2023年成人高考專升本高起?？荚囋囶}與答案電力電子學(xué)

一、單選題（共40題，每題1分）

1.關(guān)于單相橋式全控整流電路，表述正確的是：（B）

A.單相橋式全控整流電路簡單，但整流變壓器存在直流磁化現(xiàn)象。

B.單相橋式全控整流電路中的整流變壓器不存在直流磁化現(xiàn)象。

C.單相橋式全控整流電路簡單，在電阻性負(fù)載時，整流變壓器存在直流磁化現(xiàn)象。

2.MOSFET和IGBT并聯(lián)運行，表述正確的是：（B）

A.型號相同的MOSFET可以并聯(lián)運行，而IGBT不可以并聯(lián)運行。

B.型號相同的MOSFET可以并聯(lián)運行，IGBT在通過電流較大時通態(tài)壓降具有正溫

度系數(shù)，也可以并聯(lián)使用。

C.型號相同的MOSFET不可以并聯(lián)運行，而IGBT可以并聯(lián)運行。

3.關(guān)于相控電路的驅(qū)動電路，表述正確的是：（B）

A.相控驅(qū)動電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號頻率與主電路電源的頻率相同，其相位

關(guān)系則隨外加控制信號的變化而變化。

B.相控驅(qū)動電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號頻率與主電路電源的頻率相同且相位關(guān)

系確定。

C.相控驅(qū)動電路不需要同步環(huán)節(jié)，其相位關(guān)系由外加控制信號確定。

4.晶閘管正向特性表述正確的是：（C）o

A.隨著門極電流幅值的增大，正向轉(zhuǎn)折電壓增大。

B.只要門極電流幅值大于1mA,晶閘管承受正向電壓時就導(dǎo)通。

C.隨著門極電流幅值的增大，正向轉(zhuǎn)折電壓降低。

5.有關(guān)GTR的二次擊穿現(xiàn)象表述正確的是：（C）

A.雖然GTR存在二次擊穿現(xiàn)象，但GTR的安全工作區(qū)與二次擊穿現(xiàn)象無關(guān)。

B.GTR的安全工作區(qū)就是二次擊穿曲線。

C.GTR的安全工作區(qū)與其存在二次擊穿現(xiàn)象有關(guān)。

6.晶閘管的結(jié)構(gòu)為：（B）

A.晶閘管具有PNP和NPN六層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

B.晶閘管具有PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

C.晶閘管具有PNP和或NPN三層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

7.三相橋式全控整流電路導(dǎo)通晶閘管數(shù)量，表述正確的是：（B）

A.三相橋式全控整流電路每個時刻均需2個晶閘管同時導(dǎo)通，但不能肯定是否共

陰極組的和共陽極組的各1個導(dǎo)通。

B.三相橋式全控整流電路每個時刻均需2個晶閘管同時導(dǎo)通，共陰極組的和共陽

極組的各1個，且不能為同一相的晶閘管。

C.三相橋式全控整流電路每個時刻僅需1個晶閘管導(dǎo)通。

8.規(guī)則采樣法與自然采樣法，表述正確的是：（B）

A.用計算機(jī)實現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時，自然采樣法比規(guī)則采樣法更容易

實現(xiàn)。

B.用計算機(jī)實現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時，規(guī)則采樣法比自然采樣法更容易

實現(xiàn)。

C.用計算機(jī)實現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時，自然采樣法與規(guī)則采樣法是一樣

的，只是稱謂不同而已。

9.PWM跟蹤控制技術(shù)中的三角波比較方式，表述正確的是：（A）

A.三角波比較方式可以使開關(guān)頻率固定。

B.三角波比較方式的開關(guān)頻率與環(huán)寬的大小有關(guān)。

C.三角波比較方式的開關(guān)頻率與誤差大小有關(guān)。

10.關(guān)于絕緣柵雙極晶體管開關(guān)速度，表述正確的是：（C）

A.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其開關(guān)速度比GTR慢。

B.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其開關(guān)速度比電力MOSFET快。

C.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其開關(guān)速度比GTR快。

11.斬波電路有三種控制方式：（B）

A.斬波電路有三種控制方式：脈沖寬度調(diào)制（PWM）；頻率調(diào)制；占空比控制。

B.斬波電路有三種控制方式：脈沖寬度調(diào)制（PWM）；頻率調(diào)制；混合型。

C.斬波電路有三種控制方式：脈沖寬度調(diào)制（PWM）；周期數(shù)通斷比控制；占空

比控制。

12.開環(huán)控制的晶閘管直流電動機(jī)系統(tǒng)的機(jī)械特性，表述正確的（B）

A.無論電流斷續(xù)還是電流連續(xù)，晶閘管直流電動機(jī)系統(tǒng)的機(jī)械特性曲線是一條直

線。

B.晶閘管直流電動機(jī)系統(tǒng)當(dāng)電流斷續(xù)時，電流小，則電動機(jī)的理想空載轉(zhuǎn)速變小，

機(jī)/戒特:，性O(shè)

C.晶閘管直流電動機(jī)系統(tǒng)當(dāng)電流斷續(xù)時，電動機(jī)的理想空載轉(zhuǎn)速抬高，機(jī)械特性

變軟。

13.有源逆變時的直流電動勢，表述正確的是：（A）

A.要有直流電動勢，其值應(yīng)大于變流器直流側(cè)的平均電壓，其極性須和晶閘管的

導(dǎo)通方向一致。

B.要有直流電動勢，其值應(yīng)大于變流器直流側(cè)的平均電壓，其極性沒有特別的規(guī)

定。

C.要有直流電動勢，其值應(yīng)小于變流器直流側(cè)的平均電壓，其極性須和晶閘管的

導(dǎo)通方向一致。

14.關(guān)于單相全波整流電路，表述正確的是：（A）

A.單相全波整流電路只用2個晶閘管；但是晶閘管承受的最大電壓是單相全控橋

的2倍。

B.單相全波整流電路只用2個晶閘管；但是晶閘管承受的最大電壓是單相全控橋

的4倍°

C.單相全波整流電路只用2個晶閘管，晶閘管承受的最大電壓與單相全控橋相等。

15.關(guān)于逆變角，表述正確的是：（A）

A.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止逆變失敗。

B.限制逆變角的最大值，其目的是為了防止逆變失敗。

C.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止輸出電壓太小。

16.關(guān)于控制角，表述正確的是：（A）

A.從SCR承受正向陽極電壓起到施加觸發(fā)脈沖止的電角度稱為觸發(fā)延遲角，也稱

觸發(fā)角或控制角。

B.晶閘管在一個電源周期中處于通態(tài)的電角度稱為控制角。

C.晶閘管的控制角也稱為導(dǎo)通角。

17.單相電壓型逆變電路，表述正確的是：（B）

A.單相電壓型逆變電路的移相調(diào)壓方式，改變滯后角就可調(diào)節(jié)輸出電壓的峰值。

B.單相電壓型逆變電路的移相調(diào)壓方式，改變滯后角就可調(diào)節(jié)輸出電壓的有效值。

C.單相電壓型逆變電路的移相調(diào)壓方式，改變滯后角不能調(diào)節(jié)輸出電壓的有效值。

18.單相橋式半控整流電路結(jié)構(gòu)，表述正確的是：（B）

A.單相橋式半控整流電路須有續(xù)流通路，其電路用續(xù)流二極管構(gòu)成續(xù)流通路，電

路拓?fù)渲挥幸环N形式。

B.單相橋式半控整流電路須有續(xù)流通路，電路拓?fù)洳恢挥幸环N形式，也可以有其

它形式。

C.單相橋式半控整流電路須有4個晶閘管組成。

19.降壓型零電壓開關(guān)準(zhǔn)諧振電路開關(guān)管耐壓，表述正確的是：（A）

A.降壓型零電壓開關(guān)準(zhǔn)諧振電路，諧振電壓峰值高于輸入電壓的2倍，增加了對

開關(guān)器件耐壓的要求。

B.降壓型零電壓開關(guān)準(zhǔn)諧振電路，諧振電壓峰值與輸入電壓相等。

C.降壓型零電壓開關(guān)準(zhǔn)諧振電路，諧振電壓峰值低于輸入電壓的1/2。

20.什么是電力電子技術(shù)？（A）

A.用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)，即應(yīng)用電力電子器件對電能進(jìn)行變換和控制的技術(shù)。

B.用于電力領(lǐng)域和信息領(lǐng)域的電子技術(shù)的總稱。

C.用于電氣領(lǐng)域和信息領(lǐng)域的電子技術(shù)的總稱。

21.降壓斬波電路與升壓斬波電路，表述正確的是：（A）

A.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于直流/直流變換的。

B.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于直流/直流變換和交流/交流變換的。

C.降壓斬波電路與升壓斬波電路是用于交流/交流變換的。

22.三相電壓型逆變電路輸出電壓波形，表述正確的是：（A）

A.三相電壓型逆變電路負(fù)載相電壓波形是3電平方波，線電壓波形是5電平階梯

波。

B.三相電壓型逆變電路負(fù)載相電壓波形是5電平階梯波，線電壓波形是3電平方

波。

C.三相電壓型逆變電路負(fù)載相電壓波形是5電平階梯波，線電壓波形也是5電平

方波。

23.晶閘管是如何導(dǎo)通的？（C）

A.在晶閘管陽極---陰極之間無論加正向或反向電壓，只要門極加正向電壓，產(chǎn)

生足夠的門極電流，則晶閘管導(dǎo)通。

B.在晶閘管陽極一一陰極之間加反向電壓，門極加正向電壓，產(chǎn)生足夠的門極電

流，則晶閘管導(dǎo)通。

C.在晶閘管陽極一一陰極之間加正向電壓，門極也加正向電壓，產(chǎn)生足夠的門極

電流，則晶閘管導(dǎo)通。

24.門極可關(guān)斷晶閘管GTO半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)式為：（B）

A.門極可關(guān)斷晶閘管GTO不是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

B.門極可關(guān)斷晶閘管GTO是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

C.門極可關(guān)斷晶閘管GTO與晶閘管SCR的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不一樣。

25.關(guān)于觸發(fā)電路的定相，表述正確的是：（C）

A、晶閘管可控整流電路若采用同步信號為鋸齒波的觸發(fā)電路，觸發(fā)電路的定相

指的是確定每相觸發(fā)電路的頻率。

B、晶閘管可控整流電路若采用同步信號為鋸齒波的觸發(fā)電路，則觸發(fā)電路定相

的關(guān)鍵是確定同步信號數(shù)量，其數(shù)量等于電源電壓相數(shù)。

C、晶閘管可控整流電路若采用同步信號為鋸齒波的觸發(fā)電路，則觸發(fā)電路定相

的關(guān)鍵是確定同步信號與晶閘管陽極電壓的關(guān)系。

26.降壓式變換器,輸入電壓為27V±10%,輸出電壓為15V,則占空比的變化范圍

是（C）o

A.0.12—0.15

B.0.15—0.18

C.0.505—0.617

27.變壓器漏感對輸出電壓值的影響是：（B）

A.變壓器漏感對整流電路的影響之一是使整流輸出電壓平均值升高。

B.變壓器漏感對整流電路的影響之一是使整流輸出電壓平均值降低。

C.變壓器漏感對整流電路的影響之一是波形變化了，但整流輸出電壓平均值不變。

28.關(guān)于升降壓斬波電路、Cuk斬波電路電流，表述正確的是：（B）。

A.Cuk斬波電路和升降壓斬波電路的輸入電源電流和輸出負(fù)載電流都是可以連

續(xù)的，有利于對輸入、輸出進(jìn)行濾波。

B.Cuk斬波電路的輸入電源電流和輸出負(fù)載電流都是可以連續(xù)的，有利于對輸入、

輸出進(jìn)行濾波。

C.升降壓斬波電路的輸入電源電流和輸出負(fù)載電流都是可以連續(xù)的，有利于對輸

入、輸出進(jìn)行濾波。

29.異步調(diào)制，表述正確的是：（C）

A.只要載波比N是不變的調(diào)制方式稱為異步調(diào)制。通常載波頻率fc固定不變，

信號波頻率fr是變化的。

B.載波信號和調(diào)制信號不保持同步的調(diào)制方式稱為異步調(diào)制。通常載波頻率fc、

信號波頻率fr都是變化的，載波比N是不變的。

C.載波信號和調(diào)制信號不保持同步的調(diào)制方式稱為異步調(diào)制。通常載波頻率fc

固定不變，信號波頻率fr變化時，載波比N是變化的。

30.關(guān)于單相半波可控整流電路，表述正確的是：（A）

A.單相半波可控整流電路簡單，但整流變壓器存在直流磁化現(xiàn)象。

B.單相半波可控整流電路電感性負(fù)載時，整流變壓器沒有直流磁化問題。

C.單相半波可控整流電路電阻性負(fù)載時，電流是連續(xù)的。

31.關(guān)于緩沖電路，表述正確的是：（B）

A.關(guān)斷緩沖電路指的是di/dt抑制電路。

B.關(guān)斷緩沖電路指的是du/dt抑制電路。

C.關(guān)斷緩沖電路指的是di/dt抑制電路和du/dt抑制電路。

答案：B.

解析：無.

32.GTR典型輸出特性分為：（B）

A.典型輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。

B.典型輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。

C.典型輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。

33.關(guān)于單相橋式半控整流電路的失控，表述正確的是：（A）

A.單相橋式半控整流電路須有續(xù)流通路,否則在帶電感負(fù)載時，會發(fā)生失控現(xiàn)象。

B.單相橋式半控整流電路，在有、沒有續(xù)流通路的情況下，輸出電壓波形不一樣，

但不會發(fā)生失控現(xiàn)象。

C.單相橋式半控整流電路，不能有續(xù)流通路，否則，會發(fā)生失控現(xiàn)象。

34.關(guān)于絕緣柵雙極晶體管安全工作區(qū)，表述正確的是：（D）

A.相同電壓和電流定額時，IGBT安全工作區(qū)與GTR一樣。

B.相同電壓和電流定額時，IGBT安全工作區(qū)比GTR寬。

C.相同電壓和電流定額時，IGBT安全工作區(qū)比GTR窄。

35.雙反星形可控整流電路整流變壓器，表述正確的是：（A）

A、雙反星形為兩組三相半波并聯(lián)，且需用平衡電抗器，每組三相半波整流電路

各承擔(dān)負(fù)載平均電流的1/2,整流變壓器不存在直流磁化現(xiàn)象。

B、雙反星形為兩組三相半波并聯(lián)，且需用平衡電抗器，每組三相半波整流電路

各承擔(dān)負(fù)載平均電流的1/2,但整流變壓器存在直流磁化現(xiàn)象。

C、雙反星形為兩組三相半波并聯(lián)，且需用平衡電抗器，每組三相半波整流電路

各承擔(dān)負(fù)載平均電流的1/2,不需要整流變壓器。

36.單相交流調(diào)壓電路的輸出電壓，表述正確的是：（A）

A.晶閘管單相交流調(diào)壓電路對晶閘管的a進(jìn)行控制，調(diào)節(jié)輸出電壓。

B.晶閘管單相交流調(diào)壓電路對晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷周期數(shù)進(jìn)行控制，調(diào)節(jié)輸出電

壓。

C.晶閘管單相交流調(diào)壓電路僅對晶閘管的導(dǎo)通周期數(shù)進(jìn)行控制，調(diào)節(jié)輸出電壓。

37.晶閘管門極的控制作用，表述正確的是：（A）o

A.晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用。

B.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦無電流，則晶閘管就立即關(guān)斷。

C.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦加反向電壓，則晶閘管就立即關(guān)斷。

38.MOSFET的輸出特性分為:（C）

A.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。

B.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。

C.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、非飽和區(qū)和飽和區(qū)。

39.電力變換通常包括那幾類？（B）

A.AC/DC和DC/AC兩大類。

B.AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大類

CAC/DC、DC/AC、DC/DC三大類。

40.三相可控整流電路中的整流變壓器，表述正確的是：（A）

A.三相可控整流電路中的整流變壓器一般采用△/￥或Y/△接法，避免產(chǎn)生3

次諧波，如果為了得到零線，則采用△△接法。

B.三相可控整流電路中的整流變壓器一般采用Y/Y或△/△接法，避免產(chǎn)生3次

諧波，如果為了得到零線，則采用Y