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文檔簡介
放大狀態(tài)下BJT的工作原理
RcVccRbVbb集電區(qū)收集擴(kuò)散過來的電子。
因?yàn)榧娊Y(jié)反偏,收集擴(kuò)散到集電區(qū)邊緣的電子,形成電流ICN
。另外,集電結(jié)區(qū)的少子形成漂移電流ICBO。動畫演示放大狀態(tài)下BJT的工作原理從內(nèi)部看:從外部看:ICN與IBN之比稱為電流放大倍數(shù)
實(shí)驗(yàn)表明IC比IB大數(shù)十至數(shù)百倍,因而有:IB雖然很小,但對IC有控制作用,IC隨IB的改變而改變,即基極電流較小的變化可以引起集電極電流較大的變化,表明基極電流對集電極具有小量控制大量的作用,這就是三極管的電流放大作用。三極管屬于電流控制型器件??!動畫演示
綜上所述,三極管的放大作用,主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸,然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是:(1)內(nèi)部條件:發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度,且基區(qū)很薄。(2)外部條件:發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。三極管的特性(輸入特性、輸出特性)曲線描述各電極之間電壓,電流之間的關(guān)系,用于對三極管的性能、參數(shù)和三極管電路的分析估算。(以共射極接法為例)
輸入特性曲線:
描述了在管壓降vCE一定的情況下,基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降vBE之間的函數(shù)關(guān)系,即3.1.3BJT的V-I特性曲線=0VvCEvBE(V)①vCE=0V時,相當(dāng)于兩個PN結(jié)并聯(lián)。③
vCE≥1V再增加時,曲線右移很不明顯。
②
當(dāng)vCE=1V時,集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài),開始收集電子,所以基區(qū)復(fù)合減少,在同一vBE
電壓下,iB
減小。特性曲線將向右稍微移動一些。死區(qū)電壓硅0.5V鍺0.1V導(dǎo)通壓降硅0.7V鍺0.3V++++iC-vBE+-vCET+iB=1VCEv①當(dāng)vCE=0V時,因集電極無收集作用,iC=0。②
vCE↑→ic
↑
。
③當(dāng)vCE
>1V后,收集電子的能力足夠強(qiáng)。這時,發(fā)射到基區(qū)的電子都被集電極收集,形成iC。所以vCE再增加,iC基本保持不變。同理,可作出iB=其它值的曲線。
(2)
輸出特性曲線:描述基極電流iB為一常量時,集電極電流iC與管壓降vCE之間的函數(shù)關(guān)系?,F(xiàn)以iB=60uA一條加以說明。iCCE(V)(mA)=60uAIBv輸出特性動畫演示三極管工作的三個區(qū)域:放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。(1)當(dāng)IB一定時,iC幾乎不隨vCE變化,具有恒流特性;(2)iC隨iB變化線性變化,iC=βiB,
iC受iB控制。uCEiCIB=0uAIB=20uAIB=40uAIB=60uAIB=80uA0截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)工作條件:VBE>Von,VCE>VBE
放大區(qū):iC平行于vCE軸的區(qū)域,曲線基本平行等距,說明iC此時主要受iB控制,發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。三極管工作的三個區(qū)域:截止區(qū):發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。IB對IC無控制作用。IB=0,IC=ICEO
很小。ICEO=(1+β
)ICBO—受溫度影響大,故ICEO溫度系數(shù)大。uCEiCIB=0mAIB=20mAIB=40mAIB=60mAIB=80mA0截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)工作條件:VBE<Von,
vCE>vBE
截止區(qū):iC接近零的區(qū)域,相當(dāng)iB=0的曲線的下方。此時,vBE小于死區(qū)電壓。一般,發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反向偏置,保證可靠截止。三極管工作的三個區(qū)域:飽和區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。IC不隨IB變化,無放大作用,IB對IC控制作用消失。注:放大電路中三極管工作區(qū)域可通過三個電極的電位來判斷。uCEiCIB=0mAIB=20mAIB=40mAIB=60mAIB=80mA0截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)特點(diǎn):飽和區(qū):iC明顯受vCE控制的區(qū)域,該區(qū)域內(nèi),一般vCE<0.7V(硅管),i
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