GB/T 44513-2024微機電系統(MEMS)技術傳感器用MEMS壓電薄膜的環(huán)境試驗方法

ICS3108099

CCSL.59.

中華人民共和國國家標準

GB/T44513—2024/IEC62047-372020

:

微機電系統MEMS技術傳感器用

()

MEMS壓電薄膜的環(huán)境試驗方法

Micro-electromechanicalsstemsMEMStechnolo—Environmentaltest

y()gy

methodsofMEMSpiezoelectricthinfilmsforsensorapplication

IEC62047-372020Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

(:,

Part37EnvironmentaltestmethodsofMEMSiezoelectricthinfilmsforsensor

:p

alicationIDT

pp,)

2024-09-29發(fā)布2025-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T44513—2024/IEC62047-372020

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

試驗流程

4…………………1

總則

4.1…………………1

初始測量

4.2……………2

試驗

4.3…………………2

后處理

4.4………………2

最終測量

4.5……………3

環(huán)境和介質耐電壓試驗

5…………………3

環(huán)境試驗

5.1……………3

介質耐電壓試驗

5.2……………………6

附錄資料性測試結果報告

A()…………8

總則

A.1…………………8

高溫影響試驗

A.2………………………8

參考文獻

……………………11

Ⅰ

GB/T44513—2024/IEC62047-372020

:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半導體器件微機電器件第部分傳感器用壓

IEC62047-37:2020《37:MEMS

電薄膜的環(huán)境試驗方法

》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動

:

為與現有標準協調將標準名稱改為微機電系統技術傳感器用壓電薄膜

———,《(MEMS)MEMS

的環(huán)境試驗方法

》;

修改了表格中厚度為使表格內容與附錄文本表述的內容相對應

———A.1PZT3μm2μm,A。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本文件起草單位昆山昆博智能感知產業(yè)技術研究院有限公司中用科技有限公司中機生產力促

:、、

進中心有限公司蘇州大學成都航天凱特機電科技有限公司武漢大學北京智芯微電子科技有限公

、、、、

司無錫華潤上華科技有限公司昆山雙橋傳感器測控技術有限公司深圳市美思先端電子有限公司中

、、、、

國科學院微電子研究所重慶宸碩測控技術有限公司蘇州市質量和標準化院蘇州慧聞納米科技有限

、、、

公司上海新微技術研發(fā)中心有限公司蘇州科技大學蘇州晶方半導體科技股份有限公司太原航空儀

、、、、

表有限公司山東中科思爾科技有限公司明石創(chuàng)新煙臺微納傳感技術研究院有限公司河北初光汽

、、()、

車部件有限公司廣東潤宇傳感器股份有限公司蕪湖樂佳電器有限公司

、、。

本文件主要起草人陳立國江大白李根梓劉會聰蔣禮平劉勝方東明夏長奉王冰周維虎

:、、、、、、、、、、

許宙鐘鳴張碩孫旭輝夏燕婁亮程新利楊劍宏陳志文張中飛胡增商艷龍王陽俊高峰盧弈鵬

、、、、、、、、、、、、、、、

袁長作仲勝利李海全錢勇國

、、、。

Ⅲ

GB/T44513—2024/IEC62047-372020

:

微機電系統MEMS技術傳感器用

()

MEMS壓電薄膜的環(huán)境試驗方法

1范圍

本文件描述了在環(huán)境應力溫度和濕度機械應力和應變下評估壓電薄膜材料耐久性的

()、,MEMS

試驗方法以及用于質量評估的試驗條件本文件具體描述了在溫度濕度條件和外加電壓下測量被測

,。、

器件耐久性的試驗方法和試驗條件

。

本文件適用于評估壓電薄膜材料的耐久性和質量也適用于評估在硅襯底上形成的壓電薄

MEMS,

膜的正壓電性能例如用作聲學傳感器或懸臂式傳感器的壓電薄膜

,。

本文件不包括可靠性評估如基于威布爾分布預測壓電薄膜壽命的方法

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體器件微機電器件第部分壓電薄膜機電轉換特性的測量方

IEC62047-3030:MEMS

法

(Semiconductor—Micr