半導(dǎo)體物理A卷模擬

PAGE河海大學(xué)常州校區(qū)考試試卷第2頁（共5頁）河海大學(xué)常州校區(qū)考試試卷第1頁（共5頁）2010－2011學(xué)年第二學(xué)期《半導(dǎo)體物理學(xué)》課內(nèi)考試卷（A卷）授課班號年級專業(yè)學(xué)號姓名題號一二三四五總分審核題分得分得分評閱人一、選擇題1．電子在晶體中的共有化運動指的是。A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同B.電子在晶體元胞中出現(xiàn)的幾率相同C.電子在晶體各元胞對應(yīng)點出現(xiàn)的幾率相同D.電子在晶體各元胞對應(yīng)點有相同的相位2．如果n型半導(dǎo)體的導(dǎo)帶極值在[111]軸及對稱方向上，當(dāng)磁場沿[110]方向時，測的共振吸收峰的個數(shù)是。A．1個B．2個C．3個D．4個3、某一半導(dǎo)體摻施主雜質(zhì)濃度ND=5ⅹ1014/cm3,當(dāng)溫度為500K時，ni=7ⅹ1014/cm3.則電子和空穴的濃度分別近似為。A.n0=1.2ⅹ1014/cm3p0=1ⅹ1015/cm3B.p0=4ⅹ1014/cm3p0=5ⅹ1015/cm3C.n0=5ⅹ1014/cm3p0=1ⅹ1015/cm3D.n0=1ⅹ1014/cm3p0=7ⅹ1015/cm34．有效復(fù)合中心的能級通常都是靠近。A．ECB．EVＣ．ＥiD．EF５．簡并半導(dǎo)體是指的半導(dǎo)體。A．（EC-EF）或（EF-EV）≤0B．（EC-EF）或（EF-EV）≥０Ｃ．能使用玻耳茲曼近似計算載流子濃度D．導(dǎo)帶底和價帶頂能容納多個狀態(tài)相同的電子6．在GaAs中熔入GaP可使其。A．禁帶變寬B．增加電子陷阱Ｃ．禁帶變窄Ｄ．增加空穴陷阱７．本征半導(dǎo)體是指的半導(dǎo)體。Ａ．不含雜質(zhì)與缺陷 B．電子密度與空穴密度相等Ｃ．電阻率最高Ｄ．電子密度與本征載流子密度相等８．若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，則該半導(dǎo)體必定。Ａ．不含施主雜質(zhì)Ｂ．不含受主雜質(zhì)Ｃ．不含任何雜質(zhì)Ｄ．處于絕對零度９．若濃度為Nt的復(fù)合中心摻入本征硅，設(shè)其能級位于禁帶中央，起電子和空穴的俘獲系數(shù)分別為rn和rp，則小注入壽命為。Ａ．1/Ntrp B.1/NtrnC.1/Ntrp+1/NtrnD.1/Ntni10.半導(dǎo)體中的載流子的擴(kuò)散系數(shù)決定于其中的。A．散射機(jī)構(gòu)B．復(fù)合機(jī)構(gòu)Ｃ．雜質(zhì)濃度梯度Ｄ．表面復(fù)合速度11.重空穴指的是。A．質(zhì)量較大的原子組成的半導(dǎo)體中的空穴B．價帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C．價帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴D．自旋—軌道藕合分裂出來的能帶上的空穴12．硅中摻金的工藝主要用于制造的器件。A．高可靠性B.高反壓C.高頻D.大功率13.根據(jù)費米分布函數(shù),電子占據(jù)(EF+KT)能級的幾率。A．等于空穴占據(jù)（EF+KT)的幾率B．等于空穴占據(jù)（EF-KT)的幾率C．大于電子占據(jù)EF的幾率D．大于空穴占據(jù)EF的幾率14.公式μ=qτ/m﹡中的τ是載流子的。A．渡越時間B．壽命Ｃ．平均自由時間Ｄ．?dāng)U散系數(shù)15．3個硅樣品的摻雜情況如下：甲.含鎵1ⅹ1017/cm3乙.含磷1ⅹ1017/cm3丙.不摻雜這些樣品在室溫下費米能級由底到高的(以EV為基準(zhǔn))的順序是。A．甲乙丙B．甲丙乙Ｃ．乙丙甲Ｄ．丙甲乙得分評閱人二、填空題1、有效質(zhì)量的意義是2.半導(dǎo)體的狀態(tài)密度意義為3．影響半導(dǎo)體散射的兩種機(jī)制為及4．半導(dǎo)體中載流子電場作用下的運動稱為，由濃度梯度引起的載流子運動稱為。5．愛因斯坦關(guān)系為最有效的復(fù)合中心能級在６．PN結(jié)被擊穿的三種方式為，，。７．?dāng)U散長度是指。８．半導(dǎo)體勢壘電容是由于而產(chǎn)生的擴(kuò)散電容是由于。9．載流子復(fù)合放出能量的方法有哪三種，，。10．計算半導(dǎo)體中載流子濃度時，不能使用玻耳茲曼統(tǒng)計代替費米統(tǒng)計的判定條件是，這種半導(dǎo)體被稱為。得分評閱人三、簡答題（4題共56分）簡述熱平衡狀態(tài)下的p-n結(jié)的形成的物理機(jī)理及其用途。以As摻入Ge中為例，說明什么是施主雜質(zhì)、施主雜質(zhì)電離過程和n型半導(dǎo)體。以Ga摻入Ge中為例，說明什么是受主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)電離過程和p型半導(dǎo)體。ABC硅電阻率與溫度關(guān)系示意圖A