半導(dǎo)體行業(yè)跟蹤報(bào)告之十一：存儲(chǔ)行業(yè)投資機(jī)會(huì)梳理

請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明21、存儲(chǔ)行業(yè)：2024年強(qiáng)勁復(fù)蘇，有望持續(xù)4個(gè)季度漲價(jià)2、高頻數(shù)據(jù)：2024Q1持續(xù)漲價(jià)3、存儲(chǔ)和AI：應(yīng)用百花齊放，HBM空間廣闊4、投資建議：關(guān)注存儲(chǔ)全產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)會(huì)5、風(fēng)險(xiǎn)提示請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明圖

1：存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（單位：十億美元）資料來源：

Gartner《Gartner

2023年10月12日：Semiconductor

&

Electronics

Forecast

Update

3Q23》，光大證券研究所。備注：2017-2022年為實(shí)際數(shù)據(jù)，2023-2027年為Gartner預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)3表

1：

2023和2024年半導(dǎo)體行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域市場(chǎng)份額和同比增速（單位：%）資料來源：

Gartner《Gartner

2023年10月12日：Semiconductor

&

Electronics

Forecast

Update

3Q23》，光大證券研究所。備注：2023-2024年為Gartner預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明4存儲(chǔ)行業(yè)：2023

上半年存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)力度進(jìn)一步加強(qiáng)，并嘗試上調(diào)出廠價(jià)格。2022

年下半年開始，在行業(yè)景氣度下行的背景下，為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)疲軟態(tài)勢(shì)帶來的存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)走跌，大部分存儲(chǔ)原廠采取了降低產(chǎn)能利用率、縮減資本開支等方式減少存儲(chǔ)位元供給，以緩解供過于求的局面。根據(jù)

CFM

閃存市場(chǎng)，鎧俠從2022年10月起減產(chǎn)30%，西部數(shù)據(jù)自2023年1月起減產(chǎn)30%，2023年4月三星宣布減產(chǎn)規(guī)劃。2023年6月，美光表示其專注于庫(kù)存管理和控制供應(yīng)，將DRAM和NAND

晶圓開工率進(jìn)一步減少至接近30%，預(yù)計(jì)減產(chǎn)將持續(xù)到2024年。2023年5月起，海內(nèi)外原廠先后漲價(jià)3%-5%。長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布將針對(duì)企業(yè)級(jí)客戶調(diào)升NAND價(jià)格3%-5%。據(jù)Digitime報(bào)道，三星計(jì)劃提高NAND晶圓價(jià)格，SK海力士已尋求將NAND閃存價(jià)格提高5%-8%以試探市場(chǎng)反應(yīng)，并表示NAND

閃存的價(jià)格已降至可變成本以下。表

2：

2023年存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)措施資料來源：德明利公司公告，光大證券研究所請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明5請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明6表

3：

2021-2024年DRAM和NAND

FLASH價(jià)格趨勢(shì)及預(yù)測(cè)（單位：%）資料來源：TrendForce統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，光大證券研究所整理DRAM類別種類1Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23(E)1Q24(F)2Q24(F)3Q24(F)4Q24(F)Mobile

DRAMLPDDR3上漲

0-5%LPDDR4X基本持平下跌

8-13%下跌

10-15%下跌

18-23%下跌

13-18%下跌

13-18%下跌

0-5%上漲

18-23%上漲

18-23%LPDDR5(X)上漲

0-5%分立上漲

8-13%上漲

5-15%下跌

3-8%下跌

0-5%eMCP/uMCP基本持平PC

DRAMDDR4上漲

5%上漲

23-28%上漲

3-8%下跌

5-10%下跌

5-10%下跌

3-8%下跌

13-18%下跌

13-18%下跌

15-20%下跌

15-20%下跌

3-8%上漲

3-8%上漲

10-15%DDR5下跌

3-8%下跌

16-20%下跌

18-23%下跌

18%-23%下跌

13-18%上漲

0-5%上漲

10-15%BlendedASP下跌

15-20%下跌

15-20%下跌

15-20%下跌

0-5%上漲

10-15%Server

DRAMDDR4上漲

8%上漲

20-25%上漲

5-10%下跌

3-8%下跌

8-13%下跌

0-5%下跌

10-15%下跌

23-28%下跌

20%-25%下跌

18-23%下跌

3-8%上漲

5-10%上漲

10-15%DDR5下跌

30-35%下跌

23-28%下跌

13-18%下跌

0-5%上漲

0-5%BlendedASP下跌

23-28%下跌

20-25%下跌

15-20%下跌

0-5%上漲

8-13%Graphic

DRAM上漲

5-10%上漲

20-25%上漲

10-15%下跌

0-5%基本持平上漲

0-5%下跌

10-15%下跌

20-25%下跌

18-23%下跌

10-15%下跌

0-5%上漲

8-13%上漲

10-15%Consumer

DRAMDDR3上漲

10%上漲

25-30%上漲

8-13%下跌

3-8%下跌

0-5%上漲

3-8%下跌

13-18%下跌

18-23%下跌

18-23%下跌

10-15%下跌

0-5%上漲

10-15%上漲

8-13%DDR4上漲

5%上漲

20-25%上漲

3-8%下跌

5-10%下跌

3-8%下跌

0-5%上漲

10-15%Blend

DRAM上漲

13-18%上漲

3-8%上漲

8-13%上漲

8-13%Total

DRAM上漲

3-8%上漲

18-23%上漲

3-8%下跌

3-8%下跌

8-13%下跌

0-5%下跌

10-15%下跌

20-25%下跌

20%下跌

13%-18%下跌

0-5%上漲

13-18%上漲

13-18%NAND類別種類1Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23(E)1Q24(F)2Q24(F)3Q24(F)4Q24(F)eMMC/UFSconsumer上漲

0-3%上漲

10-15%上漲

0-5%下跌

5-10%下跌

3-8%上漲

3-8%下跌

13-18%下跌

13-18%下跌10-15%下跌

8-13%基本持平上漲

10-15%上漲

18-23%mobile下跌

5%上漲

5%下跌

0-5%下跌

5-10%上漲

5-10%下跌

15%-20%下跌

5-10%Enterprise

SSD下跌

10-15%上漲

0-5%上漲

13-18%上漲

0-5%下跌

3-8%上漲

3-8%下跌

10-15%下跌

15-20%下跌13-18%下跌

13-18%下跌

8%-13%上漲

10-15%上漲

18-23%Client

SsD下跌

5-10%上漲

5-10%上漲

3-8%下跌

3-8%下跌

3-8%上漲

5-10%下跌

10-15%下跌

15-20%下跌13-18%下跌

15-20%下跌

8-13%上漲

13-18%上漲

15-20%2D

NAND

Package(MLC)持平上漲

5-10%3D

NAND

Wafers(TLC&QLO)上漲

0-3%上漲

5-10%上漲

3-8%下跌

10-15%上漲10-15%下跌8-13%下跌

30-35%下跌

20-25%下跌3-8%下跌

8-13%上漲3-8%上漲

35-40%上漲

8-13%Blend

NAND

Flash下跌

5-10%上漲

5-10%上漲

18-23%上漲

3-8%上漲

8-13%上漲

0-5%Total

NAND

Flash下降

5-10%上漲

5-10%上漲

5-10%下跌

0-5%下跌5-10%上漲3-8%下跌

13-18%下跌

15-20%下跌

10-15%下跌10-15%下跌

5-10%上漲

13-18%上漲

15-20%請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明資料來源：

TrendForce預(yù)測(cè)，光大證券研究所7據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)，DRAM產(chǎn)品合約價(jià)自2021年第四季開始下跌，連跌八季，至2023年第四季起漲。NAND

Flash方面，合約價(jià)自2022年第三季開始下跌，連跌四季，至2023年第三季起漲。在24年市場(chǎng)需求展望仍保守的前提下，二者價(jià)格走勢(shì)均取決于供應(yīng)商產(chǎn)能利用率情況。2024Q1：2024年針對(duì)第一季價(jià)格趨勢(shì)，TrendForce維持先前預(yù)測(cè)，DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%；NAND

Flash合約價(jià)季漲幅約18-23%。2024Q2：雖然目前市場(chǎng)對(duì)2024Q2整體需求看法仍屬保守，但DRAM與NAND

Flash供應(yīng)商已分別在2023Q4下旬，以及2024Q1調(diào)升產(chǎn)能利用率，加上NAND

Flash買方也早在2024Q1將陸續(xù)完成庫(kù)存回補(bǔ)。因此，DRAM、NAND

Flash在2024Q2合約價(jià)季漲幅皆收斂至3~8%。2024Q3：進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，需求端預(yù)期來自北美云端服務(wù)業(yè)者（CSP）的補(bǔ)貨動(dòng)能較強(qiáng)，在預(yù)期DRAM及NAND

Flash產(chǎn)能利用率均尚未恢復(fù)至滿載的前提下，兩者合約價(jià)季漲幅有機(jī)會(huì)同步擴(kuò)大至8~13%。其中，DRAM方面，因DDR5及HBM滲透率提升，受惠于平均單價(jià)提高，帶動(dòng)DRAM漲幅擴(kuò)大。2024Q4：第四季在供應(yīng)商能夠維持有效的控產(chǎn)策略的前提下，漲勢(shì)應(yīng)能延續(xù)，預(yù)估DRAM合約價(jià)季漲幅約8~13%：DRAM合約價(jià)漲幅擴(kuò)大的原因是來自DDR5與HBM產(chǎn)品市場(chǎng)滲透率上升，若僅觀察單一產(chǎn)品，例如DDR5，仍可能出現(xiàn)季跌，意即2024年度的DRAM合約價(jià)上漲并非所有顆粒類別全面上揚(yáng)，而是產(chǎn)品類別逐漸轉(zhuǎn)移之故。NAND

Flash合約價(jià)季漲幅則預(yù)估0~5%。表

4：

2024Q1~2024Q2

DRAM和NAND

Flash季度合約價(jià)漲幅預(yù)測(cè)請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明表

5：

2023Q4~2024Q1NAND

Flash產(chǎn)品合約價(jià)漲幅預(yù)測(cè)資料來源：

TrendForce統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，光大證券研究所據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴(kuò)大NAND

Flash產(chǎn)品采購(gòu)以建立安全庫(kù)存水位，而供應(yīng)商為減少虧損，對(duì)于推高價(jià)格勢(shì)在必行，預(yù)估2024年第一季NAND

Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。NAND

Flash原廠為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過高而需求增長(zhǎng)相對(duì)慢于價(jià)格，后續(xù)價(jià)格上漲仍需仰賴Enterprise

SSD拉貨動(dòng)能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升，新增位元產(chǎn)出將會(huì)自第二季發(fā)生，若后續(xù)需求位元增長(zhǎng)未如預(yù)期，將對(duì)供應(yīng)商形成壓力，可能導(dǎo)致NAND

Flash下半年價(jià)格漲幅收斂。Client

SSD方面，PC

OEM拉貨動(dòng)能預(yù)估會(huì)在2024年第一季達(dá)高峰，另隨著PCIe

4.0

SSD滲透率持續(xù)上升，部分供應(yīng)商已經(jīng)啟動(dòng)制程升級(jí)，買方為避免SSD供應(yīng)青黃不接，均愿意綁定較大需求位元訂單。同時(shí)，供應(yīng)商為加速達(dá)到損益平衡，大舉拉抬PCIe

4.0產(chǎn)品價(jià)格，筆電客戶被迫接受供應(yīng)商報(bào)價(jià)可能性上升，故預(yù)估PC

Client

SSD在2024年第一季合約價(jià)季漲幅約15~20%。Enterprise

SSD方面，北美CSP采購(gòu)需求仍未增長(zhǎng)，但有來自中國(guó)CSP、Server品牌業(yè)者的訂單支撐，2024年第一季Enterprise

SSD市場(chǎng)需求呈現(xiàn)淡季不淡。整體來看，為建立安全庫(kù)存水位，買方持續(xù)擴(kuò)大訂單，第一季供應(yīng)商議價(jià)態(tài)度更強(qiáng)硬，帶動(dòng)Enterprise

SSD合約季漲幅約18~23%。eMMC方面，如智能手機(jī)、Chromebook等主要應(yīng)用的采購(gòu)需求持續(xù)回穩(wěn)，不論原廠或模組廠均強(qiáng)勢(shì)拉抬eMMC價(jià)格。由于部分原廠積極減產(chǎn)策略延續(xù)至第一季，導(dǎo)致小容量產(chǎn)品供應(yīng)吃緊。買方由于庫(kù)存偏低，為避免供應(yīng)短缺，被迫接受漲價(jià)。而原廠會(huì)根據(jù)Wafer價(jià)格漲幅，同步調(diào)漲eMMC報(bào)價(jià)。故不論eMMC大小容量及產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，漲價(jià)幅度均高于兩成。因此預(yù)估24Q1

eMMC合約價(jià)季漲幅約18~23%。UFS方面，受原廠限制供應(yīng)UFS產(chǎn)品并強(qiáng)勢(shì)抬價(jià)影響，智能手機(jī)客戶庫(kù)存明顯偏低，其中又以采用較高制程的UFS

4.0最為短缺，使2024年第一季智能手機(jī)OEM持續(xù)擴(kuò)大訂單，以建立安全庫(kù)存水位。由于UFS

4.0供應(yīng)商有限，并集中采用先進(jìn)制程，加上Wafer合約價(jià)在2023年第四季漲幅已超過四成，原廠都希望能快速實(shí)現(xiàn)損益平衡。而即便賣方仍有足夠庫(kù)存滿足市場(chǎng)需求，但UFS各系列產(chǎn)品報(bào)價(jià)仍都超過三成，故預(yù)估2024年第一季UFS合約價(jià)季漲幅約18~23%，以Mobile領(lǐng)域產(chǎn)品為首領(lǐng)漲。NAND

Flash

Wafer方面，由于短期漲幅已高，加上第一季需求尚未全面復(fù)蘇，模組廠開始銷售Wafer庫(kù)存鎖定獲利及維持營(yíng)運(yùn)現(xiàn)金流，導(dǎo)致買方追價(jià)意愿降低。即便原廠計(jì)劃提高價(jià)格以提升獲利，但2024年第一季NAND

Flash

Wafer合約價(jià)季漲幅收斂，預(yù)估約8~13%。8請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明表

6：

2023Q4~2024Q1DRAM產(chǎn)品合約價(jià)漲幅預(yù)測(cè)資料來源：

TrendForce統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，光大證券研究所TrendForce集邦咨詢表示，2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%，其中Mobile

DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。目前觀察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠認(rèn)為持續(xù)性減產(chǎn)仍有其必要，以維持存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。PC

DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿足，同時(shí)買方預(yù)期DDR4價(jià)格會(huì)持續(xù)上漲，帶動(dòng)買方拉貨動(dòng)能延續(xù)，然受到機(jī)種逐漸升級(jí)至DDR5影響，對(duì)DDR4的位元采購(gòu)量不一定會(huì)擴(kuò)大。不過，由于DDR4及DDR5的售價(jià)均尚未達(dá)到原廠目標(biāo)，加上買方仍可接受第一季續(xù)漲，故預(yù)估整體PC

DRAM合約價(jià)季漲幅約10~15%，其中DDR5漲幅會(huì)略高于DDR4。Server

DRAM方面，由于23年買方著重加速DDR4去化，導(dǎo)致23Q4

DDR5庫(kù)存占比已上升至約40%，相較20~25%的市場(chǎng)滲透率，明顯看出市場(chǎng)需求仍未全面兌現(xiàn)。然而，原廠持續(xù)收斂DDR4供給量，同時(shí)為提高獲利能力而大幅提高DDR5產(chǎn)出，使24Q1

Server

DRAM合約價(jià)季漲幅擴(kuò)大至10~15%。只是部分原廠較早議定價(jià)格，使23年第四季的合約價(jià)基準(zhǔn)較高，故部分業(yè)者2024年第一季價(jià)格漲幅約8~13%。Mobile

DRAM方面，由于合約價(jià)格仍在歷史相對(duì)低點(diǎn)，買方更傾向持續(xù)建立安全且相對(duì)低價(jià)的庫(kù)存水位，因此不斷放大購(gòu)貨需求，故第一季Mobile

DRAM需求不減。由于買方積極采購(gòu)，供需轉(zhuǎn)為緊張，但礙于智能手機(jī)市場(chǎng)后續(xù)仍有不確定性，原廠亦不敢貿(mào)然恢復(fù)滿產(chǎn)。另一方面，半導(dǎo)體制程耗時(shí)較長(zhǎng)，短期內(nèi)供需緊張態(tài)勢(shì)難以緩解，將有利原廠價(jià)格拉抬。因此，預(yù)估2024年第一季Mobile

DRAM合約價(jià)季漲幅約18~23%，且不排除在寡占市場(chǎng)格局或是品牌客戶恐慌追價(jià)的情況下，季漲幅有擴(kuò)大可能。Graphics

DRAM方面，由于在漲勢(shì)延續(xù)的氛圍下，買方也持續(xù)備貨，故主流規(guī)格GDDR6

16Gb需求仍強(qiáng)，采購(gòu)心態(tài)普遍愿意接受上漲，預(yù)估第一季Graphics

DRAM合約價(jià)季漲幅約10~15%。TrendForce集邦咨詢觀察，短期內(nèi)Graphics

DRAM沒有跌價(jià)跡象，目前拉貨動(dòng)能主要受到買方提前備貨所帶動(dòng)，加上Graphics

DRAM屬于淺盤市場(chǎng)產(chǎn)品，故需特別留意后續(xù)終端消費(fèi)性電子產(chǎn)品的銷售動(dòng)能是否能跟上。Consumer

DRAM方面，因原廠強(qiáng)勢(shì)拉抬合約價(jià)格，促使買方提前備貨，拉貨動(dòng)能好轉(zhuǎn)。然而，2024年第一季適逢產(chǎn)業(yè)淡季，預(yù)期在終端銷售疲弱的情況下，買方因提前備貨的策略導(dǎo)致庫(kù)存上升。原廠普遍認(rèn)為，2024年受HBM及DDR5的滲透逐季擴(kuò)大影響，低毛利的DDR4產(chǎn)能將被排擠而形成缺貨，故DDR4在2024年第一季合約價(jià)季漲幅會(huì)較DDR3高，約10~15%。DDR3仍有廠商持續(xù)供應(yīng)，且普遍庫(kù)存水位仍高，2024年第一季合約價(jià)季漲幅約8~13%。9請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明資料來源：

TrendForce統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，光大證券研究1所0TrendForce集邦咨詢表示，預(yù)期2024年存儲(chǔ)器原廠對(duì)于DRAM與NAND

Flash的減產(chǎn)策略仍將延續(xù)，尤其以虧損嚴(yán)重的NAND

Flash更為明確。預(yù)估在2024上半年消費(fèi)性電子市場(chǎng)需求能見度仍不明朗，通用型服務(wù)器的資本支出仍受到AI服務(wù)器排擠而顯得相對(duì)需求疲弱。鑒于2023年基期已低，加上部分存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格已來到相對(duì)低點(diǎn)，預(yù)估DRAM及NAND

Flash需求位元年增長(zhǎng)率分別有13.0%及16.0%。不過，盡管需求位元有回升，24年若要有效去化庫(kù)存，并回到供需平衡狀態(tài)，重點(diǎn)還是仰賴供應(yīng)商對(duì)于產(chǎn)能有所節(jié)制，若供應(yīng)商產(chǎn)能控制得宜，存儲(chǔ)器均價(jià)則有機(jī)會(huì)反彈。PC方面，PC

DRAM平均搭載容量年增長(zhǎng)率約12.4%，主要是預(yù)期24年隨著搭載Intel新CPU

Meteor

Lake機(jī)種的量產(chǎn)，基于該平臺(tái)僅支持DDR5與LPDDR5的特點(diǎn)，將促使DDR5在24下半年超越DDR4成為主流。PC

Client

SSD的成長(zhǎng)則不如PC

DRAM，平均搭載容量年增長(zhǎng)率預(yù)估約8~10%。由于多數(shù)消費(fèi)者逐漸轉(zhuǎn)向云端作業(yè)，對(duì)配有大容量?jī)?chǔ)存空間的筆電需求漸少，即便1TB機(jī)種增加，512GB機(jī)種仍是消費(fèi)主流。此外，由于原廠透過大幅度減產(chǎn)維穩(wěn)價(jià)格，一旦價(jià)格觸底反彈，PC

OEMSSD成本將上升，加上Windows操作系統(tǒng)針對(duì)1TB以上容量要提高授權(quán)費(fèi)，均不利于后續(xù)搭載容量增長(zhǎng)。服務(wù)器方面，Server

DRAM平均搭載容量年增長(zhǎng)率預(yù)估可達(dá)17.3%，主要受益于服務(wù)器平臺(tái)進(jìn)入世代轉(zhuǎn)換、CSP部分業(yè)務(wù)對(duì)于CPU核心匹配RAM的依賴度提升，以及AI服務(wù)器算力負(fù)載量需求高等。Enterprise

SSD平均搭載容量年增長(zhǎng)率預(yù)估約14.7%。隨著支援PCIe

5.0的處理器平臺(tái)出貨放量，OEM

CSP的庫(kù)存有望在24年初回歸正常，后續(xù)將提高8TB產(chǎn)品的采購(gòu)。受益于NAND

Flash價(jià)格大幅滑落，服務(wù)器品牌端將持續(xù)推升16TB的搭載量。智能手機(jī)方面，受全球經(jīng)濟(jì)疲軟影響，預(yù)估2024年生產(chǎn)量年增長(zhǎng)率僅約2.2%，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為這是拖累需求位元增長(zhǎng)的主因。連續(xù)數(shù)個(gè)季度的存儲(chǔ)器價(jià)格下滑，開啟品牌在硬件上的競(jìng)賽，因此預(yù)估2023年智能手機(jī)平均搭載容量年增約14.3%。2024年由于Mobile

DRAM平均銷售單價(jià)仍處于相對(duì)低點(diǎn)，預(yù)估將延續(xù)此態(tài)勢(shì)，全年單機(jī)搭載容量有機(jī)會(huì)再增長(zhǎng)7.9%。UFS及eMMC方面，影像儲(chǔ)存需求、5G滲透率提高等將會(huì)帶動(dòng)智能手機(jī)平均搭載容量提升。但在原廠減產(chǎn)以醞釀漲價(jià)的情況下，智能手機(jī)OEM成本控管更謹(jǐn)慎，24年中低端機(jī)種1TB以上的規(guī)劃可能減少。此外，由于QLC產(chǎn)品尚未獲得智能手機(jī)OEM青睞，不利于原廠透過低成本產(chǎn)品引導(dǎo)客戶升級(jí)容量。24年隨著智能手機(jī)容量基期增加，加上蘋果暫無規(guī)劃高于1TB容量的iPhone機(jī)種，因此TrendForce預(yù)估智能手機(jī)平均儲(chǔ)存容量年增長(zhǎng)率約13.0%。表

7：2020-2024年DRAM及NANDFlash供給和需求位增長(zhǎng)率預(yù)估請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明11NAND

Flash銷售收入1Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23Samsung6,2862,7554,3353,5472,9352,7552,9604,336Kioxia3,3881,8302,8361,9671,8531,8301,6851,781SKhynix+Solidigm3,2041,6662,5451,7621,3181,6661,8842,449WD2,2431,3771,7221,6571,3071,3771,5561,665Micron1,9471,0131,6881,1038851,0131,2051,230Others542487699462296487522715總共17,6109,12813,82510,4988,5949,1289,81212,226QoQ-4%-48%51%-24%-18%6%7%25%NAND

Flash市場(chǎng)份額1Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23Samsung35.70%30.20%31.40%33.80%34.20%30.20%30.20%35.40%Kioxia19.20%20.00%20.50%18.70%21.60%20.00%17.20%14.60%SKhynix+Solidigm18.20%18.30%18.40%16.70%15.30%18.30%19.20%20.40%WD12.70%15.10%12.50%15.80%15.20%15.10%15.90%13.60%Micron11.10%11.10%12.20%10.50%10.30%11.10%12.30%10.10%Others3.10%5.30%5.10%4.40%3.40%5.30%5.30%5.80%表

8：

NAND

Flash銷售收入和市場(chǎng)份額（單位：百萬美元，%）據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2023年四季度全球NAND

Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比提升25%至122.3億美元。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，NAND

Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)主要受益于終端需求因年終促銷回溫，加上零部件市場(chǎng)因追價(jià)而擴(kuò)大訂單動(dòng)能，位元出貨較23年同期旺盛；同時(shí)企業(yè)方面持續(xù)釋放2024年需求表現(xiàn)優(yōu)于2023年的看法，且啟動(dòng)策略備貨帶動(dòng)。展望2024年第一季，在供應(yīng)鏈庫(kù)存水位已大幅改善以及價(jià)格仍處于上漲的態(tài)勢(shì)下,

客戶為避免供貨短缺及成本墊高的風(fēng)險(xiǎn),

持續(xù)增加采購(gòu)訂單。因此盡管第一季為傳統(tǒng)淡季，但受惠訂單規(guī)模持續(xù)放大，

激勵(lì)NANDFlash

合約價(jià)平均漲幅高達(dá)

25%

，

故TrendForce預(yù)估1Q24NAND

Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收仍會(huì)季增兩成。4Q23營(yíng)收中，三星增長(zhǎng)幅度最高，主要是服務(wù)器、筆電與智能手機(jī)需求均大幅增長(zhǎng)，即使并未完全滿足客戶訂單數(shù)量位元出貨量，但季增仍達(dá)35%，平均銷售價(jià)格季漲12%，帶動(dòng)營(yíng)收增長(zhǎng)；SK集團(tuán)受益于價(jià)格大幅回升，4Q23營(yíng)收季增較大。西部數(shù)據(jù)4Q23位元出貨量季減2%，平均售價(jià)季增10%，帶動(dòng)NAND

Flash部門實(shí)現(xiàn)營(yíng)收16.7億美元，季增7%。據(jù)了解，4Q23零售市場(chǎng)SSD受益于價(jià)格反彈，刺激出貨大幅增長(zhǎng)，庫(kù)存水位甚至下滑至過去四年來的歷史新低；鎧俠獲PC及智能手機(jī)客戶備貨訂單，位元出貨小幅增長(zhǎng)。由于產(chǎn)業(yè)在2023年面臨最嚴(yán)峻的供過于求市況，雖然4Q23價(jià)格攀升近一成，但美光為了改善獲利，明顯減量供應(yīng)，位元出貨量季跌逾10%。此外，據(jù)TrendForce集邦咨詢了解，美光認(rèn)為24年NAND

Flash需求位元須年增15~20%，且要加上產(chǎn)能持續(xù)調(diào)控，在供給位元與需求位元的平衡下，產(chǎn)業(yè)才能有機(jī)會(huì)出現(xiàn)獲利可能。

資料來源：CFM閃存市場(chǎng)，光大證券研究所請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明12表

9：

DRAM銷售收入和市場(chǎng)份額（單位：百萬美元，%）DRAM銷售收入1Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23Samsung10,3964,0717,0755,4054,0654,0715,1367,635SK

hynix6,5613,4475,2633,4072,3153,4474,6675,601Micron5,6842,6724,8092,8292,7222,6722,7553,427Nanya713229363253212229243276Winbond248102151106101102112134Others331155212155113155150185合計(jì)23,93310,67617,87312,1559,52810,67613,06317,258QoQ-3%-55%67%-32%-22%12%22%32%DRAM市場(chǎng)份額，1Q222Q223Q224Q221Q232Q233Q234Q23Samsung43.40%38.10%39.70%44.50%42.70%38.10%39.30%44.20%SK

hynix27.40%32.20%29.50%28.00%24.30%32.20%35.70%32.50%Micron23.70%25.00%26.90%23.30%28.50%25.00%21.10%19.90%Nanya3.00%2.10%2.00%2.10%2.20%2.10%1.90%1.60%Winbond1.00%1.00%0.80%0.90%1.10%1.00%0.90%0.80%Others1.40%1.50%1.20%1.30%1.20%1.50%1.10%1.10%資料來源：CFM閃存市場(chǎng)，光大證券研究所據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2023年四季度全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)32%至172.58億美元。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，

DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)受惠于備貨動(dòng)能回溫，以及三大原廠控產(chǎn)效益顯現(xiàn)，主流產(chǎn)品的合約價(jià)格走高等。目前觀察24年第一季DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)，原廠目標(biāo)仍為改善獲利，漲價(jià)意圖強(qiáng)烈，促使DRAM合約價(jià)季漲幅近兩成，然出貨位元面臨傳統(tǒng)淡季而略微衰。4Q23營(yíng)收方面，三星營(yíng)收增速最高，季增幅度約五成，主要受益于1alpha

nm

DDR5出貨拉升，使得Server

DRAM的出貨位元季增超過60%。SK海力士雖然出貨位元季增僅1~3%，然持續(xù)受惠于HBM、DDR5的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，以及來自于高容量Server

DRAM模組的獲利，平均銷售單價(jià)季增17~19%。美光量?jī)r(jià)齊升，出貨位元及平均銷售單價(jià)均季增4~6%，DDR5與HBM比重相對(duì)低，故營(yíng)收增長(zhǎng)幅度較為和緩。產(chǎn)能規(guī)劃方面，三星23年第四季大幅減產(chǎn)，在庫(kù)存壓力改善后，24年第一季投片開始回升，稼動(dòng)率約為80%。隨著進(jìn)入24年下半年旺季需求預(yù)期將較上半年明顯增溫，產(chǎn)能會(huì)持續(xù)拉高至24年第四季度。SK海力士則積極擴(kuò)張HBM產(chǎn)能，投片量緩步增加，隨著HBM3e量產(chǎn)后，相關(guān)先進(jìn)制程投片亦持續(xù)上升。美光投片量有回溫趨勢(shì)，后續(xù)將積極增加其先進(jìn)制程1beta

nm

比重，

用于生產(chǎn)HBM

、DDR5

與LPDDR5(X)產(chǎn)品，因先進(jìn)制程的設(shè)備增加，屆時(shí)產(chǎn)能將較為收斂。南亞科量?jī)r(jià)齊升，其中Consumer

DRAM終端銷售動(dòng)能回升較緩，主要來自價(jià)格回升所帶動(dòng)的備貨動(dòng)能。華邦因KH廠新增產(chǎn)能開出，銷售目標(biāo)以去化庫(kù)存、擴(kuò)大客戶群為主，并未調(diào)漲合約價(jià)格，出貨表現(xiàn)積極。力積電（PSMC）受惠于現(xiàn)貨、合約價(jià)格陸續(xù)上漲，客戶端的備貨力道提升，加上出貨基期低，

4Q23

DRAM營(yíng)收增長(zhǎng)高達(dá)110%，達(dá)3,900萬美元，若加計(jì)代工，合計(jì)營(yíng)收季增11.6%。請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明131、存儲(chǔ)行業(yè)：2024年強(qiáng)勁復(fù)蘇，有望持續(xù)4個(gè)季度漲價(jià)2、高頻數(shù)據(jù)：2024Q1持續(xù)漲價(jià)3、存儲(chǔ)和AI：應(yīng)用百花齊放，HBM空間廣闊4、投資建議：關(guān)注存儲(chǔ)全產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)會(huì)5、風(fēng)險(xiǎn)提示14請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明資料來源：

DRAMexchange，光大證券研究所；數(shù)據(jù)截至2024年3月15日根據(jù)DRAMexchange

數(shù)據(jù)1）DDR3,2Gb,256Mx8,1600/1866該料號(hào)于2021年7月見頂，高點(diǎn)價(jià)格3.14美元，于2023年8月見底，低點(diǎn)價(jià)格0.95美元；目前價(jià)格1.13美元，較底部上漲18.5%；較2024年1月1日上漲8.3%。2）DDR3,4Gb,256Mx16,1600/1866該料號(hào)于2021年3月見頂，高點(diǎn)價(jià)格3.74美元，于2023年8月見底，低點(diǎn)價(jià)格0.93美元；目前價(jià)格1.04美元，較底部上漲12.0%；較2024年1月1日上漲4.2%。圖

2：各類DDR3價(jià)格走勢(shì)（單位：美元） 圖3：

DDR3,2Gb,256Mx8,1600/1866價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）

圖4：

DDR3,4Gb,256Mx8,1600/1866價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）15請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明資料來源：

DRAMexchange，光大證券研究所；數(shù)據(jù)截至2024年3月15日根據(jù)DRAMexchange

數(shù)據(jù)1）DDR4,4Gb,512Mx8,2400/2666該料號(hào)于2021年7月見頂，高點(diǎn)價(jià)格3.89美元，于2023年9月見底，低點(diǎn)價(jià)格1.00美元；目前價(jià)格1.22美元，較底部上漲21.6%；較2024年1月1日上漲6.8%。2）DDR4,8Gb,512Mx16,3200該料號(hào)于2021年5月見頂，高點(diǎn)價(jià)格3.97美元，于2023年9月見底，低點(diǎn)價(jià)格1.44美元；目前價(jià)格1.79美元，較底部上漲24.4%；較2024年1月1日上漲7.8%。圖

5：各類DDR4價(jià)格走勢(shì)（單位：美元） 圖

6：DDR4,4Gb,512Mx8,2400/2666價(jià)格走勢(shì)（單位：美元） 圖

7：DDR4,8Gb,512Mx8,3200價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明16資料來源：

新華財(cái)經(jīng)，光大證券研究所；數(shù)據(jù)截至2024年3月4日根據(jù)新華財(cái)經(jīng)數(shù)據(jù)GDDR5:8Gb該料號(hào)于2022年3月見頂，高點(diǎn)價(jià)格8.47美元，于2023年4月見底，低點(diǎn)價(jià)格3.08美元，目前價(jià)格3.54美元，較底部上漲14.9%；較2024年1月1日上漲4.4%。GDDR6:8Gb該料號(hào)于2022年3月見頂，高點(diǎn)價(jià)格10.56美元，于2023年9月見底，低點(diǎn)價(jià)格2.94美元，目前價(jià)格2.96美元，較底部上漲0.7%

；較2024年1月1日上漲4.4%

。GDDR6:16Gb該料號(hào)于2022年3月見頂，高點(diǎn)價(jià)格14.87美元，于2023年9月見底，低點(diǎn)價(jià)格6.34美元，目前價(jià)格8.28美元，較底部上漲30.6%；較2024年1月1日上漲19.7%。圖

8：GDDR5:8Gb價(jià)格走勢(shì)（單位：美元） 圖

9：GDDR6:8Gb價(jià)格走勢(shì)（單位：美元） 圖

10：GDDR6:16Gb價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明17資料來源：

新華財(cái)經(jīng)，光大證券研究所；數(shù)據(jù)截至2024年3月15日?qǐng)D

11：各類利基型合約價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）圖

12：利基型DDR3:4Gb,256Mx16合約價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）圖

13：利基型DDR4:4Gb,256Mx16合約價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）根據(jù)新華財(cái)經(jīng)數(shù)據(jù)利基型DRAM:DDR3:4Gb,256Mx16該料號(hào)于2022年4月見頂，高點(diǎn)價(jià)格2.77美元，于2023年9月見底，低點(diǎn)價(jià)格1.02美元；目前價(jià)格1.21美元，較底部上漲18.6%；較2024年1月1日上漲10.0%

。利基型DRAM:DDR4:4Gb,256Mx16該料號(hào)于2021年8月見頂，高點(diǎn)價(jià)格2.78美元，于2023年9月見底，低點(diǎn)價(jià)格1.02美元；目前價(jià)格1.27美元，較底部上漲24.5%；較2024年1月1日上漲13.4%。請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明資料來源：

DRAMexchange，光大證券研究所；數(shù)據(jù)截至2024年3月15日18根據(jù)DRAMexchange

數(shù)據(jù)DDR5,16G,2G*8,4800/5600：該料號(hào)于2023年8月見底，低點(diǎn)價(jià)格3.88美元，目前價(jià)格4.70美元，較底部上漲21.2%；較2024年1月1日上漲10.7%。圖

14：DDR5,16Gb,2Gx8,4800/5600價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）19請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明資料來源：

DRAMexchange，光大證券研究所；數(shù)據(jù)截至2024年3月15日?qǐng)D

15：各類SLC價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）圖

16：

SLC,2Gb,256MBx8價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）圖

17：

SLC,16Gb,2GBx8價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）根據(jù)DRAMexchange數(shù)據(jù)SLC,2Gb,256MBx8該料號(hào)于2022年5月見頂，高點(diǎn)價(jià)格1.37美元，于2023年9月見底，低點(diǎn)價(jià)格0.76美元；目前價(jià)格0.79美元，較底部上漲4.1%；較2024年1月1日上漲2.7%。SLC,16Gb,2GBx8該料號(hào)于2021年9月見頂，高點(diǎn)價(jià)格12.22美元，目前價(jià)格持平企穩(wěn)。請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明20資料來源：

DRAMexchange，光大證券研究所；數(shù)據(jù)截至2024年3月15日根據(jù)DRAMexchange數(shù)據(jù)MLC,128Gb,16GBx8該料號(hào)于2022年6月見頂，高點(diǎn)價(jià)格8.28美元，于2023年6月見底，低點(diǎn)價(jià)格6.30美元；目前價(jià)格6.40美元，較底部上漲1.7%；較2024年1月1日上漲0.8%。MLC,256Gb,32GBx8該料號(hào)于2022年5月見頂，高點(diǎn)價(jià)格16.59美元，于2023年6月見底，低點(diǎn)價(jià)格11.16美元；目前價(jià)格11.47美元，較底部上漲2.8%；較2024年1月1日上漲0.5%。圖

18：各類MLC價(jià)格走勢(shì)（單位：美元） 圖

19：

MLC,128Gb,16GBx8價(jià)格走勢(shì)（單位：美元） 圖

20：

MLC,256Gb,16GBx8價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）21請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明資料來源：

新華財(cái)經(jīng)，光大證券研究所；數(shù)據(jù)截至2024年2月26日根據(jù)新華財(cái)經(jīng)數(shù)據(jù)Wafer:256Gb,TLC該料號(hào)于2021年5月見頂，高點(diǎn)價(jià)格2.71美元，于2023年7月見底，低點(diǎn)價(jià)格0.93美元；目前價(jià)格1.77美元，較底部上漲90.3%；較2024年1月1日上漲13.5%。Wafer:512Gb,TLC該料號(hào)于2021年5月見頂，高點(diǎn)價(jià)格4.97美元，于2023年8月見底，低點(diǎn)價(jià)格1.40美元；目前價(jià)格3.44美元，較底部上漲145.7%；較2024年1月1日上漲9.9%。圖

21：各類Wafer價(jià)格走勢(shì)（單位：美元） 圖

22：Wafer:256Gb,TLC價(jià)格走勢(shì)（單位：美元） 圖

23：

Wafer:512Gb,TLC價(jià)格走勢(shì)（單位：美元）請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明營(yíng)業(yè)收入公司20A21A22A23A24E25E財(cái)報(bào)截至日期09/03/202009/02/202109/01/202208/31/202308/31/202408/31/2025美光21,435.027,705.030,758.015,540.024,146.234,559.0YoY（%）-8.4%29.3%11.0%-49.5%55.4%43.1%財(cái)報(bào)截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/2025三星201,062.2244,312.1234,593.1198,277.1226,811.1251,067.3YoY（%）2.8%18.1%8.1%-14.3%14.4%10.7%財(cái)報(bào)截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/2025海力士27,085.237,570.534,635.425,090.042,901.552,326.2YoY（%）18.2%34.8%3.8%-26.6%71.0%22.0%資料來源：

Bloomberg，光大證券研究所；注：24-25年數(shù)據(jù)為Bloomberg一致預(yù)期表

10：2020-2025年海外存儲(chǔ)龍頭公司年度營(yíng)收（單位：百萬美元，%）請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明凈利潤(rùn)-Non

GAAP公司20A21A22A23A24E25E財(cái)報(bào)截至日期09/03/202009/02/202109/01/202208/31/202308/31/202408/31/2025美光2,953.06,351.18,970.8-5,375.5336.18,317.5YoY（%）-56.2%115.1%41.2%/87.8%237.95%財(cái)報(bào)截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/2025三星19,399.229,960.837,277.39,730.522,116.531,577.9YoY（%）21.9%50.1%40.1%-73.5%127.3%42.8%財(cái)報(bào)截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202312/31/2024海力士2,931.97,980.42,931.7-6,977.76,495.810,470.9YoY（%）62.3%164.5%-58.6%//61.2%表

11：2020-2025年海外存儲(chǔ)龍頭公司年度凈利潤(rùn)（單位：百萬美元，%）資料來源：

Bloomberg一致預(yù)期，光大證券研究所；注：24-25年數(shù)據(jù)為Bloomberg一致預(yù)期請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明營(yíng)業(yè)收入公司21Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1財(cái)報(bào)截至日期03/04/202106/03/202109/02/202112/02/202103/03/202206/02/202209/01/202212/01/202203/02/202306/01/202308/31/202311/30/202302/29/2024美光6,236.07,422.08,274.07,687.07,786.08,642.06,643.04,085.03,693.03,752.04,010.04,726.05,824.0YoY（%）30.0%36.5%36.6%33.2%24.9%16.4%-19.7%-46.9%-52.6%-56.6%-39.6%15.7%44.3%QoQ（%）19.0%11.5%-7.1%1.3%11.0%-23.1%-38.5%-9.6%1.6%6.9%17.9%23.2%財(cái)報(bào)截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023三星58,671.656,782.863,786.364,681.064,529.761,219.757,270.351,975.949,970.645,608.951,326.251,344.6YoY（%）26.4%30.7%13.1%17.4%10.0%7.8%-10.2%-19.6%-22.6%-25.5%-10.4%-1.2%QoQ（%）-3.2%12.3%1.4%-0.2%-5.1%-6.5%-9.2%-3.9%-8.7%12.5%0.0%財(cái)報(bào)截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023海力士7,621.69,204.910,178.810,455.510,084.710,951.68,192.05,678.63,988.65,552.76,904.08,564.1YoY（%）26.2%30.4%48.7%46.6%32.3%19.0%-19.5%-45.7%-60.4%-49.3%-15.7%50.8%QoQ（%）20.8%10.6%2.7%-3.5%8.6%-25.2%-30.7%-29.8%39.2%24.3%24.0%資料來源：

Bloomberg，光大證券研究所

注：截至2023年3月25日，美光發(fā)布截至2024年2月29日的經(jīng)營(yíng)數(shù)據(jù)表

12：2021-2023年海外存儲(chǔ)龍頭公司季度營(yíng)收（單位：百萬美元，%）請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明凈利潤(rùn)-Non

GAAP公司21Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1財(cái)報(bào)截至日期03/04/202106/03/202109/02/202112/02/202103/03/202206/02/202209/01/202212/01/202203/02/202306/01/202308/31/202311/30/202302/29/2024美光763.02,054.52,698.22,372.32,343.72,809.51,512.8-149.6-2,191.6-1,704.8-1,308.1-1,048.0476.0YoY（%）74.5%136.2%133.3%189.7%207.2%36.7%-43.9%//////QoQ（%）169.3%31.3%-12.1%-1.2%19.9%-46.2%//////財(cái)報(bào)截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023三星5,548.17,345.49,080.57,888.28,083.87,609.65,987.315,237.7949.31,028.73,695.14,007.8YoY（%）45.1%70.7%29.2%66.5%57.6%16.5%-23.8%121.2%-87.6%-85.9%-39.6%-74.4%QoQ（%）32.4%23.6%-13.1%2.5%-5.9%-21.3%154.5%-93.8%8.4%259.2%8.5%財(cái)報(bào)截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023海力士888.71,769.62,854.72,801.61,645.32,280.9829.4-2,749.6-2,022.7-2,273.3-1,663.2-1,028.0YoY（%）56.5%56.4%205.4%87.4%100.2%45.0%-66.4%/////QoQ（%）99.1%61.3%-1.9%-41.3%38.6%-63.6%/////表

13：2021-2023年海外存儲(chǔ)龍頭公司季度NonGAAP凈利潤(rùn)（單位：百萬美元，%）資料來源：

Bloomberg，光大證券研究所

注：截至2023年3月25日，美光發(fā)布截至2024年2月29日的經(jīng)營(yíng)數(shù)據(jù)請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明毛利率公司21Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1財(cái)報(bào)截至日期03/04/202106/03/202109/02/202112/02/202103/03/202206/02/202209/01/202212/01/202203/02/202306/01/202308/31/202311/30/202302/29/2024美光26%42%47%46%47%47%39%22%-33%-18%-11%-1%19%YoY（%）(6.39)29.9138.4654.2278.5410.86(16.52)(52.86)(79.87)(64.49)(50.32)(22.60)51.19QoQ（%）15.675.16(0.90)0.84(0.52)(7.22)(17.61)(54.52)14.856.9610.1119.27財(cái)報(bào)截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023三星37%42%42%41%39%40%37%31%28%31%31%32%YoY（%）(1.49)5.094.227.048.07(4.11)(11.00)(24.96)(29.52)(23.64)(17.53)3.14QoQ（%）5.250.23(0.72)(1.81)0.59(2.68)(6.40)(3.16)2.770.241.13財(cái)報(bào)截至日期03/31/202106/30/202109/30/202112/31/202103/31/202206/30/202209/30/202212/31/202203/31/202306/30/202309/30/202312/31/2023海力士32%42%49%49%44%46%35%0%-32%-16%1%20%YoY（%）5.378.1241.1060.7338.339.15(28.74)(99.92)(32.38)16.21(97.99)48998.54QoQ（%）9.927.35(0.49)(4.47)1.45(10.69)(35.16)(32.38)16.2116.8318.98表

14：2021-2023年海外存儲(chǔ)龍頭公司季度毛利率（單位：%）資料來源：

Bloomberg，光大證券研究所

注：截至2023年3月25日，美光發(fā)布截至2024年2月29日的經(jīng)營(yíng)數(shù)據(jù)PSPE公司20A21A22A23A24E25E20A21A22A23A24E25E財(cái)報(bào)截至日期09/03/202009/02/202109/01/202208/31/202308/31/202408/31/202509/03/202009/02/202109/01/202208/31/202308/31/202408/31/2025美光644854412014//18財(cái)報(bào)截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/202512/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202412/31/2025三星21122118129361611財(cái)報(bào)截至日期12/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202312/31/202412/31/202012/31/202112/31/202212/31/202312/31/202312/31/2024海力士322322291129/138請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明資料來源：

Bloomberg，光大證券研究所；注：24-25年數(shù)據(jù)為Bloomberg一致預(yù)期表

15：2020-2025年海外存儲(chǔ)龍頭公司估值請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明圖

24：

2017年-2024年2月臺(tái)灣存儲(chǔ)行業(yè)月度營(yíng)收同環(huán)比增長(zhǎng)率資料來源：

Wind，光大證券研究所整理我們選取存儲(chǔ)公司南亞科技、華邦電子、旺宏、億而得、力旺電子、鈺創(chuàng)科技、晶豪科技、愛普科技、安國(guó)國(guó)際、點(diǎn)序、矽統(tǒng)科技、品安、十銓、廣穎電通、宇瞻科技、立達(dá)國(guó)際、創(chuàng)見資訊、威剛科技、福懋科技、力成、華東作為臺(tái)灣存儲(chǔ)行業(yè)的觀測(cè)指標(biāo)。2024年2月臺(tái)灣存儲(chǔ)行業(yè)營(yíng)收263.53億臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)13%。請(qǐng)務(wù)必參閱正文之后的重要聲明2023/22023/32023/42023/52023/62023/72023/82023/92023/102023/112023/122024/12024/2-67%-69%-68%-66%-63%-53%-45%-25%-15%-4%4%32%36%51%2408.TW

南亞科技2344.TW

華邦電子-44%-33%-25%-36%-30%-22%-15%-13%-8%1%-2%0%31%8%2337.TW

旺宏-41%-43%-34%-22%-36%-45%-39%-40%-42%-35%-29%-13%-16%36%-35%-50%-15%-46%-12%-14%-30%-30%-15%-46%-40%11%27%-9%-10%5%-25%9%-4%-13%10%74%64%-5%5%7%15%23%-70%-64%-63%-44%-47%-39%-27%-29%-13%6%15%-54%-43%-43%-49%-45%-34%-40%-18%-19%-3%17%20%19%72%38%-64%-50%-44%-34%-17%-35%9%2%1%28%26%69%-6%20%10%16%19%-10%-9%179%2%17%30%2%-1%-4%-23%-25%-21%-7%-3%-4%19%-2%19%14%23%12%28%3%-38%-23%-45%-41%-43%-26%-36%-29%-46%-45%71%504%3%4%-49%70%-12%-14%1%-26%-2%-20%17%-26%-20%-3%-29%-21%-36%-20%-24%-13%490%121%208%84%152%113%221%250%201%102%56%-3%26%0%20%7%4%15%27%10%10%11%-13%2%20%1%-39%-13%6%-30%-8%-27%-22%-6%-13%-14%10%-9%25%4%-18%21%11%15%43%28%65%33%36%56%101%-18%-13%-21%-13%-2%6423.TWO

億而得3529.TWO

力旺電子5351.TWO

鈺創(chuàng)科技3006.TW

晶豪科技6531.TW

愛普科技8054.TWO

安國(guó)國(guó)際6485.TWO

點(diǎn)序2363.TW

矽統(tǒng)科技8088.TWO

品安4967.TW

十銓4973.TWO

廣穎電通8271.TW

宇瞻科技5262.TWO

立達(dá)國(guó)際2451.TW

創(chuàng)見資訊3260.TWO

威剛科技-35%-34%-23%-22%-16%-22%-23%-27%-13%-24%-15%-1%0%4%-2%0%33%1%40%56%21%13%34%67%37%64%-13%-11%-22%-39%-44%-32%-26%-18%-21%-31%-33%-23%-32%-28%-26%-27%-20%-12%-10%-8%8%12%存儲(chǔ)DRAM

IDM存儲(chǔ)

DARM

NAND

NORIDM存儲(chǔ)

NAND

NORNVM

IPNVM