材料科學(xué)基礎(chǔ)II智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東大學(xué)_第1頁
材料科學(xué)基礎(chǔ)II智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東大學(xué)_第2頁
材料科學(xué)基礎(chǔ)II智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年山東大學(xué)_第3頁
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文檔簡介

材料科學(xué)基礎(chǔ)II智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年山東大學(xué)固體中的質(zhì)點擴散往往具有各向同性和擴散速率低的特點。()

答案:錯定義一次、二次、三次軸為低次軸,四次和六次軸為高次軸。()

答案:錯

答案:錯實際上,純固相反應(yīng)難以進(jìn)行到底。()

答案:對只有離子價相同時,才可能形成連續(xù)置換型固溶體。()

答案:錯

答案:錯凝聚系統(tǒng)中不含氣相或者氣相可以忽略。()

答案:對有濃度梯度、化學(xué)位梯度、應(yīng)力梯度或其它梯度存在的條件下,擴散可以發(fā)生,擴散的方向與梯度的方向一致。()

答案:錯擴散是指物質(zhì)內(nèi)部由于熱運動而導(dǎo)致的原子或分子的可逆遷移過程。()

答案:錯瘠性料的穩(wěn)定性不好,所以控制其穩(wěn)定性和流動性是制品成型的關(guān)鍵。()

答案:錯鋪展是潤濕的最高標(biāo)準(zhǔn),能鋪展則必能附著和浸漬。()

答案:對固體的表面越粗糙,越容易潤濕,可提高相互之間的結(jié)合能力。()

答案:錯自由度就是可以獨立變化的變量。()

答案:錯單純提高燒結(jié)溫度對于得到致密的燒結(jié)體是十分有利的。()

答案:錯二次在結(jié)晶與晶粒生長本質(zhì)相同,不過是晶粒的異常長大。()

答案:錯燒結(jié)是把粉末狀物料轉(zhuǎn)變?yōu)橹旅荏w的過程。()

答案:對

答案:錯金屬與陶瓷封接時,要使工件保持清潔,主要的目的是除去吸附膜,改善潤濕性。()

答案:對液態(tài)燒結(jié)的推動力是液相的擴散速率和溶解度高。()

答案:錯泰曼溫度是指發(fā)生明顯固相反應(yīng)的溫度。()

答案:錯下面關(guān)于晶界說法正確的是?()

答案:晶界處的原子能級高,熔點比晶粒低;晶界上的原子排列疏松,容易受到化學(xué)腐蝕下列關(guān)于石英晶體與石英熔體的說法中,正確的是()。

答案:石英晶體遠(yuǎn)程有序;石英熔體遠(yuǎn)程無序刃型位錯的結(jié)構(gòu)特點有()

答案:在位錯周圍形成應(yīng)力場;在位錯的周圍引起晶體的畸變肖特基缺陷的特點是()

答案:正離子空位和負(fù)離子空位同時產(chǎn)生;晶體體積增加晶粒生長的影響因素有()

答案:晶界的移動速率;氣孔;晶界上的液相;雜質(zhì)燒結(jié)過程中外加劑的作用有()

答案:與燒結(jié)主體形成固溶體;與主體形成化合物;阻止多晶轉(zhuǎn)變固體表面力可以分為()

答案:化學(xué)力;范德華力

答案:范德華鍵;共價鍵下面有關(guān)粘土離子交換的說法錯誤的是()

答案:陽離子半徑越小,交換能力越大;H離子的離子交換能力最小下面有關(guān)說法正確的是()

答案:固相反應(yīng)受熱力學(xué)和動力學(xué)兩方面的影響;純固相反應(yīng)只有放熱反應(yīng)才能進(jìn)行二次再結(jié)晶的影響因素有()

答案:晶界數(shù);燒結(jié)溫度;起始物料顆粒大小

答案:重建型轉(zhuǎn)變,位移型轉(zhuǎn)變;重建型轉(zhuǎn)變,可逆轉(zhuǎn)變

答案:共頂;共棱空間占有率最小的球體堆積方式有()

答案:六方緊密堆積;面心立方緊密堆積

答案:X=0.76;Y=3.24試根據(jù)原子半徑R計算六方晶胞的體積()

答案:

答案:X射線衍射

答案:2/3試根據(jù)原子半徑R計算面心立方晶胞的體積()

答案:

答案:0.46負(fù)離子缺位,氧空位的濃度和氧分壓的()次方成正比。

答案:-1/6

答案:E1E3:轉(zhuǎn)熔線E2E3:共熔線

答案:

答案:網(wǎng)絡(luò)形成劑

答案:3個下列幾種擴散,擴散速率最快的是()

答案:表面擴散

答案:Y1<Y2肖特基缺陷的缺陷反應(yīng)可以用下式()表示。

答案:F’-色心的形成與()有關(guān)。

答案:負(fù)離子缺位設(shè)原子半徑為R,試計算體心立方堆積結(jié)構(gòu)的(100)面的面間距()

答案:1.155R測定固體材料中的有關(guān)擴散系數(shù),可以通過什么方法?()

答案:擴散薄膜解閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)中,Z=__。()

答案:4在相同條件下,彎曲液面與平面的蒸氣壓的關(guān)系是()

答案:高嶺石結(jié)構(gòu)中,單網(wǎng)層與單網(wǎng)層之間以()相連。

答案:氫鍵聚合物的形成是以硅氧四面體為基礎(chǔ)單位,組成大小不同的聚合體,可分為__個階段。()

答案:3影響置換型固溶體的固溶度的條件中首要的是要考慮()

答案:離子尺寸因素

答案:氧化鋯制品容易開裂的一個原因是單斜形與四方形之間的轉(zhuǎn)變

答案:68.52%鋪展?jié)櫇襁^程中三個界面張力的平衡關(guān)系為()

答案:粘土礦物中,影響粘土泥漿流動性的為()

答案:自由水關(guān)于相的說法,正確的是()

答案:相與相之間有界面,可用物理方法分開四面體配位的陽、陰離子半徑比為__。()

答案:0.225

答案:E2為低共熔點L?B+S+C

答案:陽離子空位

答案:30

答案:立方體

答案:E1:低共熔點E2:低共熔點E3:雙降點凝聚系統(tǒng)三元相圖中液相面、分界曲線其自由度是多少()

答案:液相面自由度為2,分界曲線自由度為1對于沒有液相或氣相參與的固相反應(yīng),反應(yīng)朝哪個方向進(jìn)行?()

答案:?H<0

答案:2點的液相消失點在E2點等軸晶系第Ⅱ方向的取向為()

答案:a+b+c下面哪種屬于表面分析技術(shù)?()

答案:X光電子能譜

答案:石英、鱗石英與方石英之間的轉(zhuǎn)變屬于一級轉(zhuǎn)變所有化學(xué)鍵中鍵合最弱的為()

答案:范德華鍵物料以其表面能轉(zhuǎn)變?yōu)榫Ы缒芏_(dá)到穩(wěn)定存在,利用該推動力進(jìn)行的過程,稱為()

答案:固態(tài)燒結(jié)下列原子在體心立方體鐵中的擴散活化能最高的是()

答案:C半徑為R的球,相互接觸排列成體心立方結(jié)構(gòu),試計算能填入其空隙中的最大小球半徑r__。體心立方結(jié)構(gòu)晶胞中最大的空隙的坐標(biāo)為(0,1/2,1/4)。()

答案:0.3049R

答案:69.5

答案:I

答案:設(shè)原子半徑為R,試計算體心立方堆積結(jié)構(gòu)的(111)面的面排列密度__。()

答案:0.340

答案:0.5074纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)中,Z=__。()

答案:6陶瓷經(jīng)過燒結(jié)后在宏觀上的變化表述不正確的是()

答案:致密度減少下列過程中,哪一個能使燒結(jié)產(chǎn)物強度增大而不產(chǎn)生致密化過程()

答案:蒸發(fā)-凝聚燒結(jié)過程包含氣孔率降低,致密度增加,固結(jié),有機物分解等過程。()

答案:錯可以通過蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)過程提高燒結(jié)體的致密度和降低氣孔率。()

答案:錯

答案:燒成是燒結(jié)的一部分,就是燒結(jié)的完成階段。()

答案:錯

答案:固相反應(yīng)開始的溫度遠(yuǎn)低于反應(yīng)物的熔點或系統(tǒng)的低共熔溫度。()

答案:對加入少量礦化劑可促進(jìn)固相反應(yīng)加速進(jìn)行,其原因的表述不正確的是()

答案:與反應(yīng)物形成非化學(xué)計量化合物金斯特林格方程并非適用于所有的擴散控制的固相反應(yīng)。()

答案:對范特霍夫規(guī)則可適用于所有的固相反應(yīng)。()

答案:錯擴散的根本推動力是化學(xué)位梯度。()

答案:對氧化鋯晶體中典型的非化學(xué)計量空位屬于哪種類型?()

答案:氧離子空位型穩(wěn)定擴散是指擴散速度保持不變的擴散過程。()

答案:錯間隙機構(gòu)與間隙原子的尺寸有密切關(guān)系。()

答案:對影響擴散的因素主要有()

答案:結(jié)構(gòu)缺陷;化學(xué)鍵;溫度;晶體組成

答案:4

答案:O為一個三相點;oa為水的蒸發(fā)曲線

答案:C初晶區(qū)內(nèi)的析晶終點為E點

答案:W(S):W(L)=ac:bc壓力升高時,單組分體系的沸點將如何變化()。

答案:升高三組分系統(tǒng)最多同時存在五個相。()

答案:對三元系統(tǒng)相圖中()

答案:重心規(guī)則可以用來判斷無量變點的性質(zhì)有a、b兩種物質(zhì),則以下情況可視為一個相的為()。

答案:a、b進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)完全生成了化合物ab關(guān)于二元凝聚系統(tǒng)的相圖的描述中,正確的是()

答案:二元凝聚系統(tǒng)中可能存在的平衡共存的相數(shù)最多為3個恒定壓力下,根據(jù)相律得出某一系統(tǒng)的F=1,則該系統(tǒng)的溫度只有一個唯一確定的值。()

答案:錯泥漿膠溶必須具備的條件有:()

答案:氧化鋁屬于瘠性料,可以通過控制料漿的pH值來控制其懸浮。()

答案:對一般情況下,由于同晶置換導(dǎo)致粘土帶正電荷。()

答案:錯粘土粒子由于邊棱斷鍵引起的電荷與pH有關(guān),在堿性介質(zhì)中邊棱帶何種電荷?()

答案:負(fù)電荷粘土的陽離子交換順序為:()

答案:固體表面吸附氣體后,其表面能()

答案:降低吸附是一種物質(zhì)的原子或分子與表面發(fā)生置換的現(xiàn)象。()

答案:錯影響潤濕的因素有()

答案:吸附膜;表面粗糙度晶界應(yīng)力的存在會顯著影響材料的機械和介電性能。()

答案:對表面能與表面張力表達(dá)的是同一個物理量,只是名稱不同。()

答案:錯在玻璃形成的過程中()

答案:單鍵強度小于250kJ/mol的氧化物可以改變玻璃的性質(zhì);玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體的單鍵強度大于350kJ/mol以下哪些為玻璃的通性?()

答案:各向同性;熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化的可逆與漸變性;介穩(wěn)性;物理化學(xué)性質(zhì)變化的連續(xù)性關(guān)于熔體的描述,下列說法正確的是()

答案:分化過程中的低聚合物可通過縮聚形成級次較高的聚合物下列關(guān)于黏度-組成的關(guān)系的說法中,正確的是()

答案:CaO對熔體黏度的影響隨溫度以及含量不同而變化

答案:溫度高時更有利于硅酸鹽熔體的分化解聚;低聚物濃度隨溫度的升高而升高

答案:X=0.86,Y=3.14,Z=4,R=2.43

答案:下列對于玻璃熔體的特定黏度溫度的描述中,正確的是()

答案:退火點是消除玻璃中應(yīng)力的上限溫度熔體的內(nèi)部存在著近程有序的區(qū)域。()

答案:對晶體熔融后才能形成熔體,非晶體不能形成熔體。()

答案:錯

答案:可以形成連續(xù)固溶體少量雜質(zhì)原子進(jìn)入晶體不會對晶體的性質(zhì)產(chǎn)生什么影響。()

答案:錯

答案:置換型固溶體產(chǎn)生的“組分缺陷”與熱缺陷是相同的。()

答案:錯雜質(zhì)原子進(jìn)入溶劑中晶格_什么位置生成的是間隙型固溶體,溶質(zhì)離子__溶劑中的一些溶劑離子所形成的固溶體稱之為置換型固溶體。()

答案:間隙、置換溶質(zhì)與溶劑兩種晶體可以以任意比例無限制的固溶生成的固溶體為無限固溶體。()

答案:對在固溶體中不同組分的結(jié)構(gòu)基元之間是以分子尺度相互混合的,這種混合并不破壞原有晶體的結(jié)構(gòu)。()

答案:錯以下哪一項不是影響置換型固溶體中溶質(zhì)離子溶解度的因素()

答案:溶劑與溶質(zhì)中的離子比例以下哪幾種是常見的間隙性固溶體?()

答案:陽離子填隙;原子填隙;陰離子填隙固溶體的相組成是__,化合物的相組成為__,機械混合物的相組成為__()

答案:均勻單相、單相、兩相有界面

答案:0.956

答案:置換式雜質(zhì)原子點缺陷在MgO晶體中,肖特基缺陷的生成能為6ev,且MgO晶體中,含有百萬分之一mol的Al2O3雜質(zhì),則在1600℃時,MgO晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢()

答案:雜質(zhì)缺陷

答案:減小,減小對某晶體的缺陷測定生成能為84KJ/mol,計算該晶體在1000K時的缺陷濃度()

答案:6.4×10-3滑移方向與位錯線垂直的位錯稱為刃型位錯。位錯線與滑移方向相互平行的位錯稱為螺型位錯。()

答案:對如果正常格點上原子,熱起伏后獲得能量離開平衡位置,躍遷到晶體的表面,在原正常格點上留下空位,這種缺陷稱為弗倫克爾缺陷。()

答案:錯以下缺陷中,能引起位置增殖的缺陷有()

答案:在MX晶體中,間隙原子的表示符號為()

答案:

答案:3

答案:錯每個NaCl晶胞中,分子數(shù)Z=()

答案:4陽離子交換是高價陽離子取代低價陽離子。()

答案:錯

答案:螢石型以下物質(zhì)中具有NaCl型結(jié)構(gòu)的是()

答案:MnO;MgO在氧離子面心立方密堆積結(jié)構(gòu)中,對于獲得穩(wěn)定結(jié)構(gòu)各需何種價離子,填滿所有的八面體空隙需要()

答案:2價陽離子2n個等徑球體作六方緊密堆積,其空間占有率為()

答案:74.05%硅酸鹽礦物按照硅氧四面體的連接方式進(jìn)行分類可以分為()種。

答案:5配位場理論認(rèn)為:認(rèn)為在晶體結(jié)構(gòu)中,中心陽離子與配位體之間是離子鍵,不存在電子軌道的重迭,并將配位體作為點電荷來處理的理論。()

答案:錯等徑球體六方緊密堆積的六方晶胞的軸比c/a≈__。()

答案:1.633面心立方緊密堆積中的八面體和四面體空隙的位置和數(shù)量分別為_,_。()

答案:1,2n個等徑球體作六方緊密堆積,其空間占有率為__。()

答案:74.05%同一化學(xué)組成在不同外界條件下(溫度、壓力、pH值等),結(jié)晶成為兩種以上不同結(jié)構(gòu)晶體的現(xiàn)象稱為()

答案:同質(zhì)多晶配位體:晶體結(jié)構(gòu)中與某一個陽離子形成配位關(guān)系的各個陰離子中心連線所構(gòu)成的多面體。()

答案:錯MgO(NaCl型)晶體(100)晶面的面排列密度為__。()

答案:0.785臨界半徑比的定義是:緊密堆積的陰離子恰好互相接觸,并與中心的陽離子也恰好接觸的條件下,陽離子半徑與陰離子半徑之比。即每種配位體的陽、陰離子半徑比的下限。下列配位的臨界半徑比最大的是__。()

答案:立方體配位MgO(NaCl型)晶體(110)晶面的面排列密度為__。()

答案:0.555MgO(NaCl型)晶體(111)晶面的面排列密度為__。()

答案:0.907一個四方晶系的晶面,其上的截距分別為3a、4b、6c,求該晶面的晶面指數(shù)()

答案:(432)晶體共有__種點群和__種空間群。()

答案:32230表示晶胞的形狀和大小

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