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PAGE1-能量最低原理、基態(tài)與激發(fā)態(tài)、光譜電子云與原子軌道泡利原理和洪特規(guī)則(30分鐘50分)一、選擇題(本題包括4小題,每小題5分,共20分)1.(2024·滁州高二檢測)下列關(guān)于同一原子中的基態(tài)和激發(fā)態(tài)說法中,正確的是()A.基態(tài)時(shí)的能量比激發(fā)態(tài)時(shí)高B.激發(fā)態(tài)時(shí)比較穩(wěn)定C.由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài)過程中汲取能量D.電子僅在激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)才會(huì)產(chǎn)生原子光譜【解析】選C。激發(fā)態(tài)時(shí)能量較高,較不穩(wěn)定,A、B不正確。電子從較低能量的基態(tài)躍遷到較高能量的激發(fā)態(tài)時(shí),也會(huì)產(chǎn)生原子光譜,D不正確?!狙a(bǔ)償訓(xùn)練】(2024·重慶高二檢測)電子由3d能級躍遷至4p能級時(shí),可通過光譜儀干脆攝取 ()A.電子的運(yùn)動(dòng)軌跡圖象 B.原子的汲取光譜C.電子體積大小的圖象 D.原子的放射光譜【解析】選B。由于E3d<E4p,電子由3d能級躍遷至4p能級時(shí),需汲取能量,故光譜儀攝取的是汲取光譜,由于電子在原子核外做無規(guī)則運(yùn)動(dòng),不能干脆攝取運(yùn)動(dòng)軌跡圖象,電子太小,不能攝取電子體積的大小圖象。2.(2024·錦州高二檢測)下面說法中正確的是 ()A.電子云圖中的小黑點(diǎn)密度大,說明該原子核外空間電子數(shù)目越多B.某基態(tài)原子外圍電子排布中最高能級的符號為3fC.3d3表示3d能級上有3個(gè)軌道D.ns能級的原子軌道圖可表示為【解析】選D。電子云圖中的小黑點(diǎn)密度大,說明該原子核外空間電子出現(xiàn)的機(jī)會(huì)多,A錯(cuò)誤;第三能層具有的能級只有s、p、d三種,B錯(cuò)誤;3d3表示3d能級上有3個(gè)電子,C錯(cuò)誤;ns能級的電子云是球形對稱的,原子軌道圖可表示為,D正確。3.(2024·太原高二檢測)下列基態(tài)原子中,未成對電子數(shù)最多的是 ()A.O B.P C.Mn D.Cr【解析】選D。O的電子排布式為1s22s22p4,未成對電子數(shù)為2;P的電子排布式為1s22s22p63s23p3,未成對電子數(shù)為3;Mn的電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2,未成對電子數(shù)為5;Cr的電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,未成對電子數(shù)是6?!痉椒ㄒ?guī)律】基態(tài)原子中未成對電子的快速推斷方法(1)主族元素原子中未成對電子數(shù):主族ⅠAⅡAⅢAⅣAⅤAⅥAⅦA未成對電子數(shù)1012321(2)副族和第Ⅷ族元素可以通過書寫電子排布式的方法來進(jìn)行推斷。須要特殊留意的是鉻和銅兩種元素,鉻的基態(tài)原子中存在6個(gè)未成對電子,而不是4個(gè),銅的基態(tài)原子中存在1個(gè)未成對的s電子而不是d電子。4.下列關(guān)于鈉元素的幾種表達(dá)式錯(cuò)誤的是 ()選項(xiàng)微粒種類表示方法的名稱表示方法A基態(tài)Na+電子排布圖B基態(tài)Na+結(jié)構(gòu)示意圖C基態(tài)Na電子排布式1s22s22p63s1D基態(tài)Na簡化電子排布式[Na]3s1【解析】選D。Na的簡化電子排布式為[Ne]3s1。即上一周期的稀有氣體[元素符號]+該原子價(jià)電子排布?!痉椒ㄒ?guī)律】電子排布式的書寫和正誤推斷(1)留意每一個(gè)能級電子分布,特殊留意當(dāng)電子數(shù)不能夠填滿全部原子軌道時(shí),留意分布形式。(2)基態(tài)原子和激發(fā)態(tài)原子電子排布的不同。即抓住每一個(gè)能級的每一個(gè)原子軌道最多填充兩個(gè)自旋狀態(tài)相反的電子,而對于同一能級電子應(yīng)當(dāng)盡量分布于不同原子軌道。二、非選擇題(本題包括1小題,共10分)5.寫出下列粒子的電子排布式或電子排布圖。(1)電子排布式①17Cl________________________;
②Ca2+________________________;
③22Ti________________________;
④Al3+________________________。
(2)電子排布圖①O2-電子排布圖_____________________;
②F的最外層電子排布圖_____________。(3)分別寫出Al、C的最外層電子排布式___________、___________?!窘馕觥渴熳R前36號元素,尤其是前18號元素的核外電子排布規(guī)律,能嫻熟表示基態(tài)原子或離子的電子排布式、外圍電子排布式、電子排布圖等。留意兩個(gè)問題,一是E(3d)>E(4s),但最終的電子排布式按能層的依次寫;二是留意特殊元素,如Cu、Cr等。答案:(1)①1s22s22p63s23p5(或[Ne]3s23p5)②1s22s22p63s23p6③1s22s22p63s23p63d24s2(或[Ar]3d24s2)④1s22s22p6(2)①②(3)3s23p12s22p2一、選擇題(本題包括2小題,每小題5分,共10分)6.(2024·長沙高二檢測)下列對核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述正確的是 ()A.電子的運(yùn)動(dòng)與行星的運(yùn)動(dòng)相像,圍繞原子核在固定的軌道上高速旋轉(zhuǎn)B.能層數(shù)為3時(shí),有3s、3p、3d、3f四個(gè)軌道C.氫原子中只有一個(gè)電子,故氫原子只有一個(gè)軌道D.在同一能級上運(yùn)動(dòng)的電子,其運(yùn)動(dòng)狀態(tài)確定不同【解析】選D。A項(xiàng),質(zhì)量很小的電子在做高速運(yùn)動(dòng)時(shí),其運(yùn)動(dòng)規(guī)律跟一般物體不同,電子沒有確定的運(yùn)動(dòng)軌道;B項(xiàng),第三能層只有3s、3p、3d三個(gè)能級,而3s能級有1個(gè)軌道、3p能級有3個(gè)軌道、3d能級有5個(gè)軌道,故第三能層有9個(gè)軌道;C項(xiàng),氫原子中只有1個(gè)電子,在1s軌道,但還存在其他空軌道;D項(xiàng),電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)與能層、能級和自旋狀態(tài)有關(guān),在同一原子內(nèi)部沒有兩個(gè)電子存在完全相同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。7.(2024·錦州高二檢測)某元素基態(tài)原子3d軌道上有5個(gè)電子,則該原子最外層電子的排布可能是 ()A.4s1B.4s24p1C.4s24p3D.3s23p63d5【解析】選A。3d軌道上有5個(gè)電子,屬于半充溢穩(wěn)定狀態(tài),又依據(jù)構(gòu)造原理可知電子先填充4s軌道再填充3d軌道,待3d軌道填滿后再填充4p軌道,故題給原子的價(jià)層電子排布為3d54s1或3d54s2,最外層電子排布為4s1或4s2,故A正確。【補(bǔ)償訓(xùn)練】(2024·湖州高二檢測)下列離子中d軌道達(dá)半充溢狀態(tài)的是 ()A.Cr3+B.Cu+C.Co3+D.Fe3+【解析】選D。Cr3+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d3,d軌道不是半充溢狀態(tài),故A錯(cuò)誤;Cu+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d10,d軌道處于全滿狀態(tài),故B錯(cuò)誤;Co3+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d6,d軌道不是半充溢狀態(tài),故C錯(cuò)誤;Fe3+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d5,d軌道達(dá)半充溢狀態(tài),故D正確。二、非選擇題(本題包括1小題,共10分)8.有A、B、C、D四種元素且原子序數(shù)(均不超過36)依次遞增,它們原子核外的電子層數(shù)各不相同。A元素原子核外是僅有一種原子軌道的元素;B元素原子核外的p電子數(shù)與s電子數(shù)相等;C元素原子的價(jià)電子排布式為3s23p5;D元素原子最外層只有1個(gè)電子,次外層有13個(gè)電子。(1)寫出四種元素的元素符號:A________,B________,C________,D________。
(2)寫出C、D兩種元素基態(tài)原子核外電子排布圖。C_________________________________,
D_________________________________。
(3)寫出B、A兩種元素單質(zhì)在確定條件下反應(yīng)的化學(xué)方程式___________。
(4)寫出B元素單質(zhì)和氫化物的電子式
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