京儀裝備-市場前景及投資研究報告-國內(nèi)半導(dǎo)體專用溫控廢氣處理設(shè)備專精特新

京儀裝備：國內(nèi)半導(dǎo)體專用溫控/廢氣處理設(shè)備專精特新“小巨人”股票投資評級：買入|首次覆蓋2024年4月14日京儀裝備·業(yè)務(wù)版圖集成電路裝備+泛半導(dǎo)體領(lǐng)域2016年成立2023年上市晶圓傳片設(shè)備WaferSorter集成電路工藝腔體Processchambers二端口單腔四端口雙腔半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備LocalScrubber在制程中主要應(yīng)用于晶圓的下線、制程間倒片的卡控和產(chǎn)品出廠校驗、排序以及有翻片需求的工藝，批量應(yīng)用于邏輯芯片90nm-28nm等各種工藝需求?

主要應(yīng)用于12吋集成電路制造產(chǎn)線中刻蝕、薄膜、擴散等工藝，用于將各工藝環(huán)節(jié)中產(chǎn)生的工藝廢氣進行無害化處理，批量應(yīng)用于90nm-28nm邏輯芯片、64層-192層3DNAND存儲芯片等各種工藝需求；?

適配泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料、日本國際電氣、中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份等設(shè)備公司的主工藝設(shè)備半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備Chiller?

在制程中主要對反應(yīng)腔進行溫度控制，主要應(yīng)用于12吋晶圓前道刻蝕、化學(xué)氣相沉積等工藝，批量應(yīng)用于邏輯芯片90nm-14nm，64層-192層3DNAND存儲芯片等各種工藝需求；?

適配泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料、中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份等設(shè)備公司的主工藝設(shè)備單通道雙通道三通道生產(chǎn)性服務(wù)2資料：公司招股說明書，中郵證券研究所投資要點?

深耕半導(dǎo)體專用溫控/工藝廢氣處理設(shè)備，龍頭客戶大批量裝機形成先發(fā)優(yōu)勢，新客戶導(dǎo)入及放量順利。公司主要銷售收入來自半導(dǎo)體專用設(shè)備產(chǎn)品：2022年，半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備/半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備/晶圓傳片設(shè)備的收入占比分別為56.28%/40.30%/3.42%。2020-2022年，主要客戶（指長江存儲、、華虹集團等存在公開披露產(chǎn)能信息的客戶）向公司采購半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備/半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備的比例占產(chǎn)能需求量的比例較為穩(wěn)定，逐年增長，各自整體處于50%-60%/10%-20%區(qū)間。同時公司持續(xù)積極拓展新客戶，2022年度，公司拓展了長鑫集電（北京）存儲技術(shù)有限公司、芯恩（青島）集成電路有限公司、上海鼎泰匠芯科技有限公司等超過20家新客戶，新客戶開拓成效顯著。?

憑借早期技術(shù)與客戶積累把握發(fā)展窗口期，不斷打磨技術(shù)高筑技術(shù)壁壘，市占率不斷提升。公司成立初期存在一定的技術(shù)積累和客戶資源積累，后續(xù)在晶圓制造技術(shù)不斷變更迭代及設(shè)備加速的兩大市場契機的推動下，公司發(fā)展迎來了不可復(fù)制的發(fā)展窗口期，公司憑借產(chǎn)品性能優(yōu)勢、國產(chǎn)化優(yōu)勢、突出的服務(wù)能力等取得或中標長江存儲、大連英特爾等行業(yè)主要客戶訂單，后續(xù)憑借完善突出的服務(wù)能力和持續(xù)強大的研發(fā)支持，滿足客戶不斷迭代的產(chǎn)品需求，市場占有率逐步提升，2020/2021/2022年公司半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備國內(nèi)市占分別為22.05%/26.96%/35.73%，半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備國內(nèi)市占分別為13.66%/15.74%/15.57%，公司是目前國內(nèi)唯一一家實現(xiàn)半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備大規(guī)模裝機應(yīng)用的設(shè)備制造商，也是目前國內(nèi)極少數(shù)實現(xiàn)半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備大規(guī)模裝機應(yīng)用的設(shè)備制造商，公司產(chǎn)品技術(shù)水平國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進。?

先進制程擴產(chǎn)帶來更多設(shè)備投資，半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理和晶圓傳片設(shè)備仍有較大市占率提升空間。受益于先進制程帶來更高設(shè)備投資等驅(qū)動，全球半導(dǎo)體設(shè)備有望24年開啟新一輪增長，2025年進一步增長，SEMI預(yù)計中國大陸將增加其在全球半導(dǎo)體

產(chǎn)

能

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2023/2024/2025

年

國

內(nèi)

新

增

12

吋

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效

產(chǎn)

能

分

別

為548.50/606.39/593.89千片/月。受益于國內(nèi)晶圓廠擴產(chǎn)，尤其是先進制程的推進，以及公司產(chǎn)品在先進制程的優(yōu)勢（公司半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備產(chǎn)品主要用于90-14nm邏輯芯片以及64-192層3D

NAND等存儲芯片制造中若干關(guān)鍵步驟的大規(guī)模量產(chǎn)；半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備產(chǎn)品主要用于90-28nm邏輯芯片以及64-192層3D

NAND等存儲芯片制造中若干關(guān)鍵步驟的大規(guī)模量產(chǎn)；晶圓傳片設(shè)備產(chǎn)品主要用于90-28nm邏輯芯片制造中若干關(guān)鍵步驟的大規(guī)模量產(chǎn)），公司可覆蓋市場空間將穩(wěn)健增長?？紤]到公司半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理和晶圓傳片設(shè)備的國內(nèi)市場份額較低，未來份額提升亦將帶來可觀的收入增量。3資料：QY

Research，公司招股說明書等，中郵證券研究所投資要點?

盈利預(yù)測：我們預(yù)計公司2023-2025年營業(yè)收7.42/10.37/13.97億元，歸母凈利潤1.18/1.94/2.62億元，對應(yīng)2023/2024/2025年的PE分別為60/37/27倍，首次覆蓋，給予“買入”評級。?

風(fēng)險提示：貿(mào)易摩擦與地緣政治矛盾導(dǎo)致的經(jīng)營風(fēng)險；行業(yè)政策變動風(fēng)險；下游擴產(chǎn)不及預(yù)期風(fēng)險；市場競爭風(fēng)險；技術(shù)研發(fā)風(fēng)險。盈利預(yù)測和財務(wù)指標項目\年度2022A6642023E7422024E1,03739.712192025E1,39734.68298營業(yè)收入(百萬元)增長率(%)32.3811811.84147EBITDA(百萬元)歸屬母公司凈利潤(百萬元)增長率(%)9111819426254.950.5478.1012.98-1.4229.280.7060.413.6838.0064.401.1535.521.56EPS(元/股)市盈率（P/E）市凈率（P/B）EV/EBITDA36.753.3527.112.9825.4618.51資料：公司公告，中郵證券研究所4一二深耕半導(dǎo)體專用溫控/工藝廢氣處理設(shè)備，龍頭客戶大批量裝機形成先發(fā)優(yōu)勢，新客戶導(dǎo)入及放量順利憑借早期技術(shù)與客戶積累把握發(fā)展窗口期，不斷打磨技術(shù)高筑技術(shù)壁壘，市占率不斷提升目錄先進制程擴產(chǎn)帶來更多設(shè)備投資，半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理和晶圓傳片設(shè)備仍有較大市占率提升空間三四盈利預(yù)測5一深耕半導(dǎo)體專用溫控/工藝廢氣處理設(shè)備，龍頭客戶大批量裝機形成先發(fā)優(yōu)勢，新客戶導(dǎo)入放量順利6股權(quán)結(jié)構(gòu)：北京市國資委為實控人圖表1：公司股權(quán)結(jié)構(gòu)（截止2024年4月9日）北京市國資委實控人控股

100%北京控股集團有限公司控股

100%安徽北自投資管理公司（有限合伙）北京京儀集團有限公司其他員工持股平臺39.38%24.08%36.54%京儀裝備3.70%4.31%控股

100%芯鏈融創(chuàng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展（北京）有限公司湖北三維半導(dǎo)體集成創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司安徽京儀自動化裝備技術(shù)有限公司50%北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）有限公司資料：iFind，中郵證券研究所7營收利潤高速增長?

營收：公司高度重視核心技術(shù)的自主研發(fā)與創(chuàng)新，研發(fā)投入持續(xù)增加，實現(xiàn)了多項技術(shù)的突破與創(chuàng)新，掌握了一系列核心技術(shù)，增強了企業(yè)核心競爭力。2019-2023年，公司積極把握半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場需求持續(xù)增長所帶來的市場機遇，客戶群體覆蓋度進一步擴大，營業(yè)收入持續(xù)增長。?

利潤：公司利潤端的穩(wěn)健增長主要系營收規(guī)模的持續(xù)增長。2023E公司利潤總額為1.33億元，同比+31.66%，主要系2023年度報告期內(nèi)營業(yè)收入增長及收到的政府補助、營業(yè)外收入規(guī)模較大。圖表2：2019-2023E公司各業(yè)務(wù)營收（億元）圖表3：2019-2023E公司歸母和扣非后歸母凈利潤（億元）7.421.58.06.04.02.00.06.641.180.861.31.15.010.910.820.93.492.270.590.550.71.842.310.51.051.920.30.361.503.172.500.060.10.012020(0.1)(0.3)2019202120222023E20192020202120222023E-0.29-0.31半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備晶圓傳片設(shè)備維護、維修等服務(wù)半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備零配件及支持性設(shè)備技術(shù)服務(wù)(0.5)歸母扣非歸母資料：iFind，公司業(yè)績快報公告，中郵證券研究所8半導(dǎo)體專用設(shè)備毛利率呈現(xiàn)穩(wěn)健上升趨勢?

隨著公司產(chǎn)品技術(shù)水平的提升以及產(chǎn)品型號不斷的迭代升級，公司在行業(yè)內(nèi)的競爭力不斷增強，同時公司生產(chǎn)經(jīng)營規(guī)模不斷擴張、規(guī)模效應(yīng)逐漸顯現(xiàn)，公司半導(dǎo)體專用設(shè)備毛利率呈現(xiàn)穩(wěn)健上升趨勢。2019-2022年，公司綜合毛利率持續(xù)上升，主要系公司半導(dǎo)體專用設(shè)備的毛利率逐年上升。?

半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備：2021年，2022年毛利率上升主要系產(chǎn)品設(shè)計和工藝、選材用料不斷優(yōu)化，產(chǎn)品不斷更新迭代，單位成本有所下降，同時平均單位價格更高的先進系列產(chǎn)品銷量占比增加所致。2023H1，公司半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備毛利率有所下降，主要系客戶結(jié)構(gòu)變化以及氟化液等原材料單位成本上升。?

半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備：2021年毛利率大幅提升主要系產(chǎn)品不斷迭代，新產(chǎn)品定價水平較高，同時產(chǎn)品設(shè)計和工藝不斷優(yōu)化，單位成本下降，帶動綜合毛利率上升。2023H1毛利率有所下降，主要系毛利率較高的產(chǎn)品銷量有所減少。圖表4：2019-2023H1公司各主營業(yè)務(wù)毛利率圖表5：2019-2023H1公司半導(dǎo)體專用設(shè)備毛利率48.09%46.51%45%40%35%30%25%20%15%10%5%50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%41.73%38.98%綜合36.94%半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備39.57%39.09%43.17%38.03%半導(dǎo)體專用設(shè)備35.84%30.31%29.56%27.56%23.99%

28.26%21.84%零配件及支持性設(shè)備維護、維修等服務(wù)其他業(yè)務(wù)-技術(shù)服務(wù)半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備17.39%11.65%晶圓傳片設(shè)備0.92%2021

2022

2023H10%0%2019202020212022

2023H120192020資料：iFind，公司招股說明書，中郵證券研究所9始終保持高效率研發(fā)，規(guī)模效應(yīng)不斷凸顯?

銷售費用：2020年-2023前三季度，公司銷售費用主要為維修質(zhì)保（公司銷售的半導(dǎo)體專用設(shè)備產(chǎn)品附帶質(zhì)保條款，公司根據(jù)預(yù)期維修質(zhì)保支出計提維修質(zhì)保費用。2020年-2023前三季度，公司產(chǎn)品未發(fā)生重大質(zhì)量糾紛，產(chǎn)品維修質(zhì)保金計提充分）和職工薪酬。?

管理費用：2020-2022年，公司管理費用中職工薪酬金額占當期管理費用的比例分別為67.82%、72.94%、76.24%。公司管理費用中職工薪酬主要核算管理人員薪酬，

隨著經(jīng)營規(guī)模和業(yè)績的提升，管理人員數(shù)量不斷增加，績效薪酬規(guī)模亦有所提升。?

研發(fā)費用：2020-2022年，公司研發(fā)費用中職工薪酬金額占當期研發(fā)費用的比例分別為60.05%、64.08%、58.83%。公司研發(fā)費用中職工薪酬的增加主要系研發(fā)人員薪酬水平的提升和人員數(shù)量的增加。?

得益于公司深耕半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備和半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備兩大主要產(chǎn)品領(lǐng)域行業(yè)多年實現(xiàn)了產(chǎn)品在國內(nèi)主流集成電路制造企業(yè)的國內(nèi)產(chǎn)線上批量應(yīng)用，同時公司研發(fā)項目側(cè)重于對產(chǎn)品整體結(jié)構(gòu)設(shè)計、設(shè)備底層算法的迭代優(yōu)化、控制方案的升級和對關(guān)鍵性能的升級優(yōu)化，研發(fā)投入以職工薪酬為主，研發(fā)所涉及原材料可獲得性較強，價格適中，公司研發(fā)成果轉(zhuǎn)化率較高以及研發(fā)費用中直接材料耗用金額相對較低，公司研發(fā)費用率低于境內(nèi)同行業(yè)可比公司平均水平。圖表6：2020-2023前三季度公司相關(guān)費用率圖表7：2020-2023H1末公司員工專業(yè)結(jié)構(gòu)12%8%單位：人2020202120222023H1管理人員--7275銷售費用研發(fā)人員生產(chǎn)人員56-60-86957.29%6.96%6.81%6.55%管理費用研發(fā)費用財務(wù)費用1291324%銷售及售后支持人員--1421600%合計2102954294622020202120222023前三季度10資料：iFind，IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備客戶優(yōu)勢顯著?

公司主要銷售收入來自半導(dǎo)體專用設(shè)備產(chǎn)品：2022年，半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備/半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備/晶圓傳片設(shè)備的收入占比分別為56.28%/40.30%/3.42%。2020-2022年，主要客戶（指長江存儲、、華虹集團等存在公開披露產(chǎn)能信息的客戶）向公司采購半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備/半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備的比例占產(chǎn)能需求量的比例較為穩(wěn)定，逐年增長，各自整體處于50%-60%/10%-20%區(qū)間。圖表8：2020-2023H1公司各系列產(chǎn)品的收入、ASP和銷量情況2020202120222023H1

客戶類型主要代表客戶半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備收入（萬元）比例19,181.41

25,008.91

31,675.20

28,890.78集成電路制造企業(yè)以及集成電路設(shè)備制造企業(yè)63.88%99357.48%123456.28%152570.49%1289銷量（臺）ASP（萬元/臺）19.3220.2720.7722.41半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備收入（萬元）

10,482.65

18,413.34

22,683.86

12,093.13比例34.91%20042.32%31240.30%41029.51%228集成電路制造企業(yè)銷量（臺）ASP（萬元/臺）晶圓傳片設(shè)備收入（萬元）比例52.4159.0255.3353.04362.601.21%483.600.19%11922.273.42%22----集成電路制造企業(yè)銷量（臺）ASP（萬元/臺）90.6583.6087.38資料：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所11半導(dǎo)體專用設(shè)備產(chǎn)品中先進制程產(chǎn)品收入占比超過95%?

公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于成熟或先進制程集成電路制造的12吋集成電路制造產(chǎn)線。在邏輯芯片領(lǐng)域，28nm以下為業(yè)內(nèi)先進制程，公司產(chǎn)品已經(jīng)適配國內(nèi)最先進的14nm邏輯芯片制造產(chǎn)線；在3D

NAND存儲芯片領(lǐng)域，128層以上（含128層）為業(yè)內(nèi)先進制程，公司產(chǎn)品已經(jīng)適配國內(nèi)最先進的192層3D

NAND存儲芯片制造產(chǎn)線。?

除少數(shù)型號半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備無法應(yīng)用于先進制程外，公司半導(dǎo)體專用設(shè)備主要產(chǎn)品均可應(yīng)用于先進制程產(chǎn)線。2020年-2023H1報告期各期，公司半導(dǎo)體專用設(shè)備產(chǎn)品中先進制程產(chǎn)品收入占比超過95%。公司覆蓋晶圓制造主流客戶，龍頭客戶大批量裝機經(jīng)驗形成先發(fā)優(yōu)勢。圖表9：2020-2023H1公司半導(dǎo)體專用設(shè)備制程分布情況?100%80%60%40%20%0%2.57%2.30%1.17%3.28%?

公司自主研發(fā)的半導(dǎo)體專用設(shè)備已成功進入長江存儲、

、華虹集團、大連英特爾、廣州粵芯、睿力集成等行業(yè)知名半導(dǎo)體制造企業(yè)，與頭部客戶建立了良好的合作關(guān)系，積攢了豐富的先進制程經(jīng)驗，公司是國內(nèi)唯一的具備邏輯、存儲、不同制程類型產(chǎn)線大批量裝機經(jīng)驗的供應(yīng)商。頭部客戶產(chǎn)能規(guī)模大，工藝制程技術(shù)先進，有較強的示范效應(yīng)。97.43%97.70%98.83%96.72%2020202120222023H1合計金額（萬元）30,026.6643,505.8556,281.3440,983.91先進制程產(chǎn)品成熟制程產(chǎn)品資料：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所12品牌及市場地位良好、新客戶開拓成效顯著?

2020-2022年，主要客戶向公司采購半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備的比例占產(chǎn)能需求量的比例較圖表10：2020-2022公司主要客戶擴產(chǎn)、設(shè)備需求量以及向公司采購情況項目為穩(wěn)定，逐年增長，整體處于50%-60%區(qū)

半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備2022年

2021年

2020年主要客戶新增產(chǎn)能合計（萬片/月）①23801840104857%2280176098156%2180間，主要客戶向公司采購半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備的比例占產(chǎn)能需求量的比例亦較月產(chǎn)能1萬片對應(yīng)的半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備需求（臺）②半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備需求量（臺）③=①*②168089153%為穩(wěn)定，逐年增長，整體處于10%-20%區(qū)

主要客戶向公司采購的產(chǎn)品數(shù)量（臺）④主要客戶向公司采購數(shù)量占產(chǎn)能需求量的比例⑤=④/③間，主要客戶半導(dǎo)體專用設(shè)備產(chǎn)能需求量和客戶向公司采購量的匹配情況良好，不存在半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備主要客戶新增產(chǎn)能合計（萬片/月）①2380184027615%2280176022313%2180異常情況。未來隨著主要客戶擴產(chǎn)，公司有

月產(chǎn)能1萬片對應(yīng)的半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備需求（臺）②半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備需求量（臺）③=①*②168017110%望繼續(xù)保持較高的市場份額。?

近年來，長江存儲作為公司第一大客戶，銷售占比波動的原因如下：主要客戶向公司采購的產(chǎn)品數(shù)量（臺）④主要客戶向公司采購數(shù)量占產(chǎn)能需求量的比例⑤=④/③注：主要客戶指長江存儲、、華虹集團等存在公開披露產(chǎn)能信息的客戶。?

2021年，公司憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量和市場口碑獲得了客戶擴產(chǎn)階段的批量采購訂單，把握了客戶擴產(chǎn)發(fā)展的窗口期。圖表11：2020-2023H1公司向前五大客戶銷售情況2023H12022年2021年2020年?

2022年，2022H2部分半導(dǎo)體專用設(shè)備已發(fā)貨至客戶現(xiàn)場尚未完成驗收，2022年末公司對長江存儲的發(fā)出商品金額較2021年末新增超過6,000萬元。長江存儲

29.00%

長江存儲

28.38%

長江存儲

52.59%

長江存儲

44.79%長鑫科技

12.23%

華虹集團

14.31%

16.91%

27.14%華虹集團

12.20%

13.75%

大連英特爾

10.38%

華虹集團

7.74%?

公司持續(xù)積極拓展新客戶，2022年，公司拓展了長鑫集電（北京）存儲技術(shù)有限公司、芯恩（青島）集成電路有限公司、上海鼎泰10.06%

成都高真

8.87%

廣州粵芯

4.85%

積塔半導(dǎo)體

3.00%6.90%

大連英特爾

8.14%

北方華創(chuàng)

3.04%

中微公司

2.30%卓勝微匠芯科技有限公司等超過20家新客戶，新

合計（萬元）

30,27948,74273.44%44,00487.77%29,63784.97%客戶開拓成效顯著，客戶集中度整體呈下降趨勢。合計（%）

70.40%注：同一控制下企業(yè)進行合并計算。13資料：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所二憑借早期技術(shù)與客戶積累把握發(fā)展窗口期，不斷打磨技術(shù)高筑技術(shù)壁壘，市占率不斷提升14半導(dǎo)體專用溫控+半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理+晶圓傳片圖表12：公司主要產(chǎn)品介紹產(chǎn)品類別圖示產(chǎn)品主要技術(shù)指標/參數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域?

溫控區(qū)間：-45℃~120℃?

空載溫控精度：±0.05℃~±0.2℃單通道?

帶載溫控精度：±0.5℃~±1℃在制程中主要對反應(yīng)腔進行溫度控制，主要應(yīng)用于12吋晶圓前道刻蝕、化學(xué)氣相沉積等工藝，批量應(yīng)用于邏輯芯片90nm-14nm，64層-192層3DNAND存儲芯片等各種工

藝需求，適配泛林半導(dǎo)體、

東京電子、應(yīng)用材料、中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份等設(shè)備公司的主工藝設(shè)備?

制冷能力：5kW@-40℃，3kW@-10℃，Up

to30kW@30℃半導(dǎo)體專用?

溫控區(qū)間：-70℃~120℃?空載溫控精度：±0.05℃~±0.2℃帶載溫控精度：±0.5℃~±1℃雙通道三通道單腔溫控?設(shè)備?

制冷能力：8.5kW@-60℃，3kW@-10℃，Up

to21kW@30℃?

溫控區(qū)間：-45℃~120℃?

空載溫控精度：±0.05℃~±0.2℃?

帶載溫控精度：±0.5℃~±1℃?

制冷能力：6kW@-40℃，4kW@-10℃，Up

to30kW@30℃主要應(yīng)用于12吋集成電路制造產(chǎn)線中刻蝕、薄膜、擴散等工藝，用于將各工藝環(huán)節(jié)中產(chǎn)生的工藝廢氣進行無害化處理，批量應(yīng)用于90nm-28nm邏輯芯片、64層-192層3D

NAND存儲芯片等各種工藝需求，適配泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料、日本國際電氣、中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份等設(shè)備公司的主工藝設(shè)備?

廢氣處理量（標準狀況下升/分鐘）：400slm~800slm半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備?廢氣處理效率：>99%?

廢氣處理方式：燃燒水洗式、等離子水洗、電熱水洗式??廢氣處理量（標準狀況下升/分鐘）：800slm~1,600slm廢氣處理效率：>99%雙腔?

廢氣處理方式：燃燒水洗式?

產(chǎn)品單位時間全流程晶圓傳送量

WPH：＞330在制程中主要應(yīng)用于晶圓的下線、制程間倒片的卡控和產(chǎn)品出廠校驗、排序以及有翻片需求的工藝，

批量應(yīng)用于邏輯芯片90nm-28nm等各種工藝需求二端口四端口機械手重復(fù)定位精度：±0.1mm?晶圓傳片設(shè)備?

缺口定位精度：±0.2°??產(chǎn)品單位時間全流程晶圓傳送量

WPH：＞330機械手重復(fù)定位精度：±0.1mm?

缺口定位精度：±0.2°15資料：公司招股說明書，中郵證券研究所溫控+工藝廢氣處理+晶圓傳片可用于半導(dǎo)體制程各環(huán)節(jié)圖表13：公司主要產(chǎn)品在半導(dǎo)體制程各環(huán)節(jié)的應(yīng)用情況循環(huán)往復(fù)光刻光刻機涂膠顯影機清洗機擴散刻蝕刻蝕設(shè)備氧化爐量測設(shè)備退火設(shè)備清洗機量測設(shè)備量測設(shè)備溫控設(shè)備溫控設(shè)備投片出片工藝廢氣處理設(shè)備工藝廢氣處理設(shè)備真空泵晶圓傳片設(shè)備晶圓傳片設(shè)備晶圓傳片設(shè)備晶圓傳片設(shè)備薄膜沉積氣相沉積設(shè)備清洗機離子注入離子注入機去膠機晶圓傳片設(shè)備退火設(shè)備清洗機量測設(shè)備溫控設(shè)備真空泵溫控設(shè)備工藝廢氣處理設(shè)備真空泵16資料：公司招股說明書，中郵證券研究所主要產(chǎn)品演變和技術(shù)發(fā)展情況新一代熱交換器系列產(chǎn)品研制成功初代節(jié)能系列產(chǎn)新一代節(jié)能系列首臺-70℃超低溫單通道單通道雙通道三通道半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備品研制成功產(chǎn)品研制成功雙通道產(chǎn)品成功進入大連英特爾供應(yīng)鏈首臺大流量、噴氣增焓產(chǎn)品研制成功首臺超低溫-70℃樣機研制成功首臺-40℃低溫大負載產(chǎn)品首臺滿足泛林-40°C低溫大負載三通道產(chǎn)品研制成功首臺三通道產(chǎn)品B-830T研發(fā)成功首臺混合控溫Chiller研制成功首臺-70℃超低溫三通道京儀裝備成立2016201720182019202020212022202311月29日，完成首發(fā)上市在北京產(chǎn)權(quán)交易所完成

在北京產(chǎn)權(quán)交易所完建立以半導(dǎo)體專用設(shè)備領(lǐng)域為核心發(fā)展方向；更廣泛地進入中國12吋集成電路制造產(chǎn)線，全面適配泛林、東京電子、中微公司等溫控設(shè)備需求原股東將股份轉(zhuǎn)讓給航天國調(diào)等投資者開拓華虹集團、北方華創(chuàng)等客戶中標長江存儲一期首次公開招標項目1輪融資；成2輪融資；chiller首次進入京東方

整體變更為股份有限開拓、大連英第六代柔性屏生產(chǎn)線公司特爾等推出處理量改進推出更適用于多粉塵及強腐蝕性工藝且處理量達800+800slm的雙腔燃燒水洗設(shè)備并實現(xiàn)規(guī)模商用400+400slm和800+800slm的雙腔燃燒水洗設(shè)備，處理量適用于苛刻工藝的單腔燃燒水洗式產(chǎn)品；第二代等離子水洗式和電加熱水洗式產(chǎn)品推出等離子水洗、電加熱水洗工藝廢氣處理設(shè)備，實現(xiàn)規(guī)?；逃冒雽?dǎo)體專用工藝廢氣處理研發(fā)等離子水洗、電加熱水洗工藝廢氣處理設(shè)備400slm、800s1m的單腔燃燒水洗設(shè)備在X-θ機械手技術(shù)平臺上推出WPH達250的晶圓傳片設(shè)備推出

ALI-300G2E-4LP晶圓傳片設(shè)備；推出嵌入式晶圓傳片設(shè)備，實現(xiàn)了嵌入Stocker的倒片工藝晶圓傳片設(shè)備推出AAR-300G3-4LP晶圓傳片設(shè)備推出AAR-300

G3-2LP

FL晶圓傳片設(shè)備、AAR-300

G3-4LP

FL晶圓傳片設(shè)備、AAR-300

G3-2LP

EB嵌入式品圓傳片設(shè)備推出R-X-θ機械手技術(shù)平臺17資料：公司招股說明書，中郵證券研究所憑借早期技術(shù)與客戶積累把握發(fā)展窗口期?

公司成立初期存在一定的技術(shù)積累和客戶資源積累，后續(xù)在晶圓制造技術(shù)不斷變更迭代及設(shè)備加速的兩大市場契機的推動下，公司發(fā)展迎來了不可復(fù)制的發(fā)展窗口期，公司憑借產(chǎn)品性能優(yōu)勢、國產(chǎn)化優(yōu)勢、突出的服務(wù)能力、交期和價格優(yōu)勢等取得或中標長江存儲、大連英特爾等行業(yè)主要客戶訂單，后續(xù)憑借完善突出的服務(wù)能力和持續(xù)強大的研發(fā)支持，滿足了客戶不斷迭代的產(chǎn)品需求，市場占有率逐步提升，最終成為相關(guān)客戶的主要供應(yīng)商。圖表14：公司與主要客戶建立合作的背景和原因情況客戶簡稱合作背景和原因?

2017年，經(jīng)行業(yè)內(nèi)推薦和公司積極爭取，公司憑借前期合作經(jīng)驗等取得武漢新芯半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備訂單；長江存儲?

2018年，長江存儲開始進行一期建設(shè)項目公開招投標，公司憑借前期武漢新芯合作經(jīng)驗、突出的產(chǎn)品和服務(wù)優(yōu)勢、國產(chǎn)化優(yōu)勢等中標客戶半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備和工藝廢氣處理設(shè)備訂單?

2017年，經(jīng)行業(yè)內(nèi)推薦和公司積極爭取，公司憑借突出的產(chǎn)品和服務(wù)優(yōu)勢、國產(chǎn)化優(yōu)勢等取得華力微半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備訂單；?

后期，華力集和華虹無錫陸續(xù)公開招投標，公司中標客戶半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備訂單華虹集團?

2016年，經(jīng)行業(yè)內(nèi)推薦和公司積極爭取，公司憑借本土化優(yōu)勢、突出的產(chǎn)品和服務(wù)優(yōu)勢、國產(chǎn)化優(yōu)勢等取得中芯上海、中芯北京、中芯北方的半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備和零部件等訂單，后續(xù)陸續(xù)拓展至中芯深圳、中芯南方等客戶?

2016年，經(jīng)行業(yè)內(nèi)推薦和公司積極爭取，公司憑借突出的產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)優(yōu)勢等取得客戶半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備和工藝廢氣處理設(shè)備訂單；?

2021年起公司把握客戶擴產(chǎn)機遇取得規(guī)?；唵未筮B英特爾資料：IPO公告，中郵證券研究所18半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備：內(nèi)部結(jié)構(gòu)、設(shè)計難點技術(shù)方向：?

多通道?

大負載關(guān)鍵零部件制冷系統(tǒng)模?全溫域覆蓋塊換熱器電動三通閥循環(huán)泵加熱器控制系統(tǒng)高壓密封組件高低溫保溫管路組件半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備利用制冷循環(huán)和工藝冷卻水的熱交換原理，通過對半導(dǎo)體工藝設(shè)備使用的循環(huán)液的溫度、流量和壓力進行高精密控制，以實現(xiàn)半導(dǎo)體工藝制程的控溫需求。依據(jù)不同工藝制程要求，控制給定溫度的循環(huán)液流經(jīng)半導(dǎo)體工藝設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)的電極或其壁面，將熱量帶入半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備，半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備通過熱交換器將熱量傳遞給制冷劑，再通過制冷劑將熱量釋放給工藝冷卻水，從而實現(xiàn)對工藝制程的溫度控制。半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備的主要技術(shù)難點在于半導(dǎo)體制程所需溫度區(qū)間大（溫控區(qū)間所需范圍覆蓋-70℃~120℃）、溫控精度高（空載溫控精度要求達到

0.05℃、運行溫控精度要求達到

0.5℃）、負載變化劇烈且溫度切換之間有嚴苛的溫度曲線要求，設(shè)備密封性要求高。通用溫控設(shè)備通常不需要低溫及超低溫區(qū)間，溫度區(qū)間相對較小，溫控精度要求低，負載變化相對平緩，設(shè)備密封性要求較低。Y-8055DC19資料：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備與工藝設(shè)備的連接示意圖半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備在工藝制程中發(fā)揮的主要作用是利用熱交換原理通過對工藝設(shè)備使用的循環(huán)液的溫度、流量和壓力進行高精密控制，以滿足半導(dǎo)體工藝制程的控溫需求。晶圓制造各環(huán)節(jié)均對工藝制程的溫度有明確要求，對溫度要求處于動態(tài)變化狀態(tài)，其工藝制程不同階段內(nèi)對溫度要求并非持續(xù)穩(wěn)定在某個溫度值不變，因此需要利用半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備通過對工藝設(shè)備溫度水平進行高精密控制，以滿足工藝制程持續(xù)不斷變化的控溫需求。工藝設(shè)備工藝腔半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備與工藝設(shè)備的搭配主要體現(xiàn)在液體熱交換和通訊兩方面。液體主要為氟化液，通過金屬軟管輸送到工藝設(shè)備的靜電吸附托盤進行溫度控制。通訊方面，公司自主開發(fā)或按照工藝設(shè)備定制通訊協(xié)議，公司產(chǎn)品通過通訊線與工藝設(shè)備連接進行通訊，達到工藝設(shè)備對溫控設(shè)備的啟停、設(shè)定等功能，同時溫控設(shè)備向工藝設(shè)備傳輸流量、溫度等工藝參數(shù)信號及報警信號。通訊線金屬管路單通道半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備雙通道半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備三通道半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備資料：IPO公告，中郵證券研究所20半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備：內(nèi)部結(jié)構(gòu)、設(shè)計難點技術(shù)方向：設(shè)計及調(diào)試難點：系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的定制化設(shè)計、系統(tǒng)流場與溫度場的設(shè)計、粉塵控制設(shè)計、耐腐蝕材材質(zhì)的設(shè)計選型、控制算法研發(fā)等。主要圍繞關(guān)鍵零部件換向閥燃燒式、等離子式、電加熱式等全類型發(fā)展進行技術(shù)攻關(guān)進氣組件反應(yīng)腔水洗系統(tǒng)除濕模塊熱交換器控制軟件半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備體積小、設(shè)備集成度高，因此在設(shè)計環(huán)節(jié)需要考慮設(shè)備系統(tǒng)的流場與溫度場的分布、系統(tǒng)熱量的平衡、反應(yīng)溫度的控制，同時還要考慮設(shè)備使用及維護的方便性、可操作性，合理設(shè)計反應(yīng)腔等核心零部件。為適應(yīng)較小的設(shè)備空間，部分零部件需要定制開發(fā)，以滿足使用需求。同時在較小的設(shè)備空間內(nèi)最大化粉塵捕獲率，需要對粉塵控制結(jié)構(gòu)進行特殊設(shè)計，以延長設(shè)備的維護周期

。DB100421資料：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備與工藝設(shè)備的連接示意圖工藝設(shè)備工藝腔廠務(wù)中央廢氣處理系統(tǒng)管路排放管路半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備真空管路真空泵半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備在半導(dǎo)體工藝制程中主要發(fā)揮的作用為處理工藝制程產(chǎn)生的工藝廢氣。半導(dǎo)體工藝制程中產(chǎn)生溫室效應(yīng)氣體（CF4等）、腐蝕性氣體（如HBr、Cl

等）、毒性氣體（如BCl

等）、易燃易爆氣體（如SiH

、

H

等）等工藝廢氣，直接排放到環(huán)境中將產(chǎn)生環(huán)境污2342染并影響制造產(chǎn)線的穩(wěn)定性，因此，晶圓制造產(chǎn)線引入專用廢氣處理設(shè)備并與工藝設(shè)備相連的排氣系統(tǒng)連接，處理半導(dǎo)體制程產(chǎn)生的工藝廢氣，從而降低制造產(chǎn)線的運行風(fēng)險。半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備通過真空泵與工藝設(shè)備的工藝腔相連接。半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝腔通過密封的真空管路與真空泵的進氣口進行連接，真空泵的出氣口通過密封的排放管路與半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備的進氣口相連，半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備的排氣口與廠務(wù)中央處理系統(tǒng)的管路進行連接。通訊方面，半導(dǎo)體其他工藝設(shè)備可通過一定形式的信號線纜與半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備的控制信號模塊進行信號交互。22資料：IPO公告，中郵證券研究所晶圓傳片設(shè)備：內(nèi)部結(jié)構(gòu)、設(shè)計難點技術(shù)方向：基于現(xiàn)有軟件、算法和核心部件為基礎(chǔ)，進行平臺化開發(fā)晶圓傳片設(shè)備主要技術(shù)難點在于晶圓傳送技術(shù)及潔凈空間設(shè)計。晶圓傳送方式之一微晶背接觸傳送技術(shù)長期由國外公司掌握，該技術(shù)難點在于確保機械手指與晶圓接觸面積小于3平方毫米情況下，摩擦力需達到與傳統(tǒng)真空方式相比相同甚至更高，控制算法的主要難點在于算法需要適應(yīng)微晶背接觸技術(shù)，使機械手在運動過程中平穩(wěn)的運行，保證晶圓在傳輸過程中不會因振動等因素產(chǎn)生滑動，通過對晶圓運行軌跡的優(yōu)化，可以達到降低運行過程中的最大加速度，控制晶圓需要的摩擦力處于最低水平。機械手在復(fù)合運動中需要根據(jù)規(guī)劃的軌跡，通過運動正反解算法以及反饋的誤差來進行多軸的同步協(xié)調(diào)追蹤控制。AAR-300

WaferSorter

G323資料：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所晶圓傳片設(shè)備運行示意圖天車半導(dǎo)體存儲設(shè)備晶圓盒G3四端口晶圓傳片設(shè)備G3兩端口晶圓傳片設(shè)備G2四端口晶圓傳片嵌入式晶圓傳片設(shè)備晶圓載物臺設(shè)備晶圓制造對環(huán)境潔凈度有極高要求，晶圓傳片設(shè)備在晶圓制造過程中發(fā)揮的主要作用為實現(xiàn)晶圓下線、傳片、翻片、倒片、出廠過程全自動化運行，其可以顯著提升晶圓制造的效率和良率。晶圓傳片設(shè)備為獨立運行的主設(shè)備，不直接與工藝設(shè)備相連接，公司部分晶圓傳片設(shè)備與晶圓裝載港（Stocker）對接。公司嵌入式晶圓傳輸設(shè)備需要和晶圓裝載港連接，通過通訊方式和晶圓裝載港的機械手進行交互，完成晶圓盒的裝卸。工廠自動化系統(tǒng)通過調(diào)度天車將載有晶圓的晶圓盒放在晶圓傳片設(shè)備的晶圓載物臺上，晶圓載物臺通過開盒裝置將晶圓盒打開，并將晶圓盒與晶圓傳片設(shè)備的潔凈空間連通，晶圓傳片設(shè)備根據(jù)任務(wù)實施傳片、缺口和圓心對準、讀取ID、

翻片等組合動作，任務(wù)結(jié)束后晶圓載物臺會掃描晶圓位置并關(guān)閉晶圓盒，工廠自動化系統(tǒng)會調(diào)度天車將晶圓盒取走到下一工藝流程。24資料：IPO公告，中郵證券研究所不斷打磨技術(shù)高筑技術(shù)壁壘?

結(jié)合市場最新需求和行業(yè)的技術(shù)變更，公司持續(xù)進行研發(fā)工作。公司產(chǎn)品在逐漸被客戶接受后，隨著下游客戶驗證過程中的持續(xù)反饋，經(jīng)驗和技術(shù)隨之不斷積累和提升。?

與國際大廠主要競品對比，公司半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備與主流競品在核心技術(shù)指標方面不存在重大差異，溫控范圍、溫控精度、冷卻能力等產(chǎn)品關(guān)鍵性能參數(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平。圖表15：公司半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備主要技術(shù)突破和產(chǎn)品改進情況技術(shù)指標設(shè)備型號通道數(shù)量含義2021年前水平Y(jié)系列2021年-2022年突破和改進情況--B、V、T系列C系列-1、21、2、31、2、3通道數(shù)量增加半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備能夠為工藝制程提供的溫度區(qū)間溫控范圍溫控精度-20℃~+90℃-20℃~+120℃-70℃~40℃指標表現(xiàn)顯著提升半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備穩(wěn)定在工藝制程指定溫度的上下波動范圍±0.05℃~±0.2℃

±0.05℃~±0.2℃

±0.05℃~±0.2℃

持續(xù)優(yōu)化12kW@-20℃6kW@-10℃12kW@-20℃5kW@-40℃半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備能夠帶走工

3kW@-10℃10kW@-40℃8.5kW@-60℃2.5kw@-70℃冷卻能力指標表現(xiàn)顯著提升指標表現(xiàn)顯著提升藝制程產(chǎn)生的熱量的大小4.5kW@-20℃產(chǎn)品在規(guī)定的工作環(huán)境條件下開始工作到出現(xiàn)第一個故障的時間

≥6000h的平均值MTBF≥8000h≥8000h產(chǎn)品由故障狀態(tài)轉(zhuǎn)為工作狀態(tài)時修理時間的平均值MTTR≤2h≤2h≤2h持續(xù)優(yōu)化某時間段內(nèi)產(chǎn)品正常工作的時長占比UpTime≥98%≥99%≥99%指標表現(xiàn)顯著提升資料：IPO公告，中郵證券研究所25不斷打磨技術(shù)高筑技術(shù)壁壘?

與國際大廠主要競品對比，公司半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備與主流競品在核心技術(shù)指標方面不存在重大差異，廢氣處理效率、廢氣處理量等產(chǎn)品關(guān)鍵性能參數(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先，國際先進水平。圖表16：公司半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備主要技術(shù)突破和產(chǎn)品改進情況技術(shù)指標含義2021年前水平DB系列2021年-2022年DB系列突破和改進情況設(shè)備型號--指工藝廢氣經(jīng)過半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備后工藝廢氣破壞去除效率廢氣處理效率廢氣處理量MTBF>99%>99%持續(xù)優(yōu)化指半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備能夠處理的工藝廢氣的最大流量Upto

1600slm≥4000

小時Upto

1600slm≥6000

小時持續(xù)優(yōu)化指產(chǎn)品在規(guī)定的工作環(huán)境條件下開始工作到出現(xiàn)第一個故障的時間的平均值指標表現(xiàn)顯著提升指為了保證設(shè)備正常運作而進行檢查和排除故障工作的頻率維護周期UpTimeMTTR>15

天>30

天≥99%指標表現(xiàn)顯著提升指標表現(xiàn)顯著提升持續(xù)優(yōu)化指某時間段內(nèi)產(chǎn)品正常工作的時長占比≥98%-99%≤2

小時產(chǎn)品由故障狀態(tài)轉(zhuǎn)為工作狀態(tài)時修理時間的平均值≤2

小時資料：IPO公告，中郵證券研究所26市占率穩(wěn)步提升圖表17：2018-2022中國半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備競爭格局圖表18：2018-2022中國半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備競爭格局100%100%6.25%3.46%5.40%5.66%7.62%9.77%9.56%9.53%9.98%3.65%10.62%9.72%13.01%

12.18%13.18%3.44%3.35%3.19%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%3.37%7.48%3.51%8.00%8.71%9.06%5.21%6.95%4.65%5.66%7.89%10.09%9.67%4.42%6.67%7.84%11.74%

10.44%13.78%

12.19%14.12%

16.73%10.15%10.13%7.08%13.61%11.22%13.63%11.88%

13.65%

12.39%19.29%21.65%19.51%14.20%19.42%15.20%20.17%19.16%24.37%18.60%16.66%18.63%17.00%18.14%19.33%20.01%

18.84%20.10%18.71%35.73%19.36%20.43%26.96%22.05%19.63%15.74%

15.57%13.66%12.50%4.73%3.12%201820192020202120222018年

2019年

2020年

2021年

2022年京儀裝備日本荏原CSK公司戴思公司GST公司CS公司愛德華公司德國普旭其他京儀裝備

ATS公司SMC公司

GST公司伸和控制

友尼森其他注：市場份額為收入口徑，ATS公司指Advanced

ThermalSciences

Corporation；SMC公司指SMC株式會社；GST

公司指GlobalStandarardTechnologyCo.,Ltd；伸和控制指Shinwa

Controls

Co.,Ltd；友尼森指Unisem

Co.,Ltd；戴思公司指DAS

EnvironmentalExpert

GmbH；愛德華公司指Edwardslimited；日本荏原指EbaraCorporation；德國普旭指BuschVacuumSolutions；CSK公司指CSKInc.；CS

公司指CSCleanSolutions。資料：QY

Research，IPO公告，中郵證券研究所27三先進制程擴產(chǎn)帶來更多設(shè)備投資，半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理/晶圓傳片設(shè)備仍有較大市占率提升空間28募投項目：擴充設(shè)備產(chǎn)能、提升研發(fā)能力募投項目布局主要包括技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化車間、研發(fā)測試中心、創(chuàng)新中心、研發(fā)辦公樓、動力間及其他配套設(shè)施等。本項目建成后，公司安徽制造基地可實現(xiàn)半導(dǎo)體專用溫度控制設(shè)備、半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備生產(chǎn)能力的大幅提升，并同步新增研發(fā)中心及研發(fā)辦公樓，全面提升公司半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、制造和服務(wù)能力。集成電路制造專用高精密控制裝備研發(fā)生產(chǎn)（安徽）基地項目項目預(yù)計總投資：50,600.00

萬元建設(shè)期建設(shè)期

24個月到

30個月補充流動資金滿足公司當前業(yè)務(wù)經(jīng)營及未來發(fā)展目標的資金需求、優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)。40,000.00

萬元?

公司專注于半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備，半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備和晶圓傳片設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。經(jīng)過多年的技術(shù)積累，公司已經(jīng)成功掌握多項核心技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)先進制程半導(dǎo)體制造產(chǎn)線。?

經(jīng)過多年技術(shù)開發(fā)，根據(jù)客戶的不同需求，公司各類產(chǎn)品分別形成了不同側(cè)重點的技術(shù)研發(fā)方向。其中半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備技術(shù)方向為多通道、大負載和全溫域覆蓋；半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備主要圍繞燃燒式、等離子式、電加熱式等全類型發(fā)展進行技術(shù)攻關(guān)；晶圓傳片設(shè)備基于現(xiàn)有軟件、算法和核心部件為基礎(chǔ)，進行平臺化開發(fā)，全面助力公司科技創(chuàng)新能力實現(xiàn)新突破。未來，公司將繼續(xù)專注關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，同時推進基礎(chǔ)理論研究并配套建立健全各類半導(dǎo)體設(shè)備測試、驗證平臺及數(shù)字軟件測試系統(tǒng)，提升半導(dǎo)體專用設(shè)備安全及性能測試水平，縮短設(shè)備研發(fā)及客戶驗證周期，以及加碼實現(xiàn)關(guān)鍵零部件開發(fā)。資料：公司招股說明書，中郵證券研究所29半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備：公司國內(nèi)市占第一2022年中國半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備各工藝環(huán)節(jié)市場規(guī)模占比刻蝕涂膠顯影離子注入擴散61.04%2023E10.15%2.79%2.71%中國市場規(guī)模2021年晶圓制造環(huán)節(jié)8.78億元半導(dǎo)體設(shè)備投資占比沉積18.08%3.47%1.76%0.62%CMP其他22%0%其他20%沉積40%離子注入60%涂膠顯影80%CMP擴散刻蝕2022年中國半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備各工藝環(huán)節(jié)應(yīng)用數(shù)量占比11%Chiller刻蝕60.28%22%涂膠顯影離子注入擴散11.01%2.81%2.71%20%沉積17.93%3.46%1.80%CMP其他EFEM及晶圓傳片設(shè)備溫控設(shè)備工藝廢氣處理設(shè)備去膠設(shè)備其他0%其他20%沉積40%離子注入60%涂膠顯影80%CMP擴散刻蝕離子注入設(shè)備熱處理設(shè)備2022年中國半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備市場競爭格局化學(xué)機械拋光設(shè)備涂膠顯影設(shè)備清洗設(shè)備檢測設(shè)備光刻機35.73%18.60%10.13%10.15%2025E9.06%中國市場規(guī)模10.45億元薄膜沉積設(shè)備刻蝕設(shè)備8.71%30資料：SEMI，Gartner，QY

Research，IPO公告，中郵證券研究所半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備：公司市占仍有提升空間2022年中國半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備各工藝環(huán)節(jié)市場規(guī)模占比等離子刻蝕薄膜沉積外延離子注入其他29.83%40.33%2023E中國市場規(guī)模2021年晶圓制造環(huán)節(jié)半導(dǎo)體設(shè)備投資占比12.84%8.67%8.33%23.70億元1%0%其他10%20%30%40%50%22%離子注入外延薄膜沉積等離子刻蝕2022年中國半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備各工藝環(huán)節(jié)應(yīng)用數(shù)量占比等離子刻蝕薄膜沉積外延離子注入其他28.69%37.68%11%

Local

Scrubber22%13.90%9.76%9.97%20%其他0%其他10%20%30%40%50%EFEM及晶圓傳片設(shè)備溫控設(shè)備工藝廢氣處理設(shè)備去膠設(shè)備離子注入設(shè)備熱處理設(shè)備化學(xué)機械拋光設(shè)備涂膠顯影設(shè)備清洗設(shè)備檢測設(shè)備光刻機薄膜沉積設(shè)備刻蝕設(shè)備離子注入外延薄膜沉積等離子刻蝕2022年中國半導(dǎo)體專用工藝廢氣處理設(shè)備市場競爭格局15.57%18.14%17.00%16.73%12.19%8.00%3.51%2025E中國市場規(guī)模27.56億元3.19%31資料：SEMI，Gartner，QY

Research，IPO公告，中郵證券研究所EFEM及晶圓傳片設(shè)備：公司市占仍有較大提升空間2023E中國市場規(guī)模1.75億美元2021年晶圓制造環(huán)節(jié)半導(dǎo)體設(shè)備投資占比全球CR3≈60%0.67%EFEM市場份額約75%22%11%22%20%EFEM&Sorter其他EFEM及晶圓傳片設(shè)備溫控設(shè)備工藝廢氣處理設(shè)備去膠設(shè)備離子注入設(shè)備熱處理設(shè)備Sorter市場份額約25%化學(xué)機械拋光設(shè)備涂膠顯影設(shè)備清洗設(shè)備檢測設(shè)備光刻機2028E中國市場規(guī)模3.33億美元薄膜沉積設(shè)備刻蝕設(shè)備32資料：SEMI，Gartner，QY

Research，IPO公告，中郵證券研究所海外出口限制層層加碼，推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程圖表19：近期全球主要國家半導(dǎo)體政策梳理國家時間事件具體條例對目的地為中國的半導(dǎo)體制造“設(shè)施”（semiconductor

fabrication“facility”）且能制造符合特定標準的集成電路之物項，增加新的許可證要求。由中國實體所有的設(shè)施將面臨“推定拒絕”政策，而跨國公司所有的設(shè)施將基于逐案審查政策決定。相關(guān)閾值如下:非平面晶體管結(jié)構(gòu)16nm或14nm或以下（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片;半間距18nm或以下的DRAM存儲芯片;128層或已上的NAND閃存芯片。美國BIS對其出口2022/10/7

這些更新將政策進行一系列有針對性的更新，獲得先進計算芯片、開發(fā)和維護超級計算機以及制造先進半導(dǎo)體的能力。限制美國人員在沒有許可證的情況下支持位于中國的某些半導(dǎo)體制造“設(shè)施”（semiconductorfabrication“facilities”）集成電路開發(fā)或生產(chǎn)的能力。美國當?shù)貢r間12月15日，美國BIS發(fā)布公告，將36家中國科技公司列入“實體清單”，包括先進存儲芯片公司長江存儲及其日本子公司、2022/12/152023/10/17上海微電子、寒武紀等。物項層面

–調(diào)整并新增受管控半導(dǎo)體制造設(shè)備。新增3B001.a.4：被設(shè)計用于硅、碳摻雜硅、硅鍺或碳摻雜硅鍺外延生長的美國BIS將13家中國企業(yè)列為實體清單的同時，發(fā)布了《先進計算芯片更新規(guī)則》及

《半導(dǎo)體制造物項更新規(guī)則》。這兩份規(guī)則是BIS針對其于2022年10月7日發(fā)布的符合特定條件的設(shè)備。新增3B001.f.1.b.2：新增物項與荷蘭、日本規(guī)則部分一致，需注意f.1.b.2.b的參數(shù)與荷蘭、日本規(guī)則均不同。

(荷蘭于2023.9.1生效的半導(dǎo)體出口規(guī)則包含了本次新規(guī)中f.1.b.2.a的參數(shù)（DCO

(最大專用卡盤覆蓋)

值小于或等于1.50nm），但未包含f.1.b.2.b的參數(shù)（DCO

(最大專用卡盤覆蓋)值大于1.50nm但小于或等于2.4nm）。本次新規(guī)新增的f.1.b.2.b中的參出口規(guī)則（以下簡稱“1007規(guī)則”）的修訂，在1007規(guī)則的基礎(chǔ)上全面升級了對華半導(dǎo)體行業(yè)的出口規(guī)則。數(shù)剛好能夠覆蓋了此前未受到荷蘭出口管控的NXT1980Di光刻機。2023/3/31

日本政府宣布修改《外匯及對外貿(mào)易法》，計劃擴大半導(dǎo)體制造設(shè)備出口

范圍，涉及6大類23種設(shè)備。日本政府出臺半導(dǎo)體制造設(shè)備出口措施，包括光刻、

此次生效的日本半導(dǎo)體制造設(shè)備出口措施涉及23個品類產(chǎn)品，其中包括日本2023/5/23

刻蝕、熱處理、清洗、檢測等6大類23種半導(dǎo)體制造設(shè)備

極紫外線（EUV）相關(guān)產(chǎn)品的制造設(shè)備和使存儲元件立體堆疊的蝕刻設(shè)備等，（或物項），主要針對高端半導(dǎo)體制造設(shè)備。在14納米及以下制程的高端先進制程工藝的上游領(lǐng)域的進口受到一定限制。2023/7/23

7月23日，日本政府出臺的半導(dǎo)體制造設(shè)備出口措施正式生效。33資料：美國駐華大使館和領(lǐng)事館官網(wǎng)，環(huán)球網(wǎng)，芯師爺，證券日報網(wǎng)，財聯(lián)社，澎湃網(wǎng)，中郵證券研究所海外出口限制層層加碼，推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程圖表19：近期全球主要國家半導(dǎo)體政策梳理（接上表）國家荷蘭資料時間事件具體條例荷蘭政府以“國家安全”為由，宣布將對包括“最先進的”深紫外光刻機（DUV）在內(nèi)的特定半導(dǎo)體制造設(shè)備實施新的出口蘭方面已將光刻機出口。意味著荷2023/3/8的范圍，由極紫外光刻機（EUV）擴大到了DUV。從限制政策來看，主要受影響的荷蘭企業(yè)為ASML和ASMInternational。根據(jù)荷蘭公布的出口的新規(guī)來看，此次限制材料、設(shè)備及技術(shù)具體如下：1、3B001.l

：EUV

pellicle，即EUV光罩保護膜；2、3B001.m：EUV

pellicle生產(chǎn)設(shè)備；3、3B001.f.4：光刻設(shè)備，如下所示：使用光電或X射線方法對準和曝光芯片的直接步進式芯片或掃描儀設(shè)備，具有以下任一項或兩項：①.光源的波長短于193nm（這里指EUV光刻機）；②.光源的波長等于或大于193nm：a.能夠產(chǎn)生具有45nm或更小的最小可分辨特征尺寸（MRF）的圖案；和當?shù)貢r間6月30日，荷蘭

b.小于或等于1.50nm的最大專用卡盤覆蓋（DCO，是通過相同的光刻系統(tǒng)在芯片上曝光的現(xiàn)有圖案上對準新圖案政府正式頒布了有關(guān)先進

的準確度）值。根據(jù)ASML公布的數(shù)據(jù)顯示，ASML的NXT1980系列依然可以不受出口限制影響。半導(dǎo)體設(shè)備的額外出口

4、3B001.d.12：用于金屬剝離的原子層沉積（ALD）設(shè)備的新條例，主要針對的

①.具有以下所有特征：a.一種以上的金屬源，其中一種已被開發(fā)用于鋁（AI）前體；和2023/6/30

對象為先進的芯片制造技

b.原材料容器設(shè)計用于45°C以上的溫度；術(shù)，包括先進的沉積設(shè)備

②.設(shè)計用于沉積具有以下所有特征的“臺階式”金屬：和浸潤式光刻系統(tǒng)。該措

a.沉積碳化鈦鋁（TiAlC）；和b.高于4.0eV的“特定功函數(shù)的金屬”的可能性。施將于2023年9月1日正

5、3B001.a.4：設(shè)計用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜SiGe外延生長的設(shè)備。式生效。具有以下所有特征：a.在工藝步驟之間維持用于高真空（小于或等于0.01Pa）或惰性氣體（水和氧分壓小于0.01Pa）的多個腔室和裝置；b.至少一個預(yù)處理室，所述預(yù)處理室設(shè)計用于表面制備以清潔晶片的表面；和c.外延沉積工作溫度685°C或以下。6、3B0001.d.19：設(shè)計用于在介電常數(shù)低于3.3的金屬線之間的深度與高度之比（AR）等于或大于1:1的小于25nm寬的空間中沉積由無空穴等離子體增強的Low

K電介質(zhì)的設(shè)備。7、3D007：專為開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d.19中規(guī)定的設(shè)備而設(shè)計的軟件。8、3E005：開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d.19中規(guī)定的設(shè)備所需的技術(shù)。2023年9月1日，荷蘭政府此前于6月底頒布的有關(guān)先進半導(dǎo)體設(shè)備的額外出口的新條例正式生效。據(jù)報道，ASML發(fā)言人于當?shù)?023/9/1

時間周四表示，盡管出口限制從9月開始生效，但該公司現(xiàn)有的許可證仍能夠允許其在2023年底前繼續(xù)將NXT:2000i和更先進的DUV光刻機運送到中國。自

2024年1月1日起，ASML不太可能獲得向中國國內(nèi)客戶運送這些系統(tǒng)的出口許可證。ASML在官網(wǎng)發(fā)布聲明稱，其NXT:2050i及NXT:2100i光刻系統(tǒng)的出口許可證已被荷蘭政府部分撤銷，影響了中國大陸的一小部分客戶。ASML還稱，公司在最近與美國政府的討論中，獲得了美國出口2024/1/2規(guī)定范圍和影響的進一步厘清。34：芯智訊，觀察者網(wǎng)，財聯(lián)社，中郵證券研究所設(shè)備：光刻機進口數(shù)據(jù)概覽圖表20：2023年中國光刻機進口情況（商品編碼84862031、84862039）?

根據(jù)海關(guān)總署進出口稅則商品及品目注釋，5中

國

海

關(guān)

HS

編

碼

為單位：億美元；千萬美元/臺4.944單位：臺

50制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機4.143“

84862031”

和“84862039”，商品名稱為“制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步

重

復(fù)

光

刻

機

”

和“其他投影繪制電路圖的制半導(dǎo)體件或IC的裝置”這兩類為制造半導(dǎo)體器件或集成電路用的機器及裝置中的光刻設(shè)備。4321040(84862031):進口金額:當月值（億美元）32302010029制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機2522221.3211.3181.2(84862031):進口均價:當月值（千萬美元/臺）14140.50.8121.110.60.96

0.5

0.50.390.40.30.61

0.600.56制半導(dǎo)體器件或集成電路用的分步重復(fù)光刻機0.330.340.370.240.180.13(84862031):進口數(shù)量:當月值（臺）15105單位：億美元；千萬美元/臺13.8單位：臺

120其他投影繪制電路圖的制半導(dǎo)體件或IC的裝置1106.112.096?

原本荷蘭在2023年6月份宣布了最新禁令將于2023年9月起實施，不少企業(yè)在禁令正式實施之前進口光刻機以滿足產(chǎn)能需求。85(84862039):進口金額:當月值（億美元）595270658.242666347607.67.251其他投影繪制電路圖的制半導(dǎo)體件或IC的裝置4.8203.6(84862039):進口均價:當月值（千萬美元/臺）2.91.81.51.52.331.94

1.821.501.38其他投影繪制電路圖的制半導(dǎo)體件或IC的裝置0.61

0.55

0.570.31

0.29

0.30

0.230-30(84862039):進口數(shù)量:當月值（臺）35資料：iFind，中國海關(guān)總署，愛集微，中郵證券研究所設(shè)備：全球半導(dǎo)體設(shè)備有望24年開啟新一輪增長?

從半導(dǎo)體設(shè)備銷售額看，由于半導(dǎo)體市場需求疲軟與庫存調(diào)整，2023年產(chǎn)能擴張放緩，2024年的增長將由前沿邏輯和代工、包括生成式人工智能和高性能計算（HPC）在內(nèi)的應(yīng)用的產(chǎn)能增長以及芯片終端需求的復(fù)蘇推動。由于memory產(chǎn)能增加有限和成熟產(chǎn)能擴張暫停，SEMI預(yù)計2024年晶圓廠設(shè)備領(lǐng)域的銷售額將比2023年增長3%；隨著新的晶圓廠項目、產(chǎn)能擴張和技術(shù)遷移將投資提高到近1100億美元，預(yù)計2025年將進一步增長18%。?

從半導(dǎo)體設(shè)備銷售應(yīng)用來看，1）Foundry/logic：根據(jù)SEMI，F(xiàn)oundry/logic設(shè)備銷售額占晶圓廠設(shè)備總收入的一半以上，盡管終端市場疲軟，但預(yù)計2023年同比增長6%至563億美元，2024年隨著成熟技術(shù)擴張放緩和前沿技術(shù)支出的提高或?qū)⑹湛s2%。由于產(chǎn)能擴張采購增加和新設(shè)備架構(gòu)的引入，foundry/logic設(shè)備投資預(yù)計在2025年將增長15%，達到633億美元。2）memory：memory相關(guān)的資本支出預(yù)期在2023年出現(xiàn)最大降幅，2024年開啟增長，其中NAND設(shè)備銷售額預(yù)計在2023年將下降49%至88億美元，2024年將激增21%至107億美元，2025年將再增長51%至162億美元。DRAM設(shè)備銷售額預(yù)計將保持穩(wěn)定，2023/2024年分別增長1%/3%。在不斷的技術(shù)遷移和對高帶寬存儲器（HBM）不斷擴大的需求的支持下，DRAM設(shè)備部門的銷售額預(yù)計將在2025年再增長20%至155億美元。圖表21：按設(shè)備類型分類半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（十億美元）圖表22：按應(yīng)用分類半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（十億美元）120109.7614090Other5.958.4294.1093.1690.591008060402005.787.524.957.203.996.32Assembly&Packaging15.516.2DRAM12.417.3EquipmentTestEquipment12.910.712.58.8NAND109.7694.1093.1690.5940WaferFabEquipment63.3Foundry/Logic56.355.253.1WaferFabEquipment36-1020222023F2024F2025F20222023F

2024F

2025F資料：SEMI，中郵證券研究所設(shè)備：中國繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)擴張?

美國加州時間2024年1月2日，

SEMI在其最新的季度《世界晶圓廠預(yù)測報告》World

Fab

Forecast中宣布，全球半導(dǎo)體每月晶圓（WPM）產(chǎn)能在2023年增長5.5%至2960萬片后，預(yù)計2024年將增長6.4%至3160萬片（以200mm當量計算）。從2022年至2024年，全球半導(dǎo)體行業(yè)計劃開始運營82個新的晶圓廠，其中包括2023年的11個項目和2024年的42個項目，晶圓尺寸從300mm到100mm不等。?

在政府資金和其他激勵措施的推動下，SEMI預(yù)計中國大陸將增加其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)能中的份額。預(yù)計中國大陸芯片制造商將在2024年開始運營18個項目，2023年產(chǎn)能同比增長12%，達到每月760萬片晶圓，2024年產(chǎn)能同比增加13%，達到每月860萬片晶圓。?

中國臺灣預(yù)計仍將是半導(dǎo)體產(chǎn)能第二大地區(qū)，2023年產(chǎn)能將增長5.6%至每月540萬片晶圓，2024年增長4.2%至每月570萬片晶圓，該地區(qū)準備在2024年開始運營五家晶圓廠。圖表23：2023、2024E各地區(qū)晶圓產(chǎn)能規(guī)劃圖表24：全球新運營晶圓廠數(shù)量（個）單位：萬片/月（折合8吋）20237605404904602922611632024E860570510470310270170Yo

Y13.0%4.2%5.4%2.0%6.0%3.6%4.0%50403020100中國大陸中國臺灣韓國日本42美洲29歐洲和中東地區(qū)東南亞11合計296031606.4%202220232024F注：2023年美洲/歐洲和中東地區(qū)/東南亞數(shù)據(jù)根據(jù)2024E計算所得，2023年合計數(shù)據(jù)和SEMI數(shù)據(jù)略有誤差，以SEMI數(shù)據(jù)為準SEMI,Q4

2023資料：SEMI，中郵證券研究所37設(shè)備：先進制程擴產(chǎn)帶來更高設(shè)備投資?

摩爾定律正接近物理極限使得晶體管微型化變得越來越困難，圖表25：每5萬片晶圓產(chǎn)能的設(shè)備投資（億美元）全周圍柵極（GAA）技術(shù)為制程突破提供了可行解決方案。從各晶圓廠技術(shù)路徑規(guī)劃來看，2nm采用GAA成為業(yè)內(nèi)普215.0200遍選擇。從臺積電、三星、intel的規(guī)劃來看，2022-2023年進入3nm節(jié)點，預(yù)計2025年進入2nm商業(yè)化階段。155.6150?

當工藝節(jié)點向3nm方向升級時，普通光刻機受波長限制，114.2精度已無法滿足工藝需求。集成電路的制造需要采購更加昂

10084.5貴的極紫外光刻機（EUV），或者通過多重模板工藝，重復(fù)62.747.55039.5多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，需要投入更多且更先進的光刻機、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備。據(jù)IBS統(tǒng)計，以生產(chǎn)5萬片晶圓產(chǎn)能的設(shè)備投資為例，3nm技術(shù)節(jié)點需要215億美元設(shè)備投資，工藝制程不斷進步顯著提高設(shè)備投資。圖表26：先進制程技術(shù)規(guī)劃30.8225.0421.34020