《計(jì)算機(jī)組成原理》_第1頁(yè)
《計(jì)算機(jī)組成原理》_第2頁(yè)
《計(jì)算機(jī)組成原理》_第3頁(yè)
《計(jì)算機(jī)組成原理》_第4頁(yè)
《計(jì)算機(jī)組成原理》_第5頁(yè)
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中央電大遠(yuǎn)程開(kāi)放教育網(wǎng)址:

Http://www.open.edu.cn

《計(jì)算機(jī)組成原理》主持教師

電子郵件:

hxx1@sina.com

xiaoxinhe@yahoo.com

購(gòu)買教學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備的通知

型號(hào):TEC—8/16教學(xué)實(shí)驗(yàn)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)

實(shí)售價(jià):2500元(組合邏輯方案)

生產(chǎn)者:清華同方教學(xué)儀器設(shè)備公司

地址:北京清華大學(xué)清華同方教學(xué)儀器

設(shè)備公司郵編:100084

聯(lián)系人:陳羽

電話(傳真):(010)62785575

直播課堂內(nèi)容

1.布置控制器教學(xué)實(shí)驗(yàn)

2.布置內(nèi)存擴(kuò)展教學(xué)實(shí)驗(yàn)

布置串行接口入出教學(xué)實(shí)驗(yàn)

3.布置第四、五章作業(yè)

4.第四、五章教學(xué)內(nèi)容輔導(dǎo)

1.控制器教學(xué)實(shí)驗(yàn)

⑴教學(xué)實(shí)驗(yàn)計(jì)算機(jī)介紹

有8位或16位兩種字長(zhǎng),

可以選組合邏輯的控制器、

或是微程序的控制器方案。

有監(jiān)控程序、交叉匯編程序、

和PC仿真終端等軟件支持。

(2)教學(xué)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

實(shí)驗(yàn)時(shí)以8位字長(zhǎng),組合邏輯

控制器方案來(lái)進(jìn)行,把第三章作

業(yè)第18題的⑴、⑵、⑶、(5)

的設(shè)計(jì)在教學(xué)計(jì)算機(jī)上實(shí)現(xiàn)出來(lái)

并調(diào)試正確,用在你的程序中。

(3)教學(xué)實(shí)驗(yàn)步驟

學(xué)懂已有指令的格式和執(zhí)行步驟

參照已有設(shè)計(jì),完成你的設(shè)計(jì):

指令格式、功能、執(zhí)行步驟

所用節(jié)拍與各控制信號(hào)

寫出邏輯表達(dá)式、寫到GAL20V8中

進(jìn)行調(diào)試,并用在你設(shè)計(jì)的程序中

2.內(nèi)存儲(chǔ)器教學(xué)實(shí)驗(yàn)

(1)教學(xué)實(shí)驗(yàn)計(jì)算機(jī)介紹

整機(jī)為8位字長(zhǎng),

組合邏輯控制器方案,

內(nèi)存儲(chǔ)器為8位字長(zhǎng),

使用16位的地址,

按字節(jié)訪問(wèn)。

(2)教學(xué)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

教學(xué)計(jì)算機(jī)已有8KB的ROM、

2KB的RAM內(nèi)存空間,在此基礎(chǔ)上

再擴(kuò)展出2KB的RAM存儲(chǔ)空間,

用LS6116(204808)靜態(tài)存儲(chǔ)

器芯片進(jìn)行內(nèi)存容量擴(kuò)展。

(3)教學(xué)實(shí)驗(yàn)步驟

學(xué)懂教學(xué)計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),

把新的一片LS6116芯片插到板上。

主要工作是接好該芯片的地址線,

數(shù)據(jù)線,片選和讀寫控制信號(hào)等。

對(duì)硬件進(jìn)行調(diào)試,并在程序中使用

這片存儲(chǔ)區(qū),檢查讀寫的正確性。

使用串行接口的教學(xué)實(shí)驗(yàn)

⑴教學(xué)實(shí)驗(yàn)計(jì)算機(jī)介紹

教學(xué)計(jì)算機(jī)上有串行接口,

8位并行與主機(jī)交換信息,

串行地和PC仿真終端通信,

用IN、OUT指令完成入出,

采用狀態(tài)查詢方式工作。

(2)教學(xué)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

在教學(xué)計(jì)算機(jī)已有監(jiān)控程序,

串行口能正常運(yùn)行,串行口的

端口地址:00(數(shù)據(jù)),01(狀態(tài)),

參照教材上已有的I/0程序例子,

設(shè)計(jì)用串口完成I/0操作的程序

(3)教學(xué)實(shí)驗(yàn)步驟

學(xué)懂教材中使用串行接口的程序,

學(xué)習(xí)查詢串行口運(yùn)行狀態(tài)的方法,

用狀態(tài)查詢方式使用IN、OUT指令。

寫出幾個(gè)小的完成輸入/輸出操作

功能的程序,具體內(nèi)容自己確定。

第四章習(xí)題中的

第1題,第2題,第3題,

第6題,第12題,第13題,

第27題,第31題。

(8個(gè)作業(yè)題均必做)

第五章作業(yè)

第五章習(xí)題中的

第2題,第4題,第9題,

第14題,第15題,第19題

第27題,第29題。

(8個(gè)作業(yè)題均必做)

4.第四、五章內(nèi)容輔導(dǎo)

第四、五兩章的教學(xué)內(nèi)容

各占全部教學(xué)內(nèi)容的20%,

涉及概念性的知識(shí)比較多,

原理性的內(nèi)容一般理解即可;

實(shí)用性的知識(shí)較多,有些

線路或設(shè)備組成實(shí)例,勿背。

計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)

控制器

第二單元入第一單元

高速緩存接

主存儲(chǔ)器和

外存設(shè)備線

第三單元第四單元

第四章內(nèi)容概要

存儲(chǔ)器,三級(jí)連,局部、一致且包含

提速主體擴(kuò)容量,緩存主存虛存

字位擴(kuò)展、體交叉,完全直接組相

聯(lián)

段表、頁(yè)表和快表,盤帶陣列容錯(cuò)

第四章多級(jí)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器系

統(tǒng)

層次存曲器系統(tǒng)概述

主存儲(chǔ)器部件

三.高速緩存CACHE

四.虛擬存儲(chǔ)器部件

五.外存儲(chǔ)器設(shè)備

陣列技術(shù)與容錯(cuò)

層次存儲(chǔ)器系統(tǒng)概述

1.概念與追求的目標(biāo)

2.程序運(yùn)行的局部性特性

3.各層存儲(chǔ)器所用介質(zhì)其

特性

4.一致性、包含性

層次存儲(chǔ)器系統(tǒng)概述

用途:存儲(chǔ)器系統(tǒng)是計(jì)算機(jī)中

用于存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件O

對(duì)其要求是:

盡可能快的讀寫速度

盡可能大的存儲(chǔ)容量

盡可能低的成本費(fèi)用

怎樣才能同時(shí)實(shí)現(xiàn)這些要求呢?

用多級(jí)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)

把要用的程序和數(shù)據(jù),

按其使用的急迫和頻繁程度,

分塊調(diào)入存儲(chǔ)容量不同、

運(yùn)行速度不同的存儲(chǔ)器中,

并由硬軟件來(lái)統(tǒng)一管理與調(diào)度。

程序運(yùn)行時(shí)的局部性原理

在一小段時(shí)間內(nèi),最近被訪問(wèn)過(guò)

的程序和數(shù)據(jù)很可能再次被訪問(wèn)

在空間上,這些被訪問(wèn)的程序和

數(shù)據(jù)往往—集-中-W"在一小片'V?存?儲(chǔ)一—一區(qū)■

在訪問(wèn)順序上,指令順序執(zhí)行比

轉(zhuǎn)移執(zhí)行的可能性大(大約5:1)

解決方案

選用生產(chǎn)與運(yùn)行成本不同的、

存儲(chǔ)容量不同的、

讀寫速度不同的

多種存儲(chǔ)介質(zhì),組成一個(gè)

統(tǒng)一管理的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

解決方案

使每種介質(zhì)都處于不同的地位,

起到不同的作用,充分發(fā)揮各

自在速度容量成本方面的優(yōu)

勢(shì),從而達(dá)到最優(yōu)性能價(jià)格比,

以滿足使用要求。

1993年大型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)

存取速度存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)成本

(美分/KB)

CPU10ns512B1800

緩存20~40ns128KB72

主存60^100ns512MB5.6

虛存10~20ms60~228GB0.23

后援2~20M512GB~2TB0.01

使CPU大部分時(shí)間訪問(wèn)高速緩

存,速度最快;僅在從緩存中

讀不到數(shù)據(jù)時(shí),才去讀主存,速

度略慢但容量更大;當(dāng)從主存

中還讀不到數(shù)據(jù)時(shí),才去批量讀

次在一決度福幄蟲(chóng)胃切土就像

|J7l^rI—I、,

決了對(duì)速度、容量、成本的需求。

層次之間應(yīng)滿足的原則

一致性原則:

處在不同層次存儲(chǔ)器中的

同一個(gè)信息應(yīng)保持相同的值,

是保證正確地使用數(shù)據(jù)的

最基本的要求之一,必須滿足

包含性原則:

存儲(chǔ)在內(nèi)層(靠近CPU)的信息

一定被包含在其外層的存儲(chǔ)介

質(zhì)中,反之則不成立。即內(nèi)層

存儲(chǔ)器中的全部信息,都是其

相鄰?fù)鈱哟鎯?chǔ)器中一小部分信

息的復(fù)制品。

主存儲(chǔ)器的組成與設(shè)計(jì)

ABk位(給出地址)

DBn位(傳送數(shù)據(jù))

Main

CPUMemory

READ

WRITE

READY

靜態(tài)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片特性

SRAMDRAM

存儲(chǔ)信息觸發(fā)器電容

破壞性讀出非是

需要刷新不要需要

送行列地址同時(shí)送分兩次送

靜態(tài)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片特性

SRAMDRAM

運(yùn)行速度快

集成度低

發(fā)熱量大小

存儲(chǔ)成本高低

主存儲(chǔ)器的讀寫過(guò)程

數(shù)據(jù)寄存器讀過(guò)程:

給出地址

主存儲(chǔ)體給出片選與讀命令

/CSO保存讀出內(nèi)容

寫過(guò)程:

/CS11/WE

給出地址

給出片選與數(shù)據(jù)

地址寄存器給出寫命令

靜態(tài)存儲(chǔ)器字、位擴(kuò)展

高八位數(shù)據(jù)低八位數(shù)據(jù)

■■

2K*8bit2K*8bit

:Jt——

/WE

/CS1

?--------;_?—

高位地址譯碼地址總線低ii位

給出片選信號(hào)實(shí)現(xiàn)片內(nèi)選單元

靜態(tài)存儲(chǔ)器字、位擴(kuò)展

TEC-2機(jī)的存儲(chǔ)器的容量為

4096個(gè)字,為16位字長(zhǎng),

用2048*8的存儲(chǔ)器芯片

實(shí)現(xiàn)。為此,必須用兩個(gè)芯

實(shí)現(xiàn)由2048擴(kuò)展容量到

4096個(gè)存儲(chǔ)單元(字?jǐn)U展)

靜態(tài)存儲(chǔ)器字、位擴(kuò)展

再用兩個(gè)芯片實(shí)現(xiàn)由8位擴(kuò)展

長(zhǎng)度到16位字長(zhǎng)(位擴(kuò)展)

要用4片芯片實(shí)現(xiàn)該存儲(chǔ)器

系統(tǒng)。

靜態(tài)存儲(chǔ)器字、位擴(kuò)展

為訪問(wèn)2048個(gè)存儲(chǔ)單元,

要用11位地址,把地址總

線的低11位地址送到每

個(gè)存儲(chǔ)器芯片的地址引腳;

對(duì)地址總線的高位進(jìn)行譯碼,

譯碼信號(hào)送到各存儲(chǔ)器芯片

的/CS引腳,

靜態(tài)存儲(chǔ)器字、位擴(kuò)展

用于選擇存儲(chǔ)器芯片,使不同

芯片分時(shí)運(yùn)行。

還要向存儲(chǔ)器芯片提供讀寫控

制信號(hào)/WE,以區(qū)分讀寫,/WE

為高電平是讀操作,為低是寫操

作。

主存儲(chǔ)器的多體結(jié)構(gòu)

為了提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的工作

效率,需要提高主存儲(chǔ)器的讀

寫速度。為此可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)能

夠獨(dú)立地執(zhí)行讀寫的主存儲(chǔ)器

體,以便提高多個(gè)存儲(chǔ)體之間

并行讀寫的能力。

主存儲(chǔ)器的多體結(jié)構(gòu)

多體結(jié)構(gòu)同時(shí)適用于靜態(tài)和

動(dòng)態(tài)的存儲(chǔ)器??紤]到程序運(yùn)

行的局部性原理,多個(gè)存儲(chǔ)體

應(yīng)按低位地址交叉編址的方式

加以組織。類似的也可按一體

多字的方式設(shè)計(jì)主存儲(chǔ)器部件。

數(shù)據(jù)總線

一體多字結(jié)構(gòu)

數(shù)據(jù)總線

多體結(jié)構(gòu)

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器

破壞性讀出:執(zhí)行讀操作后,

被讀單元的內(nèi)容一定被清為

零,會(huì)破壞所保存的信息

為正常工作,必須把剛讀出

的內(nèi)容立即寫回去,通常稱

為預(yù)充電延遲,它影響存儲(chǔ)

器的工作頻率,在結(jié)束預(yù)充

電前不能開(kāi)始下一次讀。

定期刷新:在不進(jìn)行讀寫

操作時(shí),DRAM存儲(chǔ)器的各單

元處于斷電狀態(tài),由于漏電的

存在,保存在電容Cs上的電荷

會(huì)慢慢地漏掉,為此必須定時(shí)

予以補(bǔ)充,稱為刷新操作。

刷新不是按字處理,而是

每次刷新一行,即為連接在

同一行上所有存儲(chǔ)單元的電

容補(bǔ)充一次能量。

刷新有兩種方式:

集中和分散刷新。

快速分頁(yè)組織

行、列地址要分兩次給出,

在連續(xù)地使用相同的行地址

讀寫時(shí),也可以在前一次就

將行地址鎖存,之后僅送列

地址,

快速分頁(yè)組織

以節(jié)省送地址的時(shí)間,支持

這種運(yùn)行方式的存儲(chǔ)器被稱

為快速分頁(yè)組織的存儲(chǔ)器。

快速分頁(yè)組織只用于動(dòng)態(tài)存

儲(chǔ)器。

三.高速緩沖存儲(chǔ)器的

組成與運(yùn)行原理

三.高速緩存CACHE

用途:設(shè)置在CPU和主存

儲(chǔ)器之間,完成高速與CPU

交換信息,盡量避免CPU不

必要地多次直接訪問(wèn)慢速的

主存儲(chǔ)器,從而提高計(jì)算機(jī)

系統(tǒng)的運(yùn)行效率。

高速緩存CACHE

實(shí)現(xiàn):這是一個(gè)存儲(chǔ)容量

很小,但讀寫速度更快的,

以關(guān)聯(lián)存儲(chǔ)器方式運(yùn)行、

用靜態(tài)存儲(chǔ)器芯片實(shí)現(xiàn)的

高速靜態(tài)存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

要求:有足夠高的命中率,

當(dāng)CPU需用主存中的數(shù)據(jù)

時(shí),多數(shù)情況下可以直接

從CACHE中得到,盡量少

讀主存儲(chǔ)器。稱二者之比

為命中率。

CACHE的基本運(yùn)行原理

數(shù)

地址總線CPU讀

據(jù)

CACHE過(guò)

比較選ADDRDATA線

譯碼選

一單元

MEMORY

有全相聯(lián)方式

及____________I__I

標(biāo)志

儲(chǔ)

比CACHE器

地址碼

CPU

有直接映射方式

荒CACHEI-------1-------1

CPU

有兩路組相聯(lián)方式

儲(chǔ)

CPU

影響CACHE命中率的因素

1.CACHE的容量,大一些好

2.CACHE與主存儲(chǔ)器每次交

換信息的單位量(Cache

LineSize)適中

3.CACHE不同的組織方式,

多路組相聯(lián)更好

4.CACHE的多級(jí)組織可提高

命中率

5.CACHE的換字和回寫算法

CACHE接入系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)

側(cè)接法:像入出設(shè)備似的連接到

總線上,優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,

缺]是不利于降,總空三用率

MEMORY^?^^CACHE

[總

BusMaster1線

CPU

BusMaster2

CACHE接入系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)

隔斷法:把原來(lái)的總線打斷為兩段,

使CACHE處在兩段之間,優(yōu)點(diǎn)是有利

于提高總線利用率,支持總線并發(fā)操作,

缺點(diǎn)是結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成本較高。

改寫主存儲(chǔ)器的策略

若CPU改寫了CACHE一單元內(nèi)容后

且尚未改變主存相應(yīng)單元內(nèi)容,則出

現(xiàn)數(shù)據(jù)不一致性。兩種解決辦法:

1.接下來(lái)直接改寫主存單元內(nèi)容。

簡(jiǎn)便易行,但可能帶來(lái)系統(tǒng)運(yùn)行

效率不高的問(wèn)題,該后未被使用。

2.拖后改寫主存單元內(nèi)容,一

直拖到有另外的設(shè)備要讀該

內(nèi)容過(guò)時(shí)的主存單元時(shí)。首

先停止這一讀操作,接下來(lái)

改寫主存內(nèi)容,之后再起動(dòng)

已停下來(lái)的讀操作,否則不

必改寫。

矛盾是如何檢查是否應(yīng)該

改寫,通過(guò)監(jiān)視地址總線

完成,記下無(wú)效單元地址

用于比較。控制復(fù)雜

些,但可以提供更高系統(tǒng)

的運(yùn)行效率。

加.虛擬存儲(chǔ)器的運(yùn)行原理

虛擬存儲(chǔ)器是指用磁盤一

片存儲(chǔ)空間來(lái)彌補(bǔ)主存空間的

不足,使得程序人員能夠使用

比主存實(shí)際容量更大的存儲(chǔ)空

間來(lái)編寫和運(yùn)行程序。

在操作系統(tǒng)和相應(yīng)硬

件的支持下,數(shù)據(jù)在磁盤

和主存之間按程序運(yùn)行的

需要自動(dòng)成批量地完成交

換。

虛擬存儲(chǔ)器中經(jīng)常使用

兩種基本管理技術(shù):

段式存儲(chǔ)管理,

頁(yè)式存儲(chǔ)管理。

核心問(wèn)題都在于處理

數(shù)據(jù)的存放與調(diào)度。

段表內(nèi)容及其管理

邏輯地址

段表基地址段號(hào)段內(nèi)地址

主存實(shí)際地址

段始地址段長(zhǎng)裝入位

五.外存設(shè)備

磁表面存儲(chǔ)設(shè)備

存儲(chǔ)原理與組成

(磁盤、磁帶設(shè)備)

光盤設(shè)備的

存儲(chǔ)原理與組成

磁盤陣列與容錯(cuò)技術(shù)

硬磁盤設(shè)備

磁頭■取數(shù)臂■定位驅(qū)動(dòng)器

濾塵器.

硬磁盤驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)示意圖

低價(jià)磁盤的冗余陣列(RAID)

RedundantArraysofInexpensiveDisks

用N個(gè)低價(jià)磁盤構(gòu)成一個(gè)統(tǒng)一管理的陣列,

取代特貴單一磁盤是一個(gè)好的方案,它可以:

有N個(gè)磁盤的容量—有1/N的訪問(wèn)時(shí)間■

有更高的性能^

對(duì)陣?盤采用冗余技高高信

RAIDO:datasi?而

RAIDl:DriveMirroring

RAID4:DataGuarding^^^^^^J

RAID5:DistributeddataGuarding

第五章內(nèi)容概要

直控中斷DMA,總線接口與設(shè)備

主總局部慢擴(kuò)展,周期方式等待催

識(shí)別緩沖和狀態(tài),控制中斷等相隨

一般組成和原理,顯示鍵盤打印機(jī)

第五章

輸入/輸出系統(tǒng)和輸入/輸出設(shè)備

1.輸入/輸出設(shè)備概述

2.常用輸入設(shè)備組成與運(yùn)行原理:

鍵盤

3.常用輸出設(shè)備組成與運(yùn)行原理:

終端顯示器

打印機(jī)(針式噴墨式激光)

4.輸入/輸出系統(tǒng)概述

5.計(jì)算機(jī)的總線:總線構(gòu)成

總線周期運(yùn)行方式等待狀態(tài)

6.接口電路:接口電路的功能、

一般組成,串行口實(shí)例

7.常用的輸入/輸出方式

8.中斷和DMA的處理過(guò)程

輸入/輸出子系統(tǒng)

總線:

連接計(jì)算機(jī)各功能部件的

邏輯電路和連線,包括管理

信息傳輸規(guī)則的電路被稱為

總線。

幾個(gè)概念及術(shù)語(yǔ)

三種總線:

數(shù)據(jù)總線:傳輸數(shù)據(jù),速度與位數(shù)

地址總線:傳輸?shù)刂?,位?shù)

控制總線:指明總線周期的類型和

一次入/出操作完成的時(shí)刻等信息

幾個(gè)概念及術(shù)語(yǔ)

總線周期的類型:

內(nèi)存讀內(nèi)存寫

外設(shè)讀外設(shè)寫

中斷和DMA

幾個(gè)概念及術(shù)語(yǔ)

總線周期:正常總線周期:

一次地址時(shí)間和一次數(shù)據(jù)時(shí)間

BURST總線周期:

一次地址時(shí)間和多次數(shù)據(jù)時(shí)間

總線的等待狀態(tài):

增加的數(shù)據(jù)時(shí)間被稱

為總線的等待狀態(tài)。

影響系統(tǒng)的運(yùn)行效率。

單總線和多總線結(jié)構(gòu)

早期的計(jì)算機(jī),如DEC公司的PDP-11

只使用一組總線,包括數(shù)據(jù)總線,

地址總線,控制總線。

其優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低廉,

缺點(diǎn)是運(yùn)行效率低??偩€

輸入輸出

CPU

■設(shè)備設(shè)備

多(2或3)總線結(jié)構(gòu)

當(dāng)前計(jì)算機(jī)通常采用多總線結(jié)構(gòu)

結(jié)

構(gòu)

1,2,4B

I/O設(shè)備1■I/O設(shè)備2

多(2或3)總線結(jié)構(gòu)

結(jié)

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