電子顯微技術試題

電子顯微技術一、名詞解釋數(shù)值孔徑景深與焦長齊焦像差色差電子探針二、選擇題適于觀看細胞簡單網(wǎng)絡如內(nèi)質(zhì)網(wǎng)膜系統(tǒng)、細胞骨架系統(tǒng)的三維構(gòu)造的顯微鏡是( )A．一般光學顯微鏡 B．熒光顯微鏡C．相襯顯微鏡 D．激光掃描共聚焦顯微鏡下面對透射電鏡描述不正確的選項是( A．利用泛光式電子束和透射電子成像B．觀看細胞內(nèi)部超微構(gòu)造C．進展最早,性能最完善D．景深長、圖像立體感強電子散射少、對樣品損傷小、可用于觀看活細胞的電子顯微鏡是( )A．一般透射電鏡 B．一般掃描電鏡C．超高壓電鏡 D．掃描隧道顯微鏡物象在低倍鏡下清楚可見，換高倍鏡后看不見了這是由于( )A．玻片放反了 B．高倍物鏡故障C．物象不在視野正中心 D．焦距沒調(diào)好用于透射電鏡的超薄切片厚度通常為( )A．50nm～100nmB．0.2μmC．10μmD．2nm關于掃描隧道顯微鏡(STM)，以下表達錯誤的選項是( )A．STM是IBM蘇黎世試驗室的Binnig等人在1981年制造的B．可直接觀看到DNA、RNA和蛋白等生物大分子C．僅可在真空條件下工作D．依靠一極細的金屬針尖在標本外表掃描來探測標本的形貌下面哪一種措施與提高顯微鏡區(qū)分力量無關( A．使用放大倍率較高的目鏡B．使用折射率高的介質(zhì)C．擴大物鏡直徑透射電鏡的反差取決于樣品對( )的散射力量A．二次電子 B．入射電子C．樣品質(zhì)量厚度 D．樣品性質(zhì)僅僅反映固體樣品外表形貌信息的物理信號是( A．背散射電子 B．二次電子C．吸取電子 D．透射電子透射電鏡所具有的特征有( )A．區(qū)分率高 C．成像立體感強 D．標本須超薄電子槍產(chǎn)生的電子是( )A．入射電子 B．俄歇電子C．彈性散射電子 D．二次電子電鏡標本制備時常用的固定劑有( A．鋨酸 B．戊二醛C．丙酮 D．過碘酸下面屬于超高壓電子顯微鏡的優(yōu)點的是( )A．可用于觀看厚切片 B．可以提高區(qū)分率C．可提高圖像質(zhì)量 D．削減輻射損傷范圍二次電子檢測系統(tǒng)不包括( )A．收集體 B．顯像管C．閃耀體 D．光電倍增管掃描電鏡的反差是由( )打算的A．吸取電子產(chǎn)率 B．反射電子產(chǎn)率C．二次電子產(chǎn)率 D．特征X射線產(chǎn)率三、推斷題1938年，俄國工程師MaxKnollErnstRuska制造出了世界上第一臺透射電子顯微鏡(TEM)。1952CharlesOatley制造出了第一臺掃描電子顯微鏡(SEM)。電鏡放射自顯影技術是電鏡技術與放射自顯影技術相結(jié)合，觀看放射性物質(zhì)在超微構(gòu)造水平上的定位和變化，從而了解細胞的各種代謝活動，是一種動態(tài)的爭論方法。SEM常規(guī)制樣技術使樣品外表特征充分暴露而變形，不適合于爭論生物樣品的外表特征。球差是由于電磁透鏡的中心區(qū)域磁場和邊緣區(qū)域磁場對入射電子束的反射力量不同而產(chǎn)生的。3-6nm之間。電子放射功函數(shù)與所離開的晶體取向無關。供TEM10~20nm以內(nèi)。SEM不能利用透射電子成像，而只能利用背景散射電子成像。10.掃描隧道和原子力電子顯微鏡，是1986年諾貝爾物理學獎獲得者賓尼和羅雷爾相繼制造制造的。四、填空題透射電鏡的構(gòu)造主要由＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿＿＿等五局部組成。TEM依據(jù)加速電壓的大小可分為＿＿＿、＿＿＿和＿＿＿三種。掃描電鏡〔SEM〕利用＿＿＿轟擊樣品外表，引起＿＿＿等信號的放射，經(jīng)檢測裝置接收后成像的一類電鏡。電子透鏡分為＿＿＿和＿＿＿。電磁透鏡的像差包括＿＿＿、＿＿＿和＿＿＿。五、簡答題電鏡的根本類型有哪些？各有什么特點？電鏡由哪幾個主要局部組成？對成像質(zhì)量影響較大的部件有哪些？掃描電鏡與透射電鏡相比有