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1GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢GB/T12842—1991膜集成電路和混IEC60749-8:2002半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第8部分:密封（Semiconductordevices—MechanicalandclimatictestmethodsIEC60749-25:2003半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第25部分:溫度循環(huán)（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part25:TemIEC60749-36:2003半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第36部分:穩(wěn)定加速（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part36:Acceler3.1注：一個(gè)SiP可選擇含有無(wú)源元件、微機(jī)電系[來(lái)源：GB/T41037—2021，3.1.1]3.224.3熱設(shè)計(jì)——充分考慮芯片散熱及芯片與基板材料間的熱匹配問(wèn)題，優(yōu)選與芯片熱膨脹系數(shù)匹配、結(jié)4.4可測(cè)試性4.5可靠性5.2外殼6.2翹曲度2.0%1.0% 2.0%1.5% 31.5%0.5%3.0%1.5%1.0%3.0%>1.651.0%0.5%1.5%注：翹曲度要求不適用于絕緣基材厚度小于0.5mm的雙面板，也不適用于兩面所覆金屬箔厚度之差大于0.065mm6.3環(huán)境適應(yīng)性6.4絕緣電阻7.2翹曲度4試樣尺寸應(yīng)不大于300mm×300mm，若為整板或某邊長(zhǎng)大于300mm，則應(yīng)切成307.4絕緣電阻采用兆歐電橋、兆歐表等適用裝置測(cè)試，測(cè)試條件為相對(duì)濕度205驗(yàn)水平為Ⅱ,接收質(zhì)量限(AQL)取6.5。8.2.3樣本中發(fā)現(xiàn)不合格數(shù)不大于規(guī)定的接收數(shù)(Ac)，則判定該批產(chǎn)品合格；若樣本中58.3.4當(dāng)檢驗(yàn)項(xiàng)目全部符合要求時(shí)，判型式檢驗(yàn)合格。若有任意一項(xiàng)不符合要求，應(yīng)加倍取樣復(fù)檢，9.1.4因基板尺寸和空間限制，無(wú)法在基板或包裝上完整提供上述標(biāo)志時(shí)，可以通過(guò)和產(chǎn)品接收方協(xié)9.4

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