(高清版)GBT 40109-2021 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中硼深度剖析方法

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中硼深度剖析方法Methodfordepthprofilingofbor國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會I Ⅲ 1 1 1 25參考物質(zhì) 25.1用于校準(zhǔn)相對靈敏度因子的參考物質(zhì) 2 2 26.1二次離子質(zhì)譜儀 2 26.3光學(xué)干涉儀 2 2 28.1二次離子質(zhì)譜儀的調(diào)整 2 3 38.4檢測離子 38.5樣品檢測 38.6校準(zhǔn) 4 510測試報告 5附錄A(資料性)針式表面輪廓儀測試統(tǒng)計報告 6參考文獻(xiàn) 8Ⅲ本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定本文件使用翻譯法等同采用ISO17560:2014《表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中硼深度剖析方-—GB/T20176—2006表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃GB/T40109—2021/ISO17560:2本文件為使用二次離子質(zhì)譜(secondary-ionmassspectrometry,SIMS)對硅中硼定量深度剖析而硼濃度的測定方法，本文件中引用了該國際標(biāo)準(zhǔn)。國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T224612]中建立了表面化學(xué)分析領(lǐng)1ISO14237:2010表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度(Sur-facechemicalanalysis—Secondary-io2GB/T40109—2021/ISO17560:2SIMS二次離子質(zhì)譜(secondary-ionmassspectrometry)4原理5參考物質(zhì)按照ISO14237:2010第4章的規(guī)定選取參考物質(zhì)。儀器應(yīng)符合ISO14237:2010第5章的規(guī)定。7樣品8步驟3設(shè)定一次離子的類型正一次束掃描區(qū)域的中心設(shè)定一次離子的類型負(fù)一次束掃描區(qū)域的中心如果儀器具有靜電計檢測模式，推薦8Si+作為B+的參考離子，并用靜電計檢測。對于BSi-離子4GB/T40109—2021/ISO17560:2到硼的工作相對靈敏度因子RSFwork及質(zhì)量歧視校正因子δ。參考樣品和待測樣品最好是在同一天距離x(任意單位)。然后測量R線穿過的坑底部的條紋中心到R線的距離y(與x單位相同)。數(shù)出與R線在坑邊緣有交叉的總條紋數(shù)n。5 (1) (4) (5)C,=C1+C10 (6)9.3如必要，可通過公式(7)和公式(8),從離子強(qiáng)度比中減去硼的本底強(qiáng)度比。測試一個不摻硼的樣C1=RSFwork×(J!1—JG) (7) (8)9.4測試第i周期的深度d,應(yīng)通過公式(9)獲得。其中坑深d?,是通過8.6的步驟測量，基于濺射速 (9)b)按本文件規(guī)定使用的參考物質(zhì)(第5章);c)按本文件規(guī)定的參考物質(zhì)的同d)結(jié)果及其表達(dá)形式；e)分析過程中記錄的任何反常情況；6GB/T40109—2021/ISO17560:2(資料性)A.1介紹觸針式表面輪廓儀技術(shù)用于包括20個實(shí)驗室在內(nèi)的實(shí)驗室之間的比對實(shí)驗。測量的參考物質(zhì)上使用的測試樣品是一個商用深度標(biāo)準(zhǔn)片。樣品上三個槽的標(biāo)稱深度分別是2.33μm(等級1)、按GB/T6379.2的規(guī)定，分別對這些數(shù)據(jù)運(yùn)用科克倫檢驗法(Cochran'stest)、格魯布斯檢驗法15個(排除了一項異常值)。按GB/T6379.2的規(guī)定，每個實(shí)驗室提供的數(shù)據(jù)給出一個平均值，實(shí)驗室A.6統(tǒng)計分析結(jié)果7238GB/T40109—2021/ISO17560:2[1]GB/T6379.2測量方法與結(jié)果的準(zhǔn)確度第2部分：確定標(biāo)準(zhǔn)測量方法重復(fù)性與再現(xiàn)性的[2]GB/T22461表面化學(xué)分析詞匯(GB/T22461—2008,ISO18115:2001,IDT)[3]SEAH.M.P.:ChannelElectronMultipliers—Quantitativcy,Gain,LinearityandBiasEffects.J.El