求）信號與片選譯碼器使能輸入端相連即可。(5)合理選用芯片：通常ROM存放系統(tǒng)程序，RAM存放用戶程序(6)其他:時序、負載4.2.5存儲器與CPU的連接（1）地址線的連接：CPU通過地址總線向存儲器發(fā)送地址，理論611.讀操作：CPU從指定的存儲單元取出信息的過程（1）CPU將地址信號發(fā)送到地址總線（2）CPU發(fā)出讀命令（3）讀出信息經數據總線送至CPU2.寫操作：CPU將要寫入的信息存入指定的存儲單元（1）CPU將地址信號發(fā)送到地址總線（2）CPU將要寫入的數據發(fā)送到數據總線（3）CPU發(fā)出寫命令（4）等待信息經數據總線送至CPUCPU對主存的讀寫操作1.讀操作：CPU從指定的存儲單元取出信息的過程CPU對主存622K

×8位ROM

1K

×4位

RAM1K

×4位

RAM………&PD/ProgrY5Y4G1CBAG2BG2A……MREQA14A15A13A12A11A10A9A0…D7D4D3D0WR…………例CPU與存儲器的連接圖………74hc1382K×8位ROM1K×4位RAM1K×4位R634.3高速緩沖存儲器（Cache)4.3.1概述4.3.1.1問題的提出緩存CPU主存解決CPU與I/O的訪存沖突解決高性能與低價位的矛盾1）依據：CPU訪存的局部性原理2）目的：用小容量的SRAM與大容量的DRAM構成一個性能近似于SRAM價格相當于DRAM的存儲系統(tǒng)。4.3高速緩沖存儲器（Cache)4.3.1644.3.1.2Cache的工作原理(1)主存和緩存的編址主存和緩存按塊存儲塊的大小相同B為塊長~~~~……主存塊號主存儲器012m－1字塊0字塊1字塊M－1主存塊號塊內地址m位b位n位M塊B個字緩存塊號塊內地址c位b位C塊B個字~~~~……字塊0字塊1字塊C－1012c－1標記Cache緩存塊號4.3.1.2Cache的工作原理(1)主存和緩存的65CPUCacheMEMORY主存地址字塊CPUCacheMEMORY主存地址字塊66(2)命中與未命中緩存共有C塊主存共有M塊M>>C主存塊調入

緩存主存塊與緩存塊建立

了對應關系用標記記錄

與某緩存塊建立了對應關系的主存塊號命中未命中主存塊與緩存塊未建立

對應關系主存塊未調入

緩存(2)命中與未命中緩存共有C塊主存共有M塊M>>67(3)Cache的命中率CPU欲訪問的信息在Cache中的比率命中率與Cache的容量與塊長

有關一般每塊可取4~8個字塊長取一個存取周期內從主存調出的信息長度CRAY_116體交叉塊長取16個存儲字

IBM370/1684體交叉

塊長取4個存儲字（64位×4

=

256位）(3)Cache的命中率CPU欲訪問的信息在Cach68(4)Cache–主存系統(tǒng)的效率效率e

與命中率有關

設Cache命中率

為h，訪問Cache的時間為tc

，

訪問主存的時間為tm

則

e=×100%tc

h

×

tc+(1－h(huán))×tm訪問Cache的時間平均訪問時間

e=×100%(4)Cache–主存系統(tǒng)的效率效率e與命中率有691）Cache的內容與主存之間的映象關系2）如何實現(xiàn)地址的轉換，將訪問的主存地址轉換成Cache地址3）訪問Cache未命中時，若Cache沒有滿，如何調入Cache；Cache滿時，塊如何替換4）Cache的一致性問題，即塊的更新策略4.3.1.3實現(xiàn)Cache的功能要解決的問題1）Cache的內容與主存之間的映象關系2）如何實現(xiàn)地址的轉70數據總線Cache替換機構可裝進？命中？主存Cache地址映象變換機構主存訪問主存替換CacheCache存儲體塊號塊內地址直接通路訪問主存裝入CacheNNYY塊號塊內地址CPU主存地址地址總線Cache地址4.3.1.4Cache的基本結構Cache替換機構由CPU完成Cache存儲體主存Cache地址映象變換機構數據總線Cache替換機構可裝進？命中？主存Cache主714.3.2Cache—主存地址映象地址映象：為了把信息放到Cache中,必須應用某種函數把主存地址映象到Cache,稱作地址映象.地址變換：在信息按照這種映象關系裝入Cache后,執(zhí)行程序時,應將主存地址變換成Cache地址,這個變換過程叫做地址變換.基本地址映象方式:直接映象、全相聯(lián)映象、組相聯(lián)映象、段相聯(lián)映象等4.3.2Cache—主存地址映象地址映象：為了把信724.3.3Cache的讀寫操作

訪問Cache取出信息送CPU

訪問主存取出信息送CPU將新的主存塊調入Cache中執(zhí)行替換算法騰出空位

結束命中？Cache滿？CPU發(fā)出訪問地址

開始是否是否讀

4.3.3Cache的讀寫操作訪問Cach73Cache和主存的一致性寫寫直達法（Write–through）寫回法（Write–back）寫操作時數據既寫入Cache又寫入主存

寫操作時只把數據寫入Cache而不寫入主存當Cache數據被替換出去時才寫回主存

寫操作時間就是訪問主存的時間，讀操作時不涉及對主存的寫操作，更新策略比較容易實現(xiàn)寫操作時間就是訪問Cache的時間，讀操作Cache失效發(fā)生數據替換時，被替換的塊需寫回主存，增加了Cache的復雜性Cache和主存的一致性寫寫直達法（Write–744.3.4Cache的改進

(1)增加Cache的級數片載（片內）Cache片外Cache(2)統(tǒng)一緩存和分開緩存指令Cache數據Cache與主存結構有關與指令執(zhí)行的控制方式有關是否流水Pentium8K指令Cache8K數據CachePowerPC62032K指令Cache

32K數據Cache4.3.4Cache的改進(1)增加Cache754.4輔助存儲器4.4.1概述

4.4.1.1特點

與主存相比容量大,速度慢,價格低,可脫機保存信息。輔助存儲器用于存放當前不需立即使用的信息,一旦需要,再和主存成批地交換數據。因此，輔存不直接和CPU交換信息。輔助存儲器主要有磁表面存儲器和光存儲器兩大類.磁表面存儲器是將磁性材料沉積在盤片(或帶)的基體上形成記錄介質,并以繞有線圈的磁頭與記錄介質的相對運動來寫入或讀出信息.磁表面存儲器有數字式磁記錄,如硬盤,軟盤和磁帶.模擬式磁記錄,如錄音,錄像設備光存儲器主要是光盤,它是利用激光束在具有感光特性的表面上存儲信息.4.4輔助存儲器4.4.1概述4.4.1.1特點764.4.1.2.磁表面存儲器的技術指標1）記錄密度：單位長度或單位面積內所存儲二進制信息量。對磁盤存儲器用道密度和位密度表示,也可以用兩者的乘積——面密度表示.對磁帶存儲器,則主要用位密度表示.磁道是磁盤表面上的許多同心圓.在有多個盤片構成的盤組中,由處在同一半徑的磁道組成的一個圓柱面,稱為柱面.4.4.1.2.磁表面存儲器的技術指標1）記錄密度：單位77道密度：沿磁盤半徑方向單位長度的磁道數。單位是道/英寸(簡稱TPI)或道/毫米（TPM）。磁道具有一定的寬度,叫道寬.它取決于磁頭的工作間隙長度及磁頭定位精度等因素.為避免干擾,磁道與磁道之間需保持一定距離,相鄰兩條磁道中心線之間的距離叫道距.位密度或線密度：單位長度磁道所能記錄二進制信息的位數。單位是位/英寸（bpi)或位/毫米（bpm）注意：各磁道上所記錄的信息量是相同的而位密度不同對于磁帶,其磁道是沿著磁帶長度方向的直線,存儲密度主要用位密度來衡量.例如,常用磁帶的記錄密度有800bpi,1600bpi和6250bpi等多種.道密度：沿磁盤半徑方向單位長度的磁道數。單位是道/英寸(簡稱782）存儲容量：輔存所能存儲的二進制信息總量以磁盤存儲器為例c=n*k*sc存儲總容量，n存放信息的盤面數，k每盤磁道數，s每道二進制數。格式化容量:指按照某種特定的記錄格式所能存儲信息的總量,也就是用戶真正可以使用的容量。非格式化容量:磁記錄表面可以利用的磁化單元總數.將磁盤存儲器用于計算機系統(tǒng)中,必須首先進行格式化操作,然后才能供用戶記錄信息,格式化容量一般約為非格式化容量的60%～70%。3)數據傳輸率：磁表面存儲器在單位時間內與主機之間傳送數據的位數或字節(jié)數，它與記錄密度D和記錄介質的運動速度V有關：Dr＝D×V。4）誤碼率：誤碼率是衡量磁表面存儲器出錯概率的參數.它等于從輔存讀出時,出錯信息位數和讀出的總信息位數之比2）存儲容量：輔存所能存儲的二進制信息總量795）平均尋址時間磁盤存儲器采取直接存取方式時,尋址時間包括兩部分:一是磁頭尋找目標磁道所需的找道時間ts;二是找到磁道以后,磁頭等待所需要讀寫的區(qū)段旋轉到它的下方所需要的等待時間tw.

由于尋找相鄰磁道和從最外面磁道找到最里面磁道所需的時間不同,磁頭等待不同區(qū)段所花的時間也不同,因此,取它們的平均值,稱作平均尋址時間Ta,它由平均找道時間Tsa和平均等待時間Twa組成:Ta=Tsa+Twa=(tsmax+tsmin)/2+(twmax+twmin)/2磁帶存儲器采取順序存取方式,不需要尋找磁道,但需要考慮磁頭尋找記錄區(qū)的等待時間,尋址時間指的是磁帶空轉到磁頭應訪問記錄區(qū)所在位置的時間.5）平均尋址時間由于尋找相鄰磁道和從最外面磁道804.4.2磁記錄原理和記錄方式4.4.2.1磁記錄原理

寫：在磁頭線圈中加入磁化電流（寫電流），并使磁層移動，在磁層上形成連續(xù)的小段磁化區(qū)域。局部磁化單元載磁體寫線圈SNI局部磁化單元寫線圈SN鐵芯磁通磁層寫入“0”寫入“1”I4.4.2磁記錄原理和記錄方式4.4.2.1磁記錄原81磁記錄原理N讀線圈S讀線圈SN鐵芯磁通磁層運動方向運動方向ssttffee讀出“0”讀出“1”讀磁頭線圈中不加電流，磁層移動。當位單元的轉變區(qū)經過磁頭下方時，在線圈兩端產生感應電勢。磁通變化的區(qū)域讀出信號磁記錄原理N讀線圈S讀線圈SN鐵芯磁通磁層運動方向運動方向824.4.2.2磁表面存儲器的記錄方式磁記錄方式又稱編碼方式，它是按某種規(guī)律將一串二進制數字信息變成磁表面相應的磁化狀態(tài)。1）歸零制（RZ）記錄“1”時通正向脈沖電流；“0”時通反向脈沖電流在記錄兩位信息之間驅動電流歸零2）不歸零制（NRZ）記錄1時電流正向流動，記錄0時電流反向流動。當連續(xù)記錄1或0時電流方向不變，當相鄰兩位代碼不同時電流方向翻轉，稱為“見變就翻”的不歸零制。3）見“1”就翻的不歸零制（NRZ1）記錄1時電流改變方向；記錄0時保持原來的電流方向。4）調相制（PM）記錄“0”時電流由負變正；“1”時由正變負。且電流變化出現(xiàn)在一位信息記錄時間的中間時刻。這樣在兩個相鄰位記錄信息相同時在交界處電流方向變化，不同時不變4.4.2.2磁表面存儲器的記錄方式磁記錄方式又稱編碼方835）調頻制（FM）在記錄單元起始處不論是記錄0還是1，都要改變電流方向，產生翻轉；在一個記錄單元中間點，記錄1時改變電流方向，產生翻轉，記錄0時不改變電流方向，不產生翻轉。這樣記錄1的頻率是記錄0的頻率的1倍。6）改進調頻制（MFM）當二進制信息中出現(xiàn)連續(xù)0時，其記錄單元的交界處翻轉一次。在其它情況下（0->1,1->0,1->1)其記錄單元的交界處不翻轉；在一個記錄單元的中間點，記錄1時改變電流方向，產生磁化翻轉，記錄0時不改變電流方向，不產生磁化翻轉。3.評價記錄方式的主要指標1）編碼效率：位密度與磁化翻轉密度的比值，可用記錄一位信息的最大磁化翻轉次數來表示。例：FM、PM：一個位周期磁化最多翻轉2次，則編碼效率為50%；

MFM、NRZ、NRZ1：一個位周期磁化最多翻轉1次，則編碼效率為100%；5）調頻制（FM）6）改進調頻制（MFM）3.評價記錄方式的842）自同步能力：指從單個磁道讀出信息提取同步脈沖的難易程度。磁表面存儲器的同步方式：兩種外同步：專門設置用來記錄同步信息的磁道（同步磁道）。

這種同步方式讀出時，同步磁道與被訪磁道一起讀出，讀出信息經放大整形后和同步信號相“與”，產生讀出數據代碼。

此方式影響記錄密度的提高。自同步：不設同步磁道，同步信息從讀出信息中提取，然后反過來再對讀出信息進行同步，并選通出讀出數據（自己同步自己）。

自同步要求讀出信息在一個位周期時間內至少有一個感應信號，因此，NRZ和NRZ1制均無自同步能力，而RZ、PM、FM和MFM制均有自同步能力。2）自同步能力：指從單個磁道讀出信息提取同步脈沖的難易程度。85磁表面存儲器的記錄方式的時序011100010數據序列RZNRZNRZ1PMFMMFMT位周期磁表面存儲器的記錄方式的時序011100010數據序列RZN864.4.3硬磁盤存儲器1）按磁頭的工作方式移動磁頭磁盤存儲器:存取數據時,磁頭在磁盤盤面上徑向移動,磁頭與盤面不接觸,且隨氣流浮動,稱為浮動磁頭.盤片的每面都有一個磁頭.固定磁頭磁盤存儲器:磁頭位置固定,磁盤的每一個磁道都對應一個磁頭,盤片也不可更換.其特點是存取速度快.省去了磁頭沿盤片徑向運動找道時間.2）按磁盤的可替換性可換盤存儲器:指磁盤不用時可以從驅動器中取出脫機保存.這種磁盤可以在兼容的磁盤存儲器間交換數據,由于可脫機保存故便于擴大存儲容量.為了達到可靠地交換數據的目的磁盤的道密度要適當降低.固定盤存儲器:是指磁盤不能從驅動器中取出,更換時要把整個“頭盤組合體”一起更換4.4.3.1硬盤分類4.4.3硬磁盤存儲器1）按磁頭的工作方式4.4.3.187溫徹斯特磁盤（溫盤）1973年，IBM研制成功了一種新型的硬盤IBM3340這種硬盤擁有幾個同軸的金屬盤片，盤片上涂著磁性材料。它們和可以移動的磁頭共同密封在一個盒子里面，磁頭能從旋轉的盤片上讀出磁信號的變化--這就是我們今天是用的硬盤的祖先，IBM把它叫做溫徹斯特硬盤。1980年，希捷(Seagate)公司制造出了個人電腦上的第一塊溫徹斯特硬盤，這個硬盤與當時的軟驅體積相仿，容量5MB。溫盤是目前使用最廣，可靠性最好，最方便實用的一種磁盤。其特點為：將磁頭和盤片、驅動部分、讀寫電路密封在一個盒子內，稱為“頭盤組合體”。更換時要對整個頭盤組合體作一次整體更換。頭盤組合體內部結構屬可移動頭固定盤片組結構。溫徹斯特磁盤（溫盤）1973年，IBM研制成功了一種新型的硬884.4.3.2硬磁盤存儲器結構磁盤控制器磁盤驅動器盤片主機4.4.3.2硬磁盤存儲器結構磁盤控制器磁盤89半導體存儲器90磁盤磁盤組主軸磁頭音圈電機位置檢測定位驅動模擬控制放大閉環(huán)自動控制系統(tǒng)由磁盤控制器送來的目標磁道信號測速輸出讀寫臂傳動機構主軸定位驅動數據控制(1)磁盤驅動器磁盤磁盤組主軸磁頭音圈電機位置檢測定位驅動模擬控制放大閉環(huán)自91(2)磁盤控制器接受主機發(fā)來的命令，轉換成磁盤驅動器的控制命令實現(xiàn)主機和驅動器之間的數據格式轉換控制磁盤驅動器讀寫通過總線(3)盤片對主機對硬盤（設備）磁盤控制器是主機與磁盤驅動器之間的接口由硬質鋁合金材料制成(2)磁盤控制器接受主機發(fā)來的命令，轉換成磁盤驅動器的控921）幾個概念

盤面：每張盤片具有上、下兩面，均可用來記錄信息，稱為盤面。對于多片盤片組成的盤組，通常最上面、最下面不用，作為保護面。

記錄區(qū)：盤片中間有一個圓孔，穿在主軸上。為保證信息的可靠性，通常靠近主軸孔和盤邊的部分不用，因此信息記錄在盤面上一個環(huán)狀的有效記錄區(qū)內。

磁道：磁頭在盤面上記錄信息的軌跡為許多由內向外排列的同心圓，稱為“磁道”。二進制信息沿磁道串行分布。

圓柱面：盤組記錄信息時為了節(jié)省磁頭移動時間，通常在一個磁道存滿后，繼續(xù)存放在另一盤面的同一磁道上，則不同盤面的同一磁道可看成是一圓柱面，存取操作沿柱面進行。4.4.3.3硬盤的記錄格式1）幾個概念4.4.3.3硬盤的記錄格式93扇區(qū)：一個盤面通常分成若干區(qū)，稱為扇區(qū)。這樣，每條磁道就被分為若干個扇段。扇段為磁盤尋址的最小單位，而不是字節(jié)。扇區(qū)的大小可由硬件劃分，稱“硬分區(qū)”；也可由軟件劃分，稱“軟分區(qū)”。硬分區(qū)：在盤面上兩個扇區(qū)的交界處打孔或缺口，通過光電檢測等手段對這些孔進行檢測，硬件上設扇區(qū)計數器，每檢測到一個孔，就發(fā)一個脈沖（扇標脈沖），對計數器進行計數，則計數器中從0開始的計數值即為扇區(qū)號。

軟分區(qū)：不設扇標脈沖，扇區(qū)的劃分通過軟件將格式信息寫入磁道進行。不論是軟分區(qū)還是硬分區(qū)，為了標識一個磁道信息的起始，都在每個磁道的起始處打一個索引孔，通過光電檢測的方法獲得一個脈沖，稱為“0索引”。隨著磁盤的旋轉，0索引脈沖的到來標志著0扇區(qū)的開始。磁盤地址：臺號柱面號盤面號扇段號磁道號磁頭號扇區(qū)：一個盤面通常分成若干區(qū)，稱為扇區(qū)。這樣，每條磁942）定長記錄格式：

扇區(qū)中存放的數據塊大小固定。這種格式較適合硬分區(qū)的結構，簡單但記錄區(qū)的空間利用率不高。

3）不定長記錄格式：

扇區(qū)中存放的數據塊大小可變。這種格式較適合軟分區(qū)的情況，靈活性和空間利用率較高。2）定長記錄格式：

扇區(qū)中存放的數據塊大小固定。95例4.6磁盤組有六片磁盤，每片有兩個記錄面，存儲區(qū)域內徑22厘米，外徑33厘米，道密度為40道/厘米，內層密度為400位/厘米，轉速2400轉/分，問：

（1）共有多少存儲面可用？

（2）共有多少柱面？

（3）盤組總存儲容量是多少？

（4）數據傳輸率是多少？例4.6磁盤組有六片磁盤，每片有兩個記錄面，存儲區(qū)域內徑96解：（1）若去掉兩個保護面，則共有：

6X2-2=10個存儲面可用；

（2）有效存儲區(qū)域

=（33-22）/2=5.5cm

柱面數=40道/cmX5.5=220道

（3）內層道周長=22=69.08cm

道容量=400位/cmX69.08cm

=3454B

面容量=3454BX220道

=759，880B

盤組總容量=759，880BX10面

=7，598，800B（4）轉速=2400轉/60秒

=40轉/秒

數據傳輸率=3454BX40轉/秒

=138，160B/S

解：（1）若去掉兩個保護面，則共有：

974.4.4軟磁盤存儲器4.4.4.1概述速度磁頭盤片價格環(huán)境硬盤軟盤高低固定、活動活動固定盤、盤組大部分不可換可換盤片苛刻浮動接觸盤片高低4.4.4軟磁盤存儲器4.4.4.1概述速度磁頭盤片價984.4.4.2軟盤片由聚酯薄膜制成保護套主軸孔實際的軟盤片寫保護口讀/寫磁頭訪問槽襯里/清潔材料4.4.4.2軟盤片由聚酯薄膜制成保護套主軸孔實際的軟盤片99應用激光在某種介質上寫入信息,然后再利用激光讀出信息的技術稱為光存儲技術.如果光存儲使用的介質是磁性材料,亦即利用激光在磁記錄介質上存儲信息,就稱為磁光存儲.光盤的分類⑴只讀型光盤(CD-ROM)⑵只寫一次型光盤(WORM)⑶可擦寫型光盤⑷光盤庫(光盤自動換盤機)CD-R刻錄機：是一次性寫入的刻錄機有SCSI和IDE接口兩種,用于數據備份或娛樂.CD-RW：是可擦寫的刻錄機,可刻錄CD-RW和CD-R光盤.光盤庫：它的基本構件①光盤架,存放光盤②1~5個光盤機③機械手(換盤機構)④控制器4.4.5光盤存儲器4.4.5.1概述應用激光在某種介質上寫入信息,然后再利用激光讀出100

形變：對光盤寫入時,將激光束聚焦成直徑小于1μm的微小光點,以其熱作用,融化盤表面上的光存儲介質薄膜,在薄膜上形成凹坑.坑的邊緣形成“1”,無坑的地方或坑底都是“0”.讀出時,凹坑邊緣反射的光有變化,信息為“1”,平坦處(坑底也是)反射的光無變化,信息為“0”.由于讀出光束的功率只有寫入光束功率的1/10,因此不會融出新的凹坑.形變：對光盤寫入時,將激光束聚焦成直徑小于1μ101⒈硬盤容量大,數據傳輸率高,等待時間短,關鍵技術是提高位密度bpi和道密度TPI,采用溫徹斯特技術將磁頭盤片和定位系統(tǒng)組合在一個密封的盒內.為了用于便攜機,更提出了減輕重量,承受撞擊的要求,為降低功耗,還必須有電源管理控制功能等⒉軟盤軟盤片可靈活裝卸,便于攜帶和交換,介質又便宜,既可存儲系統(tǒng)和應用軟件,又可用于數據輸入輸出用戶用軟盤片作為自己的小數據庫和軟件庫.光磁軟盤容量可達幾十MB~200MB⒊磁帶數據傳輸率低,容量