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1第四章 集成電路器件工藝4.1 雙極型集成電路的基本制造工藝4.2 MESFET和HEMT工藝4.3MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝4.4BiCMOS工藝24.2 MESFET和HEMT工藝隨著III/V化合物特別是GaAs工藝的發(fā)展，以MESFET和HEMT為基本元件的集成電路技術(shù)也得到了很大發(fā)展。MESFET直接在外延襯底上形成，而HEMT有復(fù)雜得多的層狀結(jié)構(gòu)。盡管如此，它們可以通過一個(gè)相似的等效電路建立模型，并具有相似的性能。對(duì)于電路設(shè)計(jì)者而言，它們都屬于FET晶體管類型。34.2 MESFET和HEMT工藝GaAs工藝：MESFET圖4.5GaAsMESFET的基本器件結(jié)構(gòu)歐姆歐姆肖特基金鍺合金4MESFET增強(qiáng)型和耗盡型減小柵長(zhǎng)提高導(dǎo)電能力5GaAs工藝：HEMT圖4.6簡(jiǎn)單HEMT的層結(jié)構(gòu)

柵長(zhǎng)的減小大量的可高速遷移的電子6GaAs工藝：HEMT工藝的三明治結(jié)構(gòu)圖4.7DPD-QW-HEMT的層結(jié)構(gòu)7圖4.8PHEMT的小信號(hào)等效電路模型8不同材料系統(tǒng)的研究GaAsInPSiGe9與Si三極管相比，MESFET和HEMT的缺點(diǎn)為:跨導(dǎo)相對(duì)低；閾值電壓較敏感于有源層的垂直尺寸形狀和摻雜程度；驅(qū)動(dòng)電流??；

閾值電壓變化大：由于跨導(dǎo)大，在整個(gè)晶圓上，BJT的閾值電壓變化只有幾毫伏，而MESFET，HEMT

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