MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的系統(tǒng)級(jí)模擬的開題報(bào)告

MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的系統(tǒng)級(jí)模擬的開題報(bào)告1.研究背景隨著通訊技術(shù)的快速發(fā)展，人們對(duì)高精度、小型化、低功耗的微波信號(hào)相位檢測(cè)器的需求也越來越高。MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）技術(shù)則是一種制造微小機(jī)械結(jié)構(gòu)的方法，廣泛應(yīng)用于電子、光電、機(jī)械等領(lǐng)域。利用MEMS技術(shù)制造微波信號(hào)相位檢測(cè)器，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、低功耗、小型化等優(yōu)點(diǎn)，因此受到了廣泛關(guān)注。2.研究目的本文旨在利用系統(tǒng)級(jí)建模（System-levelModeling）方法，對(duì)MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器進(jìn)行建模和仿真分析，探究其工作原理、性能參數(shù)、技術(shù)難題等問題，為其后續(xù)研究和優(yōu)化提供基礎(chǔ)。3.研究方法本研究將通過以下步驟進(jìn)行：1）了解MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)原理和工作原理，掌握其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)；2）運(yùn)用CadenceVirtuoso設(shè)計(jì)環(huán)境，結(jié)合SPICE仿真方法，建立MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的系統(tǒng)級(jí)模型，并進(jìn)行仿真分析，得到其個(gè)動(dòng)態(tài)響應(yīng)、幅值、相位調(diào)節(jié)范圍等性能參數(shù)；3）分析MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的技術(shù)難點(diǎn)，如噪聲、非線性、穩(wěn)定性等問題，并提出改進(jìn)方案；4）根據(jù)仿真結(jié)果和改進(jìn)方案，進(jìn)行MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的優(yōu)化設(shè)計(jì)，并進(jìn)行仿真驗(yàn)證。4.預(yù)期成果本研究預(yù)期可以：1）建立MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的系統(tǒng)級(jí)模型，得到其動(dòng)態(tài)響應(yīng)、幅值、相位調(diào)節(jié)范圍等性能參數(shù)；2）發(fā)現(xiàn)MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的技術(shù)難點(diǎn)，并提出改進(jìn)方案；3）進(jìn)行MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的優(yōu)化設(shè)計(jì)，優(yōu)化其性能參數(shù)；4）為后續(xù)MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的研究和應(yīng)用提供基礎(chǔ)和參考。5.計(jì)劃進(jìn)度本研究計(jì)劃周期為1年，預(yù)計(jì)進(jìn)度如下：第1-2個(gè)月：閱讀相關(guān)文獻(xiàn)，了解MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)原理和工作原理等知識(shí)；第3-4個(gè)月：熟悉CadenceVirtuoso設(shè)計(jì)環(huán)境，建立MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的系統(tǒng)級(jí)模型，并進(jìn)行仿真分析；第5-6個(gè)月：分析MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的技術(shù)難點(diǎn)，并提出改進(jìn)方案；第7-8個(gè)月：進(jìn)行MEMS微波信號(hào)相位檢測(cè)器的優(yōu)化設(shè)計(jì)，得出新的模型，并進(jìn)行仿真驗(yàn)證；第9-10個(gè)月：撰寫畢業(yè)論文，并進(jìn)行初稿的修改和完善；第11-12個(gè)月：進(jìn)行最終論文的修改和完善，準(zhǔn)備答辯。6.參考文獻(xiàn)[1]Zhao,J.J.,Chen,K.J.,&Huang,W.F.(2019).AMEMS-basedmicrowavephaseshifterwithlowinsertionlossandhighpowerhanding.IEEEMicrowaveandWirelessComponentsLetters,29(1),49-51.[2]Li,W.,Guo,J.,Wang,X.F.,&Lin,P.T.(2018).High-performanceMEMSvariablephaseshiftersbasedonsiliconintegratedtechnology.AppliedSciences,8(12),2539.[3]Zhao,Y.Y.,Guo,X.F.,&Wang,F.Z.(2017).DesignandoptimizationofaMEMS-typephaseshifterforKu-bandapplications.JournalofMicrowaves,36(1),77-82.[4]Wang,K.,Liu,Y.B.,&Wang,Y.N.(2016).AnovelMEMSmicromachinedCPW-basedphaseshifter.Solid-StateElectronics,123,1-6.[5]Li,Y.,Tian,T.,&Li,F.R.(2015).AtunableMEMS-base