高二物理競賽課件半導體的禁戒躍遷

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半導體的禁戒躍遷

半導體的禁戒躍遷1.禁戒躍遷：激子與輻射場弱耦合，振子強度較小.2.直隙材料①三重態(tài)激子

躍遷（單態(tài)激子

比較反射譜②縱模激子躍遷③偶極禁戒躍遷這些材料中,最高的

價帶與最低的導帶具有相同的偶宇稱,因此

屬于偶極禁戒躍遷,

激子不存在（但

電四極矩和磁偶極矩躍遷存在,很弱）.雙光子躍遷下

激子存在，但是這些

態(tài)振子強度不與量子數(shù)

成反比，單光

子躍遷與雙光子躍遷的選擇定則不同.3.間隙材料①間接激子躍遷過程中吸收或發(fā)射聲子.發(fā)射聲子

吸收聲子

②吸收系數(shù)發(fā)射聲子過程吸收聲子過程其中包含躍遷矩陣元平方,即躍遷幾率,與聲子的動量關系微弱.

是間接激子能量最小值.為聲子能量.為聲子數(shù).

表示激子態(tài)密度.●光子能量

吸收譜表現(xiàn)為疊加在帶間躍遷吸收邊上的一些臺階.間隙材料反射譜中也沒有明顯的結(jié)構(gòu).比較直接材料

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