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模擬電子技術單選模擬試題含答案一、單選題(共100題,每題1分,共100分)1、當信號頻率等于放大電路的下限頻率時,放大倍數(shù)的值約下降到中頻時的()A、0.5B、0.707C、0.4D、0.9正確答案:B2、分析集成運放的非線性應用電路時,不能使用的概念是()。A、虛地;B、虛斷。C、虛短;正確答案:C3、共射放大電路輸出波形出現(xiàn)上削波,說明電路出現(xiàn)了飽和失真。()A、正確;B、錯誤正確答案:B4、集成運放在開環(huán)狀態(tài)下,輸入與輸出之間存在線性關系。()A、錯B、對:正確答案:A5、NPN型晶體管構成的共射極放大電路的交流輸出波形頂部出現(xiàn)失真為()失真。A、飽和B、頻率C、交越D、截止正確答案:D6、集成運放一般分為兩個工作區(qū),它們分別是()。A、虛斷和虛短。B、正反饋與負反饋;C、線性與非線性;正確答案:C7、基極電流iB的數(shù)值較大時,易引起靜態(tài)工作點Q接近()。A、截止區(qū);B、飽和區(qū);C、死區(qū)。正確答案:B8、具有輸入、輸出反相關系的小信號放大電路是()A、共基放大電路B、共射放大電路C、共集電放大電路D、射極輸出器正確答案:B9、NPN型晶體管構成的共射極放大電路的交流輸出波形頂部出現(xiàn)失真為()失真。A、飽和B、頻率C、截止D、交越正確答案:C10、放大交流信號,只能采用阻容耦合方式或變壓器耦合方式。()A、對:B、錯正確答案:B11、集成運放的非線性應用存在()現(xiàn)象。A、虛地;B、虛斷和虛短。C、虛斷;正確答案:C12、正弦電流經(jīng)過二極管整流后的波形為()。A、等腰三角波B、仍為正弦波C、矩形方波D、正弦半波正確答案:D13、理想集成運放的兩個重要結論是()。A、斷路與短路。B、虛短與虛地;C、虛斷與虛短;正確答案:C14、集成運放電路采用直接耦合方式是因為()A、可最大限度的減小零點漂移B、集成工藝難于制造大容量電容C、可獲得很大的放大倍數(shù)D、可防止交越失真的產(chǎn)生正確答案:B15、理想集成運放的開環(huán)放大倍數(shù)Au0為()。A、∞;B、0;C、不定。正確答案:A16、晶體管的電流放大倍數(shù)通常等于放大電路的電壓放大倍數(shù)。()A、正確;B、錯誤正確答案:B17、N型半導體中的多數(shù)載流子是()A、正離子B、空穴C、負離子D、自由電子正確答案:D18、分壓式偏置的共射放大電路,若VB點電位偏高,電路易出現(xiàn)()。A、截止失真B、飽和失真C、交越失真D、不會失真正確答案:B19、差分放大電路利用其對稱性,可以有效地抑制零點漂移現(xiàn)象。A、錯誤B、正確;正確答案:B20、P型半導體是在本征半導體中加入微量的()元素構成的。A、五價;B、三價;C、六價。D、四價;正確答案:B21、測得晶體管三個電極的靜態(tài)電流分別為0.06mA,3.6mA和3.66mA,該晶體管的β等于()A、50B、60C、61D、100正確答案:B22、PNP型三極管工作在放大狀態(tài)時,其發(fā)射極電位最高,集電極電位最低。()A、對:B、錯正確答案:A23、P型半導體是在本征半導體中摻入微量的()價雜質(zhì)元素構成的。A、六價B、三價C、五價D、四價正確答案:B24、雙極型半導體器件是()。A、晶體三極管;B、二極管;C、場效應管;D、穩(wěn)壓管。正確答案:A25、單極型半導體器件是()。A、晶體三極管;B、二極管;C、場效應管;D、穩(wěn)壓管。正確答案:C26、射極輸出器是典型的()。A、電流串聯(lián)負反饋;B、電壓并聯(lián)負反饋;C、電壓串聯(lián)負反饋。正確答案:C27、共集電極放大電路的輸入信號與輸出信號,相位差為180°的反相關系。()A、正確;B、錯誤正確答案:B28、基極電流iB的數(shù)值較小時,易引起靜態(tài)工作點Q接近()。A、截止區(qū);B、飽和區(qū);C、死區(qū)D、非線性區(qū)正確答案:A29、NPN型三極管用于放大時,應使發(fā)射結、集電結處于()。A、發(fā)射結正偏、集電結正偏B、發(fā)射結反偏、集電結正偏C、發(fā)射結正偏、集電結反偏D、發(fā)射結反偏、集電結反偏正確答案:C30、分壓式偏置的共射放大電路,若VB點電位偏低,電路易出現(xiàn)()。A、截止失真B、飽和失真C、交越失真D、不會失真正確答案:A31、本征半導體中摻入五價雜質(zhì)元素后,生成N型半導體,其多子是自由電子載流子。()A、錯B、對:正確答案:B32、分壓式偏置共發(fā)射極放大電路是一種能夠穩(wěn)定靜態(tài)工作點的放大器。()A、錯誤B、正確;正確答案:B33、分壓式偏置的共發(fā)射極放大電路中,若VB點電位過高,電路易出現(xiàn)()。A、截止失真;B、飽和失真;C、晶體管被燒損。正確答案:B34、晶體三極管超過()所示極限參數(shù)時,必定被損壞。A、集電極最大允許電流ICM;B、集—射極間反向擊穿電壓U(BR)CEO;C、集電極最大允許耗散功率PCM;D、管子的電流放大倍數(shù)。正確答案:C35、普通放大電路中存在的失真均為交越失真。()A、正確;B、錯誤正確答案:B36、MOS管形成導電溝道時,總是有兩種載流子同時參與導電。()A、對:B、錯正確答案:B37、PNP型三極管用于放大時,應使發(fā)射結、集電結處于()。A、發(fā)射結正偏、集電結正偏B、發(fā)射結反偏、集電結正偏C、發(fā)射結正偏、集電結反偏D、發(fā)射結反偏、集電結反偏正確答案:C38、(填空題)基極電流iB的數(shù)值較大時,易引起靜態(tài)工作點Q接近____。A、截止區(qū);B、飽和區(qū);C、死區(qū)D、非線性區(qū):正確答案:B39、射極輸出器的電壓放大倍數(shù)等于1,因此它在放大電路中作用不大。()A、正確;B、錯誤正確答案:B40、理想集成運放的輸入電阻為()。A、∞;B、0;C、不定。正確答案:A41、集成運算放大器的反饋深度|1+AF|=0時,運放處于()A、深度負反饋B、正反饋C、負反饋D、自激振蕩正確答案:D42、共模信號和差模信號都是電路傳輸和放大的有用信號。()A、正確;B、錯誤正確答案:B43、集成運算放大器采用差動放大電路作為輸入級的原因是()A、克服溫漂B、穩(wěn)定放大倍數(shù)C、提高輸入電阻D、克服交越失真正確答案:A44、絕緣柵型場效應管的輸入電流()。A、較小;B、為零;C、較大;D、無法判斷。正確答案:B45、雪崩擊穿和齊納擊穿都是場效應式的電擊穿,不會損壞二極管。()A、對:B、錯正確答案:B46、共射放大電路輸出波形出現(xiàn)上削波,說明電路出現(xiàn)了飽和失真。()A、對:B、錯正確答案:B47、集成運放工作在線性應用電路時的分析依據(jù)是()兩個重要概念。A、虛短和虛地B、虛斷和虛地C、線性和非線性D、虛短和虛斷正確答案:D48、對于工作在放大區(qū)的晶體三極管而言,下列式子正確的是:A、Ic=βIbB、Ie=βIbC、I=βIb正確答案:A49、放大電路中的所有電容器,起的作用均為通交隔直。()A、對:B、錯正確答案:A50、差動放大電路利用其對稱性,可以有效地抑制零點漂移現(xiàn)象。()A、對:B、錯正確答案:A51、“虛短”和“虛斷”兩個重要概念,無論是分析運放的線性電路還是非線性電路均適用。()A、錯B、對:正確答案:A52、P型半導體中的少數(shù)載流子是()A、負離子B、空穴C、自由電子D、正離子正確答案:C53、晶體三極管的輸出特性曲線上可分為()A、放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)B、恒流區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)C、死區(qū)、正向導通區(qū)、反向截止區(qū)和反向擊穿區(qū)四個分區(qū)D、恒流區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)四個分區(qū)正確答案:A54、基本放大電路中的主要放大對象是()。A、直流信號;B、交流信號;C、交直流信號均有。正確答案:B55、微變等效電路中不但有交流量,也存在直流量。()A、正確;B、錯誤正確答案:B56、分析集成運放的非線性應用電路時,不能使用的概念是()。A、虛短;B、虛斷。C、虛地;正確答案:A57、集成電路內(nèi)部,各級之間的耦合方式通常采用()A、阻容耦合B、直接耦合C、變壓器耦合D、光電耦合正確答案:B58、若分壓偏置式共射放大電路的上偏流電阻RB1短路,則電路中晶體三極管處于()。A、截止狀態(tài);B、飽和狀態(tài);C、放大狀態(tài)。正確答案:B59、射極輸出器的輸出電阻小,說明該電路的()A、帶負載能力差B、帶負載能力強C、減輕前級或信號源負荷正確答案:B60、集成運算放大器采用差動放大電路作為輸入級的原因是()A、克服溫漂B、提高輸入電阻C、穩(wěn)定放大倍數(shù)D、克服交越失真正確答案:A61、放大電路的集電極電流超過極限值ICM,就會造成管子燒損。(錯)A、對:B、錯正確答案:B62、基本放大電路中的主要放大對象是()。A、直流信號;B、交流信號;C、交直流信號均有。正確答案:B63、國產(chǎn)集成運放有三種封閉形式,目前國內(nèi)應用最多的是()。A、扁平式;B、圓殼式;C、雙列直插式。正確答案:C64、基本放大電路中,經(jīng)過晶體管的信號有()。A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。正確答案:C65、測得晶體管三個電極的靜態(tài)電流分別為0.06mA,3.6mA和3.66mA,該晶體管的β等于()A、50B、60C、61D、100正確答案:B66、理想集成運放的兩個重要結論是()。A、虛短與虛地;B、虛斷與虛短;C、斷路與短路。正確答案:B67、共發(fā)射極放大電路的反饋元件是()。A、電阻RB;B、電阻RE;C、電阻RC。正確答案:B68、若使三極管具有電流放大能力,必須滿足的外部條件是()A、發(fā)射結正偏、集電結反偏B、發(fā)射結正偏、集電結正偏C、發(fā)射結反偏、集電結正偏D、發(fā)射結反偏、集電結反偏正確答案:A69、差分放大電路能夠有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。()A、錯誤B、正確;正確答案:B70、晶體三極管的極是它的()。A、柵極B、發(fā)射極C、集電極D、基極正確答案:B71、如果兩個信號,它們的大小相等,相位相反,則它們是()信號。A、共模B、模擬C、差模正確答案:C72、無論是雙極型三極管還是單極型三極管,其導電機理是相同的。A、正確;B、錯誤正確答案:B73、放大電路只有既放大電壓又放大電流時,才能稱為具有放大作用。A、正確;B、錯誤正確答案:B74、理想集成運放的開環(huán)放大倍數(shù)Au0為()。A、∞;B、0;C、不定。正確答案:A75、設置靜態(tài)工作點的目的是讓交流信號疊加在直流量上全部通過放大器。()A、正確;B、錯誤正確答案:A76、P型半導體中多數(shù)載流子是______。A、PN結B、空穴C、自由電子正確答案:B77、共射組態(tài)的放大電路,如果輸出波形出現(xiàn)下削波,一定發(fā)生了截止失真。A、正確;B、錯誤正確答案:B78、單極型半導體器件是()。A、二極管B、穩(wěn)壓管C、雙極型三極管D、場效應管正確答案:D79、當反饋深度|1+AF|=0時,放大電路()A、出現(xiàn)深度負反饋B、出現(xiàn)正反饋C、出現(xiàn)負反饋D、出現(xiàn)自激振蕩正確答案:D80、當信號頻率等于放大電路的上限頻率或下限頻率時,放大倍數(shù)的值約下降到中頻時的()A、0.707B、0.4C、0.9D、0.5正確答案:A81、理想集成運放的輸入電阻為()。A、∞;B、不定。C、0;正確答案:A82、P溝道場效應管的電流ID是由溝道中的()在漏源極之間電場作用下形成的。A、自由電子;B、空穴;C、電子和空穴;D、負離子正確答案:B83、當信號頻率等于放大電路的上限頻率時,放大倍數(shù)的值約下降到中頻時的()A、0.9B、0.4C、0.5D、0.707正確答案:D84、穩(wěn)壓二極管的正常工作狀態(tài)是()。A、導通狀態(tài);B、反向擊穿狀態(tài);C、任意狀態(tài)。D、截止狀態(tài);正確答案:B85、N型半導體中多數(shù)載流子是_____。A、空穴B、自由電子C、PN結正確答案:B86、集成運算放大器采用差動放大電路作為輸入級的原因是A、克服交越失真B、抑制零漂C、穩(wěn)定放大倍數(shù)D、提高輸入電阻正確答案:B87、場效應管的g極是它的()。A、柵極B、源極C、漏極D、發(fā)射極正確答案:A88、共發(fā)射極放大電路的反饋元件是()。A、電阻REB、電阻RCC、電阻RB正確答案:A89、正弦電流經(jīng)過二極管整流后的波形為()。A、正弦半波;B、矩形方波;C、仍為正弦波。D、等腰三角波;正確答案:A90、共發(fā)射極放大電路的反饋元件是()。A、電阻RB;B、電阻RE;C、電阻RC。正確答案:B91、二極管的伏安特性曲線上可分為()A、恒流區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)B、恒流區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)四個分區(qū)C、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)D、死區(qū)、正向導通區(qū)、反向截止區(qū)和反向擊穿區(qū)四個分區(qū)正確答案:D92、因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。A、錯誤B、正確;正確答案:A93、NPN型晶體管構成的共射極放大電路的交流輸出波形出現(xiàn)頂削波時的失真為()失真。A、頻率B、飽和C、截止D、交越正確答案:C94、N型半導體是在本征半導體中加入微量的()元素構成的。A、五價;B、四價;C、三價;D、六價。正確答案:A95、射極輸出器的輸出電阻小,說明該電路的()A

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