用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法-征求意見稿

1用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法T/CASAS005—2022用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試3.1ZVSon3.23.3漏極電流draincurrentofDUTID3.4器件導(dǎo)通時(shí)，從漏極流入的電流值。導(dǎo)通時(shí)漏極電流的比較值comparativevalueofdrai2I3.5進(jìn)行動(dòng)態(tài)電阻測試時(shí)，控制的漏極電流值。通常需要大于器件額定電流值的10%。預(yù)電壓應(yīng)力持續(xù)時(shí)間timeofpre-volt3.64零電壓軟開通電路動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試原理如圖1(a)所示，動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試電路可以簡要?jiǎng)澐譃椤爸麟娐贰薄氨粶y器件（DUT）”以及“測壓VDS下降到導(dǎo)通電壓（近似0V）后器件的柵源電壓VGS可實(shí)現(xiàn)零電壓軟開通的測試電路有多種形式，圖2(a)給出了一種最常見的半橋拓?fù)錅y試電路供參VDS(on)VDUT_DUT主電路 AID主電路測量tottotZVSon;CIN1S1動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試模塊DUTCIN1S1動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試模塊DUTVinLIVinLILCIN2+鉗位+鉗位IDRIDS1S1ooIDottt測試環(huán)境相對濕度不超過65%。計(jì)算機(jī)控制及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)零電壓軟開通過程中，器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試的一般方法是驅(qū)動(dòng)器件在規(guī)定的開啟/關(guān)斷電壓、開4將器件安裝在測試裝置上設(shè)置測試參數(shù)：母線電壓（如Vin）、負(fù)載電感量、負(fù)載電阻值（如有）、開/關(guān)脈沖寬度、連續(xù)脈沖單次測試時(shí)間、延遲時(shí)間、電壓將器件安裝在測試裝置上設(shè)置測試參數(shù)：母線電壓（如Vin）、負(fù)載電感量、負(fù)載電阻值（如有）、開/關(guān)脈沖寬度、連續(xù)脈沖單次測試時(shí)間、延遲時(shí)間、電壓反偏應(yīng)力時(shí)間、多脈沖累計(jì)測試時(shí)在連續(xù)脈沖階段，當(dāng)漏極電流ID電流上升到比較值ID(com)后，同時(shí)測量VDS(on)與ID，并計(jì)算得到RDS(dyn)根據(jù)多次重復(fù)測量結(jié)果，判斷RDS(dyn)值是否穩(wěn)定輸出最終測試結(jié)果輸出最終測試結(jié)果設(shè)置測試參數(shù)：母線電壓（如Vin）、負(fù)載電感量、負(fù)載電阻值（如有）、開/關(guān)脈沖寬度、延遲時(shí)間、電壓反偏應(yīng)力時(shí)間、雙脈沖累計(jì)測試次數(shù)等在第二個(gè)脈沖時(shí)，當(dāng)漏極電流ID電流上升到比較值ID(com)后，同時(shí)測量VDS(on)與ID，并計(jì)算得到RDS(dyn)根據(jù)多次重復(fù)測試結(jié)果，判斷RDS(dyn)值是否穩(wěn)定將器件安裝在測試裝置上IDPre-tstressTonToffID(com)Pre-Vstresstm(on)OIDtcp_sPre-tstressTonToffID(com)ID(com)ID(com)Pre-Vstresstm(on)tm(on)O5tcp_c tcp_stcp_c tcp_sID第1個(gè)雙脈沖第2個(gè)雙脈沖第NDP個(gè)雙脈沖TonToffTonID(com)tstressID(com)tstressID(com)tm(on)tmtm(on)tm(on)DS(oOIDTTTTTTTItItIttttVV7.2測試流程2)比較電流ID(com)應(yīng)達(dá)到器件額定連續(xù)工作電流的10%3)器件開啟后的鉗位電路延遲時(shí)間，漏極電壓、電6b）被測試器件源漏極導(dǎo)通壓降VDS(on)；f）7A.1用于零電壓軟開通電路的GaNH源漏極壓降(VDS(OFF))：電流比較值(ID(COM))：電壓反偏應(yīng)力時(shí)間（tstress）:開態(tài)脈沖寬度(ton)：關(guān)態(tài)脈沖寬度(toff)：D動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻值RDS(dyn)123…[1]IEC60747-8:2010半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管(Semiconductordevices-Discretedevi