中小規(guī)模數(shù)字集成電路測試設(shè)備校準規(guī)范

1中小規(guī)模數(shù)字集成電路測試設(shè)備校準規(guī)范本規(guī)范適用于測試時鐘頻率小于10MHz、沒有時間測量單元的中小規(guī)模數(shù)字集成電路測試設(shè)備校準。JJF1059—1999《測量不確定度評定與表示中小規(guī)模數(shù)字集成電路測試設(shè)備測試對象是中小規(guī)模數(shù)字集成電路器件。具有簡單邏輯功能檢查和≤股直流參數(shù)測試能力。設(shè)備結(jié)構(gòu)相對大規(guī)模數(shù)字具成電路測試設(shè)備而言比較簡單，依界備時間參數(shù)測量能力。其主要結(jié)構(gòu)中器件電源、精密測量單元、驅(qū)動/比較單元及控制單元組成。其結(jié)構(gòu)示意圖如圖本規(guī)范通過分項參數(shù)校準和標準樣腎此附檢登對中小規(guī)模數(shù)字集成電路測試設(shè)備進行校準，以保證其量值溯源。4.1器件電源4.1.1器件電源電壓設(shè)置范圍：-40V~+40V4.1.2器件電源電流測量范圍：-500mA～+500mA4.2精密測量單元4.2.1PMU加壓測流范圍：-20V～+20V;-100mA～+100mA24.2.2PMU加流測壓范圍：-100mA～+104.3驅(qū)動單元4.3.1驅(qū)動電壓設(shè)置范圍：-20V～+20V4.4比較單元4.4.1比較單元電壓測量范圍：-20V～+20V5校準條件5.1環(huán)境條件5.1.1環(huán)境溫度：(20±3)℃5.1.2環(huán)境相對濕度：40%～75%5.1.3交流電源電壓：(220±11)V;(50±1)Hz5.2測量標準及其他設(shè)備5.2.1標準電壓源電壓范圍：±(10mV～50V)最大允許誤差：±0.05%5.2.2數(shù)字多用表電壓范圍：±(10mV～50V)電流范圍：±(50nA～500mA)最大允許誤差：±0.05%最大允許誤差：±0.05%5.2.3標準電阻器組范圍：12～100MΩ最大允許誤差：±(0.5~0.05)%5.2.4標準樣片組用于被校準設(shè)備邏輯功能正確性檢查特定芯片。5.2.5校準用適配板能方便地將標準設(shè)備連接到被校單元的適配板。通常使用測試用適配板。6校準項目及校準方法6.1設(shè)備工作正常性和器件邏輯測試功能性檢查6.1.1數(shù)字集成電路測試設(shè)備應(yīng)能正常工作，測試用適配板上插座連接緊密?？刂朴糜嬎銠C軟硬件工作正常。6.1.2測試設(shè)備在進行校準前，應(yīng)按說明書要求預(yù)熱，運行設(shè)備自帶的自校準軟件并結(jié)果正常。6.1.3用標準樣片組對測試設(shè)備進行器件邏輯測試功能性檢查。用戶按樣片的技術(shù)手冊規(guī)定的測試條件，編寫測試程序并對其進行邏輯功能的測試。將測試結(jié)果填入附錄A的“工作正常性及器件邏輯測試功能性檢查”項中。6.2器件電源(DPS)設(shè)置電壓參數(shù)校準6.2.1校準設(shè)備連接如圖2所示。6.2.2將被校設(shè)備的器件電源(DPS)與數(shù)字電壓表連接，數(shù)字電壓表設(shè)置為直流電壓方式，量程為自動。3數(shù)字集成電路測試設(shè)備數(shù)字集成電路測試設(shè)備測試用適配器數(shù)字電壓表PDPS26.2.3被校設(shè)備編制相關(guān)校準程序，DPS按規(guī)定量程及受校點(優(yōu)選受校點：±3.3V,±5V,±10V,±15V)設(shè)置電壓Vx,標準電壓表測量得到示值Vs,將Vx、Vs記錄于附錄A的表1中。6.2.4按公式(1)計算DPS設(shè)置電壓參數(shù)的誤差。將計算結(jié)果記錄于附錄A的表1Vs——數(shù)字電壓表示值；△Vgs——設(shè)置電壓誤差。6.2.5對于不同的受校點，重復(fù)6.2.3～6.2.4的校準步驟。6.2.6對于多個DPS單元，重復(fù)6.2.3～6.2.5的校準步驟。6.3器件電源(DPS)電流測量參數(shù)校準6.3.1校準設(shè)備連接如圖3所示。數(shù)字集成電路測試設(shè)備數(shù)字集成電路測試設(shè)備測試用適配器數(shù)字電壓表6.3.2將被校設(shè)備的DPS端與標準電阻器和數(shù)字電壓表相連接，數(shù)字電壓表設(shè)置為直流電壓測量方式，量程為自動。6.3.3被校設(shè)備編制相關(guān)校準程序，DPS為加電壓測電流(FVMI)模式，根據(jù)DPS測量電流的量程及受校點(優(yōu)選受校點：每量程的50%、90%滿載電流點，并包括正負極性)設(shè)置電壓輸出值，并選取適當(dāng)?shù)碾娮杵鳎脭?shù)字電壓表監(jiān)測DPS設(shè)置的電壓，將計算得到流經(jīng)電阻的電流值Is,與DPS測量電流的示值Ix,記錄于附錄A的4表2中。6.3.4按公式(2)計算DPS電流測量參數(shù)的誤差。將計算結(jié)果記錄于附錄A的表26.3.5對于不同的受校點，重復(fù)633~83的校準步驟。6.3.6對于多個DPS單元，重復(fù)633一6.35的校準少驟。6.4精密測量單元(PMU?加電壓測電流參數(shù)校準+地數(shù)字集成電路測試設(shè)備測試用適配器數(shù)字電壓表6.4.2將被校設(shè)備的PMU與標準電阻器和數(shù)字電壓表連接，數(shù)字電表設(shè)置為直流6.4.3被校設(shè)備道迅編制相關(guān)校準程序，設(shè)置PMD為FVMI模共一段置規(guī)定量程及受校點電壓Vx和電流(優(yōu)選受校息：±1.5V,.0V,±5每量程的50%、90%滿載電流點，并包播正負極性),選取適當(dāng)?shù)碾娢g器，用電足無側(cè)試設(shè)置電壓Vx,電壓表示值Vs;計算程到流經(jīng)電阻的電流值Is,PMU測華得到電流值Ix。將Vx,Vs,Ix,Is記錄于附錄A的表之中。6.4.4PMU施加電壓參數(shù)的誤差接公式將計算結(jié)果記錄于附錄A的表36.4.5PMU電流測量參數(shù)的誤差按公式(4)計算。將計算結(jié)果記錄于附錄A的表35教字電壓表數(shù)字集成電路測試教字電壓表數(shù)字集成電路測試△Im——電流測量誤差。6.4.6對于不同的受校點，重復(fù)6.4.3～6.4.5的校準步驟。6.4.7對于多個PMU單元，重復(fù)6.4.3～6.4.6的校準步驟。6.5精密測量單元(PMU)加電流測電壓參數(shù)校準6.5.1校準設(shè)備連接如圖5所示。用適配器用適配器地6.5.2將被校設(shè)備的PMU與標準電阻器和數(shù)字電壓表相連接，數(shù)字電壓表設(shè)置為直流電壓測量方式，量程為自動。6.5.3被感映備通過編制相關(guān)校準程序，設(shè)置PMU為FIMV模式設(shè)置規(guī)定量程及50%、90%滿截電流點并包括正負極性；±1.5±3.0V,±5l0V)選取適當(dāng)?shù)碾娮杵鳎脭?shù)學(xué)里壓表測試Vx得到示值Vs;計費到流經(jīng)電阻的電流值1,PMU測量得到電流值將Vx,Vs,Is,Ix記錄于附錄死的表4中。6.5.4PMU電流設(shè)置參數(shù)的誤差按公式(5)計算。將計算結(jié)果記錄于附錄A的表4Is——標準電流值；△Im——設(shè)置電流誤差。6.5.5PMU測量電壓參數(shù)的誤差按公式(6)計算。將計算結(jié)果記錄于附錄A的表4Vs——數(shù)字電壓表示值；△Vxv——測量電壓誤差。6.5.6對于不同的受校點，重復(fù)6.5.3～6.5.5的校準步驟。6標準直流電壓源數(shù)字集成電路測試設(shè)備測試用適配器6.5.7對于多個PMU標準直流電壓源數(shù)字集成電路測試設(shè)備測試用適配器6.6驅(qū)動單元電壓設(shè)置參數(shù)校準6.6.1校準設(shè)備連接如圖6所示。標準電阻器地數(shù)字集成電路測試設(shè)備測試用適配器數(shù)字電壓表圖6驅(qū)動單元電壓設(shè)置參數(shù)校準連接圖6.6.2將被校系統(tǒng)的驅(qū)動單元相應(yīng)通道與數(shù)字電壓表連接，數(shù)字電壓表設(shè)置為直流電壓方式，手動設(shè)置量程。6.6.3被校系統(tǒng)編制并運行相關(guān)校準程序，設(shè)置驅(qū)動單元被校電壓Vx(優(yōu)選受校點：TTL,CMOS,HC系列規(guī)定的電平),選取適當(dāng)?shù)臉藴孰娮杵?應(yīng)考慮被校系統(tǒng)驅(qū)動單元負載能力，以90%滿載電流點為優(yōu)選點負載),將數(shù)字電壓表的示值Vs和Vx記錄于附錄A的表5中。6.6.4驅(qū)動單元電壓設(shè)置參數(shù)的誤差按公式(7)計算。將計算結(jié)果記錄于附錄A的式中：Vx——驅(qū)動單元設(shè)置電壓值；Vs——數(shù)字電壓表示值；△V?——設(shè)置電壓誤差。6.6.5對于驅(qū)動單元不同量程的設(shè)置電壓點重復(fù)6.6.3～6.6.4的校準步驟。6.7比較單元電壓測量參數(shù)校準6.7.1校準設(shè)備連接如圖7所示。++地圖7比較單元電壓測量參數(shù)校準連接圖6.7.2將被校系統(tǒng)的比較單元相應(yīng)通道與標準直流電壓源相連接。6.7.3被校系統(tǒng)編制并運行相關(guān)校準程序，設(shè)置比較單元測量電壓Vx的量程及被校點(優(yōu)選受校點：TTL,CMOS,HC系列規(guī)定的電平),將標準直流電壓源的設(shè)置電壓Vs,比較單元測量電壓Vx,記錄于附錄A的表6中。6.7.4比較單元電壓設(shè)置參數(shù)的誤差按公式(8)計算。將計算結(jié)果記錄于附錄A的表6中。Vs——標準電壓源設(shè)置值；6.7.5對于不同的電壓測量點重復(fù)6.7.3～6.7.4的校準步驟。6.7.6對于多個比較單元，重復(fù)6.7.3～6.7.5的校準步驟。7校準結(jié)果的表述中小規(guī)模數(shù)字集成電路測試設(shè)備的校準結(jié)果用校準證書或校準報告表達，證書或報告至少應(yīng)有所校項目的校準不確定度的信息。詳細要求參照JJF1071—2000中6.11條中小規(guī)模數(shù)字集成電路測試設(shè)備的復(fù)校時間，用戶根據(jù)使用情況決定，建議復(fù)校時間間隔為1年，必要時可隨時送校。78中小規(guī)模數(shù)字集成電路測試設(shè)備校準證書內(nèi)頁格式二、器件電源(DPS)設(shè)置電壓參數(shù)校準表標準測量箱誤差最大允許誤差三、器件電源(DFS