SJ∕T 1833-2016 半導(dǎo)體分立器件 3DK103型NPN硅小功率開關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范

ICS31.080.30SemiconductordiscretDetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistor中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布ISJ/T1833—2016本規(guī)范代替SJ/T1833—1981。與SJ/T1833—1981相比，本規(guī)范主要技術(shù)變化如下：——本規(guī)范外形尺寸、測試方法、試驗方法引用相應(yīng)的現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)?！瓨?biāo)準(zhǔn)開關(guān)參數(shù)——原標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)參數(shù)ts(載流子貯存時間)和tr(下降時間)在本規(guī)范中合并為to(關(guān)斷時間),請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任。本規(guī)范由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本規(guī)范起草單位：石家莊大林石無二電子有限公司。本規(guī)范主要起草人：趙濱、宋鳳領(lǐng)、呂瑞芹。SJ/T1833—20161SJ/T1833—2016中華人民共和國工業(yè)和信息化部評定器件質(zhì)量的根據(jù)：GB/T4589.1—2006《半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范》GB/T12560—1999《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》半導(dǎo)體分立器件3DK103型NPN硅少功率開關(guān)督詳細(xì)規(guī)范1外形尺寸外形符合GB/T7581-1087《半導(dǎo)體分立器件外形尺寸》中A3-01B型的規(guī)定。0M1.發(fā)射極2.基極3.集電極2簡略說明開關(guān)用雙極型晶體管半導(dǎo)體材料：徒封裝：金屬封裝(空腔應(yīng)用：各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用。3質(zhì)量評定類別IⅡ類參考數(shù)據(jù)=25℃)P300VCBo=20V(3DK103AVCBo=40V(3DK103B)VCBo=60V(3DK103C)VCEo=15V(3DK103A)Vero-30V(3DK103BCEo=45區(qū)(3DK103C)ERo=4VhFE:25～180符號尺寸數(shù)值最小標(biāo)稱最大A4.32———4.53—4.95jKL—L2SJ/T1833—20164規(guī)范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T2423.23—2013環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Q:密封GB/T4587—1994半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1—2006半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4937—1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗方法GB/T6218—1996開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范半導(dǎo)體分立器件外形尺寸GB/T12560-—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范5極限值(絕對最大額定值)極限值見表1。除非另有規(guī)定，這些極限值在整個工作溫度范圍內(nèi)適用。表1極限值章條號符號單位最小值最大值4.1工作環(huán)境溫度-55℃4.2貯存溫度Tatg-55℃4.3最大集電極一基極直流電壓3DK103A3DK103B3DK103CVBo——V4.4最大集電極—發(fā)射極直流電壓3DK103A3DK103B3DK103CVcEoV4.5最大發(fā)射極—基極直流電壓VBo4V4.6最大直流集電極電流mA4.9T=25℃,不加散熱片時的最大額定功率Pot一一mW4.10最高結(jié)溫—℃電特性見表2。檢驗要求見本標(biāo)準(zhǔn)的第9章。3SJ/T1833—2016表2電特性章條號特性和條件除非另有規(guī)定，T=25℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)符號單位試驗分組最小值最大值正向電流傳輸比Vc=1V,I=30mA色標(biāo)：橙藍(lán)紫一A2b集電極-發(fā)射極飽和電壓A2b基極-發(fā)射極飽和電壓A2b集電極一基極截止電流A2b集電極-發(fā)射極截止電AA2b發(fā)射極-基極截止電流AA2b高溫下的集電極-基極載電流A1符律頻導(dǎo)V=1Qv,-20mA,f=100MHz導(dǎo)通時間關(guān)斷時間fMHzA4、C2a共基極輸出電容a=10V,I=0,f=5MHZG47.1器件上的標(biāo)志器件上的標(biāo)志包括以下幾部分：——he分檔色標(biāo)；——質(zhì)量評定類別標(biāo)志Ⅱ,如3DK103AIⅡ; 制造廠商標(biāo)4SJ/T1833—20167.2包裝盒上的標(biāo)志——制造廠聯(lián)系方式。8訂貨資料——產(chǎn)品型號和分檔標(biāo)志，如3DK103A;——質(zhì)量評定類別標(biāo)志Ⅱ,如3DK103AⅡ;9試驗條件和檢驗要求試驗條件和檢驗要求按表3～表5的規(guī)定。本章中，LTPD抽樣引自GB/T12560—1999。5檢驗或試驗符號引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)極限值單位LTPD最小值最大值A(chǔ)1分組外部目檢GB/T4589.1—20064.3.1.1—標(biāo)志清晰，表面無機(jī)械損傷、破損5A2a分組不工作器件集電極—基極截止電流正向電流傳輸比GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994I=0,a=10VVe=1V,I=30mA短路：Icn≥10μA開路：he≤5A2b分組集電極—基極截止電流集電極—發(fā)射極截止電流發(fā)射極一基極截止電流正向電流傳輸比基極—發(fā)射極飽和電壓集電極—發(fā)射極飽和電壓IVF(satYg(satGB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.2GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙黃綠橙黃綠I=0,k=10VI=0,K=10VVa=1V,I=30mA藍(lán)I=3mA,I=30mAI=3mA,I=30mA一一5580—VV5A4分組特征頻率導(dǎo)通時間關(guān)斷時間nIV,1,13.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2Va=10V,I=20mAf=100MHzI=3mA,I=30mAI=3mA,I=30mA———MHz6檢驗或試驗符號引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，Tm=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值單位B1分組尺寸GB/T4589.1—2006A、φD見第1章外形圖B3分組引出彎曲(D)方法1,受試引出端數(shù)：3外加彎曲力：2.5N發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面器件管體之間有相對移動，均認(rèn)為器件失效B4分組可焊性煌廂法潤濕良好B5分組快速溫度變化(D)密封a.細(xì)檢漏b.粗檢漏最后測試集電極一基極截止電流正向電流傳輸比DYaEGB/T94937—1995Ⅲ,1.2Ⅲ,7.3.6IV,1,2.1橙橙黃綠藍(lán)紫0℃~100℃;10個循環(huán)試驗Q,方法1試驗，方V=1V,I=30mA0B8分組電耐久性(168h)最后測試集電極一基極截止電流正向電流傳輸比IV,1,2.1橙橙黃綠藍(lán)紫一作壽命t=168h,K-0.6m,Pot=300mWV=1V,I=30mA144216注：標(biāo)明(D)的試驗是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7表5C組—周期檢驗或試驗符號引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值單位C1分組尺寸GB/T4589.1—2006除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸見第1章外形圖C2a分組特征頻率共基極輸出電容fGGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1Vc=10V,I=20mA,f=100MHzVca=10V,I=0,f=5MHz一4MHzC2b分組正向電流傳輸比高溫下的集電極一基極截止電流GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.1同A2b分組正向電流傳輸比Tamb=125℃ C3分組引出端強(qiáng)度(D)拉力GB/T4937—1995受試引出端數(shù)：3外加力：5N發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動或引線和器件管體之間有相對移動均認(rèn)為器件失效C4分組耐焊接熱(D)最后測試GB/T4937—1995方法1A。周期=180d同B5分組最后測試 C6分組恒定加速度最后測試GB/T4937—1995同B5分組最后測試 C7分組穩(wěn)態(tài)濕熱(D)最后測試GB/T4937—199585℃±2℃,相對濕度85%±5%,時間168h同B8分組最后測試 一wC8分組電耐久性(1000h)最后測試GB/T4587—1994V,1工作壽命：t=1000h,Ve=0.6Vc,Ptot=300mW同B8分組最后測試 C9分組高溫貯存(D)最后測試GB/T4937—1995Ttg=175℃,t=1000h同B8分組最后測試 CRRL分組提供C2a、