硬質(zhì)合金 顯微組織的金相測(cè)定 第2部分：WC晶粒尺寸的測(cè)量 征求意見稿

2GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020硬質(zhì)合金顯微組織的金相測(cè)定第2部分：WC晶粒尺寸的測(cè)量本部分提供了通過使用光學(xué)或電子顯微鏡的金相檢測(cè)技術(shù)來測(cè)量硬質(zhì)合金晶粒尺寸的方法指南。本部分適用于以WC為主硬質(zhì)相的WC/Co硬質(zhì)合金燒結(jié)體（也稱為硬質(zhì)合金或金屬陶瓷也適用于通過截線法測(cè)量晶粒尺寸及其分布。本部分主要包含以下四個(gè)方面：——顯微鏡的校準(zhǔn)，以確保測(cè)量精度；——線性分析法，以獲得足夠多具有統(tǒng)計(jì)意義的數(shù)據(jù)；——分析方法，以計(jì)算具有代表性的平均值；——報(bào)告，以符合現(xiàn)代質(zhì)量報(bào)告要求。本部分通過一個(gè)測(cè)量案例分析來闡述這項(xiàng)推薦性技術(shù)。（見附錄A）本部分不適用于以下幾個(gè)方面：——尺寸分布的測(cè)定；——形狀的測(cè)定，在實(shí)現(xiàn)形狀測(cè)定之前仍需更深入的研究。矯頑磁力有時(shí)可用于測(cè)量晶粒尺寸，但本方法僅涉及金相測(cè)定法。本方法適用于硬質(zhì)合金，并不適用于粉末。然而，本方法原則上也可用于測(cè)定可進(jìn)行鑲樣、制樣粉末的平均尺寸。2規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。ISO3369致密燒結(jié)金屬材料與硬質(zhì)合金密度測(cè)定方法ISO3738-1硬質(zhì)合金洛氏硬度試驗(yàn)（A標(biāo)尺）第1部分：試驗(yàn)方法ISO3738-2硬質(zhì)合金洛氏硬度試驗(yàn)（A標(biāo)尺）第2部分：標(biāo)準(zhǔn)試塊的制備和校準(zhǔn)ISO4489:2019硬質(zhì)合金制品檢驗(yàn)規(guī)則與試驗(yàn)方法6507-1硬質(zhì)合金維氏硬度試驗(yàn)方法第1部分：試驗(yàn)方法6507-2硬質(zhì)合金維氏硬度試驗(yàn)方法第2部分：試驗(yàn)設(shè)備的驗(yàn)證和校準(zhǔn)6507-3硬質(zhì)合金維氏硬度試驗(yàn)方法第3部分：標(biāo)準(zhǔn)試塊的校準(zhǔn)6507-4硬質(zhì)合金維氏硬度試驗(yàn)方法第4部分：硬度表3術(shù)語、定義、簡(jiǎn)稱、符號(hào)和單位3.1術(shù)語和定義以下術(shù)語和定義適用于本部分。用于標(biāo)準(zhǔn)的術(shù)語數(shù)據(jù)資料，ISO和IEC在以下網(wǎng)址維護(hù)：—ISO在線瀏覽平臺(tái):/obp—IEC電百科:/3.1.1GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020納米nanoWC晶粒尺寸＜0.2μm3.1.2超細(xì)ultrafine3.1.3亞微細(xì)submicron3.1.4細(xì)fine3.1.5中medium3.1.6粗coarse3.1.7超粗extracoarseWC晶粒尺寸＞6.0μm3.2符號(hào)、定義和單位以下符號(hào)、定義和單位適用于本部分。A面積dWCWC晶粒的算術(shù)平均截距ECD當(dāng)量直徑L直線長(zhǎng)度LI截線的算術(shù)平均長(zhǎng)度li測(cè)量的單個(gè)截線長(zhǎng)度4GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020Σli每個(gè)單截線測(cè)量長(zhǎng)度的總和N被橫穿的晶界個(gè)數(shù)n被截過的WC晶粒個(gè)數(shù)m放大倍率mmax最大放大倍率mmin最小放大倍率Sm測(cè)量尺寸Sa實(shí)際尺寸EBSD電子背散射衍射儀SEM掃描電子顯微鏡FESEM場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡TEM透射電子顯微鏡LOM低倍率4總則本部分給出了測(cè)量WC晶粒尺寸平均值的最佳方法。本部分推薦采用截線法獲取數(shù)據(jù)，測(cè)量樣品應(yīng)采用ISO4499-1的制樣方法制備。硬質(zhì)合金的性能取決于微觀結(jié)構(gòu)，并在制造過程中發(fā)生變化，反過來其又受原料粉末性能的影響。認(rèn)識(shí)微觀結(jié)構(gòu)是控制和提高產(chǎn)品性能的關(guān)鍵，因此衡量微觀結(jié)構(gòu)的特性是非常重要，特別是晶粒尺寸和尺寸分布。ISO4499-1中的金相制樣和腐蝕方法（詳見參考文獻(xiàn)[1]至[4]）與晶粒尺寸測(cè)量方法一樣重要。硬質(zhì)合金的主要類型為WC/Co，其中Co作粘結(jié)相。此外，本方法也適用于含立方相碳化物或以TiC或Ti（C,N）為基體的硬質(zhì)合金。測(cè)量WC晶粒尺寸的最直接方法是先拋光、腐蝕金相截面，然后采用定量金相檢測(cè)技術(shù)，通過計(jì)算面積或者截線法來測(cè)量晶粒尺寸的平均值。有以下三種定義平均晶粒尺寸的方法：——長(zhǎng)度（橫穿晶粒截面的直線長(zhǎng)度）——面積（晶粒的截面積）——體積（單個(gè)晶粒體積）先統(tǒng)計(jì)每個(gè)測(cè)量參數(shù)（長(zhǎng)度、面積、體積）的值，然后將參數(shù)值的總和除以這些參數(shù)的總數(shù)，算出平均值。其中，最常用的數(shù)據(jù)是長(zhǎng)度參數(shù)。它可通過幾種方法取得數(shù)據(jù)，例如ASTME112[12]中的平行線法或圓形法：——截線法，也稱作Heyn法，通過畫直線橫穿晶粒；——當(dāng)量直徑法，先測(cè)量晶粒面積，然后計(jì)算當(dāng)量直徑。對(duì)于等軸晶粒，可使用公式（1）將當(dāng)量直徑（ECD）轉(zhuǎn)換為截線長(zhǎng)度（LI）。(1)得出ECD=1.13LI；5GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020在參考文獻(xiàn)[1]和文獻(xiàn)[7]中，有對(duì)該表達(dá)式進(jìn)行討論。還有一種方法是由Jefferies建立的，即統(tǒng)計(jì)每個(gè)單位面積上的晶粒數(shù)。如果有需要的話，它可換算成當(dāng)量直徑。值得注意的是：——點(diǎn)/面計(jì)數(shù)無法提供分布信息；——Jefferies法不適用于多相材料，例如硬質(zhì)合金。本部分推薦采用截線法來測(cè)量硬質(zhì)合金的晶粒尺寸。5儀器晶粒尺寸的測(cè)量是通過顯微組織圖像來測(cè)定的。用于成像的樣品表面的最佳制備方法應(yīng)參考ISO4499-1、ASTMB657[10]和ASTMB665[11]。硬質(zhì)合金微觀結(jié)構(gòu)圖像通常是采用光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡（SEM）或電子背散射衍射儀（EBSD）獲取。為了精確測(cè)量，最好選用掃描電鏡的圖像。特別是含有粗大晶粒的材料，圖像邊緣晶粒被橫截的部分也只能通過掃描電鏡來精確測(cè)量。通常采用人工或半自動(dòng)圖像分析來獲取截線長(zhǎng)度。對(duì)于一些粗晶?；?qū)Ρ榷群玫膱D像則可以采用自動(dòng)分析軟件來進(jìn)行分析；但對(duì)于大多數(shù)材料來說，特別是細(xì)晶材料，很難獲得非常清晰的圖像，因此，一般都不采用自動(dòng)分析。對(duì)于超細(xì)和納米級(jí)材料，使用常規(guī)的鎢絲電子源掃描電鏡要獲得質(zhì)量很好的照片是相當(dāng)困難的。對(duì)于這些材料，推薦使用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（FESEM）。這套設(shè)備能顯著提高圖像分辨率，足以測(cè)量平均截線尺寸在0.1μm～0.2μm的材料。對(duì)于更細(xì)晶粒的材料，也許有必要使用透射電鏡（TEM）。然而，這對(duì)樣品和試樣制備的要求極為嚴(yán)格(詳見參考文獻(xiàn)[7])。對(duì)于這些材料，為了獲得良好的照片質(zhì)量，需要注重樣品的制備，通常使用組合腐蝕方法效果會(huì)更好（參見ISO4499-1）。6校準(zhǔn)為了獲得可靠的定量測(cè)量，圖像需經(jīng)過可溯源于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的鏡臺(tái)測(cè)微尺或標(biāo)尺的校準(zhǔn)。掃描電鏡最常用的測(cè)微尺是SIRA光柵。該光柵是由197條/mm～2160條/mm的直線分割而成。然而，這些光柵（標(biāo)尺）也要經(jīng)過校準(zhǔn)，且可溯源于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（詳見參考文獻(xiàn)[8]）。對(duì)于光學(xué)顯微鏡，觀察標(biāo)尺圖像也應(yīng)采用相同的物鏡（內(nèi)置倍率轉(zhuǎn)換器或焦距）和照明方式。為獲得最大分辨率，顯微鏡應(yīng)采用科勒照明。對(duì)于掃描電鏡，觀察標(biāo)尺圖像應(yīng)和觀察硬質(zhì)合金樣品一樣的條件（加速電壓、工作距離、光闌）。7截線法測(cè)量晶粒尺寸7.1概述本部分推薦采用截線的算術(shù)平均值來定義WC晶粒尺寸。這是最簡(jiǎn)單的方法，且匯總所有數(shù)據(jù)可以量化分布范圍。截線法是在已校準(zhǔn)過的顯微組織圖像上畫一條橫穿的直線。針對(duì)單相材料，直線的起點(diǎn)和終點(diǎn)可以是圖像上任意位置，直線的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，穿過的晶界個(gè)數(shù)為N。因此，平均截線長(zhǎng)度LI為：LI=L/N（2）從上述公式可知，只計(jì)算得出了平均截線長(zhǎng)度，無法得出關(guān)于晶粒粒度的分布情況。對(duì)兩相材料，例如硬質(zhì)合金（α相和β相截線法比較不容易操作，因?yàn)槊總€(gè)相的截線長(zhǎng)度要求單獨(dú)測(cè)量，但其可提供晶粒尺寸的分布情況。在已校準(zhǔn)過的硬質(zhì)合金金相照片上畫一條直線，橫截WC晶粒，使用標(biāo)尺測(cè)量截線的長(zhǎng)度li（其中，i=1,2,3,…,n，對(duì)應(yīng)第1，2，3，…，n個(gè)晶粒）。建議至少統(tǒng)計(jì)1006GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020個(gè)晶粒，為了將誤差降低至10%以下，最好統(tǒng)計(jì)200個(gè)晶粒以上。平均截距的晶粒尺寸定義如下：i/n（3）硬質(zhì)合金晶粒尺寸一般在0.1μm至10μm之間。由于存在一定的測(cè)量誤差，建議晶粒尺寸值大于1.0μm的保留1位小數(shù)，值小于1.0μm的保留2位小數(shù)。例如：3.4μm和0.18μm。附錄A提供了一個(gè)操作實(shí)例。7.2取樣7.2.1產(chǎn)品取樣應(yīng)選擇合適的取樣方法來進(jìn)行檢測(cè)。隨機(jī)取樣法，在一批樣品中隨機(jī)選擇一個(gè)樣品，每個(gè)樣品被選中的概率相同（詳見參考文獻(xiàn)[11]）。ISO4489:2019第4章指出“硬質(zhì)合金牌號(hào)性能的測(cè)定，通常在一批中取一個(gè)樣本就已經(jīng)足夠了”。進(jìn)行以下測(cè)試，應(yīng)按照ISO4489:2019第5.1條款給出的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行?！獪y(cè)定矯頑磁力無標(biāo)準(zhǔn)；——測(cè)定密度ISO3369；——測(cè)定洛氏硬度ISO3738-1和ISO3738-2；——測(cè)定維氏硬度ISO6507-1，ISO6507-2，ISO6507-3，ISO6507-4。在特殊情況下，可進(jìn)行的測(cè)試：——測(cè)定微觀組織——測(cè)定孔隙度和非化合碳ISO4499（所有部分ISO4499-4。7.2.2顯微組織的選擇顯微組織的選擇對(duì)測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性有很大影響：a)常規(guī)測(cè)量區(qū)域選擇用于分析的照片應(yīng)隨機(jī)選取，且具有代表性。照片的數(shù)量建議至少4張，以保證匯總分析時(shí)晶粒個(gè)數(shù)不少于200個(gè)。b)勻質(zhì)材料的晶粒尺寸測(cè)量這種情況下，從樣品確定位置獲得一系列照片進(jìn)行匯總分析，以保證每個(gè)位置至少測(cè)量200個(gè)晶粒。允許這么測(cè)量，是因?yàn)榫Я４笮?duì)誤差的影響大于因不同位置而引起的測(cè)量誤差（相對(duì)誤差正比于1/ N，這里N為每個(gè)位置的晶粒個(gè)數(shù)）。c)非勻質(zhì)材料這種情況下，樣品的微觀結(jié)構(gòu)從一個(gè)視場(chǎng)到下一個(gè)視場(chǎng)是不均勻的，鑒于晶粒比較分散，仍要獲得200個(gè)以上的測(cè)量數(shù)據(jù)，一個(gè)很好的措施是增加分析照片的數(shù)量。照片放大倍率的選擇應(yīng)控制在每個(gè)視場(chǎng)橫向貫穿10至20個(gè)WC晶粒，允許單個(gè)截線的測(cè)量誤差在10%以內(nèi)。一般允許在一張照片上畫3或4條直截線，且無多次橫截任何單個(gè)WC晶粒。絕大部分硬質(zhì)合金的組織都是各向同性的，因此畫線是否平行不是很重要。如果是各向異性，最好隨機(jī)畫線并允許它們相交（詳見參考文獻(xiàn)[11]）。因此，每個(gè)圖像應(yīng)能獲得大約50條截線。7.3測(cè)量誤差7.3.1系統(tǒng)誤差和隨機(jī)誤差測(cè)量誤差有以下幾個(gè)來源：——系統(tǒng)誤差，如產(chǎn)生于顯微鏡的校準(zhǔn)過程中；7GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020——隨機(jī)誤差，如產(chǎn)生于數(shù)據(jù)傳輸或計(jì)算實(shí)際截距的過程中；——統(tǒng)計(jì)誤差，如由于顯微組織的無規(guī)性。系統(tǒng)誤差的產(chǎn)生原因可能來自于圖像放大倍率的校準(zhǔn)。通常，光學(xué)顯微鏡的放大倍率是一個(gè)單一數(shù)值。但如果校準(zhǔn)是采用的不同校準(zhǔn)長(zhǎng)度或者不同操作者，測(cè)量結(jié)果將會(huì)發(fā)生變化，需采用平均放大倍率和標(biāo)準(zhǔn)偏差。掃描電鏡的系統(tǒng)誤差會(huì)更大，因?yàn)槠浞糯蟊堵什淮嬖诠潭ǖ恼{(diào)整步長(zhǎng)。隨機(jī)誤差主要是在測(cè)量單個(gè)碳化鎢晶粒截線時(shí)產(chǎn)生。不同的操作人員在測(cè)量相同的截線時(shí)，截線位置的選擇不一致或邊界不清晰，都會(huì)帶來測(cè)量的誤差。隨機(jī)誤差比系統(tǒng)誤差更難量化。如果微觀組織取樣不足，例如顯微照片太少或測(cè)量的晶粒太少，會(huì)產(chǎn)生統(tǒng)計(jì)誤差。這就需要有足夠多的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)用于求平均值。平均截距的大小或其他參數(shù)的測(cè)量值需要重復(fù)計(jì)算求平均值。得到的平均值會(huì)有波動(dòng)，但隨著測(cè)量數(shù)量的增加，將會(huì)越來越接近真實(shí)值。當(dāng)平均值的波動(dòng)足夠小時(shí)，可停止測(cè)量。7.3.2粗大WC晶粒在決定使用多大倍率測(cè)量晶粒大小前，先初步觀察一下腐蝕后的樣品表面是否存在一些粗大的晶粒。如果使用太高的倍率，這些粗晶?？赡懿贿m合進(jìn)入視場(chǎng)，會(huì)影響測(cè)量結(jié)果的統(tǒng)計(jì)。從理論上說，所采用的放大倍數(shù)應(yīng)該確保最大的WC晶粒成像（10～20的晶粒橫穿視場(chǎng)）最多占視場(chǎng)的三分之一為通用準(zhǔn)則。在實(shí)踐中，總是會(huì)有大晶?？邕^視場(chǎng)邊緣，導(dǎo)致無法測(cè)量。然而，如果測(cè)量足夠多的視場(chǎng)，并使用平均值法（見圖A.4大晶粒的影響將被最小化。7.3.3最小截線的測(cè)量目前，沒有關(guān)于光學(xué)顯微鏡或掃描電鏡可測(cè)量的最小截距的標(biāo)準(zhǔn)。作為參考，用所使用儀器的分辨率來確定可測(cè)量的最小截距。對(duì)于特定分辨率，可測(cè)量的截距下限見表2。這些數(shù)據(jù)代表在最佳條件下可獲得的最高分辨率。在實(shí)踐中，可能得到較低分辨率的圖像，特別是由于表面處理的問題，難以得到高清晰度的圖像。因此，可測(cè)量的最小截線長(zhǎng)度將變大。實(shí)際上，可測(cè)量的最小截距是儀器分辨率的2倍，測(cè)量誤差也是分辨率誤差的2倍。表1可測(cè)量的最小截距截線長(zhǎng)度小于推薦的最小截距也可以測(cè)量，但測(cè)量誤差將會(huì)顯著增加。通常，截線起點(diǎn)和終點(diǎn)的測(cè)量誤差是分辨率誤差的2倍，為了使測(cè)量誤差小于10%，截線長(zhǎng)度至少為理論分辨率的20倍。因此，光學(xué)顯微鏡在其最大數(shù)值孔徑下，截線長(zhǎng)度須超過5μm時(shí)才能保證測(cè)量誤差小于10%。如果WC晶粒截線長(zhǎng)度大部分小于5μm時(shí)，測(cè)量誤差將會(huì)影響所測(cè)量的截線平均值，并使晶粒尺寸分布失真。在這種情況下，應(yīng)該使用掃描電鏡。選擇放大倍率，以容納盡可能多的WC晶粒，同時(shí)也影響了可測(cè)量的最小截距。一般情況下，低8GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020倍率（LOM）需要較低倍率物鏡和較小數(shù)值孔徑，從而降低分辨率。對(duì)于SEM，較低倍率意味著電子束以較大的步長(zhǎng)采樣。表2給出了可達(dá)到的最大分辨率。為了獲得低倍率，應(yīng)使用數(shù)值孔徑為1.3的×100油浸物鏡。8報(bào)告8.1在給出晶粒測(cè)量結(jié)果時(shí)，參見附錄B，應(yīng)列出來所有相關(guān)的信息，以確保測(cè)量結(jié)果的可追溯性。例如，一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試報(bào)告應(yīng)包含以下內(nèi)容：——樣品描述；——腐蝕劑和腐蝕時(shí)間；——可追溯性，校準(zhǔn)刻度數(shù)和標(biāo)定證書；——圖像獲取設(shè)備：光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡或場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡；——放大倍率：一倍或更多倍；——測(cè)量的視場(chǎng)數(shù)量；——截線的總數(shù)量；——截線的算術(shù)平均值；——粒度分布，采用本部分推薦的方法，若采用其他標(biāo)準(zhǔn)，需要說明方法；——附加注明。8.2為了配合質(zhì)量體系，附加信息是有必要的?？赡苌婕暗膱D像或顯微照片的描述，如果需要存檔，材料來源信息和客戶要求的信息也需要。也會(huì)經(jīng)常涉及以下附加信息：——最大截線長(zhǎng)度；——最小截線長(zhǎng)度；——最大晶粒；——光學(xué)顯微鏡物鏡的數(shù)值孔徑；——掃描電鏡的加速電壓、工作距離、光闌等。8.3檢測(cè)報(bào)告樣式參見附錄B，建議在報(bào)告上增加關(guān)于測(cè)量方法誤差的說明。當(dāng)測(cè)量的晶粒個(gè)數(shù)超過200顆時(shí)，誤差通常約為±10%。GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020附錄A測(cè)量示例（資料性附錄）本附錄介紹了采用算術(shù)平均截線法來測(cè)量WC晶粒尺寸的方法。選擇圖A.1的圖像是為了清晰地描述使用截線法來測(cè)量晶粒尺寸和尺寸分布的方法。較小的晶粒應(yīng)從圖像中移除以免干擾測(cè)量。實(shí)際上，所有晶粒截線都應(yīng)被測(cè)量。圖A.1WC/Co硬質(zhì)合金的理想組織第一步可利用金相顯微鏡或掃描電鏡獲取圖像，圖像中的顯微組織應(yīng)具有代表性且避開拋光劃痕。放大倍率的選擇主要是根據(jù)晶粒大小，但通常應(yīng)約有10～20個(gè)晶粒貫穿視場(chǎng)，如圖A.1所示。第二步應(yīng)與步驟1中用于獲取硬質(zhì)合金顯微組織照片的放大倍率和測(cè)試條件一致，獲取已按國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行校準(zhǔn)的標(biāo)尺圖像。第三步從步驟2獲取的校準(zhǔn)圖像，使用鋼尺（按國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行校準(zhǔn)）計(jì)算圖像的放大倍率。用鋼尺測(cè)量圖像中測(cè)微尺（已校準(zhǔn)）上特定點(diǎn)間的長(zhǎng)度Sm，讀數(shù)到最接近的0.5mm。顯微鏡測(cè)微尺的計(jì)數(shù)線，每?jī)蓷l線間距離是10μm，因此如果測(cè)量點(diǎn)是從第1格至第81格，則實(shí)際尺寸（Sa）就是800μm。利用公式A.1計(jì)算出放大倍率：m=為了盡量減少誤差，需要測(cè)量標(biāo)尺的不同格數(shù)從而獲得一個(gè)放大倍率平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。作為誤差分析，由于人眼的視覺誤差在±0.5mm，可以計(jì)算出最大和最小放大倍率。GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020利用公式A.2計(jì)算出最大放大倍率：mmax=（A.2）利用公式A.3計(jì)算出最小放大倍率：mmin=（A.3）本實(shí)例中，最終平均放大倍率通過計(jì)算確定為×5750倍。第四步在硬質(zhì)合金的顯微組織照片上畫一組平行線（見圖A.2）。這些線間需要保持一定距離，避免多條直線穿過同一顆晶粒。照片上直線的數(shù)量主要是取決于晶粒的尺寸。將截線單獨(dú)列出來，如圖A.3所示。圖A.2截線畫過圖A.1后的圖片圖A.3圖A.2中的截線GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020第五步測(cè)量每個(gè)碳化鎢晶粒上覆蓋線的長(zhǎng)度，即它的截線長(zhǎng)度。如果在圖像邊緣的晶粒，截線不完整的將不需要測(cè)量。所有的測(cè)量數(shù)據(jù)記錄在表A.1，建議使用電子表。第六步利用平均放大倍率換算出每個(gè)晶粒的截線長(zhǎng)度，計(jì)算出平均截線長(zhǎng)度，記錄在表A.1中。應(yīng)至少測(cè)量200個(gè)晶粒，詳見本部分7.1。這些數(shù)據(jù)可用于繪制平均截線長(zhǎng)度-截線數(shù)量的關(guān)系圖，用于指導(dǎo)需要測(cè)量多少截線數(shù)量為宜。如圖A.4所示的例子，大概在250個(gè)測(cè)量數(shù)據(jù)以后，平均截線的值才相對(duì)穩(wěn)定、集中。圖A.4平均截線長(zhǎng)度的集中GB/T3488.2-XXXX/ISO4499-2:2020表A.1圖A.1上的測(cè)量結(jié)果52545247628147477GB/T3488.2-