《模擬電子技術(shù)》課件-三極管特性曲線

歡迎來到模擬電子技術(shù)的課堂LEARN模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)三極管特性曲線LEARN歡迎來到模擬電子技術(shù)的課堂晶體管的特性曲線概念特性曲線是指各電極之間的電壓與電流之間的關(guān)系曲線。輸入特性曲線輸出特性曲線晶體管的特性曲線EB共發(fā)射極電路IC輸入回路輸出回路mA

AVUCEUBERBIBECV++––––++RC晶體管的特性曲線（1）晶體管輸入特性曲線ib=f(ube)|uce=常數(shù)IEICCE

IBBUceIB(

A)UBE(V)204060800.40.8UCE=0UCE>=1晶體管的特性曲線（1）晶體管輸入特性曲線特性IB(

A)UBE(V)204060800.40.8UBE=0UBE>=11.三極管的輸入特性曲線與二極管正向特性相似，當Ube大于導通電壓時，三極管才會出現(xiàn)明顯的基極電流Ib，死區(qū)電壓硅管約為0.5V，鍺管約為0.2V。2.三極管在導通以后，Ube微小的變化就引起Ib很大的變化。3.三極管在正常放大時，發(fā)射結(jié)電壓變化不大，硅管約為0.7V，鍺管約為0.3V。4.Uce越高，Ib越小，曲線越向右偏移，當集電結(jié)電壓大于1V以后處于反向偏置，特性曲線重合，一般給出1V的輸入特性即可。晶體管的特性曲線（2）晶體管輸出特性曲線ic=f(uce)|ib=常數(shù)IEIC

CEIBBUceIc/μAUce/Vib=100μA80μA60μA40μA20μA0μA晶體管的特性曲線1.放大區(qū)基極電流Ib和集電極電流Ic存在比例關(guān)系，即iC=βiB，因此放大區(qū)也稱為線性區(qū)。2.條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)處于反向偏置，對于NPN型管來說：Ube>0，Ucb>0，即Uc>Ub>Ue。對于PNP型管來說，Ueb>0，Ubc>0，即Ue>Ub>Uc。20μAIc/μAUce/Vib=100μA80μA60μA40μA0μA放大區(qū)飽和截止3.集電極電流Ic基本不隨Uce變化而變化，故Ic具有恒流源特性。晶體管的特性曲線20μAIc/μAUce/Vib=100μA80μA60μA40μA0μABCT

E

ib特點：iB≈0,iC≈0條件：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏晶體管的特性曲線特點20μAIc/μAUce/Vib=100μA80μA60μA40μA0μA臨界飽和：IC≠βIB條件發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏臨界飽和硅管：Uces=0.3V鍺管：Uces=0.1V例：

=50，USC=12V，RB=70k，RC=6k，當USB=-2V，2V，5V時，晶體管分別工作在哪個區(qū)？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE（1）USB=-2V，VB<VE，IB=0，IC=0，Q位于截止區(qū)。

(2)USB=2V，IB=(USB-UBE)/RB=(2-0.7)/70=0.019mAIC=IB=500.019=0.95mAIC最大飽和電流ICS=(USC-UCE)/RC=(12-0)/6=2mA

IC<

ICS，Q位于放大區(qū)。（3）USB=5V，IB=(USB-UBE)/RB=(5-0.7)/70=0.06mAIC=IB=500.06=3mAIC最大飽和電流ICS=(USC-UCE)/RC=(12-0)/6=2mA

IC>

ICS，Q位于飽和區(qū)。晶體管的特性曲線電流關(guān)系狀態(tài)條件放大發(fā)射結(jié)正偏i

C=

iB集電結(jié)反偏飽和

iC

＜

iBI

CS=

IBS截止iB≈0,iC≈020μAIc